UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA Facultad de Tecnología Informática

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Tamaño: px
Comenzar la demostración a partir de la página:

Download "UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA Facultad de Tecnología Informática"

Transcripción

1 PORTAFOLIO PERSONAL Resolución de Problemas: se seleccionarán un conjunto de ejercicios particulares, algunos de ellos incluidos en las guías de problemas de la cursada, con el fin de representar, analizar y justificar los conceptos estudiados. Los mismos serán seleccionados de acuerdo al grado de representatividad con respecto a los temas dados en clase. DIODOS: EJERCICIOS PROPUESTOS Temas involucrados: La unión p-n. Estructura y características. Diodos. Polarización Directa e Inversa. Curvas características. Capacidad asociada a la unión p-n. Aplicaciones. Circuitos rectificadores. Puertas lógicas. Diodos Zener. Aplicaciones. Circuitos estabilizadores. Lógica de diodos (DL) ANALISIS DEL DIODO EN CORRIENTE CONTINUA EJERCICIO 1: Introducción: A continuación se realiza un ejemplo simple en el cual se pretende observar el funcionamiento de un diodo, con corriente continua, tanto en Polarización Directa como en Polarización Inversa. Evidenciar el funcionamiento básico de un diodo. Identificar y entender los tipos de polaridad: Directa e Indirecta. Hallar las corrientes y tensiones sobre el circuito. Elementos: Fuente continua: 10 V Resistencia: 2,2 KΩ Diodo de Silicio Página 1 de 15

2 POLARIZACION DIRECTA Como hemos visto, en la polarización directa, el positivo de la fuente se conecta al bloque P (Ánodo Representado con la letra A) y el negativo al N (Cátodo Representado con la letra K). Si la tensión aplicada supera la barrera de potencial o tensión umbral del diodo (~0,65 V para el Silicio) el diodo conduce la corriente. A continuación se comprobará dicha afirmación en base a unos pocos pasos. 1) Identificamos el sentido de la corriente 2) Asumimos que se produce una caída de tensión en los extremos del diodo de 0,7V por tratarse del Silicio. 3) Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff para la malla, y considerando el punto anterior, podemos identificar la Intensidad de Corriente Total del circuito. 10 V - I. 2,2 KΩ -0,7 V = 0 Armo la malla 9,3 V - I. 2,2 KΩ = 0 Sumo las Tensiones I = 9,3 V/ 2,2 KΩ Despejo I y realizo la operación IT = 4,22 ma Obtengo el resultado POLARIZACION INVERSA En la polarización inversa, por su lado, el negativo de la fuente se conecta al bloque P y el positivo al N. En esta situación el diodo se opone al paso de la corriente eléctrica. Esquema del circuito: Como podemos observar el diodo cambia su posición, quedando el Cátodo en el lado más próximo a la fuente y el Ánodo del lado más lejano. En estas condiciones, el diodo no permite la conducción de corriente a través del componente, comportándose como un circuito abierto. Esto arroja como resultado que la malla se encuentre abierta, por tanto no existe circulación de corriente por ella (It=0) y el voltaje en los extremos de la resistencia es 0. Gráficamente podría representarse de la siguiente forma: Página 2 de 15

3 EJERCICIO 2: Introducción: El siguiente ejemplo se encuentra vinculado con el ejercicio anterior, ya que pretende reflejar los mismos como se comporta el circuito en Polarización Directa. Polaridad Directa: comportamiento del diodo. Hallar las corrientes y caídas de tensión sobre el circuito. Aplicar: Leyes de Kirchhoff y Ley de Ohm Elementos: Fuente continua: 10 V Resistencias: 3 resistencias de 1KΩ 2 Diodos de Silicio Página 3 de 15

4 RESOLUCION 1) Lo primero que debemos hacer es armar un circuito equivalente que sea más fácil de visualizar. 2) Asumimos que se produce una caída de tensión en los extremos de cada uno de los diodos de 0,7V por tratarse del Silicio. V1 = 0,7V + 0,7V V1 = 1,4V 3) Aplicamos la Ley de mallas de Kirchhoff y la ley de Ohm para calcular las corrientes Malla 1: Intensidad Total = It 10V - It. 1KΩ - 0,7V - 0,7V = 0 8,6V - It. 1KΩ = 0 It = 8,6V/1KΩ Página 4 de 15

5 It = 8,6mA Malla 2: Debido a que conocemos la caída de tensión en esa parte del circuito, aplicando la Ley de Ohm podemos calcular I2. I2= Vd/R2 = 1,4V/1KΩ= 1,4 ma Por otro lado, dado que It = I1 + I2: 8,6mA = I1 + 1,4mA I1 = 8,6mA 1,4mA I1 = 7,2mA Comparación con los resultados del simulador Página 5 de 15

6 EJERCICIO 3: Hallar las corrientes y caídas de tensión sobre el circuito. Utilización del simulador. Elementos: Fuente continua: 12 V Resistencias: 3 resistencias de 1KΩ 1 Diodo de Silicio RESOLUCION Cálculos: Calculo primero la intensidad de la primer malla que pasa por R1. Página 6 de 15

7 Sabiendo que tengo una tensión de 12V y una resistencia de 1KΩ obtengo la intensidad de corriente. I1= 12V/1KΩ = 12 ma Luego, en la malla 2, con R2 = 1KΩ, asumo que se produce una caída de voltaje en el diodo de Silicio de 0.7V. Por lo que aplicando Kirchhoff puedo calcular la intensidad en el circuito seleccionado. 12V I. 1KΩ - 0,7V = 0 11,3V I. 1KΩ = 0 I2 = 11,3V/1KΩ I2 = 11,3 ma Página 7 de 15

8 Finalmente, como conozco la intensidad que pasas por R3, se la resto a 11,3mA quedando 10,6 ma que son los que pasan por el diodo. En la última malla, faltaría calcular la tensión sobre la R3 y la intensidad de corriente en ese parte del circuito. I3 = 0,7V/1KΩ I3 = 0,7 ma Predicciones con el Simulador Electronic Workbench Podemos observar que los cálculos realizados se aproximan bastante a los resultados arrojados por el simulador. EJERCICIO 4: Estudiar la unión p-n. Observar la tensión sobre el diodo y la intensidad de corriente. Analizar comportamiento del circuito Elementos: Fuente continua Resistencias: 2 resistencias de 1 KΩ Diodo de Silicio Página 8 de 15

9 Resolución: Para analizar el circuito y observar el comportamiento de la corriente es necesario implementar las Leyes de Kirchhoff. Para ello debemos establecer el camino de dicha corriente y analizar las mallas (2 en total). Por otro lado, es necesario aclarar que, dado la configuración del circuito actual, los componentes se encuentran en paralelo, por lo que la tensión es la misma en cada una de las ramas. Empezaremos calculando la intensidad de corriente (I), aplicando la Ley de Ohm: I2= V/R It = 12V / 1KΩ = 12 ma Luego, analizaremos la parte restante del circuito. Como datos sabemos que la tensión de la fuente es de 12V y que el diodo de Silicio, polarizado en directa, en funcionamiento caerá 0,7V. Por lo tanto, la tensión que caerá en la resistencia será el resultado de la diferencia entre: Página 9 de 15

10 VR1 = Vf Vd = 12V 0,7V = 11,3 V Ahora que disponemos del valor de la tensión necesario podemos calcular la corriente I1. I1 = 11,3V/1KΩ = 11,3 ma Finalmente, disponemos del valor de corriente de cada una de las ramas. Para calcular It debemos sumar las mismas: It = I1 + I2 = 12 ma + 11,3 ma = 23,3 ma Verificación con el simulador: EJERCICIO 5: Estudiar la unión p-n. Observar la tensión sobre el diodo y completar la lectura de los instrumentos. Elementos: 2 Fuentes continuas Resistencias: 2 resistencias, una de 1 KΩ y otra de 2 KΩ 2 Diodos de Silicio Página 10 de 15

11 Resolución Para resolver el circuito aplicaremos las Leyes de Kirchhoff. Malla 1: 10V I3.1 KΩ - (0,7V + 0,7V 4V) = 0 10V I3.1 KΩ - 5,4V = 0 4,6V I3.1 KΩ = 0 I3 = 4,6mA Malla 2: 10V - (0,7V 4V) I1. (2KΩ + 1KΩ) = 0 10V - 4,7V I1. 3KΩ = 0 I1 = 5,3V / 3 KΩ I1 = 1,76mA I3 = I1 + I2 = 4,6mA 1,76mA = I2 = 2,84 ma TRANSISTORES Temas involucrados: Transistores. Estructura y características. Configuraciones: Emisor Común Conector Común Base Común. Regiones de trabajo. EJERCICIO 1: Estudiar el comportamiento de un transistor bipolar npn. Configuraciones Resolución: 1) En este caso el transistor es un BJT. Página 11 de 15

12 2) La configuración del transistor es EMISOR COMUN, debido a que ambas mallas comparten al emisor. 3) Identificar la región de trabajo del transistor, corte, saturación o bien en la región activa. Para ello separaremos el circuito en 2 subcircuitos. Los mismos pueden observarse a continuación. Una vez que han sido identificados, es posible plantear la ecuación de cada uno de ellos: 1) Vbb Ib.Rb Vd =0 2) Vcc Ic.Rc Vce, donde Vce es la tensión que cae en nuestro componente equivalente. Reemplazamos las variables con los datos que tenemos: 1) Primer subcircuito Vbb Ib.Rb Vd =0 4V Ib. 10KΩ - 0,7V=0 3,3V Ib. 10KΩ = 0 Ib = 3,3V/10 KΩ = 0,33mA Tras haber averiguado la corriente base (Ib) y utilizando la formula Ic=β*Ib, con un β=100 (Factor de ganancia de corriente), podemos decir que: Ic=100.0,33mA Ic=33mA. 2) Segundo subcircuito Vcc Ic.Rc Vce 30V 33mA.0,5KΩ - Vce = 0 Vce = 30V 16,5V Vce= 13,5V Vrc= 0,5KΩ.33mA = 16,5V Ya tenemos la corriente base y la corriente colector, solo nos falta calcular la corriente emisor. Sabiendo que las suma de las corrientes que circulan por las dos mayas, podemos decir que: Ie = Ic + Ib Ie = 33mA + 0,33mA Ie = 33,33mA Página 12 de 15

13 REGIONES DE TRABAJO: La siguiente tabla nos permite visualizar las diferentes zonas de trabajo de un transistor y las respuestas del mismo en las distintas regiones. VBB IB VRC VCE (Vbb Vbe)/Rb Rc.(100.Ib) Vcc Ic.Rc Vce <= 0, ,33 16,5 13,5 2 0,13 6,5 23,5 6 0,53 26,5 3,5 7 0,63 31,5 Icsat = 60mA Ic < 60mA Conclusiones de la tabla En la primera fila el transistor se encuentra en corte, en la segunda, tercera y cuarta en zona activa y en la última se encuentra saturado EJERCICIO 2: Estudiar el comportamiento de un transistor bipolar pnp. Configuraciones Resolución: 1) En este caso el transistor es un BJT. 2) La configuración del transistor es EMISOR COMUN, debido a que ambas mallas comparten al emisor. 3) Identificar la región de trabajo del transistor, corte, saturación o bien en la región activa. Página 13 de 15

14 Para ello separaremos el circuito en 2 subcircuitos. Los mismos pueden observarse a continuación. Una vez que han sido identificados, es posible plantear la ecuación de cada uno de ellos: 1) Vbb Ib.Rb Vd =0 2) Vcc Ic.Rc Vce, donde Vce es la tensión que cae en nuestro componente equivalente. Reemplazamos las variables con los datos que tenemos: 1) Primer subcircuito Vbb Ib.Rb Vd =0 4V Ib. 10KΩ - 0,7V=0 3,3V Ib. 10KΩ = 0 Ib = 3,3V/10 KΩ = 0,33mA Tras haber averiguado la corriente base (Ib) y utilizando la formula Ic=β*Ib, con un β=100 (Factor de ganancia de corriente), podemos decir que: Ic=100.0,33mA Ic=33mA. 2) Segundo subcircuito Vcc Ic.Rc Vce 30V 33mA.0,5KΩ - Vce = 0 Vce = 30V 16,5V Vce= 13,5V Vrc= 0,5KΩ.33mA = 16,5V Ya tenemos la corriente base y la corriente colector, solo nos falta calcular la corriente emisor. Sabiendo que las suma de las corrientes que circulan por las dos mayas, podemos decir que: Ie = Ic + Ib Ie = 33mA + 0,33mA Ie = 33,33mA Página 14 de 15

15 EJERCICIO 3: Calcular el valor de la resistencia Rc. ß=100 Resolución: Para ello separaremos el circuito en 2 subcircuitos y planteamos las formulas correspondientes. 1) Vbb Ie.Re Vbe =0 Reemplazamos las variables con los datos que tenemos: Vbb Ie.Re Vbe =0 2V Ie. 1KΩ - 0,7V=0 1,3V Ie. 1KΩ = 0 Ib =1,3V/1 KΩ = 1,3mA 2) Ic= Ib. ß Pese a que ß es dato, no tiene relevancia en los cálculos dado que no podemos calcular ni Ic ni Ib. Por ello aplicamos α. α = Ic/Ie Ic= α. Ie = ,3mA = 1,287mA Vcc Ic.Rc Vce = 0 12V 1,287mA.(Rc + 1 KΩ) 5,097V = 0 Rc + 1 KΩ = 6,903V/ 1,287mA Rc= 5,36 KΩ 1 KΩ = 4,36V Página 15 de 15

Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7

Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7 Facultad de Tecnología Informática Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7 Guia de Lectura / Problemas. Transistores bipolares y de efecto campo. Contenidos: Tipos de transistores:bjt y FET; p-n-p y

Más detalles

TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores. Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital

TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores. Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital Objetivos Efectuar el estudio del funcionamiento de un transistor bipolar como elemento digital,

Más detalles

Solución para los ejercicios 4 (parte2)- 5-6-7-8 (versión 2-5-13)

Solución para los ejercicios 4 (parte2)- 5-6-7-8 (versión 2-5-13) Solución para los ejercicios 4 (parte2)- 5-6-7-8 (versión 2-5-13) Prof: Bolaños D. Solución ejercicio 4 (parte 2) Lo importante a entender del enunciado de este problema es que se pide que el TBJ este

Más detalles

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas Tema 5 TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas 5.1.- Introducción Las fuentes de corriente son ampliamente utilizadas en circuitos electrónicos integrados como elementos de polarización y como cargas

Más detalles

TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES

TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES INTRODUCCIÓN TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES La etapa de potencia es la encarga de suministrar la energía que necesita el altavoz para ser convertida en sonido. En general, los altavoces presentan una impedancia

Más detalles

Familias lógicas. Introducción. Contenido. Objetivos. Capítulo. Familias lógicas

Familias lógicas. Introducción. Contenido. Objetivos. Capítulo. Familias lógicas Capítulo Familias lógicas Familias lógicas Introducción Como respuesta a la pregunta dónde están las puertas? te diremos que integradas en unos dispositivos fabricados con semiconductores que seguramente

Más detalles

2.4 Transistores. Dispositivo semiconductor que permite el control y regulación. Los símbolos que corresponden al bipolar son los siguientes:

2.4 Transistores. Dispositivo semiconductor que permite el control y regulación. Los símbolos que corresponden al bipolar son los siguientes: TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2010 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4

Más detalles

PROBLEMAS DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA (Transistores C.C.)

PROBLEMAS DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA (Transistores C.C.) PROLEMAS E ELECTRÓNCA ANALÓGCA (Transistores C.C.) Escuela Politécnica Superior Profesor. arío García Rodríguez ..- En el circuito de la figura si α. 98 y E.7 oltios, calcular el valor de la resistencia

Más detalles

Esta fuente se encarga de convertir una tensión de ca a una tensión de cd proporcionando la corriente necesaria para la carga.

Esta fuente se encarga de convertir una tensión de ca a una tensión de cd proporcionando la corriente necesaria para la carga. Página 1 de 9 REGULADOR DE VOLTAJE DE cc La mayor parte de los circuitos electrónicos requieren voltajes de cd para operar. Una forma de proporcionar este voltaje es mediante baterías en donde se requieren

Más detalles

PARÁMETROS DEL TRANSISTOR

PARÁMETROS DEL TRANSISTOR 13 PARÁMETROS DEL TRANSISTOR 0.- INTRODUCCIÓN (2) 1.- SONDA DETECTORA (4) 2.- MEDIDA DE LA ft (5) 2.1 Realización práctica (7) 3.- PARÁMETRO DE TRANSFERENCIA INVERSA (10) 3.1 Realización práctica (10)

Más detalles

ELECTRÓNICA 4º ESO IES JJLOZANO Curso 2013-2014

ELECTRÓNICA 4º ESO IES JJLOZANO Curso 2013-2014 Transistores Transistores Bipolares. PNP y NPN Los transistores son componentes electrónicos formados por semiconductores como los diodos, que en un circuito cumplen funciones de conmutador, amplificador

Más detalles

UNIDAD 2: ELECTRÓNICA ANALÓGICA

UNIDAD 2: ELECTRÓNICA ANALÓGICA UNIDAD 2: ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1. INTRODUCCIÓN. 1.1. Concepto de electrónica 1.2. Electrónica analógica y electrónica digital 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS BÁSICOS: 2.1. RESISTENCIAS A. Introducción. B.

Más detalles

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS OBJETIVO: El objetivo de estas practicas es diseñar amplificadores en emisor común y base común aplicando

Más detalles

Prácticas Presenciales. Electrónica Analógica

Prácticas Presenciales. Electrónica Analógica Prácticas Presenciales 1 Área: (M198) Instalaciones Eléctricas LUGAR DE CELEBRACIÓN Instalaciones de Fundación San Valero, en c/ Violeta Parra 9 50015 Zaragoza Planta E, de 10:00 a 14:00 h. Las líneas

Más detalles

Unidad Orientativa (Electrónica) Transistores. Curso introducción a los Transistores Modulo Electrónica Autor: Ing. Martin A.

Unidad Orientativa (Electrónica) Transistores. Curso introducción a los Transistores Modulo Electrónica Autor: Ing. Martin A. Unidad Orientativa (Electrónica) 1 Transistores Índice Temático 2 1. Que es un TRANSISTOR 2. Transistores Principios de funcionamiento 3. Polarización del transistor 4. Parámetros β 5. Cálculos para métodos

Más detalles

Polarización Análisis de circuitos Aplicaciones. Introducción a la Electrónica

Polarización Análisis de circuitos Aplicaciones. Introducción a la Electrónica TRANSISTOR BIPOLAR Funcionamiento general Estructura, dopados, bandas de energía y potenciales Curvas, parámetros relevantes Niveles de concentración de portadores Ecuaciones de DC Modelo de Ebers-Moll

Más detalles

Al finalizar esta asignatura el estudiante estará en condiciones de:

Al finalizar esta asignatura el estudiante estará en condiciones de: ASIGNATURA :ELECTRÓNICA I CODIGO :TEC-151 CREDITOS :04 PREREQ. :TEC-116 INTRODUCCIÓN: Esta asignatura comprende los principios básicos que debe manejar con fluidez el estudiante de ingeniería en las áreas

Más detalles

UNIVERSIDAD SIMÓN BOLÍVAR DPTO. DE TECNOLOGÍA INDUSTRIAL GUÍA DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I TI-2225. Prof. Alexander Hoyo http://prof.usb.

UNIVERSIDAD SIMÓN BOLÍVAR DPTO. DE TECNOLOGÍA INDUSTRIAL GUÍA DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I TI-2225. Prof. Alexander Hoyo http://prof.usb. UNIVESIDAD SIMÓN BOLÍVA DPTO. DE TECNOLOGÍA INDUSTIAL GUÍA DE CICUITOS ELECTÓNICOS I TI-2225 Prof. Alexander Hoyo http://prof.usb.ve/ahoyo Guía de Circuitos Electrónicos I Prof. Alexander Hoyo 2 ÍNDICE

Más detalles

Componentes Electrónicos. Prácticas - PSPICE. Práctica 3: Transistores

Componentes Electrónicos. Prácticas - PSPICE. Práctica 3: Transistores "#$%&'()*&+,-#.+#'(/$%1+*1(2%(&#3%( 4*5*.%.,%"(&%#,16.+#*"( 71%'(2%(8%#.*&*9:'(&%#,16.+#'(( Prácticas - PSPICE Práctica 3: Transistores PRÁCTICA COMPLETA "#$%&'()*+,-.-*-##( Práctica 3: Transistores (Simulación

Más detalles

El transistor como elemento de circuito.

El transistor como elemento de circuito. El transistor como elemento de circuito. 1.1) Características funcionales del transistor bipolar. El transistor bipolar (conocido universalmente con la simple denominación de transistor) es un elemento

Más detalles

CAPÍTULO COMPONENTES EL DIODO SEMICONDUCTORES: 1.1 INTRODUCCIÓN

CAPÍTULO COMPONENTES EL DIODO SEMICONDUCTORES: 1.1 INTRODUCCIÓN CAPÍTULO 1 COMPONENTES SEMICONDUCTORES: EL DIODO 1.1 INTRODUCCIÓN E n el capítulo 5 del tomo III se presentó una visión general de los componentes semiconductores básicos más frecuentes en electrónica,

Más detalles

GUÍA 5: TRANSISTORES

GUÍA 5: TRANSISTORES 3º Electrónica Rogelio Ortega GUÍA 5: TRANSSTORES 1. LASFAÓN DE TRANSSTORES PNP ipolar (JT) NPN TRANSSTOR anal P (JFET P) Unión anal N (JFET N) Efecto de campo (FET) Metal Oxide Semiconductor anal P (MOSFET

Más detalles

Electrónica de potencia e instalaciones eléctricas: Semiconductores: diodo, transistor y tiristor

Electrónica de potencia e instalaciones eléctricas: Semiconductores: diodo, transistor y tiristor Electrónica de potencia e instalaciones eléctricas: Semiconductores: diodo, transistor y tiristor El descubrimiento del diodo y el estudio sobre el comportamiento de los semiconductores desembocó que a

Más detalles

EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956

EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956 EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956 EL TRANSISTOR BIPOLAR EL TRANSISTOR BIPOLAR El transistor bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor) fue desarrollado en los Laboratorios Bell Thelephone en 1948. El nombre

Más detalles

TEMA ELECTRÓNICA 3º ESO TECNOLOGÍA

TEMA ELECTRÓNICA 3º ESO TECNOLOGÍA 3º ESO Tecnologías Tema Electrónica página 1 de 11 TEMA ELECTRÓNICA 3º ESO TECNOLOGÍA Índice de contenido 1 Electrónica...2 2 Pilas en los circuitos electrónicos...2 3 DIODO...2 4 LED (diodo emisor de

Más detalles

Problemas resueltos de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos

Problemas resueltos de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos Problemas resueltos de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos E.T.S.I.T. Universidad de Las Palmas de Gran Canaria Antonio Hernández Ballester Benito González Pérez Javier García García Javier

Más detalles

Circuitos de corriente continua

Circuitos de corriente continua nidad didáctica 3 Circuitos de corriente continua Qué aprenderemos? Cuáles son las leyes experimentales más importantes para analizar un circuito en corriente continua. Cómo resolver circuitos en corriente

Más detalles

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES EL TRANSISTOR BIPOLAR Dr. Ing.Eduardo A. Romero Los transitores bipolares se construyen con una fina capa de material semiconductor de tipo P entre dos capas de material

Más detalles

Unidad didáctica: Electrónica Básica

Unidad didáctica: Electrónica Básica Unidad didáctica: Electrónica Básica CURSO 3º ESO versión 1.0 1 Unidad didáctica: Electrónica Básica ÍNDICE 1.- Introducción. 2.- La resistencia. 3.- El condensador. 4.- El diodo. 5.- La fuente de alimentación.

Más detalles

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TTEEMAA 55: :: TTrraanss issttoorreess i dee eeffeeccttoo dee ccaamppoo 11 1) Cuál de los siguientes dispositivos no es un transistor de efecto de campo? a) MOSFET

Más detalles

Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ

Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ Los inventores del primer transistor en los Bell Laboratories: Doctor Williams Shockley, Doctor John Bardeen

Más detalles

Práctica 2 Transistores, Curvas BJT y FET

Práctica 2 Transistores, Curvas BJT y FET Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Vacaciones Junio 2014 Auxiliar: Edvin Baeza Práctica 2 Transistores,

Más detalles

Tema 3: Semiconductores

Tema 3: Semiconductores Tema 3: Semiconductores 3.1 Semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores son sustancias cuya conductividad oscila entre 10-3 y 10 3 Siemen/metro y cuyo valor varia bastante con la temperatura.

Más detalles

EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956

EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956 EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956 EL TRANSISTOR BIPOLAR EL TRANSISTOR BIPOLAR El transistor bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor) fue desarrollado en los Laboratorios Bell Thelephone en 1948. El nombre

Más detalles

TEMA: ANÁLISIS DE CIRCUITOS ELÉCTRICOS

TEMA: ANÁLISIS DE CIRCUITOS ELÉCTRICOS CUSO: º DSOLLO D PODUCTOS LCTÓNICOS. MÓDULO: LCTÓNIC NLÓGIC TM: NÁLISIS D CICUITOS LÉCTICOS NÁLISIS D CICUITOS LÉCTICOS. INTODUCCIÓN.. LYS D KICHOFF.. NÁLISIS D CICUITOS N COINT CONTÍNU. 4. OTOS MÉTODOS

Más detalles

Tutorial de Electrónica

Tutorial de Electrónica Tutorial de Electrónica En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos electrónicos, tales como televisores, vídeos, equipos musicales, relojes digitales y, cómo no, ordenadores. Aunque, aparentemente

Más detalles

Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores

Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores E. de Barbará, G. C. García *, M. Real y B. Wundheiler ** Laboratorio de Electrónica - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales Departamento

Más detalles

OBJETIVOS Reconocer como funciona el transistor bipolar. Reconocer las zonas de operación como amplificador, en corte y saturación.

OBJETIVOS Reconocer como funciona el transistor bipolar. Reconocer las zonas de operación como amplificador, en corte y saturación. Página1 OBJETIVOS Reconocer como funciona el transistor bipolar. Reconocer las zonas de operación como amplificador, en corte y saturación. 1. Conceptos preliminares El transistor como elemento activo,

Más detalles

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor).

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor). Tema 4 EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor). 1. Introducción. 2. Estructura básica. 3. Símbolos y convenios de signos. 4. Zonas de funcionamiento. 5. Corrientes en la zona

Más detalles

IG = 0 A ID = IS. ID = k (VGS - VT) 2

IG = 0 A ID = IS. ID = k (VGS - VT) 2 INTRODUCCION El transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. El FET tiene más similitudes con un transistor bipolar que diferencias. Debido a esto casi todos los tipos de

Más detalles

Características del transistor bipolar y FET: Polarización

Características del transistor bipolar y FET: Polarización Características del transistor bipolar y FET: Polarización 1.- Introducción El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se introducen las principales

Más detalles

DIODOS CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES

DIODOS CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES DIODOS CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES Modelo Ideal : Usaremos el diodo como un simple indicador on/off. Conduce o no el diodo? 1 Supongamos, inicialmente que el diodo está en contacto, es decir:

Más detalles

UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET

UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET OBJETIVO Conocer, identificar, resolver y analizar los transistores BJT y JFET, así como distinguir sus ventajas y desventajas. TEMARIO 4.1 Construcción del transistor

Más detalles

6. Amplificadores con transistores

6. Amplificadores con transistores 6. Amplificadores con transistores Objetivos: Obtención, mediante simulación y con los equipos del laboratorio, de las carácterísticas de entrada y salida de un transistor bipolar. Obtención de los modelos

Más detalles

F.A. (Rectificación).

F.A. (Rectificación). Ficha Temática F.A. (Rectificación). Circuito rectificador de media onda. Cuando se introduce una tensión de C.A. a la entrada del circuito, mostrado en la Figura 11.3, en la salida aparece una tensión

Más detalles

TEMARIO ESPECÍFICO - TEMA DEMO TECNOLOGÍA TEMA 60: CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERÍSTICAS

TEMARIO ESPECÍFICO - TEMA DEMO TECNOLOGÍA TEMA 60: CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERÍSTICAS TECNOLOGÍA TEMA 60 CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERÍSTICAS Difícilmente podrá encontrarse una actividad, técnica o no, que no implique algún elemento o circuito de conmutación.

Más detalles

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA RESUMEN La revolución tecnológica que vive la sociedad actual se debe en gran parte a la electrónica gracias a la innumerable cantidad de aparatos

Más detalles

El transistor. Estructura física y aplicaciones. Asier Ibeas Hernández PID_00170129

El transistor. Estructura física y aplicaciones. Asier Ibeas Hernández PID_00170129 El transistor Estructura física y aplicaciones Asier Ibeas Hernández PID_00170129 Los textos e imágenes publicados en esta obra están sujetas excepto que se indique lo contrario a una licencia de Reconocimiento-Compartir

Más detalles

MODULO Nº11 TRANSISTORES BJT

MODULO Nº11 TRANSISTORES BJT MODULO Nº11 TRANSISTORES BJT UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC TEMAS: Transistores de Unión Bipolar. Parámetros del Transistor BJT. Conmutación de Transistores BJT. OBJETIVOS: Comprender el funcionamiento

Más detalles

CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 4: POLARIZACIÓN - TEORÍA

CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 4: POLARIZACIÓN - TEORÍA CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 4: POLARIZACIÓN - TEORÍA Hay varias formas de polarizar un transistor, esto es, obtener su punto de operación adecuado (valores de Vcc y de Ic). Se tiene la polarización fija,

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TRASISTORES DE EFECTO DE CAMO Oscar Montoya Figueroa Los FET s En el presente artículo hablaremos de las principales características de operación y construcción de los transistores de efecto de campo (FET

Más detalles

2.1 Introducción. 2.2 El transistor bipolar en continua

2.1 Introducción. 2.2 El transistor bipolar en continua l transistor bipolar como amplificador 2.1 Introducción Los transistores de unión bipolar o transistores bipolares (ipolar Junction Transistor, JT) son unos dispositivos activos de tres terminales que

Más detalles

EDUCACIÓN DE LA MARINA

EDUCACIÓN DE LA MARINA MARINA DE GUERRA DEL PERU DIRECCION GENERAL DE EDUCACIÓN EDUCACIÓN DE LA MARINA ESCUELA SUPERIOR DE GUERRA NAVAL SÍLABO I. DATOS GENERALES 1.1. Asignatura : CURSO DE PREPARACIÓN AL CONCURSO DE SELECCIÓN

Más detalles

POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA

POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA EJEMPLO El transistor npn tiene β =100 y un voltaje VBE = 0,7 a ic = 1mA. Diseñe el circuito para que circule una corriente

Más detalles

Experimento 6 LAS LEYES DE KIRCHHOFF. Objetivos. Teoría. Figura 1 Un circuito con dos lazos y varios elementos

Experimento 6 LAS LEYES DE KIRCHHOFF. Objetivos. Teoría. Figura 1 Un circuito con dos lazos y varios elementos Experimento 6 LAS LEYES DE KIRCHHOFF Objetivos 1. Describir las características de las ramas, los nodos y los lazos de un circuito, 2. Aplicar las leyes de Kirchhoff para analizar circuitos con dos lazos,

Más detalles

Componentes Electrónicos. Prácticas - PSPICE. Práctica 1: Diodos

Componentes Electrónicos. Prácticas - PSPICE. Práctica 1: Diodos "#$%&'()*&+,-#.+#'(/$0%1+*1(2%(&#3%( 4*50*.%.,%"(&%#,16.+#*"( 71%'(2%(8%#.*&*9:'(&%#,16.+#'(( Prácticas - PSPICE Práctica 1: Diodos APARTADOS OBLIGATORIOS DE LA PRÁCTICA "#$%&'()*+,-.-*-##( Práctica 1:

Más detalles

Tutorial de Electrónica

Tutorial de Electrónica Tutorial de Electrónica Introducción Conseguir que la tensión de un circuito en la salida sea fija es uno de los objetivos más importantes para que un circuito funcione correctamente. Para lograrlo, se

Más detalles

Evaluación: Reporte de práctica % Exámenes % Proyecto %

Evaluación: Reporte de práctica % Exámenes % Proyecto % UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO FACULTAD DE INGENIERIA LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS REGLAS DEL LABORATORIO 1. El laboratorio se organizara de manera individual. 2. Se darán

Más detalles

UNIVERSIDAD DE ESPECIALIDADES ESPIRITU SANTO FACULTAD DE SISTEMAS TELECOMUNICACIONES Y ELECTRONICA SYLLABUS

UNIVERSIDAD DE ESPECIALIDADES ESPIRITU SANTO FACULTAD DE SISTEMAS TELECOMUNICACIONES Y ELECTRONICA SYLLABUS UNIVERSIDAD DE ESPECIALIDADES ESPIRITU SANTO FACULTAD DE SISTEMAS TELECOMUNICACIONES Y ELECTRONICA SYLLABUS MATERIA: Laboratorio de Electrónica I ELE281(01) HORARIO: 19:25 20:50 PROFESOR(A): Ing. Genaro

Más detalles

CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN

CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN Está formado por dos junturas PN tal como se muestra en la figura. Una juntura está polarizada directamente y la otra está polarizada

Más detalles

EL TRANSISTOR BIPOLAR

EL TRANSISTOR BIPOLAR EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIÓN UTILIZANDO UNA FUENTE DE CORRIENTE: EL ESPEJO DE CORRIENTE El transistor Q1 está conectado de forma que actúa como un diodo. La corriente que va a circular por el emisor

Más detalles

CAPITULO II RESISTENCIAS Y FUENTES

CAPITULO II RESISTENCIAS Y FUENTES CAPITULO II RESISTENCIAS Y FUENTES 2.1.-INTRODUCCION. Para determinar las propiedades de cualquier tipo de sistema es necesario conocer las características de los componentes básicos de dicho sistema.

Más detalles

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN FACULTAD DE MATEMÁTICAS LICENCIATURA EN CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN FACULTAD DE MATEMÁTICAS LICENCIATURA EN CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN FACULTAD DE MATEMÁTICAS LICENCIATURA EN CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN MATERIA : ELECTRÓNICA DIGITAL NIVEL : PRIMER SEMESTRE Última actualización: Julio 25, 2002. Autores: M.

Más detalles

3 Transistores bipolares

3 Transistores bipolares 3 Transistores bipolares 3.1 Introducción En los capítulos precedentes hemos analizado elementos de circuito con dos terminales accesibles, en éste estudiaremos el funcionamiento y algunas aplicaciones

Más detalles

UNIDAD TEMATICA 6: CIRCUITOS PARA APLICACIONES ESPECIALES

UNIDAD TEMATICA 6: CIRCUITOS PARA APLICACIONES ESPECIALES UNIDAD TEMATICA 6: CIRCUITOS PARA APLICACIONES ESPECIALES 1.- Amplificadores operacionales Amplificador de alta ganancia, que tiene una impedancia de entrada muy alta (por lo general mega-ohms) y una impedancia

Más detalles

Trabajo Practico: Transistores

Trabajo Practico: Transistores Universidad Abierta Interamericana Trabajo Practico: Transistores Alumnos: Profesor: Campus: Turno: Andrés Martín Dellafiore Facundo Juarez Martín Castiñeira Daniel Zuccari Eduardo Sandoval Solá Marcos

Más detalles

SEMICONDUCTORES. PRACTICA 1 DIODOS RECTIFICADORES 1.1 Diodo rectificador de onda completa 1.2 Puente rectificador de onda completa

SEMICONDUCTORES. PRACTICA 1 DIODOS RECTIFICADORES 1.1 Diodo rectificador de onda completa 1.2 Puente rectificador de onda completa SEMICONDUCTORES PRESENTACION. PRACTICA 1 DIODOS RECTIFICADORES 1.1 Diodo rectificador de onda completa 1.2 Puente rectificador de onda completa PRACTICA 2 OTRAS APLICACIONES DEL DIODO 2.1 Doblador de voltaje

Más detalles

Sistemas y Circuitos

Sistemas y Circuitos Sistemas y Circuitos Práctica 4: Circuitos Analógicos Curso Académico 09/10 Objetivos En esta práctica el alumno aprenderá a calcular impedancias equivalentes analizar filtros de primer orden Normas La

Más detalles

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar Análisis de la línea de carga de un transistor Estados del transistor El transistor PNP Modelos y análisis del transistor en gran señal Circuitos de

Más detalles

TEORIA DEL TIRISTOR (cap 7 Rashid) 1.- Estructura y símbolo

TEORIA DEL TIRISTOR (cap 7 Rashid) 1.- Estructura y símbolo TEORIA DEL TIRISTOR (cap 7 Rashid) 1.- Estructura y símbolo El tiristor es un nombre genérico de una serie de dispositivos semiconductores de potencia. Uno de ellos llamado SCR (rectificador controlado

Más detalles

Facultad de Ingeniería

Facultad de Ingeniería UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO Facultad de Ingeniería División de Ingeniería Eléctrica. Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electrónicos. Proyecto Tres. Ingeniería Inversa Grupo: 06 Autores:

Más detalles

Práctica 4. Control de potencia en corriente alterna

Práctica 4. Control de potencia en corriente alterna Práctica 4. Control de potencia en corriente alterna 1. Objetivos Conocer el funcionamiento de sistemas de control de corriente alterna. Conocer el funcionamiento y la utilidad de los integrados optoacopladores.

Más detalles

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION BJT SANCHEZ MORONTA, M. - UGALDE OLEA, U.

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION BJT SANCHEZ MORONTA, M. - UGALDE OLEA, U. Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica Industrial de Bilbao Universidad del País Vasco / Euskal Herriko Unibertsitatea ELECTRONICA INDUSTRIAL TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION BJT SANCHEZ MORONTA, M.

Más detalles

TRANSISTOR DE JUNTURA

TRANSISTOR DE JUNTURA Fundamentos de Electrónica Transistor de Juntura 3-1 CAPÍTULO 3 TANSISTO DE JUNTUA 3.1 DESCIPCIÓN Un transmisor bipolar o de juntura se fabrica como una estructura tipo sándwich formada por una capa central

Más detalles

BLOQUE EXPRESIÓN GRÁFICA A1.- OBTENER LAS VISTAS DE LAS SIGUIENTE PIEZAS, SEGÚN LA NORMATIVA ESTABLECIDA.

BLOQUE EXPRESIÓN GRÁFICA A1.- OBTENER LAS VISTAS DE LAS SIGUIENTE PIEZAS, SEGÚN LA NORMATIVA ESTABLECIDA. BLOQUE EXPRESIÓN GRÁFICA A1.- OBTENER LAS VISTAS DE LAS SIGUIENTE PIEZAS, SEGÚN LA NORMATIVA ESTABLECIDA. Dpto. Tecnología 1/9 A2.- Dibuja la perspectiva isométrica de la siguiente pieza, a partir de sus

Más detalles

TEMA V TEORÍA DE CUADRIPOLOS LINEALES. 5.1.-Introducción. 5.2.-Parámetros de Impedancia a circuito abierto.

TEMA V TEORÍA DE CUADRIPOLOS LINEALES. 5.1.-Introducción. 5.2.-Parámetros de Impedancia a circuito abierto. TEMA V TEORÍA DE CUADRIPOLOS LINEALES 5.1.-Introducción. 5.2.-Parámetros de Impedancia a circuito abierto. 5.3.-Parámetros de Admitancia a cortocircuito. 5.4.-Parámetros Híbridos (h, g). 5.5.-Parámetros

Más detalles

Introducción. 3.1 Modelo del Transistor

Introducción. 3.1 Modelo del Transistor 3 Celdas Básicas Introducción Muchas de las celdas utilizadas a lo largo de este trabajo están conformadas por circuitos más pequeños que presentan un comportamiento particular. En capítulos posteriores

Más detalles

COLECCIÓN DE PROBLEMAS III. Leyes de Kirchhoff + Método de mallas

COLECCIÓN DE PROBLEMAS III. Leyes de Kirchhoff + Método de mallas COLECCIÓN DE PROBLEMAS III Leyes de Kirchhoff + Método de mallas 1. Utilizando las leyes de Kirchhoff, calcular las tensiones o diferencias de potencial entre los extremos de cada resistencia, una vez

Más detalles

2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET de Empobrecimiento

2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET de Empobrecimiento TRANSISTORES FET e IGBT 1 1. Transistores de Efecto de Campo de Unión (FET). Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada.1. MOSFET de Enriquecimiento.. MOSFET de Empobrecimiento 3. Transistor Bipolar

Más detalles

2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica

2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2007 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4

Más detalles

Experimento 4: Curvas características de componentes de tres terminales (transistores)

Experimento 4: Curvas características de componentes de tres terminales (transistores) Instituto Tecnológico de Costa Rica Escuela de Ingeniería Electrónica Profesores: Ing. Sergio Morales, Ing. Pablo Alvarado, Ing. Eduardo Interiano Laboratorio de Elementos Activos II Semestre 2006 I Experimento

Más detalles

Las resistencias disipan la energía, los capacitores e inductores la almacenan. Un capacitor es un elemento pasivo diseñado para almacenar energía en

Las resistencias disipan la energía, los capacitores e inductores la almacenan. Un capacitor es un elemento pasivo diseñado para almacenar energía en CAPACITORES Las resistencias disipan la energía, los capacitores e inductores la almacenan. Un capacitor es un elemento pasivo diseñado para almacenar energía en su campo eléctrico. Construcción Están

Más detalles

SISTEMA DE RECTIFICACIÓN TIPO PUENTE Y FILTRADO

SISTEMA DE RECTIFICACIÓN TIPO PUENTE Y FILTRADO SISTEMA DE RECTIFICACIÓN TIPO PUENTE Y FILTRADO I. OBJETIVOS Analizar componentes. Montaje del circuito. Análisis de CA y CD. Sistema de rectificación tipo fuente. Filtraje. Uso del osciloscopio. Gráfico

Más detalles

Tutorial de Electrónica

Tutorial de Electrónica Tutorial de Electrónica La función amplificadora consiste en elevar el nivel de una señal eléctrica que contiene una determinada información. Esta señal en forma de una tensión y una corriente es aplicada

Más detalles

HOJA DE ASIGNATURA CON DESGLOSE DE UNIDADES TEMÁTICAS

HOJA DE ASIGNATURA CON DESGLOSE DE UNIDADES TEMÁTICAS HOJA DE ASIGNATURA CON DESGLOSE DE UNIDADES TEMÁTICAS INFORMACIÓN REQUERIDA POR ASIGNATURA. NOMBRE DE LA ASIGNATURA: ELECTRÓNICA. NIVEL DEL : ESPECÍFICO 3. ÁREA DE CONOCIMIENTO: CONOCIMIENTOS TÉCNICOS

Más detalles

Práctica 3: Amplificador operacional II: Regulador lineal realizado con un operacional

Práctica 3: Amplificador operacional II: Regulador lineal realizado con un operacional Práctica 3: Amplificador operacional II: Regulador lineal realizado con un operacional 1. Introducción. En esta práctica se diseña un regulador de tensión de tipo serie y se realiza el montaje correspondiente

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Tema 7 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 1.- Introducción. 2.- Transistores de unión de efecto de campo (JFET). 2.1.- Estructura Básica. 2.2.- Símbolos. 2.3.- Principio de funcionamiento. 2.3.1.- Influencia

Más detalles

Práctica 2. Circuitos comparadores

Práctica 2. Circuitos comparadores Laboratorio ntegrado de ngeniería ndustrial Práctica 2 Práctica 2. Circuitos comparadores. Objetivos Conocer el funcionamiento de circuitos comparadores empleando Amplificadores Operacionales. Conocer

Más detalles

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/ 1 1. Introducción

Más detalles

Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1

Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 INDICE: Pg. Carátula 1 Introducción 2 Conocimientos Necesarios 2 1.0

Más detalles

MODULO Nº6 TIRISTORES UNIDIRECCIONALES

MODULO Nº6 TIRISTORES UNIDIRECCIONALES MODULO Nº6 TIRISTORES UNIDIRECCIONLES UNIDD: CONVERTIDORES C - CC TEMS: Tiristores. Rectificador Controlado de Silicio. Parámetros del SCR. Circuitos de Encendido y pagado del SCR. Controlador de Ángulo

Más detalles

Estructura típica de un transistor bipolar de juntura tipo NPN.

Estructura típica de un transistor bipolar de juntura tipo NPN. 5.1 ESTRUCTURA, FUNCIONAMIENTO Y CURVAS CARACTERÍSTICAS Un transistor bipolar de juntura está construido de forma completamente distinta a la de un FET, y su principio de operación también es muy diferente.

Más detalles

Principios físicos y electrónicos

Principios físicos y electrónicos Principios físicos y electrónicos Tema 1 Dr. Óscar Ruano Índice Conceptos básicos Voltaje y diferencia de potencial Intensidad de corriente Resistencia Potencia Análisis de circuitos Ley de Kirchoff de

Más detalles

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(c), base(b) y emisor(e).

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(c), base(b) y emisor(e). FUNDAMENTO TEORICO El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(c), base(b) y emisor(e). La palabra bipolar se deriva del

Más detalles

PRÁCTICA 5 TEOREMA DE SUPERPOSICIÓ E DC TEOREMA DE THÉVE I E DC TEOREMA DE LA MAXIMA TRA SFERE CIA DE POTE CIA

PRÁCTICA 5 TEOREMA DE SUPERPOSICIÓ E DC TEOREMA DE THÉVE I E DC TEOREMA DE LA MAXIMA TRA SFERE CIA DE POTE CIA PRÁCTICA 5 TEOREMA DE SUPERPOSICIÓ E DC TEOREMA DE THÉVE I E DC TEOREMA DE LA MAXIMA TRA SFERE CIA DE POTE CIA OBJETIVOS: 1. Determinar en forma teórica las aplicaciones de los Teoremas de Redes en C.D.,

Más detalles

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI Tecnología Microelectrónica Pagina 1 4- FABRICACIÓN DEL FET Describiendo el proceso secuencia de la elaboración del NMOS de acumulación y de dispositivos de deplexion, queda explicada la fabricación de

Más detalles

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales Diapositiva 1 Transistores de efecto de campo (npn) puerta FET dispositivo de 3 terminales corriente e - de canal desde la fuente al drenador controlada por el campo eléctrico generado por la puerta impedancia

Más detalles

ESTUDIO DE LOS EJEMPLOS RESUELTOS 7.1, 7.2 Y 7.8 DEL LIBRO DE FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA.

ESTUDIO DE LOS EJEMPLOS RESUELTOS 7.1, 7.2 Y 7.8 DEL LIBRO DE FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA. ESTUIO E LOS EJEMPLOS RESUELTOS.1,.2 Y.8 EL LIRO E FUNMENTOS FÍSIOS E L INFORMÁTI. Resolver un circuito implica conocer las intensidades que circula por cada una de sus ramas lo que permite conocer la

Más detalles

EL42A - Circuitos Electrónicos

EL42A - Circuitos Electrónicos EL42A - Circuitos Electrónicos Clase No. 6: Diodos para Propósitos Especiales Patricio Parada pparada@ing.uchile.cl Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de Chile 18 de Agosto de 2009 1 / Contenidos

Más detalles

TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO EN MANTENIMIENTO

TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO EN MANTENIMIENTO TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO EN MANTENIMIENTO HOJA DE ASIGNATURA CON DESGLOSE DE UNIDADES TEMÁTICAS 1. Nombre de la asignatura Electrónica analógica 2. Competencias Gestionar las actividades de mantenimiento

Más detalles