Semiconductores de potencia

Tamaño: px
Comenzar la demostración a partir de la página:

Download "Semiconductores de potencia"

Transcripción

1 plugging a laptop into a substation communication network, IEDs can be explored, SA configurations based on Semiconductores de potencia the SCD file can be inspected and SA network traffic can be thoroughly analyzed. The tools used for these tasks are described in the following paragraphs. Segunda parte: Tecnología de encapsulado y desarrollos futuros Stefan Linder IEC Substation Browser The IEC substation browser is a testing tool which allows an engineer to browse an SA system online with IEDs Los attached. semiconductores The configuration de potencia of an se han extendido durante las últimas décadas be a una loaded amplia from gama an SCL de aplicaciones. file Esta extensión ha sido consecuencia IED can M and the del browser continuo then y rápido connects desarrollo to the de la tecnología de semiconductores de potencia, que servers. ha conseguido It can also dispositivos de- muy potentes, efectivos y fáciles de cada aproximadamente, los en- ientras que, hasta hace una dé- corresponding tect IEDs usar. in En an la SA primera network, parte inspect de este artículo, publicado en la anterior edición de capsulados para semiconductores de IEDs la for Revista their functions ABB1), se in discutieron terms of aspectos del diseño y optimización de los potencia eran poco más que contenedores para los dispositivos, en la ac- servers, check for the existence of logical devices and logical nodes (as tualidad se están convirtiendo cada chips y se expusieron diversas consideraciones para la aplicación de diversas well clases as their de corresponding dispositivos, attributes), especialmente los IGBT e IGCT. vez más en el elemento limitador de all without La continua having optimización an SCD file at del silicio ha acercado cada vez más los rendimientos The a los browser límites displays físicos y process tecnológicos. El resultado de ello es que, dejando fuertes. Por lo tanto, la atención de los sistemas electrónicos de corrientes hand. data aparte ie, data la attributes posibilidad with de functional que surjan avances radicalmente nuevos, el potencial de status nuevas information mejoras en (ST) este or aspecto del diseño está disminuyendo. cada vez más en los aspectos de dise- los desarrolladores se está centrando constraint measurands Los encapsulados (MX) which para are continuously updated. The user can additiona- limitaciones. dispositivos de semiconductores, sin embargo, aún ño del encapsulado para abordar sus tienen un potencial considerable para impulsar el rendimiento. Por conlly reserve, enable, configure report control siguiente, blocks, este start artículo general profundiza interrogation (GI) Hoy día, or check casi todos for extensions los semiconductores (or de potencia comerciales se basan en este aspecto. in other por words completo non-registered en el silicio. devices Mirando al futuro, este artículo discute el potencial responding de los llamados to ping, SNMP, materiales MMS). de A amplio salto de banda, como el carburo de more silicio, extensive el nitruro presentation de galio of y plugand-play applications build around el diamante. the concept of the IEC substation browser can be found in [3]. IEC Network Analyzer With the growing dependency on Ethernet communication among IEDs and other devices in a substation, there is a distinct need for tools that can analyze the data traffic (ie, basic Ethernet and related TCP/IP traffic) exchange in an SA network. This data is transmitted as a sequence of bits and an engineer must be able to understand the context of any piece of extracted data if he is to discover any irregularities or problems. The IEC Network Analyzer 3 is a testing tool that can capture and analyze substation communication network traffic in combination with the information found in an SCL file. By simply plugging in a standard laptop to a substation communication network, problems are quickly detected and IEC protocol implementations are reliably inspected directly off the Formas de encapsulado En el campo de las altas potencias se han establecido dos formas de encapsulado conceptualmente distintas: el módulo aislado y el encapsulado de contacto a presión 1. La principal diferencia entre ellos es que, en el primer caso, el circuito eléctrico está separado galvánicamente del disipador térmico por un aislador cerámico, mientras que en el diseño de contacto a presión la corriente circula verticalmente por todo el módulo, es decir, también a través del disipador térmico. Ambas formas de encapsulado son apropiadas fundamentalmente para los IGBT e IGCT. En la práctica, sin embargo, los IGCT sólo se ofrecen en encapsulados de contacto a presión, mientras que los IGBT se fabrican en ambas variantes. El encapsulado aislado predomina actualmente en sistemas con bajas potencias de salida (generalmente por debajo de 1 MW), ya que el circuito se puede implementar con una menor complejidad mecánica y, por tanto, con Nota 1) Stefan Linder. Semiconductores de potencia. Primera parte: Bases y aplicaciones, Revista ABB 4/2006, páginas Revista ABB 1/2007

2 menores costes. Por otro lado, el encapsulado de contacto a presión se prefiere por varias razones para potencias superiores a 10 MW. Aquí discutiremos las dos razones más importantes: En los sistemas con potencias de salida muy altas, los semiconductores se han de conectar en paralelo y/o en serie. Para este último caso, especialmente, los encapsulados de contacto a presión tienen una gran ventaja, ya que los módulos se pueden disponer apilados y separados sólo por disipadores térmicos. Un ejemplo son las instalaciones de transmisión de energía eléctrica HVDC (corriente continua y alta tensión), en las que se conectan en serie hasta 200 módulos. El encapsulado de contacto a presión debe utilizarse si la aplicación requiere garantizar la circulación ininterrumpida de corriente (por ejemplo, un inversor de una fuente de corriente, pero también todos los sistemas que han de responder al fallo de un semiconductor o a un fallo de control, descargando la energía del enlace de CC poniendo en circuito los semiconductores). En un encapsulado de contacto a presión, los polos metálicos se funden cuando falla un semiconductor, garantizado en consecuencia una vía conductora de corriente con baja impedancia. Por otro lado, en el encapsulado aislado la corriente circula a través de hilos de soldadura, que en caso de fallo pueden evaporarse dejando abierto el circuito. Requisitos de la tecnología de encapsulado Crear un diseño de encapsulado es un desafío que comprende dos factores principales: Los semiconductores de potencia modernos operan con una disipación continua de potencia de W/ cm 2 de silicio. Esta densidad de potencia es (por área de superficie) aproximadamente una magnitud mayor que la de una placa de cocina calentada a la máxima potencia. Esto impone extraordinarias exigencias a la tecnología de encapsulado y a los materiales utilizados. El coeficiente de dilatación térmica (CTE) del silicio es aproximadamente de cinco a diez veces menor que el de la mayoría de los metales (Cu, Al) adecuados para acoplamiento eléctri- co y térmico. Esto significa que componentes vitales en el encapsulado (contactos de los hilos de conexión, soldaduras) están sometidos a considerables esfuerzos termomecánicos durante los cambios de carga, lo que limita considerablemente su vida útil. Como consecuencia de estos requisitos, no queda más remedio que utilizar materiales caros y muy sofisticados. Posibilidad de mejoras en la tecnología de encapsulado Mayores temperaturas de unión La potencia de salida útil P útil de los semiconductores de potencia se determina de acuerdo con la ecuación: T ambiente P útil (1) R th Donde es la máxima temperatura de la unión, T ambiente es la temperatura del disipador térmico (ambiente), y R th es la resistencia térmica entre la junta semiconductora y el ambiente. A partir de esta fórmula resulta evidente que si se aumenta la máxima temperatura de unión en dispositivos de alta tensión (superior a V) desde 125 C (el estándar actual) hasta 150 C, resulta un aumento de rendimiento de entre 25 y 30 por ciento (suponiendo una temperatura ambiente de C). Una alternativa para conseguir más potencia de salida mediante esta mejora de rendimiento es invertir la mejor capacidad refrigeradora en más pérdidas para una potencia dada. Esto permitiría hacer funcionar el inversor a una mayor frecuencia de conmutación, reduciendo así los armónicos y pudiendo utilizar filtros más pequeños. En la práctica, se han de cumplir varias condiciones básicas para poder aprovechar totalmente este potencial: 1) Propiedades del silicio El semiconductor de potencia ha de poder desconectar la mayor corriente nominal a la mayor temperatura de unión. En los inversores de tensión, los diodos de circulación libre han de poder resistir con toda seguridad la mayor sobrecorriente en caso de fallo. Los dispositivos IGBT han de conservar un tiempo adecuado de resistencia a los cortocircuitos. Los componentes de silicio han de mostrar un comportamiento estable a 150 C, es decir, no pueden permitir ninguna redistribución de la aceleración de corriente inducida por la temperatura. 2) Propiedades de la tecnología de encapsulado e interconexión La tecnología de interconexión ha de tener una resistencia adecuada a la fatiga termomecánica provocada por las cargas alternas. Los materiales usados han de tolerar las temperaturas que puedan presentarse. La capacidad de sobrecarga de los diodos de circulación libre conectados es un importante obstáculo al optimizar la aplicación de un semiconductor; de hecho es, con frecuencia, el elemento limitador ya a 125 C. Un aumento de la potencia de salida, sin embargo, suele ir acompañado por una mayor demanda de corriente de sobrecarga. Esto exige diodos de mayor tamaño, lo cual reduce el espacio disponible para los dispositivos de conmutación (IGBT o IGCT) y generalmente provoca pérdidas mayores de encendido. Por eso, si no se aplican enfoques innovadores, el margen de libertad para aumentar el rendimiento aumentando la temperatura de la junta parece limitado. El potencial es mucho menor que lo que sugiere la consideración puramente térmica de la fórmula (1). La resistencia termomecánica a cargas alternas es el principal factor limitador en la tecnología de interconexión. La figura 2 muestra la capacidad de los modernos módulos aislados, de alta potencia, en el caso de 125 C de temperatura máxima de la junta, y la curva correspondiente aproximada, para la misma construcción de módulo, si aumenta hasta 150 C. La figura muestra también la curva que se requeriría para proporcionar al sistema la misma expectativa de vida útil a 150 C que la que tiene a 125 C. Se puede observar que las demandas aumentan acusadamente a una temperatura máxima más alta de la junta, especialmente si ésta experimenta grandes fluctuaciones. Esto se debe a que los cambios importantes en las condiciones de la carga Revista ABB 1/

3 (por ejemplo, ciclos de carga máxima/ carga nula) causan desviaciones mayores de la temperatura (hasta 25 C más). Las demandas no aumentan tanto para un pequeño incremento ΔT, puesto que las pequeñas fluctuaciones de la potencia de salida influyen poco sobre la temperatura de la junta. Por ejemplo, si la potencia de salida baja del 100 al 90 por ciento a temperatura ambiente de 30 C, la temperatura de la unión disminuye en 9,5 C a = 125 C y en 12 C a = 150 C. Considerando el hecho de que la capacidad de soportar cambios de carga de los productos más modernos apenas satisface los requisitos en muchas aplicaciones (particularmente en tracción), se puede deducir que es preciso aumentar la capacidad de los módulos en al menos el factor 5 para aumentar la temperatura de la junta hasta 150 C. Esto sólo puede conseguirse desarrollando nuevas tecnologías. En particular, las juntas soldadas de gran superficie probablemente tendrán que ser sustituidas por tecnologías de conexión perfeccionadas. La más prometedora, según parece, es la llamada técnica de unión a baja temperatura (LTB), que conecta dos elementos por medio de una capa aglomerada por sinterización hecha con copos esponjosos de plata. Además de una mayor elasticidad durante el ciclo de la carga, las uniones a baja temperatura también tienen menos resistencia térmica. Reducción de la resistencia térmica Como alternativa a aumentar la temperatura máxima de la junta, también es posible aumentar la potencia de salida reduciendo la resistencia térmica R th (véase fórmula 1). La distribución típica de R th en una estructura con un módulo aislado IGBT de alta potencia, con una superficie IGBT total de unos 45 cm 2, es aproximadamente la siguiente: Junta del IGBT con la placa de AlSiC (aluminio-carburo de silicio) 7 K/kW Placa base de AlSiC con el disipador térmico (contacto seco) 6 K/kW Disipador térmico con el ambiente K/kW* * Este valor depende estrechamente del método de refrigeración (bajo para líquidos de refrigeración, más alto para refrigeración por aire forzado) Hay que destacar que el contacto seco del módulo con el disipador térmico tiene aproximadamente la misma resistencia térmica que el propio módulo y que la resistencia R th está localizada, en un 40 a 70 por ciento, entre el disipador térmico y el ambiente. Desde este punto de vista, abordar la resistencia R th externa del módulo promete más ventajas que concentrarse exclusivamente en la resistencia interna del módulo. La razón para concentrarse en la resistencia R th externa queda reforzada por los grandes márgenes de rendimiento de los dispositivos modernos (véase Revista ABB 4/2006) y por el hecho de que están empezando a emerger nuevos materiales capaces de reducir la resistencia térmica interna de los módulos entre un 30 y 50 por ciento. Entre estos materiales están los MMC (compuestos matriciales metálicos) avanzados, que tienen una favorable adaptación CTE y una conductividad térmica muy alta. Un ejemplo lo constituyen los MMC de diamante, que ofrecen conductividades térmicas de W/mK y que, por tanto, pueden superar incluso al cobre. Debido a la gran diferencia entre su coeficiente CTE y el del silicio, el cobre sólo se usa en combinación con otros materiales que tienen un coeficiente CTE adaptado (por ejemplo, molibdeno, véase 1i ). Además de las mejoras en el disipador térmico, el contacto seco (no soldado) con el módulo merece atención especial. Su resistencia térmica no sólo es alta, sino también muy propensa a las variaciones, puesto que es muy difícil garantizar una presión homogénea de contacto y un buen contacto entre las superficies. El uso de grasas térmicas y aceites de silicona sólo mitiga ligeramente los problemas, puesto que la conductividad térmica de estas sustancias es, como mínimo, 100 veces menor que la de los metales de la base del módulo y el disipador térmico. Un enfoque muy prometedor para resolver este problema está en el uso de sustra- 1 Formas comunes de encapsulado para semiconductores de alta potencia: Un módulo aislado (izquierda) y un módulo de contacto a presión (a la derecha se muestra un IGCT típico). En los módulos de encapsulados aislados, el semiconductor f está aislado galvánicamente del disipador térmico c. Los contactos eléctricos dentro del módulo se hacen con hilos soldados. En caso de fallo del dispositivo, los hilos tienden a vaporizarse y el módulo deja de conducir. En los módulos de contacto a presión, la corriente de carga entra por una superficie k y sale por la superficie opuesta. Las bajas resistencias eléctrica y térmica de los contactos están aseguradas por la alta presión mecánica aplicada sobre esas superficies. En caso de fallo, las piezas polares metálicas j se funden y la corriente puede seguir circulando por el módulo. a Conexiones de Energía y de control e Placa base (norm. AISIC) b Hilo de conexión f Semiconductor c Disipador de calor g Caja d Cerámica (normalmente AIN) h Disipador de calor i Compensación CTE (Mo) j Caja (cerámica) k Cobre l Semiconductor a a a b d f e g l i i k k j c h 64 Revista ABB 1/2007

4 tos intermedios metálicos con alta conductividad térmica, cuyas propiedades han sido determinadas de forma que se vuelvan muy suaves o incluso fluidos en condiciones normales de operación. Por consiguiente forman entre el disipador térmico y el módulo una conexión con un valor R th similar al de una soldadura. Es perfectamente imaginable que, alternativamente, se vuelva a los módulos con disipador térmico integrado, ya que el contacto seco se ha eliminado en este concepto. Estos productos no han conseguido establecerse a gran escala hasta ahora por su complejidad y altos costes. Nuevas generaciones de semiconductores Dispositivos de silicio Se han estudiado muchos conceptos distintos de nuevos componentes, especialmente durante los años noventa; los más conocidos son el MCT (tiristor controlado por MOS), el FCTh (tiristor de silicio controlado por campo) y el EST (tiristor conmutado por emisor). El objetivo común de estos conceptos de dispositivo era combinar propiedades como las del tiristor 2) con una menor potencia del controlador. Puesto que todos estos componentes tenían deficiencias conceptuales y dado que la distribución del plasma en los modernos IGBT se ha aproximado ya estrechamente al tiristor ideal en los modernos IGBT, la innovación con nuevos tipos de estructuras se ha reducido notablemente. Actualmente, la probabilidad de que el IGBT y el IGCT sean sustituidos por un componente de silicio básicamente diferente parece más remota que nunca. Materiales de amplio salto de banda Los componentes hechos con los llamados materiales semiconductores de amplio salto de banda son otra vía de desarrollo. La ventaja de estos materiales, de los que los más conocidos son el carburo de silicio (SiC), el nitruro de galio (GaN) y el diamante (C), reside en que presentan una rigidez dieléctrica claramente mayor que el silicio, lo que permite conseguir componentes con menores espesores y más dopados en la sección intermedia que con el silicio, aspectos que, por razones que ya se han discutido en la primera parte 4), suponen pérdidas considerablemente menores en el semiconductor. Actualmente sólo el SiC puede considerarse un serio candidato en el rango de alta potencia. El SiC es hasta ahora el único material que permite construir componentes verticales, es decir, componentes en los que la corriente circula verticalmente por el cuerpo del semiconductor y no por su superficie. Solamente una construcción vertical como ésta permite obtener una sección transversal adecuadamente grande para las corrientes requeridas, manteniendo al mismo tiempo un tamaño aceptable de los componentes. Conceptos sobre componentes preferidos de SiC Análogamente al silicio, el SiC permite la fabricación de semiconductores tanto unipolares como modulados por conductividad ( bipolares ). Sin embargo, debido al mayor dopado permitido en la zona de deriva, el uso económico de componentes unipolares de SiC es viable hasta tensiones de bloqueo significativamente mayores que con el silicio, concretamente hasta unos 2 4 kv. Además, los componentes bipolares de SiC atraen el máximo interés para su uso en el rango de alta tensión y alta potencia. En el caso de los componentes unipolares, hoy día ya hay disponibles en el mercado diodos Schottky con 2 Expectativa de resistencia a la fatiga en función de las desviaciones térmicas de los modernos módulos IGBT aislados, de alta potencia, con placas base de AlSiC (por ejemplo, ABB HiPak o Infineon IHM) Número de ciclos hasta el fallo Capacidad necesaria para = 150 C (estimada) Capacidad actual a = 125 C Capacidad actual a = 150 C (estimada) Ciclo de temperatura (ΔT) de la junta [ C] corrientes nominales de hasta 20 A y tensiones de hasta V. Estos dispositivos se usan principalmente en conmutación de fuentes de alimentación y en inversores de células solares. Además, ya se han fabricado interruptores de SiC (MOSFET y JFET) con excelentes resultados, aunque sólo a escala de laboratorio. Un problema importante es el hecho de que los MOSFET y JFET de SiC, con interesantes características eléctricas, hasta ahora siempre han sido conductores, a menos que sean controlados ( normalmente en conducción ). Los componentes con estas características nunca han sido bien aceptados por el mercado, incluso aunque los problemas asociados parezcan técnicamente resolubles. Además de diodos, ya se han fabricado con excelentes resultados componentes bipolares como IGBT, transistores bipolares (BJT) y tiristores para tensiones de hasta 10 kv. En el caso del BJT, hay que recalcar que, aunque es un componente bipolar, no suele producirse en él modulación de la conductividad en estado de conducción (a no ser que funcione con una ganancia muy baja). Por tanto, el BJT debería ser considerado como un componente unipolar por sus características de pérdidas. Un problema fundamental de los componentes de SiC con modulación de conductividad se debe al hecho de que las uniones pn del SiC sólo empiezan a conducir a 2,8 V aproximadamente (a diferencia del silicio, que sólo requiere una tensión en torno a 0,7 V). Puesto que todos los componentes modulados por conductividad tienen al menos una unión pn en el camino de la corriente, las pérdidas de conducción son altas. Por eso, estos componentes pierden mucho interés para tensiones de ruptura inferiores a aproximadamente 4 6 kv. Además, la tensión de conducción ( tensión built-in ) de las uniones pn de SiC tiene un coeficiente de temperatura muy negativo, lo que puede suponer el riesgo de que la corriente se distribuya no homogéneamente en grandes componentes. Revista ABB 1/

5 Montaje de un módulo HiPak semiconductor de potencia Interior de un módulo HiPak (véase también 1, izquierda) Calidad del material de SiC El SiC sigue siendo un material muy difícil de producir en una calidad equiparable a la del silicio. Los microtubos, frecuentemente puestos en cuestión, son sólo uno de los varios defectos perjudiciales del cristal, alguno de los cuales puede afectar negativamente a la estabilidad a largo plazo del componente, especialmente en el caso de componentes bipolares. Así pues, la producción industrial de componentes de SiC de gran superficie no es aún posible. Otro aspecto negativo es el hecho de no es demasiado interesante mejorar la calidad del SiC. La razón está en que la mayoría del SiC producido no se utiliza para fabricar semiconductores de potencia, sino como material soporte para la fabricación de LED (diodos emisores de luz). El material que se utiliza para los LED es un tipo diferente de SiC (6H en vez de 4H), con mucha peor calidad, adecuado para una fabricación económica de los LED, dado su pequeño tamaño. Tecnología de encapsulado de SiC Es incuestionable que los componentes de SiC, incluso a largo plazo, seguirán siendo considerablemente más caros que los componentes de silicio del mismo tamaño. La perspectiva del éxito comercial en el rango de alta potencia se basa en el hecho de que los componentes pueden operar a una densidad de corriente significativamente mayor que los componentes de silicio, debido a sus menores pérdidas y a la mayor temperatura permitida de la junta (más de 400 C). Por desgracia, hay dos serios obstáculos en el camino hacia este objetivo: Por las razones mencionadas en la sección Mayores temperaturas de unión, es difícil establecer una tecnología de encapsulado que haga posibles temperaturas de junta significativamente más altas que las habituales con el silicio. Por consiguiente, puede asumirse que las pérdidas por unidad de superficie en los mayores dispositivos de SiC se mantendrán dentro de los mismos límites que en los componentes de silicio, supuesto que no varíen los requisitos de fiabilidad. Además, existe el problema de que los dispositivos de SiC tienen tiempos más cortos de conmutación (es decir, mayor di/dt) que el silicio. Debido a ello, las inductancias parásitas permitidas en los encapsulados son menores que en los componentes de silicio. Sin embargo, el hecho de que las inductancias parásitas estén determinadas básicamente por las distancias de aislamiento y las secciones transversales, hace difícil conseguir los valores requeridos en los encapsulados para altas potencias de salida. Desafortunadamente, la combinación de problemas de calidad del material SiC, los elevados costes y las dificultades técnicas, tanto en los componentes como en la tecnología de encapsulado, reducen las esperanzas de que el progreso del SiC en el rango de alta potencia se produzca en un próximo futuro. Resumen Sin duda, los IGBT e IGCT se han establecido como los dos interruptores de semiconductores con mejores resultados durante los últimos años en el rango de las potencias más altas. Ambos conceptos se desarrollan en paralelo y es perceptible que los objetivos de desarrollo convergen cada vez más. En la etapa actual, ambos componentes pueden considerarse maduros (es decir, parece poco probable que se produzcan avances espectaculares, y el progreso futuro tendrá seguramente carácter evolutivo, no revolucionario). Sin embargo, esto no es aplicable a las tecnologías de encapsulado y de interconexión, que todavía pueden permitir el aprovechamiento del potencial del silicio, hasta ahora desaprovechado. La motivación para innovar en este campo es alta, ya que la introducción en gran escala de materiales de amplio salto de banda en el rango de alta potencia tiene todavía un largo camino por delante. En la actualidad, el SiC parece ser el único de estos materiales con posibilidades reales. Stefan Linder ABB Switzerland Ltd, Semiconductors Lenzburg, Suiza Notas 2) Véase también la subsección Optimización de las pérdidas de potencia en conducción y corte por ajuste de la distribución del plasma, en la primera parte de este artículo (Revista ABB 4/2006, página 36). 3) La llamada zona de deriva, véase figura 4 de la primera parte de este artículo, página 37. 4) Objetivos del diseño del IGBT y del IGCT en la primera parte de este artículo (página 35). 66 Revista ABB 1/2007

INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA Introducción En el mundo de hoy la electrónica de potencia cuenta con cuantiosas aplicaciones en diferentes áreas, encontramos aplicaciones en el control de velocidad

Más detalles

Electrónica de potencia e instalaciones eléctricas: Semiconductores: diodo, transistor y tiristor

Electrónica de potencia e instalaciones eléctricas: Semiconductores: diodo, transistor y tiristor Electrónica de potencia e instalaciones eléctricas: Semiconductores: diodo, transistor y tiristor El descubrimiento del diodo y el estudio sobre el comportamiento de los semiconductores desembocó que a

Más detalles

Tutorial de Electrónica

Tutorial de Electrónica Tutorial de Electrónica Introducción Conseguir que la tensión de un circuito en la salida sea fija es uno de los objetivos más importantes para que un circuito funcione correctamente. Para lograrlo, se

Más detalles

El transistor de potencia

El transistor de potencia A 3.2 P A R T A D O El transistor de potencia 32 A Introducción a los transistores de potencia 3.2 A. Introducción a los transistores de potencia El funcionamiento y utilización de los transistores de

Más detalles

El chip dos en uno. El transistor bimodal de puerta aislada (BIGT)

El chip dos en uno. El transistor bimodal de puerta aislada (BIGT) El transistor bimodal de puerta aislada (BIGT) Munaf Rahimo, Liutauras Storasta, Chiara Corvasce, Arnost Kopta Los semiconductores de potencia empleados en aplicaciones de conversión de fuente de tensión

Más detalles

CAPÍTULO COMPONENTES EL DIODO SEMICONDUCTORES: 1.1 INTRODUCCIÓN

CAPÍTULO COMPONENTES EL DIODO SEMICONDUCTORES: 1.1 INTRODUCCIÓN CAPÍTULO 1 COMPONENTES SEMICONDUCTORES: EL DIODO 1.1 INTRODUCCIÓN E n el capítulo 5 del tomo III se presentó una visión general de los componentes semiconductores básicos más frecuentes en electrónica,

Más detalles

CAPITULO 1. Motores de Inducción.

CAPITULO 1. Motores de Inducción. CAPITULO 1. Motores de Inducción. 1.1 Introducción. Los motores asíncronos o de inducción, son prácticamente motores trifásicos. Están basados en el accionamiento de una masa metálica por la acción de

Más detalles

Otras Familias Lógicas.

Otras Familias Lógicas. Electrónica Digital II Otras Familias Lógicas. Elaborado Por: Luis Alfredo Cruz Chávez. Prof.: Carlos Alberto Ortega Grupo 3T2 - EO Familias lógicas. Una familia lógica de dispositivos circuitos integrados

Más detalles

CONTROL ELECTRÓNICO DE MOTORES CA. Tema 4

CONTROL ELECTRÓNICO DE MOTORES CA. Tema 4 CONTROL ELECTRÓNICO DE MOTORES CA Tema 4 2 INDICE 3.1 MOTORES DE CORRIENTE ALTERNA... 4 3.2 REGULACIÓN DE LA VELOCIDAD... 4 CONTROL DE LA TENSIÓN Y FRECUENCIA DE LÍNEA.... 5 CONTROL VECTORIAL... 10 3.3.

Más detalles

Controladores digitales con protección excepcional

Controladores digitales con protección excepcional Controladores digitales con protección excepcional Controladores de puerta digitales para módulos IGBT de alta potencia hasta 6500 V Los controladores digitales inteligentes IPS reducen las pérdidas de

Más detalles

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA RESUMEN La revolución tecnológica que vive la sociedad actual se debe en gran parte a la electrónica gracias a la innumerable cantidad de aparatos

Más detalles

Características Generales Estándar:

Características Generales Estándar: Características Generales Estándar: Tensión de entrada: 127 Vac (220 opcional) Tensión nominal de salida: 120 ó 127 Vac (220 opcional) Frecuencia 50/60 hz. Rango de entrada: +15% -30% Vac de tensión nominal.

Más detalles

MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET

MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC TEMAS: Transistores MOSFET. Parámetros del Transistor MOSFET. Conmutación de Transistores MOSFET. OBJETIVOS: Comprender el funcionamiento del

Más detalles

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES EL TRANSISTOR BIPOLAR Dr. Ing.Eduardo A. Romero Los transitores bipolares se construyen con una fina capa de material semiconductor de tipo P entre dos capas de material

Más detalles

Composición Física y Fabricación de Dispositivos Fotovoltaicos

Composición Física y Fabricación de Dispositivos Fotovoltaicos Composición Física y Fabricación de Dispositivos Fotovoltaicos 1.1 Efecto fotovoltaico Los módulos están compuestos de celdas solares de silicio (o fotovoltaicas). Estas son semiconductoras eléctricas

Más detalles

61Inversores para sistemas aislados

61Inversores para sistemas aislados 61Inversores para sistemas aislados Inversores de uso aislado, los gestores de sistema de un abastecimiento autónomo de energía Junto con la unidad de batería el inversor de uso aislado Sunny Island forma

Más detalles

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales Diapositiva 1 Transistores de efecto de campo (npn) puerta FET dispositivo de 3 terminales corriente e - de canal desde la fuente al drenador controlada por el campo eléctrico generado por la puerta impedancia

Más detalles

Física y Tecnología Energética. 17 - Energía Solar. Fotovoltaica.

Física y Tecnología Energética. 17 - Energía Solar. Fotovoltaica. Física y Tecnología Energética 17 - Energía Solar. Fotovoltaica. Estructura electrónica de los sólidos Átomo Sólido cristalino Los electrones en un átomo sólo pueden tener unos determinados valores de

Más detalles

TEMA 4. FUENTES DE ALIMENTACIÓN

TEMA 4. FUENTES DE ALIMENTACIÓN TEMA 4. FUENTES DE ALIMENTACIÓN http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/ 1 TEMA 4. FUENTES

Más detalles

TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES

TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES INTRODUCCIÓN TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES La etapa de potencia es la encarga de suministrar la energía que necesita el altavoz para ser convertida en sonido. En general, los altavoces presentan una impedancia

Más detalles

Componentes: RESISTENCIAS FIJAS

Componentes: RESISTENCIAS FIJAS ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA Componentes: RESISTENCIAS FIJAS Componentes: RESISTENCIAS VARIABLES Componentes: RESISTENCIAS DEPENDIENTES Componentes: RESISTENCIAS DEPENDIENTES Componentes: CONDENSADORES Componentes:

Más detalles

TEMA 5. MICROELECTRÓNICA ANALÓGICA INTEGRADA

TEMA 5. MICROELECTRÓNICA ANALÓGICA INTEGRADA TEMA 5. MCOEECTÓCA AAÓGCA TEGADA 5.. esistencias activas En el capítulo tercero se puso de manifiesto la dificultad que conlleva la realización de resistencias pasivas de elevado valor con tecnología CMOS,

Más detalles

variadores de velocidad electrónicos

variadores de velocidad electrónicos sumario arrancadores y variadores de velocidad electrónicos 1 principales tipos de variadores 2 principales funciones de los arrancadores y variadores de velocidad electrónicos 3 composición 4 principales

Más detalles

2. Qué valores de intensidad y voltaje son los adecuados para un perfecto funcionamiento de los diodos LED?

2. Qué valores de intensidad y voltaje son los adecuados para un perfecto funcionamiento de los diodos LED? EL DIODO LED Un led 1 (de la sigla inglesa LED: Light-Emitting Diode: "diodo emisor de luz", también "diodo luminoso") es un diodo semiconductor que emite luz. Se usan como indicadores en muchos dispositivos,

Más detalles

Incremento de la producción ya que la velocidad del motor de puede aumentar a elección sin intervenir en el proceso.

Incremento de la producción ya que la velocidad del motor de puede aumentar a elección sin intervenir en el proceso. Características Los reguladores de velocidad son controles electrónicos de motores que controlan la velocidad y el par de los motores de corriente alterna convirtiendo las magnitudes físicas de frecuencia

Más detalles

Ensayos VLF (muy baja frecuencia) para cables de Media Tensión

Ensayos VLF (muy baja frecuencia) para cables de Media Tensión Ensayos VLF (muy baja frecuencia) para cables de Media Tensión Domingo Oliva Rodero Técnico comercial unitronics electric doliva@unitronics-electric.com www.unitronics-electric.es Introducción La fiabilidad

Más detalles

Práctica 3: Amplificador operacional II: Regulador lineal realizado con un operacional

Práctica 3: Amplificador operacional II: Regulador lineal realizado con un operacional Práctica 3: Amplificador operacional II: Regulador lineal realizado con un operacional 1. Introducción. En esta práctica se diseña un regulador de tensión de tipo serie y se realiza el montaje correspondiente

Más detalles

Integrantes: Luis Valero Antoni Montiel Kelwin Contreras Gabriel Jiménez Jefferson Saavedra

Integrantes: Luis Valero Antoni Montiel Kelwin Contreras Gabriel Jiménez Jefferson Saavedra Integrantes: Luis Valero Antoni Montiel Kelwin Contreras Gabriel Jiménez Jefferson Saavedra Lógica de resistencia transistor La lógica de resistencia-transistor RTL es una clase de circuitos digitales

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Tema 7 TRANITORE E EFECTO E CAMPO 1.- Introducción. 2.- Transistores de unión de efecto de campo (JFET) 2.1.- Estructura básica. 2.2.- ímbolos. 2.3.- Principio de funcionamiento. 2.3.1.- Influencia de.

Más detalles

Sunways Solar Inverter AT 2700, AT 3000, AT 3600, AT 4500 y AT 5000

Sunways Solar Inverter AT 2700, AT 3000, AT 3600, AT 4500 y AT 5000 Sunways Solar Inverter AT 2700, AT 3000, AT 3600, AT 4500 y AT 5000 Gracias a la topología HERIC con circuito FP de nuevo desarrollo, los nuevos inversores de conexión a red de la serie AT de Sunways garantizan

Más detalles

INSTITUTO TECNOLOGICO DE COSTA RICA INGENIRIA ELECTRONICA ELECTRONICA DE POTENCIA PROF. ING. JUAN CARLOS JIMENEZ TEMA: CIRCUITOS INVERSORES

INSTITUTO TECNOLOGICO DE COSTA RICA INGENIRIA ELECTRONICA ELECTRONICA DE POTENCIA PROF. ING. JUAN CARLOS JIMENEZ TEMA: CIRCUITOS INVERSORES INSTITUTO TECNOLOGICO DE COSTA RICA INGENIRIA ELECTRONICA ELECTRONICA DE POTENCIA PROF. ING. JUAN CARLOS JIMENEZ TEMA: CIRCUITOS INVERSORES Son sistemas que funcionan automáticamente, sin necesidad de

Más detalles

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI Tecnología Microelectrónica Pagina 1 4- FABRICACIÓN DEL FET Describiendo el proceso secuencia de la elaboración del NMOS de acumulación y de dispositivos de deplexion, queda explicada la fabricación de

Más detalles

Integración de una resistencia calefactora de SiC y un tubo de nitruro de silicio en baños de aluminio fundido

Integración de una resistencia calefactora de SiC y un tubo de nitruro de silicio en baños de aluminio fundido Integración de una resistencia calefactora de SiC y un tubo de nitruro de silicio en baños de aluminio fundido Por Mitsuaki Tada Traducido por ENTESIS technology Este artículo describe la combinación de

Más detalles

Escuela 4-016 Ing. Marcelo Antonio Arboit - Junín

Escuela 4-016 Ing. Marcelo Antonio Arboit - Junín Un transformador se compone de dos arrollamientos aislados eléctricamente entre sí y devanados sobre un mismo núcleo de hierro. Una corriente alterna que circule por uno de los arrollamientos crea en el

Más detalles

Práctica 5. Aislamiento térmico. 5.1. Objetivos conceptuales. 5.2. Conceptos básicos

Práctica 5. Aislamiento térmico. 5.1. Objetivos conceptuales. 5.2. Conceptos básicos Práctica 5 Aislamiento térmico 5.1. Objetivos conceptuales Estudiar las propiedades aislantes de paredes de distintos materiales: determinar la conductividad térmica de cada material y la resistencia térmica

Más detalles

Capítulo 1 GESTIÓN DE LA ALIMENTACIÓN

Capítulo 1 GESTIÓN DE LA ALIMENTACIÓN Capítulo 1 GESTIÓN DE LA ALIMENTACIÓN 1 Introducción En un robot autónomo la gestión de la alimentación es fundamental, desde la generación de energía hasta su consumo, ya que el robot será más autónomo

Más detalles

VN706 STEREO MOSFET POWER AMPLIFIER MANUAL DEL USUARIO

VN706 STEREO MOSFET POWER AMPLIFIER MANUAL DEL USUARIO VN706 STEREO MOSFET POWER AMPLIFIER MANUAL DEL USUARIO INDICE Descripción del producto 3 El transistor MOSFET 4 Pag. La configuración MOSFET MOSFET 5 Conexión con la cadena de audio 6 Conexión con la red

Más detalles

6. Determinación de la sección de los conductores. Consejos para un Cableado Seguro Propiedad de Prysmian, Inc.

6. Determinación de la sección de los conductores. Consejos para un Cableado Seguro Propiedad de Prysmian, Inc. 6. Determinación de la sección de los conductores Características Funcionales de los Cables Las líneas o cables deben ser capaces de transportar la corriente normal de funcionamiento, y la que se presenta

Más detalles

Capacitores de película de sulfuro de polifenileno (PPS) para montaje superficial

Capacitores de película de sulfuro de polifenileno (PPS) para montaje superficial CAPACITORES INTRODUCCIÓN Los capacitores son componentes eléctricos y electrónicos capaces de almacenar energía eléctrica, la cantidad de energía almacenada dependerá de las características del mismo componente.

Más detalles

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas Tema 5 TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas 5.1.- Introducción Las fuentes de corriente son ampliamente utilizadas en circuitos electrónicos integrados como elementos de polarización y como cargas

Más detalles

Diseño de una caja de refrigeración por termocélulas

Diseño de una caja de refrigeración por termocélulas Diseño de una caja de refrigeración por termocélulas Antonio Ayala del Rey Ingeniería técnica de telecomunicaciones especialidad en sist. electrónicos Resumen El diseño de un sistema refrigerante termoeléctrico

Más detalles

Sistema de alarma de 4 zonas. Sistema de protección de 4 zonas NC con retardos de E/S. José Miguel Castillo Castillo

Sistema de alarma de 4 zonas. Sistema de protección de 4 zonas NC con retardos de E/S. José Miguel Castillo Castillo Sistema de alarma de 4 zonas. Sistema de protección de 4 zonas NC con retardos de E/S. José Miguel Castillo Castillo Sistema de alarma de 4 zonas INTRODUCCIÓN. En el mercado existen infinidad de productos

Más detalles

Manual Técnico BALASTOS

Manual Técnico BALASTOS 1 BALASTOS 1. INTRODUCCIÓN Los balastos (o reactancias) son dispositivos empleados para limitar y estabilizar la corriente de arco de las lámparas de descarga. En ocasiones se utilizan también para generar

Más detalles

Displays de 7 segmentos

Displays de 7 segmentos 1 de 6 18/11/2010 03:52 p.m. Displays de 7 segmentos En muchos lugares públicos habréis visto unos indicadores luminosos que nos indican el turno. Normalmente son de dos dígitos, lo que les permite contar

Más detalles

INDICE Capitulo I. 1. Introducción a los Principios de las Máquinas Capitulo 2. Transformadores

INDICE Capitulo I. 1. Introducción a los Principios de las Máquinas Capitulo 2. Transformadores INDICE Prefacio XXI Capitulo I. 1. Introducción a los Principios de las Máquinas 1.1. Las máquinas eléctricas y los transformadores en la vida cotidiana 1 1.2. Nota sobre las unidades y notación Notación

Más detalles

Simbología electrónica básica y encapsulado de componentes

Simbología electrónica básica y encapsulado de componentes Desarrollo y Construcción de Prototipos Electrónicos Tema 0.1.1 Simbología electrónica básica y encapsulado de componentes 1 Símbolos generales Símbolo Comentarios Tipo de elemento Conductor eléctrico.

Más detalles

TEMA 8 Reguladores e interruptores estáticos de alterna

TEMA 8 Reguladores e interruptores estáticos de alterna TEMA 8 : Reguladores e interruptores estáticos de alterna. TEMA 8 Reguladores e interruptores estáticos de alterna Índice 8.1.- Introducción.... 1 8.2.- Interruptores estáticos de corriente alterna...

Más detalles

QUE ES LA CORRIENTE ALTERNA?

QUE ES LA CORRIENTE ALTERNA? QUE ES LA CORRIENTE ALTERNA? Se describe como el movimiento de electrones libres a lo largo de un conductor conectado a un circuito en el que hay una diferencia de potencial. La corriente alterna fluye

Más detalles

Figura 1. Tipos de capacitores 1

Figura 1. Tipos de capacitores 1 CAPACITOR EN CIRCUITO RC OBJETIVO: REGISTRAR GRÁFICAMENTE LA DESCARGA DE UN CAPACITOR Y DETERMINAR EXPERIMENTALMENTE LA CONSTANTE DE TIEMPO RC DEL CAPACITOR. Ficha 12 Figura 1. Tipos de capacitores 1 Se

Más detalles

TRANSFORMADORES TRANSFORMADORES

TRANSFORMADORES TRANSFORMADORES Sean dos bobinas N 1 y N 2 acopladas magnéticamente. Si la bobina N 1 se conecta a una tensión alterna sinusoidal v 1 se genera en la bobina N 2 una tensión alterna v 2. Las variaciones de flujo en la

Más detalles

Instrumentación Industrial Prólogo de la asignatura

Instrumentación Industrial Prólogo de la asignatura Instrumentación Industrial Prólogo de la asignatura Electrónica La introducción de los tubos de vacío a comienzos del siglo XX propició el rápido crecimiento de la electrónica moderna. Con estos dispositivos

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TRASISTORES DE EFECTO DE CAMO Oscar Montoya Figueroa Los FET s En el presente artículo hablaremos de las principales características de operación y construcción de los transistores de efecto de campo (FET

Más detalles

Última modificación: 1 de agosto de 2010. www.coimbraweb.com

Última modificación: 1 de agosto de 2010. www.coimbraweb.com GENERACIÓN DE PORTADORA Contenido 1.- Principios de oscilación. 2.- Osciladores LC. 3.- Osciladores controlados por cristal. Objetivo.- Al finalizar, el lector será capaz de describir y dibujar los circuitos

Más detalles

OPTIMIZACIÓN DEL FACTOR DE POTENCIA y CALIDAD DE LA ENERGÍA

OPTIMIZACIÓN DEL FACTOR DE POTENCIA y CALIDAD DE LA ENERGÍA OPTIMIZACIÓN DEL FACTOR DE POTENCIA y CALIDAD DE LA ENERGÍA Introducción En la gran mayoría de las industrias, hoteles, hospitales, tiendas departamentales, etc. existen gran cantidad de motores; en equipo

Más detalles

ELECTRONICA DE POTENCIA

ELECTRONICA DE POTENCIA ELECTRONICA DE POTENCIA Compilación y armado: Sergio Pellizza Dto. Apoyatura Académica I.S.E.S. Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para

Más detalles

Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ

Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ Los inventores del primer transistor en los Bell Laboratories: Doctor Williams Shockley, Doctor John Bardeen

Más detalles

RESUMEN INFORMATIVO PROGRAMACIÓN DIDÁCTICA CURSO 2014/2015

RESUMEN INFORMATIVO PROGRAMACIÓN DIDÁCTICA CURSO 2014/2015 RESUMEN INFORMATIVO PROGRAMACIÓN DIDÁCTICA CURSO 2014/2015 FAMILIA PROFESIONAL: ELECTRICIDAD-ELECTRÓNICA_ MÓDULO: Electrónica General _ CURSO 1º E.E.C._ OBJETIVOS: Analizar los fenómenos eléctricos y electromagnéticos

Más detalles

Y ACONDICIONADORES TEMA

Y ACONDICIONADORES TEMA SENSORES Y ACONDICIONADORES TEMA 6 SENSORES CAPACITIVOS Profesores: Enrique Mandado Pérez Antonio Murillo Roldan Camilo Quintáns Graña Tema 6-1 SENSORES CAPACITIVOS Sensores basados en la variación de

Más detalles

ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA

ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA I. INTRODUCCIÓN El sol como fuente de energía renovable La energía solar, asociada al enorme flujo de radiaciones emitido por el sol y capturado por nuestro planeta, es el origen

Más detalles

CONTROL AUTOMATICO DE TEMPERATURA

CONTROL AUTOMATICO DE TEMPERATURA CONTROL AUTOMATICO DE TEMPERATURA Oscar Montoya y Alberto Franco En este artículo presentamos un circuito de control automático de temperatura, el cual, como es obvio, permite controlar la temperatura

Más detalles

Resistencias. Tema 1 TEST DE AUTOEVALUACIÓN

Resistencias. Tema 1 TEST DE AUTOEVALUACIÓN TEST DE AUTOEVALUACIÓN El nombre real del componente tratado en este primer tema es resistor, pero en el argot técnico suele cambiarse por el de su característica principal, denominándose popularmente

Más detalles

Tema 3: Semiconductores

Tema 3: Semiconductores Tema 3: Semiconductores 3.1 Semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores son sustancias cuya conductividad oscila entre 10-3 y 10 3 Siemen/metro y cuyo valor varia bastante con la temperatura.

Más detalles

Fundamentos de medición de temperatura

Fundamentos de medición de temperatura Fundamentos de medición de temperatura Termistores Termopares David Márquez Jesús Calderón Termistores Resistencia variable con la temperatura Construidos con semiconductores NTC: Coeficiente de temperatura

Más detalles

Cómo calcular un conductor

Cómo calcular un conductor Cómo calcular un conductor En toda instalación eléctrica, siempre tenemos necesidad de instalar cables, de M.T. (media tensión) o B.T. (baja tensión) y del correcto dimensionamiento del mismo, dependerá

Más detalles

ANEXO B. Convertidores CC/CA Multinivel

ANEXO B. Convertidores CC/CA Multinivel Convertidores CC/CA para la conexión directa a la red de sistemas fotovoltaicos Pág. 17 ANEXO B. Convertidores CC/CA Multinivel Este anexo pretende describir el funcionamiento de los inversores multinivel,

Más detalles

Sistemas de Alimentación Ininterrumpible (UPS) Electrónica Industrial A. Dr. Ciro Alberto Núñez Gutiérrez

Sistemas de Alimentación Ininterrumpible (UPS) Electrónica Industrial A. Dr. Ciro Alberto Núñez Gutiérrez UPS Los sistemas de alimentación ininterrumpible (UPS por sus siglas en inglés) son los equipos más completos para eliminar los problemas de la red de alimentación. Sin embargo, son equipos que dependiendo

Más detalles

CAPITULO VI. AMPERIMETRO, VOLTIMETRO, OHMETRO y MULTIMETRO

CAPITULO VI. AMPERIMETRO, VOLTIMETRO, OHMETRO y MULTIMETRO CAPITULO VI AMPERIMETRO, VOLTIMETRO, OHMETRO y MULTIMETRO 6.1 INTRODUCCION. En el Capítulo V estudiamos uno de los dispositivos más útiles para detectar el paso de una corriente por un circuito: El galvanómetro

Más detalles

MODULO Nº6 TIRISTORES UNIDIRECCIONALES

MODULO Nº6 TIRISTORES UNIDIRECCIONALES MODULO Nº6 TIRISTORES UNIDIRECCIONLES UNIDD: CONVERTIDORES C - CC TEMS: Tiristores. Rectificador Controlado de Silicio. Parámetros del SCR. Circuitos de Encendido y pagado del SCR. Controlador de Ángulo

Más detalles

VARIADORES DE FRECUENCIA

VARIADORES DE FRECUENCIA VARIADORES DE FRECUENCIA REPASO DE CONCEPTOS ELECTROTÉCNICOS. Como paso previo a la lectura de estos apuntes, sería conveniente un repaso a los conceptos básicos de los motores asíncronos de jaula de ardilla,

Más detalles

Fuentes de alimentación

Fuentes de alimentación Fuentes de alimentación Electrocomponentes SA Temario Reguladores lineales Descripción de bloques Parámetros de selección Tipos de reguladores Productos y aplicaciones Reguladores switching Principio de

Más detalles

Diapositiva 1 Para presentar los semiconductores, es útil empezar revisando los conductores. Hay dos perspectivas desde las que se puede explorar la conducción: 1) podemos centrarnos en los dispositivos

Más detalles

Alumno de la Asignatura de Sensores, Transductores y Acondicionadores de Señal (STAS) del curso 00/01,

Alumno de la Asignatura de Sensores, Transductores y Acondicionadores de Señal (STAS) del curso 00/01, CONVOCATORIA ORDINARIA CURSO 2000 2001 SENSORES, TRANSDUCTORES Y ACONDICIONADORES DE SEÑAL Alumno de la Asignatura de Sensores, Transductores y Acondicionadores de Señal (STAS) del curso 00/01, El examen

Más detalles

Introducción. Energía. Demanda creciente Fuerte uso de combustibles fósiles: f. Necesidad de formas alternativas de obtener energía

Introducción. Energía. Demanda creciente Fuerte uso de combustibles fósiles: f. Necesidad de formas alternativas de obtener energía Introducción Energía Demanda creciente Fuerte uso de combustibles fósiles: f Recurso limitado Contaminación Necesidad de formas alternativas de obtener energía Introducción Energía a Solar Ventajas Fuente

Más detalles

Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores

Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores E. de Barbará, G. C. García *, M. Real y B. Wundheiler ** Laboratorio de Electrónica - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales Departamento

Más detalles

VENTAJAS ENSAYOS NORMAS TECNICAS

VENTAJAS ENSAYOS NORMAS TECNICAS VENTAJAS 590G-V2 TESTER DE TC Desde 1999, Red Phase fabrica un revolucionario tester de TC. Este nuevo método, permitió a las distribuidoras alrededor del mundo ensayar sus TC de una manera mas fácil y

Más detalles

Contenido del módulo 3 (Parte 66)

Contenido del módulo 3 (Parte 66) 3.1 Teoría de los electrones Contenido del módulo 3 (Parte 66) Localización en libro "Sistemas Eléctricos y Electrónicos de las Aeronaves" de Paraninfo Estructura y distribución de las cargas eléctricas

Más detalles

TRANSFORMADOR NÚCLEOS

TRANSFORMADOR NÚCLEOS TRANSFORMADOR El transformador es un dispositivo que convierte energía eléctrica de un cierto nivel de voltaje, en energía eléctrica de otro nivel de voltaje, por medio de la acción de un campo magnético.

Más detalles

DETERMINACION DE LA HUMEDAD DE LA MADERA Y MATERIALES DE CONSTRUCIÓN METODOS E INSTRUMENTOS DE MEDIDA

DETERMINACION DE LA HUMEDAD DE LA MADERA Y MATERIALES DE CONSTRUCIÓN METODOS E INSTRUMENTOS DE MEDIDA DETERMINACION DE LA HUMEDAD DE LA MADERA Y MATERIALES DE CONSTRUCIÓN METODOS E INSTRUMENTOS DE MEDIDA La determinación del contenido de humedad en materiales de construcción tiene cada vez más importancia.

Más detalles

CELDAS SOLARES INTRODUCCION

CELDAS SOLARES INTRODUCCION CELDAS SOLARES INTRODUCCION La energía eléctrica no esta presente en la naturaleza como fuente de energía primaria y, en consecuencia, sólo podemos disponer de ella mediante la transformación de alguna

Más detalles

8 TABLA DE INTENSIDADES MÁXIMAS ADMI SIBLES EN SERVICIO PERMANENTE

8 TABLA DE INTENSIDADES MÁXIMAS ADMI SIBLES EN SERVICIO PERMANENTE 8 TABLA DE INTENSIDADES MÁXIMAS ADMI SIBLES EN SERVICIO PERMANENTE 8. CONDICIONES DE INSTALACIÓN En las tablas 6 a 9 se dan las intensidades máximas admisibles en régimen permanente para los cables con

Más detalles

Unidad9 CARACTERISTICAS DIELECTRICAS Y AISLAN- TES DE LOS MATERIALES

Unidad9 CARACTERISTICAS DIELECTRICAS Y AISLAN- TES DE LOS MATERIALES Unidad9 CARACTERISTICAS DIELECTRICAS Y AISLAN- TES DE LOS MATERIALES 1 PRESENTACION El diseño óptimo de un componente no conductor de la corriente eléctrica requiere el compromiso de una buena conformación,

Más detalles

Cargadores industriales y sistemas de CC

Cargadores industriales y sistemas de CC Cargadores industriales y sistemas de CC SPR Rectificador monofásico TPR - Rectificador trifásico 12V - 250V 5A - 1000A Diseñados para todas las aplicaciones industriales Petroquímicas, petróleo & gas

Más detalles

CALIDAD EN TUBOS T8 LED

CALIDAD EN TUBOS T8 LED CALIDAD EN TUBOS T8 LED Realizamos una comparación entre tres tipos de tubo LED, cada uno con diferente calidad; en este documento se explican sus diferencias. T8 120cm -18W Alta Calidad YAPI LED s Para

Más detalles

Componentes pasivos. Diferencias entre componentes reales e ideales

Componentes pasivos. Diferencias entre componentes reales e ideales Componentes pasivos Diferencias entre componentes reales e ideales 2 3 Componentes Electrónicos Pasivos RESISTORES CONSTRUCCIÓN VALOR RELACIÓN V/I SMD TERMINALES FIJOS VARIABLES LINEALES NO LINEALES Componentes

Más detalles

TEGNOLOGIA ELECTROMECÀNICA V SEMESTRE - 2014

TEGNOLOGIA ELECTROMECÀNICA V SEMESTRE - 2014 TEGNOLOGIA ELECTROMECÀNICA V SEMESTRE - 2014 DOCENTE: JULIO CÉSAR BEDOYA PINO INGENIERO ELECTRÓNICO ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE POTENCIA TIRISTOR Es un componente electrónico constituido por elementos semiconductores

Más detalles

TEMA ELECTRÓNICA 3º ESO TECNOLOGÍA

TEMA ELECTRÓNICA 3º ESO TECNOLOGÍA 3º ESO Tecnologías Tema Electrónica página 1 de 11 TEMA ELECTRÓNICA 3º ESO TECNOLOGÍA Índice de contenido 1 Electrónica...2 2 Pilas en los circuitos electrónicos...2 3 DIODO...2 4 LED (diodo emisor de

Más detalles

REGULACIÓN TERMOSTATOS Y PRESOSTATOS. MÁQUINAS Y EQUIPOS TÉRMICOS Ies Estelas de Cantabria MISIÓN DE LOS TERMOSTATOS

REGULACIÓN TERMOSTATOS Y PRESOSTATOS. MÁQUINAS Y EQUIPOS TÉRMICOS Ies Estelas de Cantabria MISIÓN DE LOS TERMOSTATOS REGULACIÓN TERMOSTATOS Y PRESOSTATOS MISIÓN DE LOS TERMOSTATOS Los termostatos son dispositivos que controlan la temperatura en un determinado punto accionando un control eléctrico (todo o nada), es decir,

Más detalles

ESCUELA POLITÉCNICA SUPERIOR DE CÓRDOBA LABORATORIO DE MÁQUINAS Y MOTORES TÉRMICOS

ESCUELA POLITÉCNICA SUPERIOR DE CÓRDOBA LABORATORIO DE MÁQUINAS Y MOTORES TÉRMICOS Introducción: La bomba termo-eléctrica de calor está construida alrededor de un módulo de 32 pares, un dispositivo que aprovecha el efecto Peltier mediante el uso de semiconductores. El efecto Peltier,

Más detalles

9.1 DIELÉCTRICOS 9.1.1 QUÉ SON LOS DIELÉCTRICOS? 9.1.2 RIGIDEZ DIELÉCTRICA

9.1 DIELÉCTRICOS 9.1.1 QUÉ SON LOS DIELÉCTRICOS? 9.1.2 RIGIDEZ DIELÉCTRICA 9 DIELÉCTRICOS 9.1 DIELÉCTRICOS 9.1.1 QUÉ SON LOS DIELÉCTRICOS? Los dieléctricos son materiales, generalmente no metálicos, con una alta resistividad, por lo que la circulación de corriente a través de

Más detalles

CAPÍTULO II. FUENTES Y DETECTORES ÓPTICOS. Uno de los componentes clave en las comunicaciones ópticas es la fuente de

CAPÍTULO II. FUENTES Y DETECTORES ÓPTICOS. Uno de los componentes clave en las comunicaciones ópticas es la fuente de CAPÍTULO II. FUENTES Y DETECTORES ÓPTICOS. 2.1 INTRODUCCIÓN. Uno de los componentes clave en las comunicaciones ópticas es la fuente de luz monocromática. En sistemas de comunicaciones ópticas, las fuentes

Más detalles

El único equipo combinado para comprobación y diagnóstico de cables

El único equipo combinado para comprobación y diagnóstico de cables El único equipo combinado para comprobación y diagnóstico de cables DAC 0,1 Hz senoidal 0,1 Hz CR TDS NT Dos formas de tensión acreditadas en un solo dispositivo Permite la comprobación normalizada de

Más detalles

NOTA DE APLICACIÓN. RS-485 a 2 hilos: Guía de conexión

NOTA DE APLICACIÓN. RS-485 a 2 hilos: Guía de conexión NOTA DE APLICACIÓN Código: DC.DNA.09 Fecha: 09/09/08 RS-485 a 2 hilos: Guía de conexión Índice 1. Introducción...1 2. Topología de una red RS-485 (2h)...1 2.1 Elementos de la red... 2 3. Conexión de una

Más detalles

Medidas de la tensión de salida en variadores de velocidad con osciloscopios digitales ScopeMeter Serie 190 de Fluke

Medidas de la tensión de salida en variadores de velocidad con osciloscopios digitales ScopeMeter Serie 190 de Fluke Aplicación Medidas de la tensión de salida en variadores de velocidad con osciloscopios digitales ScopeMeter Serie 190 de Fluke Por Viditec La utilización de variadores de velocidad o "inversores de frecuencia"

Más detalles

TIRISTORES Y OTROS DISPOSITIVOS DE DISPARO

TIRISTORES Y OTROS DISPOSITIVOS DE DISPARO TIRISTORES Y OTROS DISOSITIVOS DE DISARO Oscar Montoya Figueroa Los tiristores Los tiristores son dispositivos de amplio uso en las áreas de electrónica comercial e industrial, y de los que funcionan con

Más detalles

Manual de operación, construcción y aplicación

Manual de operación, construcción y aplicación Manual de operación, construcción y aplicación mpresa mexicana de reciente creación. Surge como una necesidad a la experiencia acumulada durante más de 30 años, en el diseño y manufactura de fusibles en

Más detalles

CAPI TULO 2 TRANSISTORES MOSFET INTRODUCCIÓN. 2.1. Historia del Transistor

CAPI TULO 2 TRANSISTORES MOSFET INTRODUCCIÓN. 2.1. Historia del Transistor CAPI TULO 2 TRANSISTORES MOSFET INTRODUCCIÓN En este capítulo estudiaremos los transistores. Se dará a conocer de manera breve como surgió el transistor el funcionamiento básico de este. Sin embargo el

Más detalles

Si la intensidad de corriente y su dirección no cambian con el tiempo, entonces esa corriente se llama corriente continua.

Si la intensidad de corriente y su dirección no cambian con el tiempo, entonces esa corriente se llama corriente continua. 1.8. Corriente eléctrica. Ley de Ohm Clases de Electromagnetismo. Ariel Becerra Si un conductor aislado es introducido en un campo eléctrico entonces sobre las cargas libres q en el conductor va a actuar

Más detalles

Unidad didáctica: Electrónica Básica

Unidad didáctica: Electrónica Básica Unidad didáctica: Electrónica Básica CURSO 3º ESO versión 1.0 1 Unidad didáctica: Electrónica Básica ÍNDICE 1.- Introducción. 2.- La resistencia. 3.- El condensador. 4.- El diodo. 5.- La fuente de alimentación.

Más detalles

Historia de Cables. Tipos de fallas en cables subterráneos. Pasos para la localización de fallas

Historia de Cables. Tipos de fallas en cables subterráneos. Pasos para la localización de fallas Historia de Cables Tipos de fallas en cables subterráneos Pasos para la localización de fallas Disertante: Ing. Damian Lopez Gentile Historia de Cables Historia Cables de Potencia (aislación de papel)

Más detalles

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Compilación y armado: Sergio Pellizza Dto. Apoyatura Académica I.S.E.S. En el capítulo anterior hemos visto que en los transistores bipolares una pequeña corriente de

Más detalles