RESUMEN AMPLIFICADORES MONOETAPA BJT/FET DEFINICIONES Parámetro Nombre Fórmula Impedancia de entrada equivalente thévenin,

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1 RESUMEN AMPIFICADORES MONOETAPA BJT/FET DEFINICIONES Parámetro Nombre Fórmula Impedancia de entrada equivalente thévenin, th, Impedancia de entrada Impedancia de salida equivalente thévenin, R oth, R o Impedancia de salida v th / i th, v i / i i v th / i th, v o / i o A i Ganancia de corriente i o / i i Av 0 Ganancia intrínseca de voltaje v o /v i, sin carga y v i v be,v gs Av Ganancia de voltaje con carga v o v i R o A v 0 A i Gv 0 G v r i, c, c 2 Ganancia de voltaje completa en cxto abierto Ganancia de voltaje completa con carga Resistencias de entrada, salida del transistor en pequeña señal BJT/MOSFET Capacitancias del modelo en pequeña señal BJT/MOSFET v o v o A v v sig R 0 sig A v v sig R 0 A sig R o sig r i r, V A I CQ r i, V A I DQ c c, c 2 c u c c gs, c 2 c gd TOPOOGIAS CIRCUITAES Y REACIONES ÚTIES: R μ Rbb Rcc Rout Ree con Rin BJT/MOSFET ( ) r π β R E r R r R E r R B B R E r r π R B β r π [ / R B ] R C r e R C / β R C

2 RESUMEN AMPIFICADORES INTEGRADOS BJT/FET Parámetro Emisor Común (EC) Colector Común (Seguidor Emisor)- () Base Común, ro (BC) th (Ω) r π β [ r e x ] r e r π R oth (Ω) x x r e R sig r β ox Av 0 r g (vo/vbe) m x o x r e x x x α r ox r e * as resistencias de entrada/salida /R o son equivalentes a th /R oth haciendo vo0/vsig0 Parámetro Fuente Común (SC) Drenador Común (Seguidor de Fuente) (DC) x 2 β Compuerta Común (GC) th (Ω) b [ x ] R oth (Ω) x r g o x m b Av 0 g (vo/vgs) m x r r o o x b x x [ b ]

3 RESUMEN AMPIFICADORES DISCRETOS BJT/FET Parámetro Emisor Común con Resistencia Emisor (EC) Colector Común () Base Común (BC) th (Ω) R B [ r π β R E ] R B [ r π β R E ] R E R e e R oth (Ω) R C R Con R B R B R sig R E r π R B R si g β R C R Av 0 (vo/vbe) βr C r π β R E β R E r π β R E β R C r π R B * as resistencias de entrada/salida /R o son equivalentes a th /R oth haciendo vo0/vsig0 Parámetro Fuente Común con Resistencia de Fuente (SC) Drenador Común (Seguidor de Fuente) (DC) Compuerta Común con Capacitor de Desvío (GC) th (Ω) R G R G R S R D R oth (Ω) R D R S Av 0 (vo/vgs) R D r o R D r R S o R S R S R D R D

4 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPIFICADORES MONOETAPA BJT/FET MÉTODO DE CONSTANTES DE TIEMPO DE CORTO Y CIRCUITO ABIERTO Banda Método exacto Aproximación por polos Constantes de tiempo Alta F H (S).. ω p 2 ω pn 2 ω z 2 ωzm Capacitancias internas del modelo ω p, ω p 2,.., ω p n < < ω z, ω z 2,.., ω z m.. p p 2... p n ω p ω p 2 ω p n n τ H / k 0 R e qk C e qk Cxto abierto Ceq k 0 Media A M F (S ) A M F H (S 0). Ganancia constante, no actúan capacitancias Baja F (S) ω ω p 2..ω pn 2 2 ω z 2..ω zm 2 Capacitancias externas ω p, ω p 2,.., ω p n > > ω z, ω z 2,.., ω z m ω ω p ω p 2..ω p n τ / ω n k 0 Corto Cxto Ceq k R e qk C e qk

5 EMISOR / SOURCE COMUN Banda Constantes de tiempo Polo Dominante F (S) Baja ω p R sig th C ω p 2 R E R e e C E ω p 3 R o t h C 2 Banda media ω ω p 2 ω R E / C E F H (S) Alta A M F S F H S 0 g R m R o sig R o p R sig th C ω p2 H ω p2 Si R sig th R oth [ R oth R sig th R oth ] C 2 ω Efecto Miller: A k R out H C in C A k C 2 ; C out A k C 2 p th C in p2 R oth C out [ R oth A k R sig th ] C 2 Efecto Miller : th C in th R sig [C A k C 2 ]

6 COECTOR / DRENADOR COMÚN Banda Constantes de tiempo Polo Dominante F (S) Baja ω p R sig th C ω p 2 R o t h C 2 Banda media ω ω p 2 s i th ω / C 2 F H (S) Alta ω p A M F S F H S 0 R E R E ω p s i R sig th r i R sig R B R E R E C ω p 2 R sig th C 2 r i R sig R B R E R E C

7 BASE / COMPUERTA COMÚN Banda Constantes de tiempo Polo Dominante F (S) Baja F H (S) Alta ω p R sig th C ω p2 R oth C 2 p3 R B [r i R B R sig ]C B Banda media A M F S F H S 0 ω p R sig th C ω p2 R oth C 2 R sig R o ω ω p si R sig R oth ω R sig R E / C R o ω p2 Si R sig R oth R C C 2

8 Potencia de entrada: 2 P i 2 V 4 P R max AMPIFICADORES DE POTENCIA Clase A Máxima disipación Máxima potencia de salida V i V o, 0 V i V, max 0.25 Transistor: as fuentes: V 2 2 P R max En la carga: Transistor: P V 2 P 2R max V 2 P 2 R max V 2 2P R max as fuentes: V 2 2P R max Máxima disipación V i 2 V Clase B Máxima potencia de salida V i V Potencia de entrada: P i 2 V V o En la carga: P 4 2 P max P max Potencia de entrada: 8 2 P max 0.82 P max Transistor : P i 2 V V o En la carga: P V 2 P 2R max Eficiencia: P P i P 2 max P max Transistor 2: 4 P max.27 P max Eficiencia: 2 2 P max P P i P max Transistor : 4 P max P max Transistor 2: 4 P max P max