RAPIDPLUS. fusibles ultrarrápidos para semiconductores

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1 fusibles ultrarrápidos para semiconductores RAPIDPLUS

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3 PAGINA04 ar PAGINA05 gr PAGINA06 gs FUSIBLES NH ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES

4 ar Los fusibles RAPIDPLUS ar protegen contra los cortocircuitos y están diseñados y construidos para tener unos valores muy reducidos de I 2 t que garantizan una optima protección de los semiconductores. Presentan una gran resistencia al envejecimiento ante variaciones cíclicas de corriente. La gama de fusibles cilíndricos RAPIDPLUS ar comprende tres tallas 10x38, 14x51 y 22x58 con corrientes asignadas entre 1A y 100A y tensión asignada de 690 V AC. En las tallas 14x51 y 22x58 existe la versión con percutor, para ser utilizada en bases con microrruptor. Están realizados con tubos cerámicos de alta resistencia a la presión interna y a los choques térmicos, y con contactos de cobre plateados. Las aplicaciones típicas comprenden la protección de semiconductores (diodos, tiristores, triacs, etc) en rectificadores de potencia, SAI s, convertidores, variadores de velocidad de motores (AC y DC), arrancadores suaves, relés de estado sólido, inversores para centrales fotovoltaicas, inversores para soldadura y en general cualquier aplicación donde se precise proteger componentes semiconductores. Están certificados según norma UL248. UL File Nr. E In REFERENCIA U PODER DE CORTE EMBALAJE (A) SIN PERCUTOR CON PERCUTOR (V AC) (ka) 10x VDC - PODER DE CORTE 30 ka x VDC - PODER DE CORTE 30 ka x VDC - PODER DE CORTE 30 ka NORMAS HOMOLOGACIONES IEC DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS t-i FUSIBLES RAPIDPLUS EN IEC CARACTERISTICAS Y DE LIMITACION BASES PORTAFUSIBLES TECNICAS PMC, PMF Y PMX EN EN PAGINA UL248-1 UL PAGINA 05 PAGINA 20 COMPATIBLE COMPATIBLE COMPATIBLE PMF BASES PORTAFUSIBLES PMX BASES PORTAFUSIBLES BAC BASES ABIERTAS VER CILINDRICOS bases-portafusibles/pmx/ VER CILINDRICOS bases-portafusibles/pmx/ VER CILINDRICOS bases-portafusibles/bac/

5 gr Los fusibles RAPIDPLUS gr protegen en todo el rango de sobrecorrientes, tanto contra sobrecargas como contra cortocircuitos, con lo que además deproteger a los dispositivos semiconductores, también se protege a los cables y el resto de aparellaje de la instalación. La gama de fusibles cilíndricos RAPIDPLUS gr comprende tres tallas 10x38, 14x51 y 22x58 con corrientes asignadas entre 1A y 100A y tensión asignada de 690V AC. En las tallas 14x51 y 22x58 existe la versión con percutor, para ser utilizada en bases con microrruptor. Las aplicaciones típicas comprenden la protección de semiconductores (diodos, tiristores, triacs, etc) en rectificadores de potencia, SAI s, convertidores, variadores de velocidad de motores (AC y DC), arrancadores suaves, relés de estado sólido, inversores para centrales fotovoltaicas, inversores para soldadura y en general cualquier aplicación donde se precise proteger componentes semiconductores. Están certificados según norma UL248. UL File Nr. E In REFERENCIA U PODER DE CORTE EMBALAJE (A) SIN PERCUTOR CON PERCUTOR (V AC) (ka) 10x VDC - PODER DE CORTE 30 ka x VDC - PODER DE CORTE 30 ka x VDC - PODER DE CORTE 30 ka NORMAS HOMOLOGACIONES IEC DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS t-i FUSIBLES RAPIDPLUS EN IEC CARACTERISTICAS Y DE LIMITACION BASES PORTAFUSIBLES TECNICAS PMC, PMF Y PMX EN EN PAGINA UL248-1 UL PAGINA 09 PAGINA 20 VER VER VER CILINDRICOS CILINDRICOS CILINDRICOS bases-portafusibles/pmx/ bases-portafusibles/pmx/ bases-portafusibles/bac/ COMPATIBLE COMPATIBLE COMPATIBLE PMF BASES PORTAFUSIBLES PMX BASES PORTAFUSIBLES BAC BASES ABIERTAS 5

6 gs FUSIBLES NH PARA SEMICONDUCTORES NUEVO Los fusibles RAPIDPLUS NH gs protegen en todo el rango de sobrecorrientes, tanto contra sobrecargas como contra cortocircuitos, con lo que además de proteger a los dispositivos semiconductores, también se protege a los cables y el resto de aparellaje de la instalación. Están optimizados para mantener unos valores bajos de potencia disipada, lo que permite que estos cartuchos fusibles sean montados en cualquier base, seccionador o interruptor con fusibles. La gama de fusibles NH RAPIDPLUS gs comprende cinco tallas NH000, NH00, NH1, NH2 y NH3, con corrientes asignadas comprendidas entre 20A y 630A con una tensión asignada de 690 V AC. Las aplicaciones típicas comprenden la protección de semiconductores (diodos, tiristores, triacs, etc) en rectificadores de potencia, SAI s, convertidores, variadores de velocidad de motores, arrancadores suaves, relés de estado sólido, inversores para centrales fotovoltaicas, inversores para soldadura y en general cualquier aplicación donde se precise proteger componentes semiconductores. In REFERENCIA U PODER DE CORTE EMBALAJE (A) (V AC) (ka) NH TENSION ASIGNADA 440 V DC (L/R=10ms) PODER DE CORTE ASIGNADO 30 ka (@440V DC) NH TENSION ASIGNADA 440 V DC (L/R=10ms) PODER DE CORTE ASIGNADO 30 ka (@440V DC) NH TENSION ASIGNADA 550 V DC (L/R=10ms) PODER DE CORTE ASIGNADO 30 ka (@550V DC) NH TENSION ASIGNADA 550 V DC (L/R=10ms) PODER DE CORTE ASIGNADO 30 ka (@550V DC) NH TENSION ASIGNADA 550 V DC (L/R=10ms) PODER DE CORTE ASIGNADO 30 ka (@550V DC) 6 NORMAS IEC IEC EN EN HOMOLOGACIONES D I R E C T I V E 2002/95/EC DIMENSIONES CARACTERISTICAS t-i CARACTERISTICAS CARACTERISTICAS DE LIMITACION TECNICAS PAGINA 13 PAGINA 14 PAGINA 15 PAGINA 16 COMPATIBLE BASES NH ST 690V VER NH bases/st/ COMPATIBLE BASES NH CR 690V VER NH bases/cr/

7 ar 10x38 DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS Coeficiente de corrección I2t (K) 10x38 ar 10x38 ar 10x38 ar Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) Tensión de Arco (UL) In I 2 t Prearco I 2 t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) 1* 0,20 1,2 0,45 0,75 2 0,80 2,6 0,75 1,40 3 2,5 8,0 0,95 1,70 4 5,6 17 1,13 2, ,0 48 1,56 3,00 8 4,3 38 0,97 1, ,6 59 1,20 2, ,6 84 1,69 2, , ,31 4, , ,86 5, , ,94 5, , ,82 7,43 * No CERTIFICADO UL I 2 t Coeficiente de correción (K) La l 2 t de funcionamiento indicada corresponde a la tensión nominal con un FP de 0,15. Para otras tensiones de funcionamiento, la l 2 t se puede hallar multiplicándola por un factor de corrección K, en función de la tensión de trabajo. Potencia disipada (Cp) Los valores de potencia disipada están indicados a la corriente nominal. La curva permite el cálculo de la potencia disipada a intensidades inferiores a la nominal. Podemos obtener el factor de corrección Cp en función del valor eficaz de la corriente expresada como % de la nominal. Tensión de arco (UL) Esta curva nos indica el valor de pico de la tensión de arco UL que puede presentarse en bornes del fusible durante la fusión en función de la tensión de trabajo Eg expresada en valor eficaz. (FP = 0,15). 7

8 ar 14x51 DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS Coeficiente de corrección I2t (K) Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) 14x51 ar Tensión de Arco (UL) 14x51 ar 14x51 ar In I 2 t Prearco I 2 t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) 4 5,6 14 1,32 2, ,0 40 1,80 3,18 8 4,1 23 1,01 1, ,3 37 1,39 2, ,1 53 1,63 2, ,4 72 2,43 4, , ,04 5, , ,75 6, , ,92 7, , ,52 8, , ,60 10,6 8

9 ar 22x58 DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS Coeficiente de corrección I2t (K) 22x58 ar 22x58 ar 22x58 ar Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) Tensión de Arco (UL) In I 2 t Prearco I 2 t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) ,00 5, ,40 5, ,50 8, ,10 10, ,50 13, ,70 14, ,65 17, ,30 18,00 9

10 ar 10x38 14x51 22x58 CARACTERISTICAS t-i 10x38 14x51 22x58 Tiempo de prearco (s) Tiempo de prearco (s) Tiempo de prearco (s) Corriente prevista (A ef) Corriente prevista (A ef) Corriente prevista (A ef) ar 10x38 14x51 22x58 CARACTERISTICAS DE LIMITACION 10x38 14x51 Corriente máxima (ka cresta) Corriente máxima (ka cresta) 22x58 Corriente prevista simétrica (A ef) Corriente prevista simétrica (A ef) Corriente máxima (ka cresta) Corriente prevista simétrica (A ef) 10

11 gr 10x38 DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS I2t Coeficiente de corrección (K) 10x38 gr 10x38 gr 10x38 gr Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) Tensión de Arco (UL) In I 2 t Prearco I 2 t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) 1 0,20 1,2 0,45 0,75 2 0,80 2,6 0,75 1,40 3 2,5 8,0 0,95 1,70 4 5,6 17 1,13 2, ,0 48 1,56 3,00 8 4,3 38 0,97 1, ,6 59 1,20 2, ,6 84 1,69 2, , ,31 4, , ,86 5, , ,94 5, , ,82 7,43 11

12 gr 14x51 DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS I2t Coeficiente de corrección (K) Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) Tensión de Arco (UL) 14x51 gr 14x51 gr 14x51 gr In I 2 t Prearco I 2 t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) 4 5,6 17 1,56 2, ,0 48 2,25 4,20 8 3,8 30 1,18 2, ,9 47 1,41 2, ,4 68 1,95 3, ,67 4, ,91 5, ,38 6, ,72 6, ,13 7, ,36 9,80 12

13 gr 22x58 DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS I2t Coeficiente de corrección (K) 22x58 gr 22x58 gr 22x58 gr Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) Tensión de Arco (UL) In I 2 t Prearco I2t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) ,23 6, ,66 6, ,86 9, ,05 11, ,26 11, ,35 13, ,40 14, ,40 17,70 13

14 gr CARACTERISTICAS t-i 10x38 14x51 22x58 10x38 14x51 22x58 Tiempo de prearco (s) Tiempo de prearco (s) Tiempo de prearco (s) Corriente prevista (A ef) Corriente prevista (A ef) Corriente prevista (A ef) gr 10x38 14x51 22x58 CARACTERISTICAS DE LIMITACION 10x38 14x51 Corriente máxima (ka cresta) Corriente máxima (ka cresta) 22x58 Corriente prevista simétrica (A ef) Corriente prevista simétrica (A ef) Corriente máxima (ka cresta) Corriente prevista simétrica (A ef) 14

15 gs NH000 NH00 NH1 NH2 NH3 FUSIBLES NH PARA SEMICONDUCTORES DIMENSIONES TAMAÑO A B C D E F G H I J K L NH , , NH , , NH , , NH , , NH ,

16 gs NH000 NH00 NH1 NH2 NH3 FUSIBLES NH PARA SEMICONDUCTORES CARACTERISTICAS t-i NH000 NH00 NH1 Tiempo de prearco (s) Tiempo de prearco (s) Corriente prevista (A ef) Corriente prevista (A ef) NH2 NH3 Tiempo de prearco (s) Tiempo de prearco (s) Corriente prevista (A ef) Corriente prevista (A ef) 16

17 gs NH000 NH00 NH1 NH2 NH3 FUSIBLES NH PARA SEMICONDUCTORES CARACTERISTICAS DE LIMITACION NH000 NH00 NH1 Corriente prevista simétrica (A ef) Corriente prevista simétrica (A ef) NH2 NH3 Corriente máxima (ka cresta) Corriente máxima (ka cresta) Corriente máxima (ka cresta) Corriente máxima (ka cresta) Corriente prevista simétrica (A ef) Corriente prevista simétrica (A ef) 17

18 gs NH000 NH00 FUSIBLES NH PARA SEMICONDUCTORES CARACTERISTICAS TECNICAS I2t Coeficiente de corrección (K) Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) Tensión de Arco (UL) In I 2 t Prearco I 2 t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) NH ,9 5, ,2 5, ,9 6, ,2 7, ,1 8, ,3 9, ,3 11, ,6 13,3 NH ,3 14, ,5 18,2 18

19 gs NH1 FUSIBLES NH PARA SEMICONDUCTORES CARACTERISTICAS TECNICAS I2t Coeficiente de corrección (K) Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) Tensión de Arco (UL) In I 2 t Prearco I 2 t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) NH ,7 19, ,5 25, ,1 28, ,5 33, ,1 35,7 19

20 gs NH2 FUSIBLES NH PARA SEMICONDUCTORES CARACTERISTICAS TECNICAS I2t Coeficiente de corrección (K) Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) Tensión de Arco (UL) In I 2 t Prearco I 2 t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) NH ,6 32, ,8 35, ,4 40, ,4 42, ,9 47,2 20

21 gs NH3 FUSIBLES NH PARA SEMICONDUCTORES CARACTERISTICAS TECNICAS I2t Coeficiente de corrección (K) Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp) Tensión de Arco (UL) In I 2 t Prearco I 2 t 690 V Potencia disipada 0.8 In Potencia disipada In (A) (A 2 S) (A 2 S) (W) (W) NH ,7 39, ,3 42, ,3 46, ,6 47, ,3 60,4 21

22 ar gr USO DE FUSIBLES RAPIDPLUS EN BASES PORTAFUSIBLES MODULARES PMX Y BASES ABIERTAS BAC Las bases modulares para fusibles cilíndricos tienen unos niveles de potencia disipable que están en concordancia con las máximas potencias que los fusibles de uso general (gg) o de acompañamiento (am) pueden alcanzar. Estos valores máximos para los fusibles gg/am están regulados por normas (IEC/EN ). Asimismo la norma también regula la potencia disipable mínima para las bases, entendiéndose como potencia disipable aquella potencia generada en el fusible (y que se convierte en calor) que la base es capaz de disipar, es decir, que no provoca en la base unos calentamientos superiores a los admisibles. Los fusibles ultrarrápidos o de protección de semiconductores tienen potencias disipadas superiores a las de los fusibles gg y am; por ello existen limitaciones en cuanto a la aplicación de estos fusibles en bases modulares cerradas. Deberemos verificar que los fusibles que queremos instalar tienen una potencia disipada menor o igual al máximo valor disipable por la base indicado por el fabricante. Cuando no se puedan utilizar bases cerradas deberemos recurrir a modelos abiertos (BAC) donde el exceso de calor puede ser evacuado convenientemente. A continuación se indican los valores límite para las bases DF ELECTRIC que no deben ser sobrepasados bajo ningún concepto: TIPO DE BASE POTENCIA DISIPADA MINIMA IEC/EN POTENCIA DISIPABLE MAXIMA BASES DF ELECTRIC PMX 10x38 3 W 4 W PMX 14x51 5 W 6 W PMX 22x58 9,5 W 12 W BAC 10x38 8 W BAC 14x51 12 W BAC 22x58 20 W 22

23 ELECTRONICOS CILINDRICIOS FOTOVOLTAICOS RAPIDPLUS NH FUSIBLES ESPECIALES DOMESTICOS D & DO TRANSFORMADORES

24 OFICINA CENTRAL Y FABRICA SILICI, CORNELLA DE LLOBREGAT BARCELONA SPAIN Tel Fax VENTAS NACIONAL Tel Fax comercial@df-sa.es VENTAS EXPORTACION Tel Fax export@df-sa.es ED