TEMA 17: Polarización de FETs 17.1
|
|
|
- Juana Montes Casado
- hace 7 años
- Vistas:
Transcripción
1 Índice TEMA 17: Polarización de FETs INTRODUCCIÓN CIRCUITO DE AUTOPOLARIZACIÓN DE FUENTE CIRCUITO PARA UN FET DE ACUMULACIÓN CIRCUITO DE POLARIZACIÓN CON CUATRO RESISTENCIAS (CIRCUITO GENÉRICO) i
2
3 Tema 17 Polarización de FETs Introducción Al igual que en los transistores BJT, será el circuito de polarización el que garantice el punto de funcionamiento óptimo en los transistores FET. Los criterios a seguir en el diseño del circuito de polarización, serán los mismos que se vieron en los circuitos amplificadores con BJT: estabilidad del punto Q, ganancia de tensión, distorsión, potencia a disipar, etc. De la misma forma que los BJTs se polarizan en la región activa, los transistores FET se polarizarán en la región equivalente, es decir, en la región de saturación. Para ello, se utilizan los circuitos que analizaremos en este capítulo (para los de canal n): 17.1
4 Tema 17: Polarización de FETs Circuito de autopolarización de fuente. Circuito para un FET de acumulación. Circuito de polarización con cuatro resistencias (circuito genérico). 17.2
5 Circuito de autopolarización de fuente CIRCUITO DE AUTOPOLARIZACIÓN DE FUENTE La configuración mostrada en la Figura 17.1 es válida para polarizar tanto un MOSFET de deplexión como un JFET. Figura Circuito de autopolarización de fuente. En efecto, para verlo vamos a trazar la recta de carga estática en la curva de transferencia del dispositivo (ver Figura 17.2). Puesto que I G = 0, de la malla puertafuente obtenemos que: VGS VGS = RS ID I D = (17.1) R S La ecuación (17.1) es la ecuación de la recta de carga estática que pasa por el origen de coordenadas y presenta una pendiente igual a característica de transferencia del dispositivo nos dará el punto de reposo Q. 1 R S. Su intersección con la Este circuito sólo es válido para VT < 0 y hay que tener en cuenta que NO 17.3
6 Tema 17: Polarización de FETs garantiza el funcionamiento en la REGIÓN DE SATURACIÓN. Para que así fuera, V V = V V T VDD RD ID RS ID RS ID V T DS D, SAT GS V R I V DD D D T I D Q V T V GS Figura Resolución gráfica del punto Q CIRCUITO PARA UN FET DE ACUMULACIÓN El circuito de la Figura 17.1 no puede utilizarse para polarizar un nmost de acumulación ya que la caída de tensión en R polariza inversamente la puerta, y en un nmost de acumulación se necesita una tensión de puerta positiva. Para ello se utiliza el circuito de la Figura S En efecto, puesto que I G = 0 V DG = 0 VDS = VDG + VG S VDS VG = S De la malla del drenador se obtiene, VDD VDS = RD ID VDS = VGS I DD GS D RD V V = (17.2) 17.4
7 Circuito para un FET de acumulación La ecuación (17.2) es la ecuación de la recta de carga estática cuya abcisa en el origen es V DD y presenta una pendiente igual a 1 R D. Su intersección con la característica de transferencia del dispositivo nos dará el punto de reposo Q. Por lo tanto, la única condición que ha de cumplirse para que ambas curvas se corten es que V DD > VT. Esta condición es equivalente a decir que la D I calculada según la ecuación (17.2) es positiva y, además, GARANTIZA el funcionamiento en la REGIÓN DE SATURACIÓN. Figura Circuito de polarización para un FET de acumulación. I D Q V T V DD V GS Figura Resolución gráfica del punto Q. 17.5
8 Tema 17: Polarización de FETs En efecto, VDS VD, SAT = VGS V T V V V V GS GS T DS = VGS 0 VT VT 0 condición que, efectivamente, se cumple. El circuito de la Figura 17.3 no puede utilizarse para polarizar un JFET ya que V > 0 y necesitamos una V 0. GS GS < CIRCUITO DE POLARIZACIÓN CON CUATRO RESISTENCIAS (CIRCUITO GENÉRICO) El circuito de la Figura 17.5 puede utilizarse para polarizar cualquier tipo de transistor FET pero NO garantiza: El funcionamiento en la región de saturación. Que quede canal abierto en el lado de la fuente. VDD En efecto, si VG = RG2 R + R G1 G2 y R = R // 1 R de la malla puerta-fuente G G G2 se obtiene que VG VGS VG VGS = RS ID I D = (17.3) R S origen es La ecuación (17.3) es la ecuación de la recta de carga estática cuya abcisa en el V G y presenta una pendiente igual a 1 R S. Para poder obtener una intersección entre la recta de carga estática y la curva de transferencia, Figura 17.6, ha de cumplirse que V > V. G T 17.6
9 Circuito de polarización con cuatro resistencias (circuito genérico) Figura Circuito genérico de polarización. Q 2 I D Q 1 V T 2 V T1 V G V GS Figura Resolución gráfica del punto Q. En un MOSFET de acumulación, V T1. En un JFET o MOSFET de deplexión, V T 2. Además, VDS VD, SAT = VGS V T VDD RD ID RS ID VG RS ID V T 17.7
10 Tema 17: Polarización de FETs VDD RD ID VG VT Por lo que, efectivamente, este circuito NO garantiza el funcionamiento en la REGIÓN DE SATURACIÓN. 17.8
Laboratorio de Electrónica Lineal
José Miguel Carrera Laboratorio de Electrónica Lineal Polarización del MOSFET Objetivos o Establecer punto de operación y recta de carga estática de un MOSFET (IRF 640 o MTP10N) o Comprobar el efecto producido
CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR EN EMISOR COMÚN
1) POLARIZACIÓN FIJA El circuito estará formado por un transistor NPN, dos resistencias fijas: una en la base R B (podría ser variable) y otra en el colector R C, y una batería o fuente de alimentación
VGD = 0 < Vt = 2 Están en saturación Ecuaciones en el circuito MOSFET de la izquierda Iref = ID:
ESPEJO DE CORRIENTE CON MOSFET Hallar los valores de los voltajes y corrientes en el circuito. VGD = 0 < Vt = 2 Están en saturación Ecuaciones en el circuito MOSFET de la izquierda Iref = ID: Ecuación
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) Generalidades Clasificación Principio de Funcionamiento y Simbología Característica V-I
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) Generalidades Clasificación Principio de Funcionamiento y Simbología Característica V-I de Salida Característica de Transferencia Circuitos
ELECTRONICA GENERAL. Tema 7. Transistores de Efecto de Campo
Tema 7. Transistores de Efecto de Campo 1.- Un JFET de canal n tiene una V GSOFF = 3 V y una I DSS = 10 ma. Si le aplicamos una tensión V GS = 1,5 V. Calcular la corriente I D que circula por el dispositivo
AMPLIFICADOR DRAIN COMÚN
AMPLIFICADOR DRAIN COMÚN * Circuito equivalente con el modelo π incluyendo ro * Ganancia de voltaje Se define Rp = RC//RL//r Es menor que 1 La salida está en fase con la entrada Resistencia de entrada
TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TTEEMAA 55: :: TTrraanss issttoorreess i dee eeffeeccttoo dee ccaamppoo 11 1) Cuál de los siguientes dispositivos no es un transistor de efecto de campo? a) MOSFET
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Tema 7 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 1.- Introducción. 2.- Transistores de unión de efecto de campo (JFET). 2.1.- Estructura Básica. 2.2.- Símbolos. 2.3.- Principio de funcionamiento. 2.3.1.- Influencia
EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO
EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO Se define Para la región triodo (zona ohmica) VGS
1º Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS. PROBLEMAS de transistores MOS
1º Escuela écnica Superior de Ingeniería de elecomunicación ECNOLOGÍA Y COMPONENES ELECRÓNICOS Y FOÓNICOS 4 PROBLEMAS de transistores MOS EJERCICIOS de diodos: ECNOLOGÍA Y COMPONENES ELECRÓNICOS Y FOÓNICOS
MOSFET Conceptos Básicos
MOSFET Conceptos Básicos Profesor: Ing. Johan Carvajal Godínez Introducción FET = Field Effect Transistor Unipolar = solo un tipo de portador de carga Controlado por voltaje ID=F (VGS) D Zonas de agotamiento
IG = 0 A ID = IS. ID = k (VGS - VT) 2
INTRODUCCION El transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. El FET tiene más similitudes con un transistor bipolar que diferencias. Debido a esto casi todos los tipos de
BIBLIOGRAFÍA 2.1 INTRODUCCIÓN 2.1 INTRODUCCIÓN (2) Tema 3: EL TRANSISTOR FET
BIBLIOGRAFÍA Tema 3: EL TRANSISTOR FET.1 Introducción. El Mosfet de acumulación Funcionamiento y curvas características Polarización.3 El Mosfet de deplexión Funcionamiento y curvas características.4 El
EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO
EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO Se define Para la región triodo (zona ohmica) VGS
1 V. El transistor JFET en la zona óhmica. En esta región el canal conductor entre drenador y fuente se comporta como una resistencia R DS
El transistor JFET en la zona óhmica La zona óhmica o lineal se sitúa cerca del origen, para V DS
Universidad de Oriente Núcleo de Anzoátegui Escuela de Ingeniería y Ciencias Aplicadas Departamento de Tecnología Área de Electrónica
Universidad de Oriente Núcleo de Anzoátegui Escuela de Ingeniería y Ciencias Aplicadas Departamento de Tecnología Área de Electrónica Prof. Tony Castillo Símbolos Electrónicos Símbolo de un FET de canal
2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica
TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2007 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4
TEMPORIZADORES Y RELOJES
TEMPORIZADORES Y RELOJES Circuitos de tiempo Astable No tiene estado estable. Se usa para generar relojes. Monoestable 1 estado estable y otro inestable. Se usa como temporizador. Biestable 2 estados estables.
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) INTRODUCCIÓN: Son dispositivos de estado sólido Tienen tres o cuatro terminales Es el
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) INTRODUCCIÓN: Son dispositivos de estado sólido Tienen tres o cuatro terminales Es el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas El
Instrumental y Dispositivos Electrónicos
Instrumental y Dispositivos Electrónicos DepartamentoAcadémico Electrónica Facultad de Ingeniería 2014 Diagrama de bloques de una fuente de alimentación lineal RED 220 V TRANSFORMACIÓN RECTIFICACIÓN FILTRADO
TEMA 4 TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO
TEMA 4 TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO Profesores: Germán Villalba Madrid Miguel A. Zamora Izquierdo 1 CONTENIDO Introducción El transistor JFET Análisis de la recta de carga. Circuitos de polarización. El
DISPOSITIVOS ACTIVOS EN MODO DE CONMUTACIÓN
DISPOSITIVOS ACTIVOS EN MODO DE CONMUTACIÓN 1 El Transistor y el FET como Dispositivos de Conmutación Configuración (1) Vcc Rc (0) V R1 Simbología Saturación Corte ó ó = 2 2 Existe un tiempo repetitivo
PRÁCTICA 9. SIMULACIÓN DE MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL
PRÁCTICA 9. SIMULACIÓN DE MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL 1. Objetivo Se pretende conocer el modelo de pequeña señal del transistor MOS, y su utilización para la obtención de los parámetros de funcionamiento
2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica
TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2009 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4
CARACTERISTICAS DEL JFET.
Electrónica I. Guía 10 1 / 10 CARACTERISTICAS DEL JFET. Facultad: Ingeniería. Escuela: Electrónica. Asignatura: Electrónica I. Lugar de ejecución: Fundamentos Generales (Edificio 3, 2da planta, Aula 3.21).
2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica
TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2007 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4
TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 3: Diodos II. Construir y estudiar un circuito rectificador de media onda y un circuito rectificador de onda completa.
TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 3: Diodos II Diodo como rectificador Objetivos Construir y estudiar un circuito rectificador de media onda y un circuito rectificador de onda completa. Introducción teórica De la
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. Dispositivos unipolares
Diapositiva 1 Concepto Su funcionamiento se basa en el control de la corriente mediante un campo eléctrico. Dispositivos unipolares La corriente depende únicamente del flujo de portadores mayoritarios
Electrónica. Transistores de efecto de campo. Introducción a la Electrónica
Introducción a la Electrónica Transistores de efecto de campo Introducción a la Electrónica Características La corriente es controlada a travez de un campo eléctrico establecido por el voltaje aplicado
DOS TRANSISTORES. AMPLIFICADOR CON UN TRANSISTOR NPN Y OTRO PNP. a) Polarización. β = 100 y Vbe 0 0,7V.
DOS TRANSISTORES AMPLIFICADOR CON UN TRANSISTOR NPN Y OTRO PNP. a) Polarización. β = 100 y Vbe 0 0,7V. En primer lugar se calcula el Thevenin equivalente del circuito de base de Q1 y todas las variables
Transistores de Efecto de Campo: MOSFET
1- Estructura MIS Transistores de Efecto de Campo: MOSFET Si bien la terminología MOS se utiliza para designar al sistema Metal-Óxido-Silicio, en el cual el óxido generalmente es dióxido de silicio (SiO
Tema 6. Transistores. Ingeniería Eléctrica y Electrónica
1 Tema 6. Transistores 2 Índice Transistor Bipolar de Unión (BJT) Transistor de Efecto ampo (FET) 3 Transistores Es un dispositivo electrónico de 3 terminales, por lo que entre ellos hay 6 variables eléctricas
MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET
MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC TEMAS: Transistores MOSFET. Parámetros del Transistor MOSFET. Conmutación de Transistores MOSFET. OBJETIVOS: Comprender el funcionamiento del
Polarización de transistores y estabilidad
Polarización de transistores y estabilidad. Carrillo, J.I. Huircan Abstract Se tienen tres formas básicas para la polarización de un BJT y un FET: polarización ja, autopolarización y polarizacion universal.
CURSO: ELECTRÓNICA INDUSTRIAL UNIDAD 1: EL FET TEORÍA PROFESOR: JORGE POLANÍA 1. EL JFET
CURSO: ELECTRÓNICA INDUSTRIAL UNIDAD 1: EL FET TEORÍA PROFESOR: JORGE POLANÍA En la electrónica moderna se usan algunos dispositivos semiconductores diferentes al diodo de unión y al transistor bipolar
TEMA 5 AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL
TEMA 5 AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL Profesores: Germán Villalba Madrid Miguel A. Zamora Izquierdo 1 CONTENIDO Introducción Conceptos básicos sobre amplificadores. Cuadripolos Modelos de diferentes tipos
A.3. El transistor unipolar
A.3. El transistor unipolar A.3.1. ntroducción transistor de efecto de campo o FET dos tipos básicos: -JFET => controlado por tensión - MOSFET A.3.2. Caracterización de los transistores unipolares A.3.2.1.
DISPOSITIVOS ACTIVOS EN MODO DE CONMUTACIÓN
DISPOSITIVOS ACTIVOS EN MODO DE CONMUTACIÓN El Transistor y el FET como Dispositivos de Conmutación Configuración () c (0) V Simbología Saturación Corte ó ó = Existe un tiempo repetitivo que puede entregar
FACULTAD DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA Universidad Nacional de San Juan Carrera: INGENIERÍA ELECTRÓNICA Planificación de Cátedra: Electrónica Analógica I Año 2013 Mg. Ing. Mario O. Muñoz Profesor Asociado Mg. Ing. Ana
INDICE Capítulo 1. Principios del Modelado y Procesamiento de Señal Capítulo 2. Amplificadores Operacionales
INDICE Prólogo XI Prólogo a la Edición en Español XIV Capítulo 1. Principios del Modelado y Procesamiento de Señal 1 1.1. Sinergia hombre computador 3 1.2. Características tensión corriente y transferencia
EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO
EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO De la ecuación que define el umbral VDS = VGS -Vth
Polarización del FET
Polarización del FET J.I, Huircán Universidad de La Frontera December 9, 0 Abstract Se muestran las redes de polarización ja y autopolarización para el JFET. En ambas se plantean la malla de entrada y
5.4.1 Transistor pmos empobrecimiento
1. MODELO DE GRAN SEÑAL DEL TRANSISTOR FET Al contrario que con los BJT, donde el modelo de gran señal utilizado se construyó mediante elementos discretos (una fuente de corriente dependiente y una fuente
Inversor con Carga Resisitiva Inversor con Carga Saturada Tiempos de transición. Compuertas NMOS. INEL Electrnica Digital.
.. Compuertas NMOS INEL 4207 - Electrnica Digital Manuel Toledo Enero 27, 2014 Manuel Toledo Compuertas NMOS 1/ 25 Outline.1 Inversor con Carga Resisitiva.2 Inversor con Carga Saturada.3 Tiempos de transición
Práctica 4.- Característica del diodo Zener
A.- Objetivos Práctica 4.- Característica del diodo ener Laboratorio de Electrónica de Dispositivos 1.-Medir los efectos de la polarización directa e inversa en la corriente por el diodo zener. 2.-Determinar
2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET de Empobrecimiento
TRANSISTORES FET e IGBT 1 1. Transistores de Efecto de Campo de Unión (FET). Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada.1. MOSFET de Enriquecimiento.. MOSFET de Empobrecimiento 3. Transistor Bipolar
Práctica PF4 AMPLIFICACIÓN DE VOLTAJE CON TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
elab, Laboratorio Remoto de Electrónica ITESM, epto. de Ingeniería Eléctrica Práctica PF4 AMPLIFICACIÓN E VOLTAJE CON TRANSISTORES E EFECTO E CAMPO OBJETIVOS Conocer y entender el funcionamiento de circuitos
Polarización de transistores y estabilidad
Polarización de transistores y estabilidad. Carrillo, J.I. Huircan Abstract Se tienen tres formas básicas para la polarización de un BJT y un FET: polarización ja, autopolarización y polarizacion universal.
Funciones y gráficas. 3º de ESO
Funciones y gráficas 3º de ESO Funciones Una función es una correspondencia entre dos conjuntos numéricos que asocia a cada valor,, del primer conjunto un único valor, y, del segundo. La variable variable
Si tenemos una sola fuente de tensión y un transistor NPN, las posibles formas de polarizarlo son las siguientes. (Y SUS COMBINACIONES)
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR (V.8-0-0) Prof: Bolaños D. Si tenemos una sola fuente de tensión y un transistor NPN, las posibles formas de polarizarlo son las siguientes. (Y SUS COMBINACIONES) POLARIZACIÓN
CARACTERÍSTICAS DEL FET EN DC.
Electrónica I. Guía 10 1 Facultad: Ingeniería. Escuela: Electrónica. Asignatura: Electrónica I. Lugar de ejecución: Fundamentos Generales (Edificio 3, 2da planta). CARACTERÍSTICAS DEL FET EN DC. Objetivos
Electrónica Analógica Transistores Práctica 5
APELLIDOS:...NOMBRE:... APELLIDOS:...NOMBRE:... EJERCICIO 1: V C V B V E Calcular de forma teórica el valor de todas las tensiones y corrientes del circuito suponiendo el transistor en la zona activa (V
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Máster en Mecatrónica EU4M Master in Mechatronic and MicroMechatronic ystems TRANITORE E EFECTO E CAMPO Fundamentos de Ingeniería Eléctrica Contenidos Funcionamiento Tipos de transistores FET Curvas características
5. EL TRANSISTOR TRABAJANDO EN CONMUTACION. En líneas generales, el transistor puede trabajar de dos formas diferenciadas:
5. EL TRANSISTOR TRABAJANDO EN CONMUTACION EL TRANSISTOR En líneas generales, el transistor puede trabajar de dos formas diferenciadas: 1." En la zona lineal de una recta de carga. 2. a En conmutación,
CIRCUITOS LOGICOS DE TRES ESTADOS.
Página 1 CIRCUITOS LOGICOS DE TRES ESTADOS. Las señales lógicas se componen de dos estados normales, Alto y Bajo (1 o 0). Sin embargo, algunas salidas tienen un tercer estado eléctrico que no es un estado
PRÁCTICA 6 AMPLIFICADOR MULTIETAPA CONFIGURACION EMISOR COMUN CON AUTOPOLARIZACION.
PRÁCTIC 6 MPLIFICDOR MULTIETP CONFIGURCION EMISOR COMUN CON UTOPOLRIZCION. DESRROLLO 1.- rme el circuito de la siguiente figura y aplique a la señal de entrada una señal sinusoidal de 1 KHz. de frecuencia,
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE BJT Y FET INTRODUCION
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE BJT Y FET INTRODUCION Hasta el momento no se han considerado los efectos de las capacitancías e inductancias en el análisis de los circuitos con transistores es decir se han
Clase 19- Aplicación de transistores a circuitos analógicos (II)
86.03/66.25 Dispositivos Semiconductores Clase 19 1 Clase 19- Aplicación de transistores a circuitos analógicos (II Amplificador Source Común y Copia de Corriente con MOSFET Última actualización: 1 cuatrimestre
EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
MOSFET El MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), tiene tres terminales fuente, puerta y drenador. Sin embargo, a diferencia del JFET, la puerta está aislada eléctricamente del canal. Por esta causa, la
LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Compilación y armado: Sergio Pellizza Dto. Apoyatura Académica I.S.E.S. En el capítulo anterior hemos visto que en los transistores bipolares una pequeña corriente de
PRÁCTICA 5. SIMULACIÓN DE MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL
PRÁCTICA 5. SIMULACIÓN DE MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL 1. Objetivo Se pretende conocer el modelo de pequeña señal del transistor MOS, y su utilización para la obtención de los parámetros de funcionamiento
Tema 4: Respuesta en frecuencia de los amplificadores
Tema 4: Respuesta en frecuencia de los amplificadores Introducción 1 Introducción Motivación Objetivos Revisión Modelos de componentes en alta frecuencia 2 Herramientas de análisis 3 Respuesta en frecuencia
Tema 4 CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL ENTRADA SIMPLE
Tema 4 CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL ENTRADA SIMPLE Tema 4: Nociones generales Estructuras ideales CLASIFICACIÓN Salida Corriente Salida Tensión Entrada Corriente A. de Corriente Transrresistor
Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos Convocatoria ordinaria de 2003
Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos Convocatoria ordinaria de 003. En el circuito de la figura, calcular la forma de onda de la tensión de salida, V o, cuando la señal de entrada,, es una
Electrónica Básica. Gustavo A. Ruiz Robredo Juan A. Michell Mar<n. Tema B.3. Amplificadores Básicos DPTO. DE ELECTRÓNICA Y COMPUTADORES
Electrónica Básica Tema B.3. Amplificadores Básicos Gustavo A. Ruiz Robredo Juan A. Michell Mar
Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE
Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3: Condiciones generales Todo amplificador consta de un núcleo en el que hay un transistor (Dos, si es diferencial) Se tratará
INFORME DE. puntos de medición
UNIVERSIDADD SIMON BOLIVAR Departamento de Electrónica y Circuitos EC 1113 Circuitos Electrónicos (Laboratorio) INFORME DE PRACTICAA Nº2 Verificar Conceptos Teóricos Relacionados con: Características Corriente-Voltaje
Estudio Temporal de Sistemas Continuos de 1 er y 2º Orden
niversidad Carlos III de Madrid Departamento de Ingeniería de Sistemas y Automática SEÑALES Y SISTEMAS Práctica 1 Estudio Temporal de Sistemas Continuos de 1 er y 2º Orden 1 Introducción Teórica Se denomina
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) 1 METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOSFET) P G B V GB Al SiO Si Capacitor de Placas Paralelas Q = C V GB 0 < V GS < V TH Q movil = 0 D N V TH Tension umbral V DS G V GS S
Función de Transferencia en dispositivos eléctricos. Taller de Construcción de Efectos, U2 Sesión 1
Función de Transferencia en dispositivos eléctricos Taller de Construcción de Efectos, U2 Sesión 1 Definición La Función de Transferencia de un sistema es una expresión matemática que relaciona la salida
Práctica 11. El JFET y la distorsión alineal
2011 MI. Mario Alfredo Ibarra Carrillo 2011 26/02/2011 Práctica 11. El JFET y la distorsión alineal MI. Mario Alfredo Ibarra Carrillo 26/02/2011 2 3 Objetivos: 1. Obtener experimentalmente la curva corriente
Rectas y Parábolas. Sistemas de coordenadas rectangulares (Plano Cartesiano)
Rectas y Parábolas Prof. Gabriel Rivel Pizarro Sistemas de coordenadas rectangulares (Plano Cartesiano) El sistemas de coordenadas rectangulares se representa en un plano, mediante dos rectas perpendiculares.
GRADO: Grado en Ingeniería Electrónica Industrial y Automática CURSO: 3º CUATRIMESTRE: 1 PLANIFICACIÓN SEMANAL DE LA ASIGNATURA
SESIÓN SEMANA DENOMINACIÓN ASIGNATURA: Electrónica Analógica 1 GRADO: Grado en Ingeniería Electrónica Industrial y Automática CURSO: 3º CUATRIMESTRE: 1 PLANIFICACIÓN SEMANAL DE LA ASIGNATURA DESCRIPCIÓN
TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas
Tema 5 TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas 5.1.- Introducción Las fuentes de corriente son ampliamente utilizadas en circuitos electrónicos integrados como elementos de polarización y como cargas
Los circuitos electrónicos de potencia convierten la energía eléctrica de un tipo a otro
1.1 INTRODUCCIÓN DEL CAPÍTULO 1 Los circuitos electrónicos de potencia convierten la energía eléctrica de un tipo a otro utilizando dispositivos electrónicos. Los circuitos electrónicos de potencia funcionan
TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO
TANTOE E EFECTO CAMO NTOUCCÓN Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NN y N), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
CONSULTA PREVIA La información necesaria para el desarrollo de la práctica, se encuentra disponible al menos en las siguientes referencias.
OBJETIVOS 1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores JFET. 2. Familiarizar al estudiante con el uso de los manuales de los fabricantes de transistores FET para entender y manejar
TRANSISTORES C E C E C
1 TANSSTOS ntroducción. l transistor es un elemento semiconductor que tiene la propiedad de poder gobernar a voluntad la intensidad de corriente que circula entre dos de sus tres terminales (emisor y colector),
Universidad Simón Bolívar Coordinación de Ingeniería Electrónica Laboratorio de Circuitos Electrónicos I (EC-1177) Informe Práctica Nº 4
Universidad Simón Bolívar Coordinación de Ingeniería Electrónica Laboratorio de Circuitos Electrónicos I (EC-1177) Informe Práctica Nº 4 CARACTERISTICAS DEL MOSFET, AMPLIFICADOR SOURCE COMUN Objetivo:
TECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE ECATEPEC DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y TELEMÁTICA PRÁCTICAS DE LABORATORIO
TECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE ECATEPEC DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y TELEMÁTICA PRÁCTICAS DE LABORATORIO ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA I REALIZÓ: DANIEL JAIMES SERRANO SEPTIEMBRE 2009.
APUNTE: CONFIGURACIONES DEL TRANSITOR
APUNTE: CONFIGURACIONES DEL TRANSITOR Área de EET Página 1 de 11 Derechos Reservados Titular del Derecho: INACAP N de inscripción en el Registro de Propiedad Intelectual #. de fecha - -. INACAP 2002. Página
Osciladores senoidales
Osciladores senoidales La inestabilidad de los amplificadores realimentados se puede utilizar para generar señales senoidales. Estos circuitos se denominan osciladores senoidales. Existen otros métodos
Tecnología Electrónica
Universidad de Alcalá Departamento de Electrónica Tecnología Electrónica Ejercicios Versión: 2017-02-15 Capítulos 3 y 4: Transistores: modelos en pequeña señal y configuraciones básicas de amplificación
Tecnología Electrónica
Universidad de Alcalá Departamento de Electrónica Tecnología Electrónica Ejercicios Versión: 2017-02-23 Capítulos 1 y 2: Transistores: estructura, características y polarización Referencias: Texto base:
TEMA 6: Amplificadores con Transistores
TEMA 6: Amplificadores con Transistores Contenidos del tema: El transistor como amplificador. Característica de gran señal Polarización. Parámetros de pequeña señal Configuraciones de amplificadores con
POLARIZACION DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION J-FET (JUNTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)
POLAZACON DEL TANTO DE EFECTO DE CAMPO DE UNON J-FET (JUNTON FELD EFFECT TANTO) TEOA PEA El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas con respecto del transistor
Problemas resueltos de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos
Problemas resueltos de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos E.T.S.I.T. Universidad de Las Palmas de Gran Canaria Antonio Hernández Ballester Benito González Pérez Javier García García Javier
UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL
UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL FACULTAD REGIONAL ROSARIO E CAMPO INTRODUCCION Los diferentes tipos de transistores que existen pueden agruparse en dos grandes grupos o familias: a) Transistores bipolares
Cox = 6.9 x 10-8 F/cm 2. Vt = 0.65 Volts VGS = 5 V. ID (sat) = 4 ma > > > W = 11.8 µm
EL TRANSISTOR COMO ELEMENTO DE CIRCUITO Transistor MOS canal N L = 1.25 µm, µn = 650 cm 2 /Vs Cox = 6.9 x 10-8 F/cm 2 Vt = 0.65 Volts VGS = 5 V ID (sat) = 4 ma > > > W = 11.8 µm La capacidad de manejo
J-FET de canal n J-FET (Transistor de efecto campo de unión) J-FET de canal p FET
I. FET vs BJT Su nombre se debe a que el mecanismo de control de corriente está basado en un campo eléctrico establecido por el voltaje aplicado al terminal de control, es decir, a diferencia del BJT,
CÁLCULO DE PRIMITIVAS Y ÁREAS POR INTEGRALES
CÁLCULO DE PRIMITIVAS Y ÁREAS POR INTEGRALES RELACIÓN DE PROBLEMAS DE SELECTIVIDAD º DE BACHILLERATO CIENCIAS DEPARTAMENTO DE MATEMÁTICAS COLEGIO MARAVILLAS TERESA GONZÁLEZ GÓMEZ .-Hallar una primitiva
Clase Aplicación de transistores a circuitos analógicos (I)
86.03/66.25 Dispositivos Semiconductores Clase 18 1 Clase 18 1 - Aplicación de transistores a circuitos analógicos (I) Amplificador Emisor-Común y Source-Común Última actualización: 2 do cuatrimestre de
4. POLARIZACION DE UN TRANSISTOR.
4. POLARIZACION DE UN TRANSISTOR. Polarizar un transistor es dotarlo de los valores necesarios para que trabaje en el punto de funcionamiento (le VCE) que nos interese. Se describen cuatro sistemas diferentes
Convocatoria extraordinaria 5 de julio de 2012 Introducción a la Electrónica (INEL) Curso Apellidos. Nombre DNI
ntroducción a la Electrónica (NE) Curso 20-202 Apellidos Nombre DN E ntroducción a la Electrónica (NE) Curso 20-202 E2 ntroducción a la Electrónica (NE) Curso 20-202 Apellidos Puntuación Ej Nombre Ej2
LOS TRANSISTORES. Es uno de los componentes electrónicos más versátiles. Esta formado por la unión de tres cristales semiconductores.
LOS TRANSISTORES El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés
Práctica PB2 MODOS DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
elab, Laboratorio Remoto de Electrónica ITESM, Depto. de Ingeniería Eléctrica Práctica PB2 MODOS DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR OBJETIVOS Conocer los diferentes modos de operación del transistor bipolar
CARRERA DE INGENIERÍA TEXTIL SYLLABUS DE ELECTRÓNICA GENERAL
Facultad de Ingeniería en Ciencias Aplicadas pag. 1 CARRERA DE INGENIERÍA TEXTIL SYLLABUS DE ELECTRÓNICA GENERAL 1. Misión: La Carrera de Ingeniería Textil forma Ingenieros competentes, críticos, humanistas,
Es el lugar geométrico de los puntos del plano que equidistan de un punto fijo llamado foco y de una recta llamada directriz.
UNIDAD IV: LA PARABOLA. 4.1. Caracterización geométrica. 4.1.1. La parábola como lugar geométrico. Es el lugar geométrico de los puntos del plano que equidistan de un punto fijo llamado foco y de una recta