Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Tamaño: px
Comenzar la demostración a partir de la página:

Download "Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ"

Transcripción

1 Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ

2 Los inventores del primer transistor en los Bell Laboratories: Doctor Williams Shockley, Doctor John Bardeen y Doctor Walter H. (1947)

3 Primer circuito integrado. Jack Kilby (Cortesía de Texas Instruments Incorporated)

4 ESTRUCTURA DE UN BJT Transistores de Unión Bipolar El BJT (Transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn, las tres regiones se llaman emisor, base y colector.

5 La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector solo muy poco dopado. NPN PNP

6 Las capas exteriores tienen espesores mayores que el material tipo p o n al que circundan. El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10:1 ó menos) Este nivel bajo de Dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este material al limitar el numero de portadores libre.

7 Símbolos:

8 Polarización En ambos casos la unión base-emisor(be) esta polarizada en directa y la unión base-colector(bc) polarizada en inversa. (Polarización directa-inversa)

9

10 La región del emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los electrones de banda de conducción(libres).estos electrones libres se difunden con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base de tipo p muy delgada y levemente dopada(flecha ancha).la base tiene una baja densidad de huecos, los cuales son los portadores mayoritarios, representados por los puntos blancos. Un pequeño porcentaje del número total de electrones libres se va hacia la base, donde se recombinan con huecos y se desplazan como electrones de valencia a través de la base hacia el emisor como corriente de huecos, como lo indican las flechas negras. Cuando los electrones que se recombinaron con huecos como electrones de valencia abandonan las estructura cristalina de la base, se transforman en electrones libres en el conductor de la base metálica y producen la corriente de base externa. La mayoría de los electrones libres que entraron a la base no se recombinan con huecos porque es muy delgada. A medida que los electrones libres se desplazan hacia la unión BC polarizada en inversa, son arrastrados a través del colector por la atracción del voltaje de alimentación positivo del colector. Los electrones libres se desplazan a través del colector hacia el circuito externo y luego regresan al emisor junto con la corriente de base, como se indica. La corriente de emisor es un poco más grande que la corriente de colector debido a la pequeña corriente de base que se desprende de la corriente total inyectada a la base proveniente del emisor.

11 Corriente: IE=IC+IB

12 Corriente: IE=IC+IB

13 Parámetros de un BJT. Beta de CD (β CD ). La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd de la base(ib) y se expresa como beta de cd(βcd) β CD =I C /I B Valores Típicos de β CD van desde 20 hasta 200 o más h FE =β CD

14 Parámetros de un BJT. alfa de CD (α CD ). El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el alfa de cd α CD. α CD= I C /I E Valores Típicos van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque por lo general es menor a 1.

15 Curva Característica

16

17

18 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) Los transistores de efecto de campo o FET(Field Electric Transistor) pueden ser de dos tipo: 1.-Transistor de efecto de campo de unión.(jfet). 2.-Transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor(mosfet). Son dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada(10 12 Ω )

19 Ventajas del FET: 1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (10 7 a Ω). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI. 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

20 Desventajas que limitan la utilización de los FET: 1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.

21 Estructura:

22

23

24

25

26

27

28 EL MOSFET MOSFET(Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico). Característica Importante : La compuerta del MOSFET está aislada del canal mediante una capa de bióxido de silicio (SiO2).

29 MOSFET de enriquecimiento(e-mosfet) A) Construcción Básica B) Canal inducido (VGS>VGS(umbral)

30

31 MOSFET de empobrecimiento(d-mosfet)

32

33

34 FIN PRESENTACION Gracias

CAPI TULO 2 TRANSISTORES MOSFET INTRODUCCIÓN. 2.1. Historia del Transistor

CAPI TULO 2 TRANSISTORES MOSFET INTRODUCCIÓN. 2.1. Historia del Transistor CAPI TULO 2 TRANSISTORES MOSFET INTRODUCCIÓN En este capítulo estudiaremos los transistores. Se dará a conocer de manera breve como surgió el transistor el funcionamiento básico de este. Sin embargo el

Más detalles

J-FET de canal n J-FET (Transistor de efecto campo de unión) J-FET de canal p FET

J-FET de canal n J-FET (Transistor de efecto campo de unión) J-FET de canal p FET I. FET vs BJT Su nombre se debe a que el mecanismo de control de corriente está basado en un campo eléctrico establecido por el voltaje aplicado al terminal de control, es decir, a diferencia del BJT,

Más detalles

TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES

TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES INTRODUCCIÓN TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES La etapa de potencia es la encarga de suministrar la energía que necesita el altavoz para ser convertida en sonido. En general, los altavoces presentan una impedancia

Más detalles

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA RESUMEN La revolución tecnológica que vive la sociedad actual se debe en gran parte a la electrónica gracias a la innumerable cantidad de aparatos

Más detalles

Transistores de Efecto de Campo

Transistores de Efecto de Campo Transistores de Efecto de Campo El transistor de efecto de campo o simplemente FET (Field-Effect- Transistor) es un dispositivo semiconductor de tres terminales muy empleado en circuitos digitales y analógicos.

Más detalles

GUÍA 5: TRANSISTORES

GUÍA 5: TRANSISTORES 3º Electrónica Rogelio Ortega GUÍA 5: TRANSSTORES 1. LASFAÓN DE TRANSSTORES PNP ipolar (JT) NPN TRANSSTOR anal P (JFET P) Unión anal N (JFET N) Efecto de campo (FET) Metal Oxide Semiconductor anal P (MOSFET

Más detalles

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales Diapositiva 1 Transistores de efecto de campo (npn) puerta FET dispositivo de 3 terminales corriente e - de canal desde la fuente al drenador controlada por el campo eléctrico generado por la puerta impedancia

Más detalles

Tutorial de Electrónica

Tutorial de Electrónica Tutorial de Electrónica En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos electrónicos, tales como televisores, vídeos, equipos musicales, relojes digitales y, cómo no, ordenadores. Aunque, aparentemente

Más detalles

Polarización Análisis de circuitos Aplicaciones. Introducción a la Electrónica

Polarización Análisis de circuitos Aplicaciones. Introducción a la Electrónica TRANSISTOR BIPOLAR Funcionamiento general Estructura, dopados, bandas de energía y potenciales Curvas, parámetros relevantes Niveles de concentración de portadores Ecuaciones de DC Modelo de Ebers-Moll

Más detalles

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES EL TRANSISTOR BIPOLAR Dr. Ing.Eduardo A. Romero Los transitores bipolares se construyen con una fina capa de material semiconductor de tipo P entre dos capas de material

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TRASISTORES DE EFECTO DE CAMO Oscar Montoya Figueroa Los FET s En el presente artículo hablaremos de las principales características de operación y construcción de los transistores de efecto de campo (FET

Más detalles

UNIVERSIDAD DE MATANZAS CAMILO CIENFUEGOS FACULTAD DE INGENIERIAS QUÍMICA MECANICA. MONOGRAFÍA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BÁSICOS

UNIVERSIDAD DE MATANZAS CAMILO CIENFUEGOS FACULTAD DE INGENIERIAS QUÍMICA MECANICA. MONOGRAFÍA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BÁSICOS UNIVERSIDAD DE MATANZAS CAMILO CIENFUEGOS FACULTAD DE INGENIERIAS QUÍMICA MECANICA. MONOGRAFÍA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BÁSICOS Ing. Carlos R. Molina Hernández Dr. Evaristo González Milanés Departamento

Más detalles

Universidad Tecnológica de Puebla. Electrónica I Manual de asignatura. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial.

Universidad Tecnológica de Puebla. Electrónica I Manual de asignatura. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial. Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica I Manual de asignatura Carrera Electricidad y Electrónica Industrial Programa 2004 1 Créditos Elaboró: / actualización 2008. Revisó: Colaboradores: Autorizó:

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Tema 7 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 1.- Introducción. 2.- Transistores de unión de efecto de campo (JFET). 2.1.- Estructura Básica. 2.2.- Símbolos. 2.3.- Principio de funcionamiento. 2.3.1.- Influencia

Más detalles

Electrónica de potencia e instalaciones eléctricas: Semiconductores: diodo, transistor y tiristor

Electrónica de potencia e instalaciones eléctricas: Semiconductores: diodo, transistor y tiristor Electrónica de potencia e instalaciones eléctricas: Semiconductores: diodo, transistor y tiristor El descubrimiento del diodo y el estudio sobre el comportamiento de los semiconductores desembocó que a

Más detalles

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TTEEMAA 55: :: TTrraanss issttoorreess i dee eeffeeccttoo dee ccaamppoo 11 1) Cuál de los siguientes dispositivos no es un transistor de efecto de campo? a) MOSFET

Más detalles

Al finalizar esta asignatura el estudiante estará en condiciones de:

Al finalizar esta asignatura el estudiante estará en condiciones de: ASIGNATURA :ELECTRÓNICA I CODIGO :TEC-151 CREDITOS :04 PREREQ. :TEC-116 INTRODUCCIÓN: Esta asignatura comprende los principios básicos que debe manejar con fluidez el estudiante de ingeniería en las áreas

Más detalles

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI Tecnología Microelectrónica Pagina 1 4- FABRICACIÓN DEL FET Describiendo el proceso secuencia de la elaboración del NMOS de acumulación y de dispositivos de deplexion, queda explicada la fabricación de

Más detalles

TIPOS DE SEMICONDUCTORES

TIPOS DE SEMICONDUCTORES ntroducción a la Tecnología de los Computadores. T1-1 ntroducción a la Tecnología de los Computadores. T1-2 TEMA 1. Principios Básicos de Semiconductores CONDUCTORES, ASLANTES Y SEMCONDUCTORES. Una de

Más detalles

UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET

UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET OBJETIVO Conocer, identificar, resolver y analizar los transistores BJT y JFET, así como distinguir sus ventajas y desventajas. TEMARIO 4.1 Construcción del transistor

Más detalles

2.1 Introducción. 2.2 El transistor bipolar en continua

2.1 Introducción. 2.2 El transistor bipolar en continua l transistor bipolar como amplificador 2.1 Introducción Los transistores de unión bipolar o transistores bipolares (ipolar Junction Transistor, JT) son unos dispositivos activos de tres terminales que

Más detalles

TEGNOLOGIA ELECTROMECÀNICA V SEMESTRE - 2014

TEGNOLOGIA ELECTROMECÀNICA V SEMESTRE - 2014 TEGNOLOGIA ELECTROMECÀNICA V SEMESTRE - 2014 DOCENTE: JULIO CÉSAR BEDOYA PINO INGENIERO ELECTRÓNICO ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE POTENCIA TIRISTOR Es un componente electrónico constituido por elementos semiconductores

Más detalles

TEMARIO ESPECÍFICO - TEMA DEMO TECNOLOGÍA TEMA 60: CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERÍSTICAS

TEMARIO ESPECÍFICO - TEMA DEMO TECNOLOGÍA TEMA 60: CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERÍSTICAS TECNOLOGÍA TEMA 60 CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERÍSTICAS Difícilmente podrá encontrarse una actividad, técnica o no, que no implique algún elemento o circuito de conmutación.

Más detalles

DESCRIPCIÓN DE LA ASIGNATURA

DESCRIPCIÓN DE LA ASIGNATURA DESCRIPCIÓN DE LA ASIGNATURA ASIGNATURA: Nombre en Inglés: ELECTRONICS Código UPM: 565000351 MATERIA: CRÉDITOS ECTS: 4,5 CARÁCTER: COMÚN TIPO: OBLIGATORIA TITULACIÓN: CRÉDITOS COMPLEMENTARIOS PARA ACCESO

Más detalles

Práctica 2 Transistores, Curvas BJT y FET

Práctica 2 Transistores, Curvas BJT y FET Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Vacaciones Junio 2014 Auxiliar: Edvin Baeza Práctica 2 Transistores,

Más detalles

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION BJT SANCHEZ MORONTA, M. - UGALDE OLEA, U.

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION BJT SANCHEZ MORONTA, M. - UGALDE OLEA, U. Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica Industrial de Bilbao Universidad del País Vasco / Euskal Herriko Unibertsitatea ELECTRONICA INDUSTRIAL TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION BJT SANCHEZ MORONTA, M.

Más detalles

El transistor. Estructura física y aplicaciones. Asier Ibeas Hernández PID_00170129

El transistor. Estructura física y aplicaciones. Asier Ibeas Hernández PID_00170129 El transistor Estructura física y aplicaciones Asier Ibeas Hernández PID_00170129 Los textos e imágenes publicados en esta obra están sujetas excepto que se indique lo contrario a una licencia de Reconocimiento-Compartir

Más detalles

CAPITULO 1 CONCEPTOS BASICOS

CAPITULO 1 CONCEPTOS BASICOS CONTENIDO Prefacio v Introducción para el estudiante xi CAPITULO 1 CONCEPTOS BASICOS 1.0 Introducción 1 1.l Historia 2 1.2 Modelos de circuitos de estado sólido 3 1.3 Elementos de circuitos lineales y

Más detalles

Comunicaciones (5º año) Definición: Se denomina así a un amplificador que cumple dos condiciones:

Comunicaciones (5º año) Definición: Se denomina así a un amplificador que cumple dos condiciones: Amplificadores de RF Comunicaciones (5º año) - De pequeña señal de RF Amp. ó de señal débil de FI De RF - De potencia o de (sintonizados) gran señal Amplificadores de señal débil Definición: Se denomina

Más detalles

Dispositivos semiconductores en microondas

Dispositivos semiconductores en microondas Capítulo 9: Dispositivos semiconductores en microondas Casi todos los circuitos de microondas y radiofrecuencia utilizan alguno de estos tres dispositivos: os: diodos de barrera Schottky, transistores

Más detalles

Estructura típica de un transistor bipolar de juntura tipo NPN.

Estructura típica de un transistor bipolar de juntura tipo NPN. 5.1 ESTRUCTURA, FUNCIONAMIENTO Y CURVAS CARACTERÍSTICAS Un transistor bipolar de juntura está construido de forma completamente distinta a la de un FET, y su principio de operación también es muy diferente.

Más detalles

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL FACULTAD REGIONAL ROSARIO E CAMPO INTRODUCCION Los diferentes tipos de transistores que existen pueden agruparse en dos grandes grupos o familias: a) Transistores bipolares

Más detalles

Diapositiva 1 Para presentar los semiconductores, es útil empezar revisando los conductores. Hay dos perspectivas desde las que se puede explorar la conducción: 1) podemos centrarnos en los dispositivos

Más detalles

Transistor MOSFET ELEMENTOS ACTIVOS EL-2207 I SEMESTRE 2011

Transistor MOSFET ELEMENTOS ACTIVOS EL-2207 I SEMESTRE 2011 Transistor MOSFET ELEMENTOS ACTIVOS EL-2207 I SEMESTRE 2011 ITCR - Elementos Activos I 2011 Objetivos El transistor de efecto de campo MOSFET y la tecnología CMOS (6 semanas) Construcción, símbolo, clasificación.

Más detalles

UNIDAD 2: ELECTRÓNICA ANALÓGICA

UNIDAD 2: ELECTRÓNICA ANALÓGICA UNIDAD 2: ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1. INTRODUCCIÓN. 1.1. Concepto de electrónica 1.2. Electrónica analógica y electrónica digital 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS BÁSICOS: 2.1. RESISTENCIAS A. Introducción. B.

Más detalles

Transistores. 1.- Responde adecuadamente las siguientes preguntas: /1 Punto. 2.- Completa la siguiente clasificación: /1 Punto.

Transistores. 1.- Responde adecuadamente las siguientes preguntas: /1 Punto. 2.- Completa la siguiente clasificación: /1 Punto. Práctica Transistores - Electricidad Victor Andrés Gómez Aranibar APELLIDO PATERNO: APELLIDO MATERNO: NOMBRES: CURSO: * Llena los datos de tu nombre y curso con lapicera color azul. * Fecha de vencimiento

Más detalles

UD7.- EL TRANSISTOR. Centro CFP/ES. EL TRANSISTOR Introducción

UD7.- EL TRANSISTOR. Centro CFP/ES. EL TRANSISTOR Introducción UD7. Centro CFP/ES Introducción 1 Introducción Introducción 2 Introducción Principio de funcionamiento P N N P Concentración de huecos 3 Principio de funcionamiento P N N N P Si la zona central es muy

Más detalles

A.2. El transistor bipolar

A.2. El transistor bipolar A.2. El transistor bipolar A.2.1. Introducción Una vez visto el diodo, el siguiente componente electrónico a estudiar es el transistor. Fue inventado en 1947 por W. H. Brattain y J. Bardeen de los Bell

Más detalles

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor).

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor). Tema 4 EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor). 1. Introducción. 2. Estructura básica. 3. Símbolos y convenios de signos. 4. Zonas de funcionamiento. 5. Corrientes en la zona

Más detalles

UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA Facultad de Tecnología Informática

UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA Facultad de Tecnología Informática PORTAFOLIO PERSONAL Resolución de Problemas: se seleccionarán un conjunto de ejercicios particulares, algunos de ellos incluidos en las guías de problemas de la cursada, con el fin de representar, analizar

Más detalles

BIBLIOGRAFÍA 2.1 INTRODUCCIÓN 2.1 INTRODUCCIÓN (2) Tema 3: EL TRANSISTOR FET

BIBLIOGRAFÍA 2.1 INTRODUCCIÓN 2.1 INTRODUCCIÓN (2) Tema 3: EL TRANSISTOR FET BIBLIOGRAFÍA Tema 3: EL TRANSISTOR FET.1 Introducción. El Mosfet de acumulación Funcionamiento y curvas características Polarización.3 El Mosfet de deplexión Funcionamiento y curvas características.4 El

Más detalles

FACULTAD de INGENIERIA

FACULTAD de INGENIERIA Dr. Andres Ozols Laboratorio de Sólidos Amorfos (Depto. de Física) Grupo de Biomateriales para Prótesis GBP (Instituto de Ingeniería Biomédica) aozols@fi.uba.ar www.fi.uba.ar/~aozols TRANSISTOR DE EFECTO

Más detalles

AMPLIFICACION EN POTENCIA. Figura 1. Estructura Básica de un Convertidor DC/AC.

AMPLIFICACION EN POTENCIA. Figura 1. Estructura Básica de un Convertidor DC/AC. INTRODUCCION: Los convertidores DC/AC conocidos también como inversores, son dispositivos electrónicos que permiten convertir energía eléctrica DC en alterna AC. En el desarrollo de esta sesión de laboratorio,

Más detalles

El transistor de potencia

El transistor de potencia A 3.2 P A R T A D O El transistor de potencia 32 A Introducción a los transistores de potencia 3.2 A. Introducción a los transistores de potencia El funcionamiento y utilización de los transistores de

Más detalles

Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7

Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7 Facultad de Tecnología Informática Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7 Guia de Lectura / Problemas. Transistores bipolares y de efecto campo. Contenidos: Tipos de transistores:bjt y FET; p-n-p y

Más detalles

Características del transistor bipolar y FET: Polarización

Características del transistor bipolar y FET: Polarización Características del transistor bipolar y FET: Polarización 1.- Introducción El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se introducen las principales

Más detalles

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evolución hacia el MOSFET de enriquecimiento que es también llamado de acumulación. Sin el MOSFET de enriquecimiento no existirían

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Tema 7 TRANITORE E EFECTO E CAMPO 1.- Introducción. 2.- Transistores de unión de efecto de campo (JFET) 2.1.- Estructura básica. 2.2.- ímbolos. 2.3.- Principio de funcionamiento. 2.3.1.- Influencia de.

Más detalles

IES MAESTRO MATIAS BRAVO (VALDEMORO). Departamento de Tecnología. Tecnología 4º ESO. Anselmo Prados. Electrónica analógica.

IES MAESTRO MATIAS BRAVO (VALDEMORO). Departamento de Tecnología. Tecnología 4º ESO. Anselmo Prados. Electrónica analógica. Electrónica analógica. La electrónica es el gran invento del siglo XX. Se ha introducido en nuestros hogares convirtiéndose prácticamente en imprescindible (radio, televisión, ordenadores, electrodomésticos,

Más detalles

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN FACULTAD DE MATEMÁTICAS LICENCIATURA EN CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN FACULTAD DE MATEMÁTICAS LICENCIATURA EN CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN FACULTAD DE MATEMÁTICAS LICENCIATURA EN CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN MATERIA : ELECTRÓNICA DIGITAL NIVEL : PRIMER SEMESTRE Última actualización: Julio 25, 2002. Autores: M.

Más detalles

Unidad didáctica: Electrónica Básica

Unidad didáctica: Electrónica Básica Unidad didáctica: Electrónica Básica CURSO 3º ESO versión 1.0 1 Unidad didáctica: Electrónica Básica ÍNDICE 1.- Introducción. 2.- La resistencia. 3.- El condensador. 4.- El diodo. 5.- La fuente de alimentación.

Más detalles

Otras Familias Lógicas.

Otras Familias Lógicas. Electrónica Digital II Otras Familias Lógicas. Elaborado Por: Luis Alfredo Cruz Chávez. Prof.: Carlos Alberto Ortega Grupo 3T2 - EO Familias lógicas. Una familia lógica de dispositivos circuitos integrados

Más detalles

MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET

MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC TEMAS: Transistores MOSFET. Parámetros del Transistor MOSFET. Conmutación de Transistores MOSFET. OBJETIVOS: Comprender el funcionamiento del

Más detalles

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas Tema 5 TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas 5.1.- Introducción Las fuentes de corriente son ampliamente utilizadas en circuitos electrónicos integrados como elementos de polarización y como cargas

Más detalles

Carrera: ECC-0421. Participantes Representante de las academias de ingeniería electrónica de los Institutos Tecnológicos. Academias de Ingeniería

Carrera: ECC-0421. Participantes Representante de las academias de ingeniería electrónica de los Institutos Tecnológicos. Academias de Ingeniería 1.- DATOS DE LA ASIGNATURA Nombre de la asignatura: Carrera: Clave de la asignatura: Horas teoría-horas práctica-créditos Física IV (Física de Semiconductores) Ingeniería Electrónica ECC-0421 4 2 10 2.-

Más detalles

1 DIODOS SEMICONDUCTORES 1

1 DIODOS SEMICONDUCTORES 1 PREFACIO AGRADECIMIENTOS vii xi 1 DIODOS SEMICONDUCTORES 1 1.1 Introducción I 1.2 El diodo ideal I 1.3 Materiales semiconductores 3 la Niveles de energía 6 1.5 Materiales extrínsecos : tipo n y tipo p

Más detalles

EL42A - Circuitos Electrónicos

EL42A - Circuitos Electrónicos EL42A - Circuitos Electrónicos Clase No. 7: Transistores Bipolares Patricio Parada pparada@ing.uchile.cl Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de Chile 25 de Agosto de 2009 1 / Contenidos Transistores

Más detalles

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Compilación y armado: Sergio Pellizza Dto. Apoyatura Académica I.S.E.S. En el capítulo anterior hemos visto que en los transistores bipolares una pequeña corriente de

Más detalles

Tutorial de Electrónica

Tutorial de Electrónica Tutorial de Electrónica Introducción Conseguir que la tensión de un circuito en la salida sea fija es uno de los objetivos más importantes para que un circuito funcione correctamente. Para lograrlo, se

Más detalles

UNIVERSIDAD DE ESPECIALIDADES ESPIRITU SANTO FACULTAD DE SISTEMAS TELECOMUNICACIONES Y ELECTRONICA SYLLABUS

UNIVERSIDAD DE ESPECIALIDADES ESPIRITU SANTO FACULTAD DE SISTEMAS TELECOMUNICACIONES Y ELECTRONICA SYLLABUS UNIVERSIDAD DE ESPECIALIDADES ESPIRITU SANTO FACULTAD DE SISTEMAS TELECOMUNICACIONES Y ELECTRONICA SYLLABUS MATERIA: Laboratorio de Electrónica I ELE281(01) HORARIO: 19:25 20:50 PROFESOR(A): Ing. Genaro

Más detalles

El transistor como elemento de circuito.

El transistor como elemento de circuito. El transistor como elemento de circuito. 1.1) Características funcionales del transistor bipolar. El transistor bipolar (conocido universalmente con la simple denominación de transistor) es un elemento

Más detalles

LOGO. Semiconductores Organicos

LOGO. Semiconductores Organicos LOGO Semiconductores Organicos Integrantes Berjano Fernando Mezzadra Tomás Rodríguez Leandro Semiconductor Orgánico (Intro) Compuesto orgánico bajo la forma de cristal o un polímero que muestra propiedades

Más detalles

HOJA DE ASIGNATURA CON DESGLOSE DE UNIDADES TEMÁTICAS

HOJA DE ASIGNATURA CON DESGLOSE DE UNIDADES TEMÁTICAS HOJA DE ASIGNATURA CON DESGLOSE DE UNIDADES TEMÁTICAS INFORMACIÓN REQUERIDA POR ASIGNATURA. NOMBRE DE LA ASIGNATURA: ELECTRÓNICA. NIVEL DEL : ESPECÍFICO 3. ÁREA DE CONOCIMIENTO: CONOCIMIENTOS TÉCNICOS

Más detalles

Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1

Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 INDICE: Pg. Carátula 1 Introducción 2 Conocimientos Necesarios 2 1.0

Más detalles

Tema 3: Semiconductores

Tema 3: Semiconductores Tema 3: Semiconductores 3.1 Semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores son sustancias cuya conductividad oscila entre 10-3 y 10 3 Siemen/metro y cuyo valor varia bastante con la temperatura.

Más detalles

TRANSISTOR DE JUNTURA

TRANSISTOR DE JUNTURA Fundamentos de Electrónica Transistor de Juntura 3-1 CAPÍTULO 3 TANSISTO DE JUNTUA 3.1 DESCIPCIÓN Un transmisor bipolar o de juntura se fabrica como una estructura tipo sándwich formada por una capa central

Más detalles

Experimento 4: Curvas características de componentes de tres terminales (transistores)

Experimento 4: Curvas características de componentes de tres terminales (transistores) Instituto Tecnológico de Costa Rica Escuela de Ingeniería Electrónica Profesores: Ing. Sergio Morales, Ing. Pablo Alvarado, Ing. Eduardo Interiano Laboratorio de Elementos Activos II Semestre 2006 I Experimento

Más detalles

A.1. El diodo. Caracterización del diodo

A.1. El diodo. Caracterización del diodo A.1. El diodo A.1.1. Introducción El diodo es la pieza básica en electrónica de estado sólido y está basado en una sola unión p-n. A partir de combinaciones de más capas p o n podremos obtener los demás

Más detalles

Esta fuente se encarga de convertir una tensión de ca a una tensión de cd proporcionando la corriente necesaria para la carga.

Esta fuente se encarga de convertir una tensión de ca a una tensión de cd proporcionando la corriente necesaria para la carga. Página 1 de 9 REGULADOR DE VOLTAJE DE cc La mayor parte de los circuitos electrónicos requieren voltajes de cd para operar. Una forma de proporcionar este voltaje es mediante baterías en donde se requieren

Más detalles

MODULO ELECTRÓNICA ANÁLOGA OMAR TOVAR TOVAR

MODULO ELECTRÓNICA ANÁLOGA OMAR TOVAR TOVAR MODULO ELECTRÓNICA ANÁLOGA OMAR TOVAR TOVAR Editado por: IVAN CAMILO NIETO SÁNCHEZ UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD BOGOTA 2010 GUÍA DIDÁCTICA ELECTRÓNICA ANÁLOGA @Copyright Universidad

Más detalles

Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores

Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores E. de Barbará, G. C. García *, M. Real y B. Wundheiler ** Laboratorio de Electrónica - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales Departamento

Más detalles

MINISTERIO DE EDUCACIÓN DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN TÉCNICA Y PROFESIONAL. FAMILIA DE ESPECIALIDADES: INFORMÁTICA Y LAS COMUNICACIONES.

MINISTERIO DE EDUCACIÓN DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN TÉCNICA Y PROFESIONAL. FAMILIA DE ESPECIALIDADES: INFORMÁTICA Y LAS COMUNICACIONES. MINISTERIO DE EDUCACIÓN DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN TÉCNICA Y PROFESIONAL. FAMILIA DE ESPECIALIDADES: INFORMÁTICA Y LAS COMUNICACIONES. ESPECIALIDAD: AUTOMÁTICA PROGRAMA DE LA ASIGNATURA: ELECTRÓNICA NIVEL:

Más detalles

UNIDAD 3 EL DIODO SEMICONDUCTOR Y MODELOS

UNIDAD 3 EL DIODO SEMICONDUCTOR Y MODELOS UNIDAD 3 EL DIODO SEMICONDUCTOR Y MODELOS OBJETIVO El estudiante conocerá la estructura básica de un diodo semiconductor para distinguir su principio de operación, comportamiento ideal y real, los modelos

Más detalles

2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET de Empobrecimiento

2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET de Empobrecimiento TRANSISTORES FET e IGBT 1 1. Transistores de Efecto de Campo de Unión (FET). Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada.1. MOSFET de Enriquecimiento.. MOSFET de Empobrecimiento 3. Transistor Bipolar

Más detalles

Los transistores y sus aplicaciones. Breve resumen.

Los transistores y sus aplicaciones. Breve resumen. Los transistores y sus aplicaciones. Breve resumen. En este trabajo se pretende realizar un resumen acerca algunos de los tipos de transistores existentes, en cuanto a sus características, su principio

Más detalles

CAPÍTULO 3 3. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

CAPÍTULO 3 3. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) CAPÍTULO 3 3. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) 3.1 Introducción La búsqueda de un método para controlar la corriente que puede circular en el interior de un sólido la extendió Lilienfeld por una idea

Más detalles

LA ELECTRÓNICA APLICADA EN LA REPARACIÓN AUTOMOTRIZ

LA ELECTRÓNICA APLICADA EN LA REPARACIÓN AUTOMOTRIZ Conferencia virtual tutallermecanico.com.mx LA ELECTRÓNICA APLICADA EN LA REPARACIÓN AUTOMOTRIZ Prof. Armando Mata Domínguez Temario 1. El campo de la electricidad y electrónica aplicada en el automóvil.

Más detalles

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar Análisis de la línea de carga de un transistor Estados del transistor El transistor PNP Modelos y análisis del transistor en gran señal Circuitos de

Más detalles

CAPÍTULO II. FUENTES Y DETECTORES ÓPTICOS. Uno de los componentes clave en las comunicaciones ópticas es la fuente de

CAPÍTULO II. FUENTES Y DETECTORES ÓPTICOS. Uno de los componentes clave en las comunicaciones ópticas es la fuente de CAPÍTULO II. FUENTES Y DETECTORES ÓPTICOS. 2.1 INTRODUCCIÓN. Uno de los componentes clave en las comunicaciones ópticas es la fuente de luz monocromática. En sistemas de comunicaciones ópticas, las fuentes

Más detalles

INDICE. VXII Capitulo 1 Introducción a la electrónica

INDICE. VXII Capitulo 1 Introducción a la electrónica INDICE Prefacio VXII Capitulo 1 Introducción a la electrónica 4 1.1. Breve historia de la electrónica: de los tubos de vacío a la integración a gran escala 1.2. Clasificación de señales electrónicas 8

Más detalles

CAPÍTULO 4. Transistores bipolares de unión (BJT)

CAPÍTULO 4. Transistores bipolares de unión (BJT) CAPÍTULO 4 Transistores bipolares de unión (BJT). Introducción 193 4.5 Operación y modelos de pequeña señal 231 4.1 Estructura del dispositivo y operación física 194 4.6 Amplificadores BJT de una sola

Más detalles

Caracterización de un diodo LED

Caracterización de un diodo LED Práctica 5 Caracterización de un diodo LED OBJETIVOS Observar el funcionamiento y conocer algunas propiedades del LED, como una de las fuentes utilizadas en sistemas de comunicaciones vía fibra óptica.

Más detalles

CAPÍTULO 3. Transistores de efecto de campo MOS (MOSFET)

CAPÍTULO 3. Transistores de efecto de campo MOS (MOSFET) CAPÍTULO 3 Transistores de efecto de campo MOS (MOSFET). Introducción 101 3.6 Determinaciones de potencias en el amplificador MOSFET fuente común 150 3.1 Estructura del dispositivo y principio de operación

Más detalles

2.4 Transistores. Dispositivo semiconductor que permite el control y regulación. Los símbolos que corresponden al bipolar son los siguientes:

2.4 Transistores. Dispositivo semiconductor que permite el control y regulación. Los símbolos que corresponden al bipolar son los siguientes: TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2010 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4

Más detalles

1. LAS RESISTENCIAS. El símbolo utilizado para representar una resistencia es el de la figura. Resistencia. Resistencias bobinadas (o de hilo)

1. LAS RESISTENCIAS. El símbolo utilizado para representar una resistencia es el de la figura. Resistencia. Resistencias bobinadas (o de hilo) Electrónica Básica - 1 1. LAS RESISTENCIAS Las resistencias son unos operadores eléctricos cuya misión es dificultar el paso de la corriente eléctrica a través de ellas. Su característica principal es

Más detalles

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS OBJETIVO: El objetivo de estas practicas es diseñar amplificadores en emisor común y base común aplicando

Más detalles

S.E.P. S.E.I.T. D.G.I.T. CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIÓN Y DESARROLLO TECNOLÓGICO. cenidet

S.E.P. S.E.I.T. D.G.I.T. CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIÓN Y DESARROLLO TECNOLÓGICO. cenidet S.E.P. S.E.I.T. D.G.I.T. CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIÓN Y DESARROLLO TECNOLÓGICO cenidet DESARROLLO E IMPLEMENTACIÓN DE UN BANCO DE PRUEBAS PARA CARACTERIZAR DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA T E S I S PARA

Más detalles

Tutorial de Electrónica

Tutorial de Electrónica Tutorial de Electrónica La función amplificadora consiste en elevar el nivel de una señal eléctrica que contiene una determinada información. Esta señal en forma de una tensión y una corriente es aplicada

Más detalles

INDICE. Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos

INDICE. Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos INDICE Circuitos discretos e integrados Señales analógicas y digitales Notación 3 Resumen

Más detalles

TEORIA DEL TIRISTOR (cap 7 Rashid) 1.- Estructura y símbolo

TEORIA DEL TIRISTOR (cap 7 Rashid) 1.- Estructura y símbolo TEORIA DEL TIRISTOR (cap 7 Rashid) 1.- Estructura y símbolo El tiristor es un nombre genérico de una serie de dispositivos semiconductores de potencia. Uno de ellos llamado SCR (rectificador controlado

Más detalles

cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. Transistores Muchos materiales, como los metales, permiten que la corriente eléctrica fluya a través de ellos. Se conocen como conductores. Los materiales que no permiten el paso de la corriente eléctrica

Más detalles

A.3. El transistor unipolar

A.3. El transistor unipolar A.3. El transistor unipolar A.3.1. Introducción El siguiente componente que vamos a estudiar es el transistor unipolar o FET (field effect transistor). El FET de unión fue descrito por primera vez en 1952

Más detalles

TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores. Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital

TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores. Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital Objetivos Efectuar el estudio del funcionamiento de un transistor bipolar como elemento digital,

Más detalles

MOSFET para conmutación de potencia

MOSFET para conmutación de potencia Capítulo 1 MOFET para conmutación de potencia 1.1. Introducción El MOFET (Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor) de Potencia es el transistor de efecto de campo del tipo MO, base de los circuitos

Más detalles

Transistor BJT: Fundamentos

Transistor BJT: Fundamentos Transistor BJT: Fundamentos Lección 05.1 Ing. Jorge Castro-Godínez Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica II Semestre 2013 Jorge Castro-Godínez Transistor BJT 1 / 48 Contenido

Más detalles

Ing. Adrián Darío Rosa. Capítulo XI. Transistor de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)

Ing. Adrián Darío Rosa. Capítulo XI. Transistor de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) Capítulo XI 1 Transistor de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) 1) Introducción. En el capítulo anterior hemos visto el principio de funcionamiento de este tipo de dispositivo en términos

Más detalles

UNIVERSIDAD RICARDO PALMA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA ACADÉMICA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA SÍLABO PLAN DE ESTUDIOS 2000

UNIVERSIDAD RICARDO PALMA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA ACADÉMICA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA SÍLABO PLAN DE ESTUDIOS 2000 UNIVERSIDAD RICARDO PALMA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA ACADÉMICA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA SÍLABO PLAN DE ESTUDIOS 2000 I. DATOS GENERALES CURSO : Circuitos Electrónicos I CÓDIGO : IE0603

Más detalles

NUCLEO TEMATICO: ELECTRONICA II FUNDAMENTACION DEL NUCLEO

NUCLEO TEMATICO: ELECTRONICA II FUNDAMENTACION DEL NUCLEO NUCLEO TEMATICO: ELECTRONICA II CODIGO : 622007424 CREDITOS : 3 SEMESTRE : III HORAS PRESENCIALES : 3 HORAS DE ACOMPAÑAMIENTO : 2 TOTAL HORAS/ SEMANA : 5 FUNDAMENTACION DEL NUCLEO En el mundo moderno la

Más detalles

Dispositivos de las tecnologías CMOS

Dispositivos de las tecnologías CMOS Dispositivos de las tecnologías CMOS MOSFET: canal N y canal P (únicos dispositivos en chips digitales) BJT: PNP de mala calidad (dispositivos parásitos. Se usan como diodos) Resistencias Condensadores

Más detalles

Transistor bipolar de unión (BJT)

Transistor bipolar de unión (BJT) lectrónica Analógica Transistor bipolar de unión (JT) Primer transistor de contacto puntual l transistor bipolar de unión (JT) fue el primer dispositivo de estado sólido de uso práctico utilizado para

Más detalles