DEF 1 - Dispositivos Electrónicos y Fotónicos I

Transcripción

1 Unidad responsable: ETSETB - Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación de Barcelona Unidad que imparte: EEL - Departamento de Ingeniería Electrónica Curso: Créditos: Idiomas docencia: Catalán Capacidades previas Electrónica analógica y digital a nivel de primer ciclo. Requisitos Metodologías docentes Objetivos de aprendizaje de la asignatura Comprender el funcionamiento de los principales dispositivos optoelectrónicos y de visión 3D presentes en el mundo actual y los principios físicos en que se basan. 1 / 6

2 Contenidos 1. Semiconductores (12 horas) 1.1. El semiconductor. Estructura, modelos y tipos 1.2. Concentración de portadores en equilibrio 1.3. Procesos de generación y recombinación. Transporte de portadores 1.4. Carga de espacio en semiconductores. Ecuaciones de continuidad 2. El diodo de unión P-N y el contacto metal - semiconductor (15 horas) 2.1. Electroestática de la unión P-N 2.2. Característica corriente - tensión del diodo ideal 2.3. Característica corriente - tensión de un diodo real 2 / 6

3 2.4. El diodo en régimen dinámico. Modelo SPICE del diodo 2.5. Contactos metal - semiconductor 3. Procesos tecnológicos básicos (2 horas) 3.1. Obtención del silicio monocristalino 3.2. Procesos tecnológicos elementales 3.3. Fabricación de un diodo 4. Dispositivos optoelectrónicos (11 horas) 4.1. Interacción semiconductor - radiación electromagnética 4.2. Dispositivos detectores de luz: el fotoconductor, la célula solar, el fotodiodo y los CCD 3 / 6

4 4.3. Dispositivos emisores de luz: el LED y el láser 4.4. Otros dispositivos optoelectrónicos: la fibra óptica y los LCD 5. El transistor bipolar (14 horas) 5.1. Introducción 5.2. Fabricación del BJT. Tecnología bipolar 5.3. El BJT en continua 5.4. El BJT en régimen dinámico. Transistor de commutación 5.5. El BJT en pequeña señal 6. Dispositivos misceláneos (6 horas) 4 / 6

5 6.1. Dispositivos de efecto Hall. Diodos tunel y Gunn 6.2. Dispositivos basados en los efectos Seebeck y Peltier (CAST) Descripción: (CAST) Actividades vinculadas: (CAST) Sistema de calificación - Evaluación continuada: 5 puntos - Examen final: 5 puntos Normas de realización de las actividades 5 / 6

6 Bibliografía Básica: Prat Viñas, L.; Calderer Cardona, J. Dispositius electrònics i fotònics: fonaments [en línea]. 2a ed. Barcelona: Edicions UPC, 2006 [Consulta: 29/11/2011]. Disponible a: < ISBN Neudeck, G.W.; Pierret, R.F. Modular series on solid state devices. 2nd ed. Reading, MA [etc.]: Addison-Wesley, Complementaria: Bar-Lev, A. Semiconductors and electronic devices. 3rd ed. Hertfordshire: Prentice Hall, ISBN Streetman, B.G.; Banerjee, S. Solid state electronic devices. 6th ed. Upper Saddle River: Prentice Hall, ISBN Otros recursos: 6 / 6