SIMBOLOGIA DE TRANSISTORES

Transcripción

1 5 TRANSISTORES Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica ectrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS. Se consideran dispositivos activos porque pueden obtener una mayor corriente de salida a partir de, corriente o tensión de entrada, y por lo tanto, se utilizan en amplificación de corrientes y tensiones. Disponen de 3 terminales, pudiendo adoptar varias configuraciones:considerándose como entrada dos de ellos y de salida el tercero. CLASIFICACIÓN

2 SIMBOLOGIA DE TRANSISTORES 6

3 7 EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT Formado por dos uniones PN con tres zonas cada una conectada a los terminales:c: "Colector", la zona central es la B:"Base" y E: "Emisor". El Emisor está muy impurificado, la Base tiene una impurificación muy baja, mientras que el Colector posee una impurificación intermedia. Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso). CURVAS CARACTERÍSTICAS Y REGIONES DE FUNCIONAMIENTO: Curvas B-E I B (V BE ) se corresponden con las de un diodo de unión. Curvas Ic(V CE ):para diferentes valores de I B: I E sale; I B, I C entran I E entra; I B, I C salen PARAMETROS DADOS POR EL FABRICANTE: V CEO <Vcc, V CESAT, V BESAT I cmax, P cmax Β = H FE I CBO =Ico=Ic con la base en circuito abierto. EL TRANSISTOR POLARIZADO Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones: Base común (BC). Emisor común (EC). Colector común (CC). Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes: Zona ACTIVA: U E en Directa y U C en Inversa. AMPLIFICADORES Zona de SATURACIÓN: U E en Directa y U C en Directa. CONMUTACIÓN Zona de CORTE: U E en Inversa y U C en Inversa. CONMUTACIÓN Zona ACTIVA INVERTIDA: U E en Inversa y U C en Directa. SIN UTILIDAD

4 8 ECUACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR: Corrientes: Transistor como un nudo: I E =I C +I B Ic=β I B + (β+) I C ; I C : Corriente Ic con la base en circuito abierto. Ganancia en corriente contínua: H FE β=ic I B Ganancia en corriente α: α =Ic / I E Tensiones: V CE = V CB + V BE ; para transistores NPN. V EC = V EB + V BC ; para transistores PNP. CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO CON CURVAS LINEALIZADAS: ECUACIONES DE UN CIRCUTO CON TRANSISTOR BIPOLAR Ecuación de la malla de base: V BE =,7v 5=47I B + V BE ; I B, =3,4µA Ecuación de la malla de colector : V CEsat =,v 5=3,6I C + V CE ; I CSAT =,, = 4,mA I C = β I B =,34mA=3,4mA< I CSAT =>TRT en activa V CE =5-3,6I C = 5-3,63,4=4,5v

5 9 Potencia máxima de un transistor: - Potencia disipada por un transistor: Pc=V CE Ic - Punto de trabajo óptimo: Pc=V CEQ = Vcc/ ; I CQ = Vcc/Rc EL TRANSISTOR EN CONMUTACION - Un transistor trabaja en conmutación cuando ante señales de entrada en la base reacciona funcionando en corte: Ic=; V CE =Vcc ó en saturación:ic=ic SAT ;V CE =,v ó v. - Este modo de funcionamiento es útil para activar/desactivar dispositivos o para arquitectura de puertas lógicas. CORTE SATURACION Β=; V BE =,7v Si Ve=v I CSAT =(-V CESAT )/KΩ=(-,)/KΩ =9,8mA I B =(Ve-V BE )/KΩ=(-,7)/KΩ =,93mA; I C = β I B =,93mA=93mA>I CSAT =>Ic= I CSAT =9,8mA; V CE = V CESAT =,v=>trt en SAT Si Ve=v I B =ma=>ic=ma=>v CE =Vcc=v=>TRT en CORTE. Se comporta como un inversor. Simulacion de punto de trabajo y recta de carga

6 EJEMPLOS DE PUERTAS LOGICAS CON DIODOS Y TRANSISTORES: Si a y b tienen un nivel bajo de tensión(<,7v)=> los dos transistores estarían en corte=>vs=v H =3v Si a ó b tienen un nivel alto de tensión(>,7v)=> uno o los dos transistores estarían en saturación=>vs=v L =,v Circuito A Circuito B Circuito A Si a y b tienen un nivel alto de tensión=> los dos diodos no conducen=> I B >;V BE =,7v =>transistor en SAT=>Vs=V L =,v Si a ó b tienen un nivel bajo de tensión=> Uno o los dos diodos conducen=> V BE <,7v ; I B =; =>transistor en CORTE=>Vs=V H =5V. Circuito B Si a y b tienen un nivel alto de tensión=> los dos diodos no conducen=> T en SAT D3 conduce y Ve>,7v =>T en SAT=>Vs=V L =,v Si a ó b tienen un nivel bajo de tensión=> Uno o los dos diodos conducen=> V B <,7v ; I B =; T en CORTE D3 NO conduce y Ve=v =>T en CORTE=>Vs=V H =5V. -Siempre que en a o b haya un nivel bajo, el transistor multiemisor conducirá porque Vbe>,7v. =>T no conduce porque su corriente de base es negativa. =>T no conduce porque Vb=, ya que la IE de T es cero. =>El diodo no conduce=> T en corte(no conduce)=>vc=5v. -Si a y b son niveles altos, el transistor multiemisor no conduce porque Vbe<=. =>T conduce porque su corriente de base es positiva. =>T y T conducen en saturación porque Vb,Vb>,7v,ya que la I E de T es >. =>El diodo conduce=> =>Vc=Vcesat=,v.

7 ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES - El TO-9: Para la amplificación de pequeñas señales. La asignación de patitas (emisor - base - colector) no está estandarizado. - El TO-8: Es metálico. En la carcasa hay un pequeño saliente que indica que la patita más cercana es el emisor - El TO-39: tiene le mismo aspecto que es TO-8, pero es mas grande, pero también tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipación de calor. - El TO-6: En aplicaciones de pequeña a mediana potencia. Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicación en se este utilizando. Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se debe utilizar una mica aislante - El TO-: Debe disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-6 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado por un tornillo debidamente aislado. - El TO-3: En transistores de gran potencia. Como se puede ver en el gráfico es de gran tamaño debido a que tiene que disipar bastante calor. Está fabricado de metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energía que este genera en calor. Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este estaría conectado directamente con el colector del transistor. Para evitar el contacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor térmico. El emisor y la base se encuentran ligeramente a un lado y si se pone el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estará el emisor y la derecha la base. IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES y estado DE UN TRANSISTOR Para los dos valores mas bajos(ω): patilla 3 se repite=>3=base Patilla3 positiva=>tipo: NPN Patilla3 negativa=>tipo: PNP Para el siguiente valor mas bajo (8KΩ): Tipo NPN : Patilla positiva=>=colector Tipo PNP : Patilla positiva=>=emisor. Esto ayuda a determinar tambien el estado del transistor. Con un polímetro que disponga de opción H FE se puede determinar : El patillaje. El tipo La ganancia en corriente Contínua H FE

8 EJERCICIO : β=6, V EB =,65v, V CESAT =v. V CC =v. VCC Calcular: 5Ω a. Las corrientes y las tensiones de los dos transistores para:ve=v y Ve=9v. Ve B E C BC38* Ve E C B BC337 5Ω b. Si la Resistencia de 5Ω se corresponde con un relé de: I ON =7,5mA, I OFF =,6mA. a. Se activará o desactivará para las dos tensiones de entrada anteriores? b. Cuáles son los límites de Ve para la activación y desactivación del relé? VCC c. Si el BC337 es el complementario de BC38, lo es el circuito? EJERCICIO : β=, V EB =,65v, V CESAT =,v. V CC =v. kω kω a. Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. b. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores. Calcular: Las potencias del circuito. B E C BC38* VCC VCC EJERCICIO 3: β=, V BE =,7v, V CESAT =,v. a. Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. b. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores. EJERCICIO 4: β=, V BE =,7v, V CESAT =,v. c. Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. d. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores.

9 3 EJERCICIO 5: β=, V BE =,7v, V CESAT =,v. e. Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores. Estudiar la estabilidad frente a la temperatura. EJERCICIO 6: β=, V BE =,7v, V CESAT =,v. R B =5KΩ, R C =KΩ Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes. Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos transistores. Estudiar la estabilidad frente a la temperatura. EJERCICIO 7: β=, V BE =,7v, V CESAT =,v. Hallar: Vsal EJERCICIO 8: β=5, V BE =,7v, V CESAT =,v. V D =,6v, V Z =9,v,Ion=5mA,Izmin=5mA Hallar: Las corrientes, las tensiones y las potencias VCC VCC KA Ω BZV55-C9V B E C K A BC337 3 Ω

10 4 EJERCICIO 9: V BE =,7v, V CESAT =,v. Calcular los puntos de trabajo. Circuito:IZMIN=5mA ó IZMIN=mA. Circuito:IZMIN=mA ó IZMIN=5mA. EJERCICIO :

11 5 Hoja de características de un transistor Tensiones inversas de ruptura para el transistor N394. V CB...6 V (máximo valor en inversa) V CEo...4 V (máximo valor en inversa con la base abierta) V EB...6 V (máximo valor en inversa) En realidad en la hoja de características tenemos que diferenciar los transistores en: Transistores de pequeña señal (I C pequeña), por ejemplo: N394. Transistores de potencia (I C grande), por ejemplo: N355. Corriente y potencia máximas En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unión más problemática la unión CB, porque es la que más se calienta. En un transistor se dan tres tipos de temperaturas: T j = Temperatura de la unión. T C = Temperatura de la capsula. T A = Temperatura del ambiente. Factor de ajuste Indica como disminuye la P Dmáx por cada grado de aumento de temperatura por encima de un valor determinado. EJEMPLO: Para el N394 P Dmáx = 35 mw (a 5 ºC) Factor de ajuste = -,8 mw/ºc Si T A aumenta a 6 ºC: P Dmáx = 35 -,8 (6-5) = 5 mw. CALCULO Y ELECCION DE UN CIRCUITO EN DC CON RESISTENCIAS Y TRANSISTORES: Diseñar un circuito en EC que cumpla los requisitos siguientes: V BB = 5 V, V CC = 5 V, h FE =, I C = ma y V CE = 7,5 V. Resolverlo usando la ª aproximación. Solución: Colocando los datos que da el problema en el circuito emisor común se ve que falta por determinar el valor de R B y R C. Malla de entrada y ecuación de la ganancia: Malla de salida:

12 6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: Transistor de efecto de campo de unión o JFET Transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada (Ω). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como conmutador. Sus caracterísitcas eléctricas son similares aunque su tecnología y estructura física son totalmente diferentes. Ventajas del FET:. Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (7a Ω).. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3. Los FET son más estables con la temperatura que los BJT. 4. Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar másdispositivos en un C. 5. Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensióndrenaje-fuente. 6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir operaciones de muestreo en conversores A/D y memorias. 7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Desventajas que limitan la utilización de los FET: ) Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada, y en general son menos lineales que los BJT. ) Se pueden dañar debido a la electricidad estática. Características eléctricas del JFET

13 7 V GS < V P V DS =< V P - V GS V GS < V P V DS > V P - V GS

14 8 RECTA DE CARGA Y PUNTO DE TRABAJO: PARÁMETROS COMERCIALES Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos: IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=). En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor. VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor. RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento. TRANSISTOR MOSFET Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente pero sus ecuaciones analíticas son muy similares. NMOS de Enriquecimiento:

15 EJERCICIO : Calcular el punto de trabajo:v DS,V GS, I D 9

16 3 EJERCICIO Determinar el valor de las salidas V y V cuando VIN valga cero y diez voltios. Datos: VTH = 5 V. ECC = V. Rd=K,Rd=,K,K=,5mA/v EJERCICIO 3 a) Explicar su funcionamiento y determinar qué tipo de puerta lógica es. EJERCICIO 4 Calcular los parámetros que toman las resistencias RD y RS del circuito de la figura para que el transistor opere con una ID=4mA y VD=.Datos: VTH=V; K=.4mA/V

17 3.- Dibujar las curvas características de un transistor bipolar: BC547B a) Montar el circuito R B =KΩ R C =KΩ Curva de entrada: b) Con Vcc=v; V BE =..,8v,variando V BB,medir V BE, y calcular I B =(V BB V BE )/R B c) Anotar I B =en la tabla en ua. Curva de salida: d) ParaV BE =,v,,7v y,8v; Anotar la I B correspondiente, y variando V cc,=..v, medir V CE, y calcular I C =(V CC V CE )/R C c) Anotar I B =en la tabla en ua..- Hallar, dibujar, y medir el punto de trabajo para el transistor anterior: Vcc=v V BB=,5v 3.- Sacar las curvas de entrada y salida utilizando el osciloscopio y el montaje de la figura AJUSTES DEL OSCILOSCOPIO: Aislar masas del osciloscopio Triguer edge. Modo XY Autoset:Centrar AJUSTES DEL GENERADOR: Entrada: 4Vp, DC, 5Hz Salida: 3Vp,6DC,KHz 4.- Hallar y medir el punto de trabajo para el transistor FET: N446 del circuito de la figura 8 V GG = =-v, R D =R S =KΩ, V DD =5v, R G =KΩ kω 5 6 kω 7 G S D N V V kω

18 Prácticas de electrónica Grupo: Entrenador: Detector de oscuridad Material: Esquema: Entrenador de electrónica Transistor BD35 Resistencia K Potenciómetro K LDR Diodo Relé Explicar el funcionamiento. COM NA NC c LDR b e BD35 Cálculos: Toma de medidas con el polímetro. Con luz Sin luz V BE = V CE = V LDR = I b = I c = V BE = V CE = V LDR = I b = I c =

19 3 Ejercicio : Curva característica de entrada Si variamos el valor de la pila V BB de la malla de entrada, tomando valores de I B y V BE podemos obtener la característica de (la malla de) entrada. Ejercicio : Curva característica de salida. Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para diferentes valores de I B.. Ajustando V BB fijamos un valor de I B que vamos a mantener constante (por ejemplo I B = µa). 3. Ahora variamos V CC, medimos valores de V BE y I C y obtenemos la correspondiente curva de I B = µa. 4. Hacemos lo mismo para I B = µa, etc... Y así sucesivamente para diferentes valores de I B. En cada una de estas curvas hay diferentes zonas:

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21 Switching and Applications High Voltage: BC546, V CEO =65V Low Noise: BC549, BC55 Complement to BC BC56 BC546/547/548/549/55 BC546/547/548/549/55 NPN Epitaxial Silicon Transistor TO-9. Collector. Base 3. Emitter Absolute Maximum Ratings T a =5 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V CBO Collector-Base Voltage : BC546 : BC547/55 : BC548/549 V CEO Collector-Emitter Voltage : BC546 : BC547/55 : BC548/549 V EBO Emitter-Base Voltage : BC546/547 : BC548/549/55 I C Collector Current (DC) ma P C Collector Power Dissipation 5 mw T J Junction Temperature 5 C T STG Storage Temperature -65 ~ 5 C V V V V V V V V Electrical Characteristics T a =5 C unless otherwise noted Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units I CBO Collector Cut-off Current V CB =3V, I E = 5 na h FE DC Current Gain V CE =5V, I C =ma 8 V CE (sat) Collector-Emitter Saturation Voltage I C =ma, I B =.5mA I C =ma, I B =5mA V BE (sat) Base-Emitter Saturation Voltage I C =ma, I B =.5mA I C =ma, I B =5mA V BE (on) Base-Emitter On Voltage V CE =5V, I C =ma V CE =5V, I C =ma h FE Classification f T Current Gain Bandwidth Product V CE =5V, I C =ma, f=mhz 3 MHz C ob Output Capacitance V CB =V, I E =, f=mhz pf C ib Input Capacitance V EB =.5V, I C =, f=mhz 9 pf NF Noise Figure : BC546/547/548 : BC549/55 : BC549 : BC55 V CE =5V, I C =µa f=khz, R G =KΩ V CE =5V, I C =µa R G =KΩ, f=3~5mhz Classification A B C h FE ~ ~ 45 4 ~ mv mv mv mv mv mv db db db db Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A, August

22 Typical Characteristics I C [ma], COLLECTOR CURRENT I B = 4µA I B = 35µA I B = 3µA I B = 5µA I B = µa I B = 5µA I B = µa IC[mA], COLLECTOR CURRENT VCE = 5V BC546/547/548/549/55 I B = 5µA V CE [V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE Figure. Static Characteristic Figure. Transfer Characteristic hfe, DC CURRENT GAIN VCE = 5V VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE IC = IB VBE(sat) VCE(sat) IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[A], COLLECTOR CURRENT Figure 3. DC current Gain Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Cob[pF], CAPACITANCE f=mhz IE =. ft, CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT VCE = 5V. VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE IC[mA], COLLECTOR CURRENT Figure 5. Output Capacitance Figure 6. Current Gain Bandwidth Product Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A, August

23 N-Channel JFETs N446/N446A/SST446 Vishay Siliconix Part Number V GS(off) (V) V (BR)GSS Min (V) g fs Min (ms) I DSS Min (ma) N N446A.5 to SST Excellent High-Frequency Gain: N446/A, Gps 3 db 4 MHz Very Low Noise: 3 db 4 MHz Very Low Distortion High AC/DC Switch Off-Isolation Wideband High Gain Very High System Sensitivity High Quality of Amplification High-Speed Switching Capability High Low-Level Signal Amplification High-Frequency Amplifier/Mixer Oscillator Sample-and-Hold Very Low Capacitance Switches The N446/N446A/SST446 n-channel JFETs are designed to provide high-performance amplification at high frequencies. The TO-6AF (TO-7) hermetically-sealed package is available with full military processing (see Military Information.) The TO-36 (SOT-3) package provides a low-cost option and is available with tape-and-reel options (see Packaging Information). For similar products in the TO-6AA (TO-9) package, see the J34/35 data sheet. S TO-6AF (TO-7) C TO-36 (SOT-3) 4 D 3 G S 3 D G Top View N446 N446A Top View SST446 (H)* *Marking Code for TO-36 For applications information see AN4. Document Number: 74 S-48 Rev. F, 4-Jun- 7-

24 N446/N446A/SST446 Vishay Siliconix Limits MHz 4 MHz Parameter Symbol Test Conditions Min Max Min Max Unit Common Source Input Conductance g iss, Common Source Input Susceptance b iss,5, Common Source Output Susceptance b oss, 4, Common Source Output Conductance g oss V DS = 5 V, VGS = V 75 S Common Source Forward Transconductance g fs 4, Common-Source Power Gain G ps V DS = 5 V, I D = 5 ma 8 Noise Figure NF R G = k 4 db Notes a. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing. NH b. Pulse test: PW 3 s duty cycle 3%. c. This parameter not registered with JEDEC. Drain Current and Transconductance vs. Gate-Source Cutoff Voltage 5 On-Resistance and Output Conductance vs. Gate-Source Cutoff Voltage I DSS Saturation Drain Current (ma) g fs I DSS I V DS = V, V GS = V g V DS = V, V GS = V f = khz g fs Forward Transconductance (ms) r DS(on) Drain-Source On-Resistance ( Ω ) 4 3 r DS r I D = ma, V GS = V g VDS = V, V GS = V f = khz g os gos Output conductance (µs) V GS(off) Gate-Source Cutoff Voltage (V) V GS(off) Gate-Source Cutoff Voltage (V) Output Characteristics 5 Output Characteristics V GS(off) = V V GS(off) = 3 V I D Drain Current (ma) V GS = V. V.4 V.6 V.8 V. V. V I D Drain Current (ma) V GS = V.3 V.6 V.9 V. V.5 V.8 V.4 V V DS Drain-Source Voltage (V) V DS Drain-Source Voltage (V) Document Number: 74 S-48 Rev. F, 4-Jun

25 N446/N446A/SST446 Vishay Siliconix 5 4 Output Characteristics V GS(off) = V V GS = V. V 5 4 Output Characteristics V GS = V V GS(off) = 3 V.3 V I D Drain Current (ma) 3.4 V.6 V.8 V. V I D Drain Current (ma) 3.6 V.9 V. V.5 V.8 V. V. V.4 V V DS Drain-Source Voltage (V) V DS Drain-Source Voltage (V) Transfer Characteristics V GS(off) = V V DS = V Transfer Characteristics V GS(off) = 3 V V DS = V 8 8 I D Drain Current (ma) 6 4 T A = 55 C 5 C 5 C I D Drain Current (ma) C T A = 55 C 5 C V GS Gate-Source Voltage (V) V GS Gate-Source Voltage (V) g fs Forward Transconductance (ms) Transconductance vs. Gate-Source Voltage V GS(off) = V T A = 55 C 5 C 5 C V DS = V f = khz g fs Forward Transconductance (ms) Transconductance vs. Gate-Source Voltgage V GS(off) = 3 V T A = 55 C 5 C 5 C V DS = V f = khz V GS Gate-Source Voltage (V) V GS Gate-Source Voltage (V) Document Number: 74 S-48 Rev. F, 4-Jun-