Tema 4 CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL ENTRADA SIMPLE

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Tamaño: px
Comenzar la demostración a partir de la página:

Download "Tema 4 CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL ENTRADA SIMPLE"

Transcripción

1 Tema 4 CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL ENTRADA SIMPLE

2 Tema 4: Nociones generales Estructuras ideales CLASIFICACIÓN Salida Corriente Salida Tensión Entrada Corriente A. de Corriente Transrresistor Entrada Tensión Transconductor A. de Tensión 2/51

3 Tema 4: Nociones generales Definición de parámetros Ganancia en tensión, AV Ganancia en corriente, AI Impedancia de entrada, ZIN Impedancia de salida, ZOUT V OUT AV = VIN I OUT AI = IIN V IN ZI N= I IN V OUT Z OUT = I OUT ( ) Thevenin DEPENDENCIA RESPECTO A LA FRECUENCIA 3/51

4 Tema 4: Nociones generales Objetivos A. DE TENSIÓN AV Z I N Z OUT 0 TRANSRESISTOR AV ZI N 0 Z OUT 0 A. DE CORRIENTE AI ZI N 0 Z OUT TRANSCONDUCTOR AI Z I N Z OUT SIN EMBARGO, QUIZÁS CADA DISEÑADOR IMPONGA SUS CRITERIOS 4/51

5 Tema 4: Nociones generales Relaciones entre parámetros Ganancia respecto fuente V OUT AVS = VS ZI N AVS = AV Z I N + RS ZL AV = A I ZIN IO AV AI GM = = = V I N ZL Z I N VO AV =Z L A I = II N ZIN RELACIONES ÚTILES PARA AGILIZAR CÁLCULOS 5/51

6 Tema 4: Acoplamiento Acoplo de señales Elementos en negro... Fijan el punto de operación Elementos en rojo... Introducen la señal que amplificar PERO ALTERAN EL PUNTO DE OPERACIÓN! SOLUCIONES... USO DE CAPACIDADES DE DESACOPLO (CASO DE ELEMENTOS DISCRETOS) SELECCIÓN CUIDADOSA PUNTO OPERACIÓN (CASO DE LOS ICs) 6/51

7 Tema 4: Acoplamiento Acoplo de señales A frecuencia elevada, los condensadores son cortocircuitos. Función de los condensadores... C1 y C2: En serie con otros, BLOQUEO para señales DC C3: En paralelo con otros, PASO para señales AC C4: Estabiliza la fuente, DESACOPLO 7/51

8 Tema 4: Topologías comunes Emisor Común Notas Punto de operación fijado por red con degeneración de emisor A frecuencias medias, los condensadores son cortocircuitos RE desaparece! 8/51

9 Tema 4: Topologías comunes Emisor Común (pequeña señal) De manera inmediata, surge el valor de ZIN: v OUT = h fe i b h oe / / RC / / R L = h fe vi N Z I N = i =hie / / R1 / / R2 IN vi n (h oe / / RC / / RL ) Zi n v OUT (h (h oe / / RC / / R L ) oe / /RC ) si R L AV = = h fe h fe vi N hie hie AI = i OUT Zi n = AV ii N ZL Z OUT =( RC / / h oe ) 9/51

10 Tema 4: Topologías comunes Emisor Común (Baja frecuencia) Grosso modo, las condiciones de trabajo... 1 RS, Z I s C B N 1 R E s C E 1 R L, Z O s C L APARECEN CEROS EN S=0 Y EL MISMO NÚMERO DE POLOS Al llegar a una frecuencia determinada, la ganancia es constante 10/51

11 Tema 4: Topologías comunes Emisor Común (Alta frecuencia) Teorema de Miller (Aproximado...) APARECEN POLOS Y CEROS EN AMBAS ETAPAS 11/51

12 Tema 4: Topologías comunes Emisor Común (Alta frecuencia) vi N Z HF I N = i =(hie / / R1 / / R2 / / IN vout A = = h fe vi,n HF V (h oe / / R C / / R L / / 1 s ( C π+ ( 1+ AV, DC ) C μ ) 1 ) s C μ HF i out HF Z i n AHF = = A I V i i,n ZL hie HF ) Z OUT =( RC / / h oe / / 1 ) s Cμ 12/51

13 Tema 4: Topologías comunes Emisor Común: Influencia del punto de operación ZIN: Aumenta cuanto menor sea la corriente de base (y colector) y mayor R1//R2 No es contradictorio AV: Aumenta con el valor de RC y, generalmente, aumenta con la corriente de colector (hie predomina sobre hoe) Depende de la resistencia de carga RL salvo si RL >> (RC // hoe-1) AI: Dependencia fuerte con ZL. ZOUT: Disminuye con RC y si aumenta IC. COMO BUSCAMOS VALORES ALTOS DE ZIN Y AV Y BAJOS DE ZOUT... HAY QUE LLEGAR A UN COMPROMISO! 13/51

14 Tema 4: Topologías comunes Fuente Común Notas Punto de operación fijado por red con degeneración de fuente Modelos en pequeña señal similares para ambos. No hay efecto sustrato en el JFET 14/51

15 Tema 4: Topologías comunes Fuente Común (pequeña señal) vi N Z OUT =( R D / / g O ) Z I N = i =(R1 / / R2 ) IN AV = vout λ I DS W = g m (R D / / g / / R )= 2 K I DS O L N vi N L 1+ λ I DS ( R D + R L ) AV = g m (R D / / g O )= 2 K N AI = λ I DS W I DS L 1+ λ R D I DS si R L i OUT ZI N =AV ii N RL 15/51

16 Tema 4: Topologías comunes Fuente Común (Alta frecuencia) Teorema de Miller (Aproximado...) APARECEN POLOS Y CEROS EN AMBAS ETAPAS 16/51

17 Tema 4: Topologías comunes Fuente Común: Influencia del punto de operación ZIN: Aumenta cuanto mayor R1//R2 Cuidado con el ruido térmico! AV: Aumenta con el valor del la corriente de drenador y con RD Depende de la resistencia de carga RL salvo si RL >> (RD // go-1) AI: Dependencia fuerte con ZL. ZOUT: Disminuye con RD y si aumenta IDS por la influencia en go. Todo mejora si aumenta IDS pero... EL CONSUMO SE VE AFECTADO! 17/51

18 Tema 4: Topologías comunes Emisor degenerado Notas Similar a Emisor común pero sin CE. 18/51

19 Tema 4: Topologías comunes Degeneración de emisor (pequeña señal) R ' C =( RC / / RL ) Z I N =h ie+ ( β F + 1 ) RE h fe AI h ie 1 h fe 1+ R E hie ZI N ( h oe + R ' C (β F + 1) h oe + R ' C + R E AV h fe hie ) 1 1+ R E h fe hie R 'C 19/51

20 Tema 4: Topologías comunes Degeneración de emisor Aumenta considerablemente la impedancia de entrada Disminución de la ganancia (Corriente y Tensión) Degeneración de fuente con FET Conclusiones similares a BJT Aparición de efecto substrato en MOS 20/51

21 Tema 4: Topologías comunes Base Común Notas Punto de operación fijado por red con degeneración de emisor Se puede polarizar la base con una fuente constante A frecuencias medias, los condensadores son cortocircuitos R1 y R2 desaparecen! 21/51

22 Tema 4: Topologías comunes Base Común (pequeña señal) Z X =( RC / / R L / / h ob ) V AF h =( 1+ h fe ) IC ob ZI N= vi N h ie N V T =(R E / / hib )=(R E / / )=(R E / / ) ii N 1+ h fe IE AV = AI = h fb h fe IC Z X= Z X Z h ib hie N VT X ZI N IC ZX AV =Z I N RL N V T RL Z OUT =( RC / / h ob ) Si RL << RC, hob-1 y hib << RE, entonces AI 1 SEGUIDOR DE CORRIENTE! 22/51

23 Tema 4: Topologías comunes Base Común (Alta frecuencia) Aparecen dos nuevas capacidades, que pueden ser incluidas en hib y hob para calcular los distintos parámetros. INNECESARIO EL TEOREMA DE MILLER 23/51

24 Tema 4: Topologías comunes Puerta Común Notas Punto de operación fijado por red con degeneración de fuente Se puede polarizar la puerta directamente con una fuente constante Aparece el efecto sustrato A frecuencias medias, los condensadores son cortocircuitos R1 y R2 desaparecen! 24/51

25 Tema 4: Topologías comunes Puerta Común (pequeña señal) La tensión de puerta es nula. La fuente del MOS es la entrada g O + g m + g nb AV = 1 1 go+ + R D RL AI = ZI N= AI R AV L Z OUT RD ZI N= RL AV Z OUT RD RD R D+ R L Si RL << RD AI 1 g + g m+ g nb AV = O 1 go+ RD SEGUIDOR DE CORRIENTE! 25/51

26 Tema 4: Topologías comunes Puerta Común (Alta frecuencia) Dos capacidades principales C puede combinarse con RD GD C se combina con RA por Thévenin e introduce GS un polo por desvío de corriente. 26/51

27 Tema 4: Topologías comunes Colector Común (o Seguidor de emisor) Notas Punto de operación fijado por red con degeneración de emisor La resistencia de carga puede ser la propia resistencia de emisor A frecuencias medias, los condensadores son cortocircuitos El colector se une directamente a tierra. 27/51

28 Tema 4: Topologías comunes Colector Común (pequeña señal) R P=( R E / / R L / / h oc ) R B=( R1 / / R2 ) v ec =v OUT 1 AV = hrc hic h fc R P 1 1 = 1 h ie N V T R P (1+ h fe ) RP I E ii N N V T =R + h 1 A R + h R Z I N RB ( ) B ic V B ic B + ( R P (h fe + 1)) vi N RP I E ZI N RB AI = AV RL RL Z I N= SEGUIDOR DE TENSION! 28/51

29 Tema 4: Topologías comunes Colector Común (alta frecuencia) Teorema de Miller, con K = AV,DC Las capacidades se integrarían en RB 29/51

30 Tema 4: Topologías comunes Drenador Común (o Seguidor de fuente) Notas Punto de operación fijado por red con degeneración de fuente La resistencia de carga puede ser la propia resistencia de fuente A frecuencias medias, los condensadores son cortocircuitos El drenador se une directamente a tierra. 30/51

31 Tema 4: Topologías comunes Drenador Común (pequeña señal) R P=(RS / / R L ) RG =(R 1 / / R 2) v I N =v G v OUT =v S AV = gm gm = g m + g mb 1 gm 1+ g mb ZI N RG AV = RL RL 1 g 1+ m g mb g m+ g mb+ g O+ R P Z I N =RG AI = El cociente gm/gmb vale en transistores reales. Z OUT =( RS / / g O / / g m / / g mb ) SEGUIDOR DE TENSION, PEOR QUE BJT 31/51

32 Tema 4: Fuentes de corriente Problema Muchos parámetros mejoran con valores elevados de RC, RE, RD, RS... Sin embargo, su uso fuerza el uso de valores de corriente menores. Solución Utilizar fuentes de corriente para polarizar los circuitos Fijan el valor de la corriente de polarización En pequeña señal, equivalen a una resistencia muy elevada ALGUNOS EJEMPLOS... 32/51

33 Tema 4: Fuentes de Corriente Ejemplos con BJTs Base Común Degeneración emisor Seguidor de emisor SOLUCION SIMILAR PARA CMOS USAR CASCODE O WIDLAR 33/51

34 Tema 4: Amplificadores CMOS Polivalencia de los MOSFET Los MOSFET pueden ser considerados como resistencias no lineales o fuentes. Ejemplo de amplificadores inversores PUEDE PRESCINDIRSE DE LAS RESISTENCIAS 34/51

35 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par CC-CE (Colector común, emisor común) Se busca una mejor amplificación. Suponemos sin acoplo capacitivo y polarizado con fuente de corriente como en muchos amplificadores operacionales. Notas La resistencia RX es opcional para polarizar Q1. Puede usarse una fuente de corriente. IQ puede reemplazarse por una simple resistencia. Se supone alimentación bipolar. VEE puede reemplazarse por tierra. La tensión de entrada se sitúa en torno a -VEE+ 2 V para evitar que los transistores no dejen la ZAD. 35/51

36 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par CC-CE (Pequeña señal) Se combinan ambos modelos de transistor en pequeña señal. R P1=(h oc1 / / hie2 ) R P2=(h oe2 / / RQ) Z I N =h ic1 h fc1 R P1 h rc1 hie1+ (1+ h fe1 ) R P1 Muy elevada R P2 R P1 R P2 R P1 AV =h fe2 h fc1 = h fe2 (1+ h fe1) hie2 Z I N h ie2 Z I N Z OUT =(h oe2 / / R Q ) INVIERTE LA SEÑAL 36/51

37 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par CC-CE (Pequeña señal) Algunas simplificaciones... I C1 I B2 I B2 + I B2 ( V AF1+ (N V T ) ) h ie2 V AF1 N V T N V T I C2 R P2=h oe2+ RQ h oe2 = V AF2 R P1=h oc1+ h ie2= AV = h fe2 (1+ h fe1 ) R P2 R P1 h h oe2 h 1 h fe2 (1+ h fe1) oe2 h fe2 (1+ h fe1) h fe2 oe2 hie2 Z I N ZI N h ie1+ (1+ h fe1) hie2 2 h ie2 Más baja (~0.5) que una única etapa con misma fuente de corriente! Sin embargo, al conectar una hipotética carga RL... AI = ZI N AV RL Aumento espectacular por la impedancia de entrada Mejor amplificador de corriente o igual de tensión con mayor impedancia de entrada 37/51

38 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par Darlington Mismas condiciones que en el caso anterior, los colectores se unen. Notas La resistencia RX es opcional para polarizar Q1. Puede usarse una fuente de corriente. Se supone alimentación bipolar. -VEE puede reemplazarse por tierra. La tensión de entrada se sitúa en torno a -VEE+ 2 V para evitar que los transistores no dejen la ZAD. 38/51

39 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par Darlington (Pequeña señal) Modelo de emisor común Reordenamos... Ecuaciones muy complejas 2 Básicamente, es un transistor con ganancia (1 + h ) utilizable en todas las fe configuración de un solo transistor. Comparado con CC-CE Menor ancho de banda Problema Menor impedancia de salida Mejora (Etapas de salida) 39/51

40 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par Cascode Útil cuando la carga se pone en serie con el amplificador Notas Tensión de polarización independiente, VB. Se busca crear un transconductor con alta impedancia de salida. Usado para atacar cargas pequeñas El valor DC de VIN fija el punto de operación. UTILIZADA DESDE LOS TIEMPOS DE LAS VÁLVULAS DE VACÍO 40/51

41 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par Cascode (pequeña señal) Un transistor en emisor común y otro en base común R =h + h h P1 oe1 ib2 ib2 R =h + R P2 ob2 L N V T Z I N =h ie1 IO hoe2 V AF2 Z OUT =h = =( 1+ h fe2 ) 1+ h fe2 IO R P1 R P2 h fe2 R P2 AV =h fe1 h fb2 h fe1 hie1 hib2 1+ h fe2 hie1 ZIN h fe2 R P2 AI = AV h fe1 RL 1+ h fe2 R L ob2 ( ) 41/51

42 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par Cascode (Aproximaciones) R =h + h h P1 oe1 ib2 ib2 R P2 =h ob2 + R L Z I N =h ie1 Z OUT =hob2 V AF2 Si R L h ob2 =( 1+ h fe2 ) R P2 R L IQ ZIN h fe2 R P2 AI = AV h fe1 h fe1 RL 1+ h fe2 R L R P1 R P2 h fe2 R P2 RL IQ AV =h fe1 h fb2 h fe1 h fe1 R hie1 hib2 1+ h fe2 hie1 h ie1 N V T L 42/51

43 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par Cascode (Versión 2) Utilizada en circuitos integrados Notas Tensión de polarización independiente, VB. Se busca crear un TRANSCONDUCTOR con ALTA impedancia de salida. El punto de operación viene fijado por la fuente de corriente IQ. OTRA VERSIÓN MUY POPULAR EN CIRCUITOS INTEGRADOS 43/51

44 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas BJT: Par Cascode 2 (pequeña señal) Un transistor en emisor común y otro en base común R =h + h h P1 oe1 ib2 ib2 R =h + R + R P2 ob2 Q L N V T Z I N =h ie1 IQ Z OUT =h ob2 R P1 R P2 h fe1 h fe2 R P2 AV =h fe1 h fb2 hie1 hib2 1+ h fe2 h ie1 hoe2 = 1+ h fe2 ( ) V AF2 =( 1+ h fe2 ) IQ h fe2 RP2 AI h fe1 h fe1 1+ h fe2 R L RESULTADOS SIMILARES AL ANTERIOR SALVO RQ 44/51

45 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas CMOS: Configuraciones CD-CS y Darlington Ambas configuraciones buscan incrementar la impedancia de entrada... Drenador común Fuente común Darlington CON POCA UTILIDAD PRÁCTICA: ZIN EN TECNOLOGÍAS CMOS 45/51

46 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode Uso similar al equivalente BJT. Notas Tensión de polarización independiente, VB. Se busca crear un TRANSCONDUCTOR con ALTA impedancia de salida. El punto de operación viene fijado por la fuente de corriente IQ. Pueden añadirse más y más cascodes. UTILIZADO EN LA CREACIÓN DE ICs (AMP. TELESCÓPICOS) 46/51

47 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode (Pequeña señal) Notas VG1 = VIN vgs1 = vin V = VB vg2 = 0 vgs2 = -va G2 v = -va BS2 K =g m2+ g mb2 G P =R + R Q L g m1 1+ g O2 K AV = g O1 1+ G P ( g O1 + g O2 + K g O1 g O2 ) UTILIZADO EN LA CREACIÓN DE ICs (AMP. TELESCÓPICOS) 47/51

48 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode (Impedancia salida) 1 Z OUT = g O1 g O2 1 + RQ g O1+ g O2 + g m2 + g mb2 En general, RQ es muy grande Z OUT = g + g + g g O1 O2 O1 O2 ( g m2 + g mb2 ) Equivalente en pequeña señal, simplificado y puesto como equivalente Thévenin. g m1 1+ g O2 K AV = g O1 1+ G P Z OUT i OUT AV g m1 1+ g O2 K Gm = = v I N RL g O1 Z OUT INCREMENTO ESPECTACULAR DE LA RESISTENCIA 48/51

49 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode Activo Un amplificador operacional aísla el transistor 1 de la carga. Funciona como un cascode normal pero la tensión drenador-fuente del 1 permanece constante. Recordemos que AD, en un Op Amp, es del orden de /51

50 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode Activo (pequeña señal) Notas ( V B1=V S1=0V v =v GS1 I N V G1=V I N v BS1=0 ) ( ) ( V S2=V D1 v = A D v D1 GS2 V B2 =0V v BS2 = v D1 V G2= AD ( V B V D1 ) V I N )( ) 50/51

51 Tema 4: Varios Transistores Configuraciones típicas CMOS: Configuración Cascode Activo (pequeña señal) Notas Se obtienen los mismos resultados que en cascode normal ya que solo hay que reemplazar gm2 por AD gm2 Z OUT = g O1+ g O2 + g O1 g O2 ( A D g m2+ g mb2 ) g m1 1+ g O2 K AV = g O1 1+ G P Z OUT i OUT AV g m1 1+ g O2 K Gm = = v I N RL g O1 Z OUT K = AD g m2 + g mb2 Aumento espectacular de la resistencia de salida. La transconductancia no mejora sensiblemente Vigilar frecuencia de trabajo! 51/51

Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE

Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3: Condiciones generales Todo amplificador consta de un núcleo en el que hay un transistor (Dos, si es diferencial) Se tratará

Más detalles

TEMA 6: Amplificadores con Transistores

TEMA 6: Amplificadores con Transistores TEMA 6: Amplificadores con Transistores Contenidos del tema: El transistor como amplificador. Característica de gran señal Polarización. Parámetros de pequeña señal Configuraciones de amplificadores con

Más detalles

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO T Se eliminan las fuentes

Más detalles

Electrónica Analógica 1

Electrónica Analógica 1 Trabajo Práctico 4: El transistor bipolar como amplificador. Modelo equivalente de pequeña señal. Parámetros híbridos. Configuraciones multietapa. Análisis en pequeña señal: método de trabajo La figura

Más detalles

Universidad Complutense de Madrid. Para uso de alumnos de la. http://www.ucm.es TEMA 4: AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE. Francisco J.

Universidad Complutense de Madrid. Para uso de alumnos de la. http://www.ucm.es TEMA 4: AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE. Francisco J. TEMA 4: AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE Francisco J. Franco Peláez Apuntes para uso en la asignatura Electrónica Analógica, impartida en la Ingeniería Superior Electrónica en la Facultad de Físicas de

Más detalles

Electrónica 2. Práctico 3 Alta Frecuencia

Electrónica 2. Práctico 3 Alta Frecuencia Electrónica 2 Práctico 3 Alta Frecuencia Los ejercicios marcados con son opcionales. Además cada ejercicio puede tener un número, que indica el número de ejercicio del libro del curso (Microelectronic

Más detalles

Contenido. Capítulo 2 Semiconductores 26

Contenido. Capítulo 2 Semiconductores 26 ROMANOS_MALVINO.qxd 20/12/2006 14:40 PÆgina vi Prefacio xi Capítulo 1 Introducción 2 1.1 Las tres clases de fórmulas 1.5 Teorema de Thevenin 1.2 Aproximaciones 1.6 Teorema de Norton 1.3 Fuentes de tensión

Más detalles

AMPLIFICACIÓN: ESTRUCTURAS BÁSICAS

AMPLIFICACIÓN: ESTRUCTURAS BÁSICAS 1 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Dispositivos Electrónicos II CURSO 2010-11 Temas 4,5 4,5 AMPLIFICACIÓN: ESTRUCTURAS BÁSICAS Miguel Ángel Domínguez Gómez Camilo Quintáns Graña PARTAMENTO TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

Más detalles

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS OBJETIVO: El objetivo de estas practicas es diseñar amplificadores en emisor común y base común aplicando

Más detalles

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II CURSO 2010- II Profesores: Miguel Ángel Domínguez Gómez Despacho 222, ETSI Industriales Camilo Quintáns Graña Despacho 222, ETSI Industriales Fernando Machado Domínguez Despacho 229, ETSI Industriales

Más detalles

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas Tema 5 TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas 5.1.- Introducción Las fuentes de corriente son ampliamente utilizadas en circuitos electrónicos integrados como elementos de polarización y como cargas

Más detalles

EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL (Versión 1.0)

EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL (Versión 1.0) Prof : Bolaños D. (Electrónica) 1 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL (Versión 1.0) Si al transistor bipolar de juntura (a partir de aquí TBJ ) lo polarizamos en la zona activa, puede

Más detalles

TECNOLOGÍA DE LOS SISTEMAS DIGITALES

TECNOLOGÍA DE LOS SISTEMAS DIGITALES TECNOLOGÍA DE LOS SISTEMAS DIGITALES ESCALAS DE INTEGRACIÓN TECNOLOGÍAS SOPORTES FAMILIAS LÓGICAS FAMILIAS LÓGICAS BIPOLAR MOS BICMOS GaAs TTL ECL CMOS NMOS TRANSMISIÓN DINÁMICOS PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS

Más detalles

BJT como amplificador en configuración de emisor común con resistencia de emisor

BJT como amplificador en configuración de emisor común con resistencia de emisor Práctica 9 BJT como amplificador en configuración de emisor común con resistencia de emisor Índice General 9.1. Objetivos................................ 73 9.2. Introducción teórica..........................

Más detalles

Transistor (2 parte) Bipolar de union 20

Transistor (2 parte) Bipolar de union 20 Transistor (2 parte) Bipolar de union 20 Introduccion En este capítulo comenzaremos a utilizar el transistor para amplificar pequeñas señales. Aprenderemos a manipular las relaciones de corrientes entre

Más detalles

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TTEEMAA 55: :: TTrraanss issttoorreess i dee eeffeeccttoo dee ccaamppoo 11 1) Cuál de los siguientes dispositivos no es un transistor de efecto de campo? a) MOSFET

Más detalles

TEMA 3 Respuesta en frecuencia de amplificadores

TEMA 3 Respuesta en frecuencia de amplificadores Tema 3 TEMA 3 espuesta en frecuencia de amplificadores 3..- Introducción El análisis de amplificadores hecho hasta ahora ha estado limitado en un rango de frecuencias, que normalmente permite ignorar los

Más detalles

RESPUESTA FRECUENCIAL Función de transferencia del amplificador

RESPUESTA FRECUENCIAL Función de transferencia del amplificador Función de transferencia del amplificador A (db) A (db) A 0 3 db A M 3 db Amplificador directamente acoplado ω BW=ω H -ω L GB=A M ω H ω L ω H ω Amplificador capacitivamente acoplado Ancho de Banda Producto

Más detalles

EXAMEN DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA.- CONVOCATORIA º CURSO DE INGENIERÍA TÉCNICA EN ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

EXAMEN DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA.- CONVOCATORIA º CURSO DE INGENIERÍA TÉCNICA EN ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 1 a PARTE DEL EXAMEN: PREGUNTAS DE TEORÍA: 1.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES. Efectos de 2º orden 1.1) Respuesta frecuencial del amplificador operacional en lazo abierto, considerándolo como un sistema

Más detalles

EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO

EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO De la ecuación que define el umbral VDS = VGS -Vth

Más detalles

1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IB VC VB IE

1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IB VC VB IE Ejercicios relativos al transistor bipolar Problemas de transistores BJT en estática 1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IC IB VC VB

Más detalles

Problemas resueltos de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos

Problemas resueltos de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos Problemas resueltos de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos E.T.S.I.T. Universidad de Las Palmas de Gran Canaria Antonio Hernández Ballester Benito González Pérez Javier García García Javier

Más detalles

INTRODUCCIÓN: OBJETIVOS:

INTRODUCCIÓN: OBJETIVOS: INTRODUCCIÓN: En el desarrollo de esta práctica se observará experimentalmente el comportamiento del transistor bipolar BJT como amplificador, mediante el diseño, desarrollo e implementación de dos amplificadores

Más detalles

FUNDAMENTOS DE CLASE 4: TRANSISTOR BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

FUNDAMENTOS DE CLASE 4: TRANSISTOR BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA CLASE 4: TRANSISTOR BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR TRANSISTOR Es un tipo de semiconductor compuesto de tres regiones dopadas. Las uniones Base-Emisor y base colector se comportan

Más detalles

5.- Si la temperatura ambiente aumenta, la especificación de potencia máxima del transistor a) disminuye b) no cambia c) aumenta

5.- Si la temperatura ambiente aumenta, la especificación de potencia máxima del transistor a) disminuye b) no cambia c) aumenta Tema 4. El Transistor de Unión Bipolar (BJT). 1.- En un circuito en emisor común la distorsión por saturación recorta a) la tensión colector-emisor por la parte inferior b) la corriente de colector por

Más detalles

Diseño de un Amplificador Operacional totalmente integrado CMOS que funcione como driver para cargas capacitivas elevadas

Diseño de un Amplificador Operacional totalmente integrado CMOS que funcione como driver para cargas capacitivas elevadas Diseño de un Amplificador Operacional totalmente integrado CMOS que funcione como driver para cargas capacitivas elevadas Titulación: Sistemas Electrónicos Tutores: Francisco Javier del Pino Suárez Sunil

Más detalles

PRACTICA 1 CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA. Objetivo:

PRACTICA 1 CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA. Objetivo: PRACTICA 1 CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA Objetivo: Comprender el comportamiento de un transistor en un amplificador. Diseñando y comprobando las diferentes configuraciones

Más detalles

Transistor BJT como Amplificador

Transistor BJT como Amplificador Transistor BJT como Amplificador Lección 05.2 Ing. Jorge Castro-Godínez Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica II Semestre 2013 Jorge Castro-Godínez Transistor BJT como Amplificador

Más detalles

Temario. Tema 5. El amplificador operacional real OBJETIVOS DEL TEMA. Introducción

Temario. Tema 5. El amplificador operacional real OBJETIVOS DEL TEMA. Introducción Temario Tema Teo. Pro. 1. Amplificación 2h 1h 2. Realimentación 2.5h 1.5h 3. Amplificador operacional (AO) y sus etapas lineales 7h 4h 4. Comparadores y generadores de onda 7h 4h 5. El amplificador operacional

Más detalles

Transistor BJT; Respuesta en Baja y Alta Frecuencia

Transistor BJT; Respuesta en Baja y Alta Frecuencia Transistor BJT; Respuesta en Baja y Alta Frecuencia Universidad de San Carlos de Guatemala, Facultad de Ingeniería, Escuela de Mecánica Eléctrica, Laboratorio de Electrónica 2, Segundo Semestre 206, Aux.

Más detalles

TEMA 5 AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL

TEMA 5 AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL TEMA 5 AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL Profesores: Germán Villalba Madrid Miguel A. Zamora Izquierdo 1 CONTENIDO Introducción Conceptos básicos sobre amplificadores. Cuadripolos Modelos de diferentes tipos

Más detalles

PRÁCTICA 6 AMPLIFICADOR MULTIETAPA CONFIGURACION EMISOR COMUN CON AUTOPOLARIZACION.

PRÁCTICA 6 AMPLIFICADOR MULTIETAPA CONFIGURACION EMISOR COMUN CON AUTOPOLARIZACION. PRÁCTIC 6 MPLIFICDOR MULTIETP CONFIGURCION EMISOR COMUN CON UTOPOLRIZCION. DESRROLLO 1.- rme el circuito de la siguiente figura y aplique a la señal de entrada una señal sinusoidal de 1 KHz. de frecuencia,

Más detalles

Web:

Web: FACULTAD POLITÉCNICA DIRECCIÓN ACADÉMICA I. IDENTIFICACIÓN PROGRAMA DE ESTUDIO Carrera : Ingeniería Eléctrica CARGA HORARIA - (Horas reloj) Asignatura : Electrónica Básica Carga Horaria Semestral 75 Semestre

Más detalles

Amplificadores Operacionales

Amplificadores Operacionales Amplificadores Operacionales Configuraciones básicas del amplificador operacional Los amplificadores operacionales se pueden conectar según dos circuitos amplificadores básicos: las configuraciones (1)

Más detalles

Fuentes de corriente

Fuentes de corriente Fuentes de corriente 1) Introducción En Electrotecnia se estudian en forma teórica las fuentes de corriente, sus características y el comportamiento en los circuitos. Desde el punto de vista electrónico,

Más detalles

EL42A - Circuitos Electrónicos

EL42A - Circuitos Electrónicos ELA - Circuitos Electrónicos Clase No. 24: Amplificadores Operacionales (1) Patricio Parada pparada@ing.uchile.cl Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de Chile 3 de Noviembre de 2009 ELA -

Más detalles

Practica 1 BJT y FET Amplificador de 2 Etapas: Respuesta en Baja y Alta Frecuencia

Practica 1 BJT y FET Amplificador de 2 Etapas: Respuesta en Baja y Alta Frecuencia Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 2 Primer Semestre 2015 Auxiliar: Edvin Baeza Practica 1 BJT y FET Amplificador

Más detalles

Recopilación de problemas de Electrónica I

Recopilación de problemas de Electrónica I Universidad Simón Bolívar Departamento de Electrónica y Circuitos Circuitos Electrónicos I (EC1177) Recopilación de problemas de Electrónica I Realizado por Br. Daniela Curiel Supervisado por Prof. Jose

Más detalles

Electrónica 1. Práctico 2 Amplificadores operacionales 2

Electrónica 1. Práctico 2 Amplificadores operacionales 2 Electrónica 1 Práctico 2 Amplificadores operacionales 2 Los ejercicios marcados con son opcionales. Además cada ejercicio puede tener un número, que indica el número de ejercicio del libro del curso (Microelectronic

Más detalles

Laboratorio Nº3. Procesamiento de señales con transistores

Laboratorio Nº3. Procesamiento de señales con transistores Laboratorio Nº3 Procesamiento de señales con transistores Objetivos iseñar redes de polarización para operar transistores JT y JFT en modo activo, y evaluar la estabilidad térmica de puntos de operación,

Más detalles

Polarización Análisis de circuitos Aplicaciones. Introducción a la Electrónica

Polarización Análisis de circuitos Aplicaciones. Introducción a la Electrónica TRANSISTOR BIPOLAR Funcionamiento general Estructura, dopados, bandas de energía y potenciales Curvas, parámetros relevantes Niveles de concentración de portadores Ecuaciones de DC Modelo de Ebers-Moll

Más detalles

TARJETAS PARA EXPERIMENTOS DE ELECTRÓNICA LINEAL SEMICONDUCTORES MOD. MCM3/EV TRANSISTORES Y SUS POLARIZACIONES MOD. MCM4/EV CIRCUITOS AMPLIFICADORES

TARJETAS PARA EXPERIMENTOS DE ELECTRÓNICA LINEAL SEMICONDUCTORES MOD. MCM3/EV TRANSISTORES Y SUS POLARIZACIONES MOD. MCM4/EV CIRCUITOS AMPLIFICADORES TARJETAS PARA EXPERIMENTOS DE ELECTRÓNICA LINEAL SEMICONDUCTORES MOD. MCM3/EV EB 21 TRANSISTORES Y SUS POLARIZACIONES MOD. MCM4/EV EB 22 CIRCUITOS AMPLIFICADORES MOD. MCM5/EV EB 23 CIRCUITOS OSCILADORES

Más detalles

Tema 7 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y EL COMPARADOR

Tema 7 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y EL COMPARADOR Tema 7 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y EL COMPARADOR Tema 7: Introducción Qué es un amplificador operacional? Un amplificador operacional ideal es un amplificador diferencial con ganancia infinita e impedancia

Más detalles

Apuntes para el diseño de un amplificador multietapas con TBJs

Apuntes para el diseño de un amplificador multietapas con TBJs Apuntes para el diseño de un amplificador multietapas con TBJs Autor: Ing. Aída A. Olmos Cátedra: Electrónica I - Junio 2005 - Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología UNIVERSIDAD NACIONAL DE TUCUMAN

Más detalles

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE BJT Y FET INTRODUCION

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE BJT Y FET INTRODUCION RESPUESTA EN FRECUENCIA DE BJT Y FET INTRODUCION Hasta el momento no se han considerado los efectos de las capacitancías e inductancias en el análisis de los circuitos con transistores es decir se han

Más detalles

BIBLIOGRAFÍA 2.1 INTRODUCCIÓN 2.1 INTRODUCCIÓN (2) Tema 3: EL TRANSISTOR FET

BIBLIOGRAFÍA 2.1 INTRODUCCIÓN 2.1 INTRODUCCIÓN (2) Tema 3: EL TRANSISTOR FET BIBLIOGRAFÍA Tema 3: EL TRANSISTOR FET.1 Introducción. El Mosfet de acumulación Funcionamiento y curvas características Polarización.3 El Mosfet de deplexión Funcionamiento y curvas características.4 El

Más detalles

Práctica de Electrónica de Circuitos II.

Práctica de Electrónica de Circuitos II. Práctica de Electrónica de Circuitos II. Diseño de un Oscilador de 500Khz mediante una red Clapp. Apartado A: Caracterización del transistor Bipolar. A1.- Elección del transistor: Dadas las características

Más detalles

Tema 6.-AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Tema 6.-AMPLIFICADORES OPERACIONALES Tema 6.-AMPLIFICADORES OPERACIONALES INTRODUCCION.- El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los computadores analógicos, en los que comenzaron a usarse técnicas operacionales

Más detalles

Universidad Complutense de Madrid. Para uso de alumnos de la. http://www.ucm.es TEMA 6: ETAPAS DE SALIDA. Francisco J.

Universidad Complutense de Madrid. Para uso de alumnos de la. http://www.ucm.es TEMA 6: ETAPAS DE SALIDA. Francisco J. TEMA 6: ETAPAS DE SALIDA Francisco J. Franco Peláez Apuntes para uso en la asignatura Electrónica Analógica, impartida en la Ingeniería Superior Electrónica en la Facultad de Físicas de la. 1 Índice 1.

Más detalles

TEMA 17: Polarización de FETs 17.1

TEMA 17: Polarización de FETs 17.1 Índice TEMA 17: Polarización de FETs 17.1 18.1. INTRODUCCIÓN 17.1 18.2. CIRCUITO DE AUTOPOLARIZACIÓN DE FUENTE 17.3 18.3. CIRCUITO PARA UN FET DE ACUMULACIÓN 17.4 18.4. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN CON CUATRO

Más detalles

Universidad Ricardo Palma

Universidad Ricardo Palma Universidad Ricardo Palma FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA ACADÉMICO PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRONICA DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE INGENIERÍA PLAN DE ESTUDIOS 2006-II SÍLAB0 1. DATOS ADMINISTRATIVOS 1.1

Más detalles

Más de medio siglo después de su invención, el transistor sigue siendo, sin ninguna duda, la piedra fundamental de la electrónica moderna.

Más de medio siglo después de su invención, el transistor sigue siendo, sin ninguna duda, la piedra fundamental de la electrónica moderna. Capítulo 3 Componentes Transistor Un poco de historia La construcción de los primeros transistores respondía a una necesidad técnica: hacer llamadas telefónicas a larga distancia. En 1906 el inventor Lee

Más detalles

TEMA 7. FAMILIAS LOGICAS INTEGRADAS

TEMA 7. FAMILIAS LOGICAS INTEGRADAS TEMA 7. FAMILIAS LOGICAS INTEGRADAS http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg IEEE 25 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee25/with/289342254/ TEMA 7 FAMILIAS

Más detalles

Tema 2 El Amplificador Operacional

Tema 2 El Amplificador Operacional CICUITOS ANALÓGICOS (SEGUNDO CUSO) Tema El Amplificador Operacional Sebastián López y José Fco. López Instituto de Microelectrónica Aplicada (IUMA) Universidad de Las Palmas de Gran Canaria 3507 - Las

Más detalles

Determinar la relación entre ganancias expresada en db (100 ptos).

Determinar la relación entre ganancias expresada en db (100 ptos). ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES Competencia rupal Niel Segunda Instancia PROBLEMA N 1 El personal técnico de una empresa que se dedica a caracterizar antenas se ha propuesto determinar la relación entre

Más detalles

Componentes Electrónicos. Prácticas - PSPICE. Práctica 3: Transistores

Componentes Electrónicos. Prácticas - PSPICE. Práctica 3: Transistores "#$%&'()*&+,-#.+#'(/$%1+*1(2%(&#3%( 4*5*.%.,%"(&%#,16.+#*"( 71%'(2%(8%#.*&*9:'(&%#,16.+#'(( Prácticas - PSPICE Práctica 3: Transistores PRÁCTICA COMPLETA "#$%&'()*+,-.-*-##( Práctica 3: Transistores (Simulación

Más detalles

Amplificadores de potencia

Amplificadores de potencia Amplificadores de potencia Clasificación de los amplificadores de potencia Tradicionalmente se consideran amplificadores de potencia aquellos que por manejar señales de tensión y corriente apreciables

Más detalles

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS Facultad de Ingeniería Departamento de Ing. Eléctrica Electrónica II AMPLIFICADORES OPERACIONALES

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS Facultad de Ingeniería Departamento de Ing. Eléctrica Electrónica II AMPLIFICADORES OPERACIONALES AMPLIFICADORES OPERACIONALES LAURA MAYERLY ÁLVAREZ JIMENEZ (20112007040) MARÍA ALEJANDRA MEDINA OSPINA (20112007050) RESUMEN En esta práctica de laboratorio se implementarán diferentes circuitos electrónicos

Más detalles

Anexo V: Amplificadores operacionales

Anexo V: Amplificadores operacionales Anexo V: Amplificadores operacionales 1. Introducción Cada vez más, el procesado de la información y la toma de decisiones se realiza con circuitos digitales. Sin embargo, las señales eléctricas analógicas

Más detalles

A partir de dicho circuito surge que la resistencia de entrada corresponde a la de un emisor común, es decir:

A partir de dicho circuito surge que la resistencia de entrada corresponde a la de un emisor común, es decir: A partir de dicho circuito surge que la resistencia de entrada corresponde a la de un emisor común, es decir: V be Ri = ------- (II.14.) con lo que para esta configuración: Ri = h ie (II.31.) cuyo valor

Más detalles

Dispositivos de las tecnologías CMOS

Dispositivos de las tecnologías CMOS Dispositivos de las tecnologías CMOS MOSFET: canal N y canal P (únicos dispositivos en chips digitales) BJT: PNP de mala calidad (dispositivos parásitos. Se usan como diodos) Resistencias Condensadores

Más detalles

CAPITULO 1 CONCEPTOS BASICOS

CAPITULO 1 CONCEPTOS BASICOS CONTENIDO Prefacio v Introducción para el estudiante xi CAPITULO 1 CONCEPTOS BASICOS 1.0 Introducción 1 1.l Historia 2 1.2 Modelos de circuitos de estado sólido 3 1.3 Elementos de circuitos lineales y

Más detalles

1 BAUSTICA DEL ELECTRON Y SUS APUCACIONES 17

1 BAUSTICA DEL ELECTRON Y SUS APUCACIONES 17 INDICE GENERAL PROLOGO 7 CAPITULO 1 BAUSTICA DEL ELECTRON Y SUS APUCACIONES 17 l-i Partículas cargadas 17 1-2 Fuerza eiercida sobre las partículas cargadas en presencia de un campo eléctrico 18 1-3 Campo

Más detalles

ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL PROGRAMA DE ESTUDIOS 2. OBJETIVOS

ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL PROGRAMA DE ESTUDIOS 2. OBJETIVOS ELECTRÓNICA I UNIDAD ACADÉMICA: CARRERA: ESPECIALIZACIÓN: ÁREA: TIPO DE MATERIA: EJE DE FORMACIÓN: Facultad de Ingeniería en Electricidad y Computación Ingeniería en Electricidad. Ingeniería en Telemática,

Más detalles

Laboratorio Amplificador Diferencial Discreto

Laboratorio Amplificador Diferencial Discreto Objetivos Laboratorio mplificador Diferencial Discreto Verificar el funcionamiento de un amplificador discreto. Textos de Referencia Principios de Electrónica, Cap. 17, mplificadores Diferenciales. Malvino,

Más detalles

INDICE. VXII Capitulo 1 Introducción a la electrónica

INDICE. VXII Capitulo 1 Introducción a la electrónica INDICE Prefacio VXII Capitulo 1 Introducción a la electrónica 4 1.1. Breve historia de la electrónica: de los tubos de vacío a la integración a gran escala 1.2. Clasificación de señales electrónicas 8

Más detalles

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL 1 de 10 21/10/2015 17:52 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL Hoy: Miercoles, Octubre 21, 2015 Incluir en favoritos, para volver a visitarnos. Creado por: V. García. INTRODUCCIÓN. Los amplificadores operacionales

Más detalles

Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7

Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7 Facultad de Tecnología Informática Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7 Guia de Lectura / Problemas. Transistores bipolares y de efecto campo. Contenidos: Tipos de transistores:bjt y FET; p-n-p y

Más detalles

Parcial_2_Curso.2012_2013

Parcial_2_Curso.2012_2013 Parcial_2_Curso.2012_2013 1. La función de transferencia que corresponde al diagrama de Bode de la figura es: a) b) c) d) Ninguna de ellas. w (rad/s) w (rad/s) 2. Dado el circuito de la figura, indique

Más detalles

UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET

UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET OBJETIVO Conocer, identificar, resolver y analizar los transistores BJT y JFET, así como distinguir sus ventajas y desventajas. TEMARIO 4.1 Construcción del transistor

Más detalles

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. Dispositivos unipolares

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. Dispositivos unipolares Diapositiva 1 Concepto Su funcionamiento se basa en el control de la corriente mediante un campo eléctrico. Dispositivos unipolares La corriente depende únicamente del flujo de portadores mayoritarios

Más detalles

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Compilación y armado: Sergio Pellizza Dto. Apoyatura Académica I.S.E.S. En el capítulo anterior hemos visto que en los transistores bipolares una pequeña corriente de

Más detalles

ELECTRONICA GENERAL. Tema 6. El Amplificador Operacional. 1.- En un amplificador operacional ideal, el CMRR es a) Infinito b) Cero c) 3dB

ELECTRONICA GENERAL. Tema 6. El Amplificador Operacional. 1.- En un amplificador operacional ideal, el CMRR es a) Infinito b) Cero c) 3dB Tema 6. El Amplificador Operacional. 1.- En un amplificador operacional ideal, el CMRR es a) Infinito b) Cero c) 3dB 2.- La realimentación negativa: a) Desestabiliza la ganancia del sistema, haciéndolo

Más detalles

Diapositiva 1. El transistor como resistencia controlada por tensión. llave de control. transistor bipolar NPN colector. base de salida.

Diapositiva 1. El transistor como resistencia controlada por tensión. llave de control. transistor bipolar NPN colector. base de salida. Diapositiva 1 El transistor como resistencia controlada por tensión transistor bipolar NPN colector llave de control base corriente de salida emisor e b c 2N2222 corriente de entrada 6.071 Transistores

Más detalles

INFORME DE. puntos de medición

INFORME DE. puntos de medición UNIVERSIDADD SIMON BOLIVAR Departamento de Electrónica y Circuitos EC 1113 Circuitos Electrónicos (Laboratorio) INFORME DE PRACTICAA Nº2 Verificar Conceptos Teóricos Relacionados con: Características Corriente-Voltaje

Más detalles

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/ 1 1. Introducción

Más detalles

CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA UNIDAD 2: AMPLIFICADOR DE POTENCIA TEORÍA PROFESOR: JORGE ANTONIO POLANÍA INTRODUCCIÓN

CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA UNIDAD 2: AMPLIFICADOR DE POTENCIA TEORÍA PROFESOR: JORGE ANTONIO POLANÍA INTRODUCCIÓN CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA UNIDAD 2: AMPLIFICADOR DE POTENCIA TEORÍA PROFESOR: JORGE ANTONIO POLANÍA INTRODUCCIÓN En un sistema de amplificación que entrega una cantidad considerable de potencia, las ganancias

Más detalles

Prácticas Presenciales. Electrónica Analógica

Prácticas Presenciales. Electrónica Analógica Prácticas Presenciales 1 Área: (M198) Instalaciones Eléctricas LUGAR DE CELEBRACIÓN Instalaciones de Fundación San Valero, en c/ Violeta Parra 9 50015 Zaragoza Planta E, de 10:00 a 14:00 h. Las líneas

Más detalles

UD10. AMPLIFICADOR OPERACIONAL

UD10. AMPLIFICADOR OPERACIONAL UD10. AMPLIFICADOR OPERACIONAL Centro CFP/ES Diagrama de bloques El esquema interno de un amplificador operacional está compuesto por un circuito de transistores, en el cual podemos distinguir tres bloques:

Más detalles

SEMICONDUCTORES. PRACTICA 1 DIODOS RECTIFICADORES 1.1 Diodo rectificador de onda completa 1.2 Puente rectificador de onda completa

SEMICONDUCTORES. PRACTICA 1 DIODOS RECTIFICADORES 1.1 Diodo rectificador de onda completa 1.2 Puente rectificador de onda completa SEMICONDUCTORES PRESENTACION. PRACTICA 1 DIODOS RECTIFICADORES 1.1 Diodo rectificador de onda completa 1.2 Puente rectificador de onda completa PRACTICA 2 OTRAS APLICACIONES DEL DIODO 2.1 Doblador de voltaje

Más detalles

ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES ANÁLII IRUITO ON TRANITOR Polarización Anular los generadores de señal, manteniendo los de continua. ustituir los condensadores de acoplo y desacoplo por un circuito abierto. ustituir cada transistor por

Más detalles

Características del transistor bipolar y FET: Polarización

Características del transistor bipolar y FET: Polarización Características del transistor bipolar y FET: Polarización 1.- Introducción El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se introducen las principales

Más detalles

UNIDAD II FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN. ACT 10 TRABAJO COLABORATIVO No. 2

UNIDAD II FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN. ACT 10 TRABAJO COLABORATIVO No. 2 UNIDAD II FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN ACT 10 TRABAJO COLABORATIVO No. 2 Nombre de curso: Electrónica Básica - 201419 Temáticas revisadas: El FET, polarizaciones del FET y otros dispositivos PNPN Aspectos

Más detalles

DISEÑO Y SIMULACIÓN DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMPLETAMENTE DIFERENCIAL EN TECNOLOGÍA CNM25

DISEÑO Y SIMULACIÓN DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMPLETAMENTE DIFERENCIAL EN TECNOLOGÍA CNM25 DISEÑO Y SIMULACIÓN DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMPLETAMENTE DIFERENCIAL EN TECNOLOGÍA CNM25 Romero, Eduardo (1); Peretti, Gabriela (1); Marqués, Carlos (2) (1) Grupo de Investigación y Servicios en

Más detalles

UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA FACULTAD DE INGENIERÍA DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRÓNICA LABORATORIO DE CIRCUITOS II PRÁCTICA N 5 "GENERADORES DE SEÑAL"

UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA FACULTAD DE INGENIERÍA DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRÓNICA LABORATORIO DE CIRCUITOS II PRÁCTICA N 5 GENERADORES DE SEÑAL UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA FACULTAD DE INGENIERÍA DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRÓNICA LABORATORIO DE CIRCUITOS II PRÁCTICA N 5 "GENERADORES DE SEÑAL" OBJETIVOS: Conocer el funcionamiento de circuitos

Más detalles

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales Diapositiva 1 Transistores de efecto de campo (npn) puerta FET dispositivo de 3 terminales corriente e - de canal desde la fuente al drenador controlada por el campo eléctrico generado por la puerta impedancia

Más detalles

Transistor bipolar de unión: Polarización.

Transistor bipolar de unión: Polarización. lectrónica Analógica 4 Polarización del transistor bipolar 4.1 lección del punto de operación Q Transistor bipolar de unión: Polarización. l término polarización se refiere a la aplicación de tensiones

Más detalles

APLICACIONES LINEALES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

APLICACIONES LINEALES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL UNIVERSIDAD DEL VALLE ESCUELA DE INGENIERIA ELÉCTRICA Y ELÉCTRONICA CÁTEDRA DE PERCEPCIÓN Y SISTEMAS INTELIGENTES LABORATORIO N Fundamentos de Electrónica APLICACIONES LINEALES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

Más detalles

TEMA 5. MICROELECTRÓNICA ANALÓGICA INTEGRADA

TEMA 5. MICROELECTRÓNICA ANALÓGICA INTEGRADA TEMA 5. MCOEECTÓCA AAÓGCA TEGADA 5.. esistencias activas En el capítulo tercero se puso de manifiesto la dificultad que conlleva la realización de resistencias pasivas de elevado valor con tecnología CMOS,

Más detalles

Test de Fundamentos de Electrónica Industrial (4 puntos). 3º GITI. TIEMPO: 40 minutos May 2013

Test de Fundamentos de Electrónica Industrial (4 puntos). 3º GITI. TIEMPO: 40 minutos May 2013 1) Cual de las siguientes expresiones es correcta A) A+B+B =A+B B) A+B+(A.B )=A C) (A.B)+(A.C)+(B.C)=(A.B)+(B.C) D) A.B =A +B 2) La figura adjunta se corresponde con la estructura interna de un circuito:

Más detalles

1 DIODOS SEMICONDUCTORES 1

1 DIODOS SEMICONDUCTORES 1 PREFACIO AGRADECIMIENTOS vii xi 1 DIODOS SEMICONDUCTORES 1 1.1 Introducción I 1.2 El diodo ideal I 1.3 Materiales semiconductores 3 la Niveles de energía 6 1.5 Materiales extrínsecos : tipo n y tipo p

Más detalles

COLECCIÓN DE EJERCICIOS TEORÍA DE CIRCUITOS I

COLECCIÓN DE EJERCICIOS TEORÍA DE CIRCUITOS I COLECCÓN DE EJECCOS TEOÍA DE CCUTOS ngeniería de Telecomunicación Centro Politécnico Superior Curso 9 / Aspectos Fundamentales de la Teoría de Circuitos Capítulo Problema.. (*) En cada uno de los dispositivos

Más detalles

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas. Capítulo VII: Amplificadores de RF de potencia

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas. Capítulo VII: Amplificadores de RF de potencia Capítulo VII: Amplificadores de RF de potencia 109 110 7. Amplificadores RF de potencia 7.1 Introducción El amplificador de potencia (PA) es la última etapa de un trasmisor. Tiene la misión de amplificar

Más detalles

Experiencia P57: Amplificador seguidor de emisor Sensor de voltaje

Experiencia P57: Amplificador seguidor de emisor Sensor de voltaje Sensor de voltaje Tema DataStudio ScienceWorkshop (Mac) ScienceWorkshop (Win) Semiconductores P57 Common Emitter.DS (Vea al final de la (Vea al final de la experiencia) experiencia) Equipo necesario Cant.

Más detalles

PROGRAMA INSTRUCCIONAL ELECTRONICA I

PROGRAMA INSTRUCCIONAL ELECTRONICA I UNIVERSIDAD FERMIN TORO VICE RECTORADO ACADEMICO UNIVERSIDAD FACULTAD DE INGENIERIA ESCUELA DE MANTENIMIENTO MECÁNICO ESCUELA DE TELECOMUNICACIONES ESCUELA DE ELÉCTRICA ESCUELA DE COMPUTACIÓN PROGRAMA

Más detalles

CONSEJOS PRÁCTICOS PARA LA RESOLUCIÓN DE PROBLEMAS

CONSEJOS PRÁCTICOS PARA LA RESOLUCIÓN DE PROBLEMAS Universidad Nacional de Rosario Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniería y Agrimensura Escuela de Ingeniería Electrónica Departamento de Electrónica ELECTRÓNICA III CONSEJOS PRÁCTICOS PARA LA RESOLUCIÓN

Más detalles

Práctica # 5 Transistores práctica # 6

Práctica # 5 Transistores práctica # 6 Práctica # 5 Transistores práctica # 6 Objetivos Identificar los terminales de un transistor:( emisor, base, colector). Afianzar los conocimientos para polarizar adecuadamente un transistor. Determinar

Más detalles

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar Análisis de la línea de carga de un transistor Estados del transistor El transistor PNP Modelos y análisis del transistor en gran señal Circuitos de

Más detalles

470 pf 1N4007 TIP42 D1 Q5 0.7V R13 1N4007 1N4007 R14 33 TIP42 R12 0.7V. 470 pf

470 pf 1N4007 TIP42 D1 Q5 0.7V R13 1N4007 1N4007 R14 33 TIP42 R12 0.7V. 470 pf 1 El diagrama eléctrico +50V DC R3 4.7K R8 R9 C7 2N3055 2N3055 0.1 uf 33K R2 24V 24V uf C3 D1 Q5 TIP42 Q6 TIP41 D4 0.7V 0.47 uf C1 C2 R1 pf Q1 56K 0.7V A733 Q2 R6 uf 1K C4 68K R7 10K R10 D2 D3 R13 R14

Más detalles

Ingeniería Eléctrica A S I G N A T U R A S C O R R E L A T I V A S P R E C E D E N T E S

Ingeniería Eléctrica A S I G N A T U R A S C O R R E L A T I V A S P R E C E D E N T E S UNIVERSIDAD NACIONAL DEL SUR 1/3 DEPARTAMENTO DE: Ingeniería Eléctrica H O R A S D E C L A S E P R O F E S O R R E S P O N S A B L E T E Ó R I C A S P R Á C T I C A S Ing. Pablo Mandolesi Por semana Por

Más detalles