FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE INDUCTORES SOBRE SILICIO

Tamaño: px
Comenzar la demostración a partir de la página:

Download "FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE INDUCTORES SOBRE SILICIO"

Transcripción

1 FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE INDUCTORES SOBRE SILICIO J. Huerta-Chua, A. Díaz-Sánchez, A. Torres-Jácome, R. Murphy-Arteaga, W. Calleja-Arriaga y M. Landa-Vázquez. Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica Electrónica, Tonantzintla, Puebla, México. Departamento de Electrónica, C.P , tel. y fax: RESUMEN El presente trabajo, presenta la fabricación y caracterización de inductores pasivos sobre substrato de silicio. Estos inductores fueron fabricados en una tecnología CMOS de 10 micras, utilizando dos capas de aluminio, y SiO 2 como aislantes. Inductores poligonales y circulares, de cuatro y media, y de siete y media espiras fueron medidos y caracterizados en el rango de frecuencias de 400 MHz a 5 GHz. 1. INTRODUCCIÓN Los elementos pasivos (resistencias, capacitores e inductores) juegan un papel muy importante en circuitos integrados para telecomunicaciones. cada uno de estos elementos posee aplicaciones prácticas, especialmente en circuitos de radio frecuencia (RF), por sus características no-lineales, su factor de calidad (Q) más selectivo, y por su bajo factor de ruido. La investigación, para la integración de inductores pasivos sobre un substrato conductivo, empezó en la década de los 60 s, pero fue hasta los 90 s cuando trabajos por Nguyen y Meyer [3], mostraron la posibilidad de realizarlos en circuitos integrados. A partir de estas fechas, muchos autores han reportado modificaciones en el diseño y en el proceso de fabricación de estos dispositivos [15-17], llevando esto a hacer cambios significativos en las características de los componentes parásitos de los mismos. En la actualidad, no se tiene un modelo eléctrico preciso, el cual pueda utilizarse en algún paquete para diseño de circuitos integrados, para su posterior fabricación con las distintas tecnologías comerciales de circuitos integrados. Por ello, es muy importante realizar un estudio de los parámetros eléctricos de los inductores integrados, para identificar los elementos parásitos, así como sus efectos en alta frecuencia, y obtener un modelo más apropiado para este tipo de componente [3, 5]. Algunas aplicaciones de los inductores pasivos integrados se encuentran principalmente en amplificadores de bajo ruido (LNA's), osciladores controlados por voltaje (VCO's), mezcladores y filtros pasivos, entre otros [1-4, 11]. Los inductores pasivos integrados son fabricados en tecnologías de Si y GaAs, desarrollados en espirales de metal, con diferentes geometrías (cuadrados, hexagonales, etc.). Una característica deseable de cualquier inductor, es tener una Q (factor de calidad) muy alta. No obstante, esta característica está limitada por componentes no deseables, como son la pérdida resistiva del conductor, y el acoplamiento capacitivo del óxido y del substrato, entre otros. Componentes como estos, llegan a degradar el funcionamiento del inductor, debiendo ser optimizadas. Un ejemplo de ésto, son los inductores elaborados con cobre, los cuales tienen su principal ventaja sobre los fabricados de aluminio en la reducción de la resistencia en serie [14]. El diseño en espirales es otra manera de mejorar las características no deseables, ya que esta técnica optimiza el área ocupada, y de este modo, se disminuye el valor de capacitancia de óxido. Actualmente, los inductores más comúnmente utilizados son los de espiras cuadradas, los cuales son fáciles de desarrollar. Sin embargo, se han reportado la fabricación de inductores con geometrías de seis y ocho lados [12, 13]. Por otro lado, autores como Niknejad [11] y Lee [10], han reportado trabajos sobre la caracterización de inductores coplanares, con geometrías de más de ocho lados hasta llegar a la espiral circular, y el desarrollo de fórmulas para el cálculo de inductores. El objetivo en este trabajo, es fabricar inductores (en el Laboratorio de Microelectrónica del INAOE, a una tecnología de 10 µm) de distintas geometrías, hasta llegar a los de espiras circulares. Del mismo modo, caracterizarlos y compararlos con el modelo eléctrico que se propone. El modelo eléctrico para el inductor pasivo integrado, se discutirá en la sección 2. En la sección 3, el factor Q será expuesto, mientras que en la sección 4, el diseño y fabricación de inductores, serán explicados. Por último, en las secciones 5 y 6, se expondrán los resultados y conclusiones del trabajo, respectivamente.

2 2. MODELO ELÉCTRICO. La identificación de las parásitas y los mecanismos que la generan, son sumamente importantes para un correcto modelado de cualquier dispositivo fabricado sobre un substrato conductivo. En un inductor pasivo integrado coplanar podemos citar tres mecanismos que generan pérdidas: variación resistiva del conductor, acoplamiento capacitivo al substrato y la potencia disipada en el substrato debido a las corrientes de remolino. Variación Resistiva La mayoría de los inductores son desarrollados en las capas de metal, generalmente aluminio, Por tanto, la conductividad del metal determina las características resistivas de dichos dispositivos. Esto es debido a que la resistencia de un dispositivo es directamente proporcional a la resistividad. ρ l R = Ohms (1) t w donde ρ = resistividad del material t = grueso del material l = longitud del material w = ancho del material La ecuación (1) puede escribirse también como: l R = RS Ohms (2) w donde R S es la resistencia por cuadro, teniendo unidades de Ω/cuadro. Este cálculo es adecuado para mediciones en CD, sin embargo, cuando estas se realizan en altas frecuencias, la distribución de corrientes en la capa de metal cambia debido a las corrientes de remolino. Este fenómeno se manifiesta en la forma de los efectos de piel y de proximidad, quedando el cálculo para la resistencia como: En la ecuación (4) ω es la frecuencia angular (rad/seg), y µ 0 es la permeabilidad del espacio libre(4πx10-7 H/m). Acoplamiento Capacitivo. El acoplamiento capacitivo es la segunda fuente de pérdidas, se presenta entre un conductor y el substrato. Se le conoce como capacitancia de óxido, y su valor puede estimarse como un capacitor de placas paralelas, dada por: A w l C ε ε, farads (5) h h donde: C = capacitancia ε = permitivad del material aislante entre las placas del capacitor. A = área del capacitor w = ancho de la placa l = largo de la placa h = separación entre las placas. Donde A es el área ocupada por el conductor, y h es el grueso del óxido de silicio, entre el conductor y el substrato. En el inductor también existe un acoplamiento capacitivo entre el puerto de entrada y de salida, conocida como capacitancia serie. Esta capacitancia puede ser aproximada para un capacitor de placas paralelas. Potencia Disipada en el Substrato. La tercera contribución de parásitas es la potencia que se disipa en el substrato. Las corrientes parásitas de fuga hacia el substrato y en la espira más interna del inductor, son las causas de este mecanismo. En la figura 1 se muestran las corrientes de remolino I eddy. inducidas al substrato por las líneas del campo B, modelándose estas pérdidas como una impedancia formada por un capacitor y un resistor en paralelo. R δ ρ = t / δ ( 1 e ) l w Ohms (3) Donde δ es el efecto piel y está dado por: 2ρ δ = (4) ωµ 0 Figura 1 Vista 3-d de un inductor de espiras cuadradas donde se esquematiza las corrientes inducidas al substrato de silicio.

3 Modelos para inductores coplanares El modelo eléctrico utilizado en este trabajo es el mostrado en la figura 2. frecuencia de resonancia las pérdidas óhmicas son más dominantes, mientras que a frecuencias superiores a la de resonancia las capacitancias parásitas son las que limitan el funcionamiento del inductor. Lo anterior nos lleva a entender que la eficiencia de un inductor es medida por su Q. Una definición, tal vez la más fundamental, del factor de calidad está basada en la relación entre la máxima energía eléctrica y magnética total almacenada (Ea_max) en un sistema y la potencia promedio disipada (Pdis), como se muestra en la formula siguiente. Ea _ max Q = ω (6) Pdis Figura 2 Modelo eléctrico para un inductor coplanar. Donde L es la inductancia de espiral de metal, R es la resistencia que presenta el espiral, C 0 es el acoplamiento capacitivo entre el puerto de entrada y de salida, C 1 y C 2 es la capacitancia entre el cuerpo del inductor y el substrato, y R 1 y R 2 son las resistencias presentada en el substrato debidas a las corrientes de fuga. La figura 3 muestra al modelo eléctrico que más ha sido utilizado, en otros trabajos [5, 6]. Donde ω es la frecuencia angular en radianes por segundo. Otros autores definen la Q como: ω 0 Q = (7) ω 3dB energia almacenada Q = 2π (8) energia perdida en un ciclo de oscilación Sin embargo la definición más utilizada, se refiere a la relación negativa de la parte imaginaria y real de la admitancia de entrada de una red de dos puertos. Im( Y11) Q = (9) Re( Y11) 4. DISEÑO Y FABRICACIÓN Figura 3 vista transversal de un inductor coplanar con cada uno de los elementos que contempla el modelo eléctrico. 3. FACTOR DE CALIDAD Q Un punto clave que determina el buen funcionamiento de un circuito de RF integrado, es la posibilidad de obtener inductores integrados con un buen factor de calidad Q. Desafortunadamente, efectos tales como pérdidas óhmicas y capacitivas, debidas a distintos factores expuestos anteriormente, limitan la calidad del inductor. Por ejemplo, a frecuencias más bajas que la Para el diseño de los inductores se consideraron las dimensiones mostradas en la figura 4. Esta figura, es un patrón geométrico (layout), el cual describe el tamaño a escala de los dispositivos que se quieren. Las dimensiones del ancho de la pista y del espaciamiento entre espirales, así como el mínimo valor de contactos y traslape entre las dos capas de metal, se apegaron a las reglas de proceso de una tecnología MOS de 10 micras. Mientras que las dimensiones de los pads de prueba y las separaciones entre ellos, fueron tomadas con respecto a los requerimientos de las puntas de prueba GSG (tierra señal tierra) que se utilizarán para las mediciones en alta frecuencia.

4 Figura 4 Patrón geométrico de un inductor cuadrado de 4.5 espiras. El proceso de fabricación se llevó a cabo en un proceso MOS standard de 10 micras con dos capas de metal, el cual se desarrolló en el Laboratorio de Microelectrónica del Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica. Se utilizaron tres obleas tipo N con orientación y resistividad entre 2.38 y 3.85 Ω/. La segunda capa de metal (m2) se encuentra en la parte superior de la oblea, mientras que la primer capa (m1) es la que sirve como interconexión de la espira interna del inductor. m2 m1 150 La figura 5 nos muestra transversalmente el proceso de fabricación referente a los gruesos de óxido de silicio y de cada una de las capas de metal. Para lograr la fabricación de los inductores, primero, se creció epitaxíalmente una capa inicial de óxido de silicio a una temperatura de 1110 C con un flujo de vapor de agua. Enseguida se hizo la implantación de Fósforo, y la redifusión del mismo a 1110 C con vapor de agua y Nitrógeno, la cual sirve para obtener un contacto al substrato. Posterior a esto, se abrieron contactos al substrato y se metalizaron, siguiendo con un depósito de óxido CVD con un grosor de 6500 Å, repitiendo esto hasta alcanzar dos micras de grosor de óxido entre el substrato y la superficie. Una vez alcanzadas las dos micras de separación se evaporó aluminio para la primera capa de metal (m1), esperando obtener micras de grosor. Posteriormente, se creció la última capa de SiO 2 con un grueso de una micra, que sirve como aislante entre las dos capas de metal. Por último se evaporó la segunda y última capa de aluminio obteniendo un grueso de una micra. Algunas fotografías de los inductores que se fabricaron son mostradas en la figura 6, ahí podemos ver tres de las seis geometrías que se realizaron. Figura 6 Fotografías del inductores fabricados de espiras cuadradas, octagonales y circulares de 4.5 vueltas. 5. MEDICIONES Las mediciones de los inductores para su caracterización se hicieron en un analizador de redes (Wiltron Model B Network Analyzer). La extracción de parámetros se hizo mediante optimización. A continuación se presentan los resultados para inductores de 4.5 vueltas, en la tabla 1. En la tabla 2 son mostrados los resultados de los inductores de 7.5. vueltas. Tabla 1. Resultados de la extracción de parámetros para inductores de 4.5 vueltas. Figura 5 Vista transversal de un inductor fabricado sobre silicio. Estructura A1 A3 A4 A5 A6 L (nh) R (ohm) C0 (ff) R1 (ohm) R2 (ohm) C1 (ff) C2 (ff) fr-ghz Q

5 Tabla 2. Resultados de la extracción de parámetros para inductores de 7.5 vueltas. Estructura B1 B2 B3 B4 B6 L (nh) R (ohm) C0 (ff) R1 (ohm) R2 (ohm) C1 (ff) C2 (ff) Fr-GHz Q Las figuras 7 y 8 muestran las curvas extraidas para inductores de espiras cuadradas y circulares. A A Figura 8. Extracción de parámetros de los inductores, A espiras cuadradas, B espiras circulares 7.5 vueltas. B 6. CONCLUSIONES Figura 7. Extracción de parámetros de los inductores, A espiras cuadradas, B espiras circulares de 4.5. B En este trabajo, se fabricaron y caracterizaron inductores pasivos integrados coplanares sobre un substrato de silicio. A su vez, se demostró el funcionamiento de éstos y se comprobó el modelo eléctrico propuesto, con la extracción de parámetros mediante optimización. De las curvas extraídas, se puede concluir que el modelo se ajusta mejor a los inductores de espiras circulares que a los de espiras cuadradas. Mediante las mediciones en el rango de 400 MHz-5 GHz, hechas con una analizador de redes fue posible interpretar los resultados, y ver el comportamiento de inductor como una red de dos puertos.

6 7. REFERENCIAS [1] John R. Long and Miles A. Copeland, The Modeling, Characterization, and Design of Monolithic Inductors for Silicon RF IC's, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.32, no.3, pp , Mar [2] Joachim N. Burghartz, D. C. Edelstein, Mehmet Soyuer, H. A. Ainspan and Keith A. Jenkins, RF Circuit Design Aspects of Spiral Inductors on Silicon, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 33, no. 12, pp , December [3] Kirk B. Ashby, Ico A. Koullias, William C. Finley, Jhon J. Bastek, and Shahriar Moinian, High Q Inductors for Wireless Applications in a Complementary Silicon Bipolar Process, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 31, no. 1, pp. 4-8, Jan [4] Nhat M. Nguyen and Robert G. Meyer, Si IC-Compatible Inductors and LC Passive Filters, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 25, no. 4, pp , August [5] C. Patrick Yue, and S. Simon Wong, Physical Modeling of Spiral Inductors on Silicon, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 47, no. 3, pp , Mar [13] Y. Koutsoyannopoulos, Y. Papananos, C. Alemanni, and S. Bantas A Generic CAD Model for Arbitrarily Shaped and Multi-Layer Integrated Inductors on Silicon Substrates, Proc European Solid-State Circuits Conf., pp , Sep [14] Jonhae Kim, Jim Koeppe, Ming-ta Hsieh, and Ramesh Harjani, A 900 Front-End Design With Copper Passive Components, Midwest Symposium on Circuits and Systems, pp , August [15].Joachim N. Burghartz, Keith A. Jenkins, and Mehmet Soyuer, Multinivel-Spiral Inductors Using VLSI Interconect Technology, IEEE Electron Devices Letters, Vol. 17, No. 9, pp , September [16] Philip Pieters, and Eric Beyne, Spiral Inductors Integrated in MCM-D using the Design Space Concept, International Conference on Multichip Modules and High Density Packaging, pp , [17] Ferenc Mernyei, Franz Darrer, and Andreas Sibrai, Reducing the Substrate Losses of RF Integrated Inductors, IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Vol. 8, No. 9, pp , September 1998 [6] C. Patrick Yue, Chagsup Ryu, Jack Lau, Thomas H. Lee, and S. Simon Wong, A Physical Model for Planar Spiral Inductors on Silicon, in Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting, San Francisco, CA., [7] Thomas H. Lee, "The Design of CMOS Radio-Frecuency Integrated Circuits", Cambridge University Press, pp , [8] Emil F. G. and A. R. Boothroyd, A One-Dimencional DC Model for Nonrectangular IGFET s,ieee Journal of Solid- State Circuits, Vol. SC-18, No. 6 pp , December [9] H. M. Greenhouse, Design of Planar Rectangular Microelectronic Inductors, IEEE transactions on parts, hybrids, and packaging, vol. PHP-10, no. 2, pp , June [10] Sunderarajan S. Mohan, Maria del Mar Hershenson, Stephen P. Boyd And Thomas H. Lee, Simple Accurate Expressions for Planar Spiral Inductances, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 34, no. 10, pp , October [11] Ali M. Niknejad, Robert G. Meyer and Joo L. Tham, Fully-Integrated Low Phase Noise Bipolar Differential VCOs al 2.9 and 4.4 Ghz, Proceeding of the 25 th European Solid-State Circuits Conference, pp , [12] Yorgos Koutsoyannopous, Yannis Papanaos, Sotiris Bantas, and Calo Alemanni, Performance Limits of Planar and Multi-Layer Integrated Inductors, 2000 IEEE ISCAS, Geneva, Switzerland.

Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio

Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio J. Huerta-Chua 1, R. Murphy-Arteaga 2, A. Díaz-Sánchez 3, A. Torres-Jacome 4, W. Calleja-Arriaga 5 M. Landa-Vázquez. Instituto Nacional de Astrofísica,

Más detalles

COMPONENTES PASIVOS DE UN CIRCUITO ELECTRICO

COMPONENTES PASIVOS DE UN CIRCUITO ELECTRICO COMPONENTES PASIVOS DE UN CIRCUITO ELECTRICO 1.- INTRODUCCION Los tres componentes pasivos que, en general, forman parte de los circuitos eléctricos son los resistores, los inductores y los capacitores.

Más detalles

Maestría en Ciencias en Micro y Nanosistemas. Producción de los Estudiantes. LGAC: Nanomateriales

Maestría en Ciencias en Micro y Nanosistemas. Producción de los Estudiantes. LGAC: Nanomateriales Maestría en Ciencias en Micro y Nanosistemas Producción de los Estudiantes LGAC: Nanomateriales LGAC: MICRO Y NANOSISTEMAS!1 Artículos LGAC: MICRO Y NANOSISTEMAS!2 Año Tipo de artículo 2015 Indizado 2015

Más detalles

DEPARTAMENTO DE CIENCIAS DE LA ENERGIA Y MECANICA Laboratorio de Instrumentación Industrial Mecánica Laboratorio de Instrumentación Mecatrónica 2

DEPARTAMENTO DE CIENCIAS DE LA ENERGIA Y MECANICA Laboratorio de Instrumentación Industrial Mecánica Laboratorio de Instrumentación Mecatrónica 2 1. Tema: Característica estática de una celda de carga con sensor inductivo como detector de desplazamiento. 2. Objetivos: a. Experimentar con una aplicación secundaria del sensor inductivo. b. Hallar

Más detalles

Última modificación: 1 de agosto de 2010. www.coimbraweb.com

Última modificación: 1 de agosto de 2010. www.coimbraweb.com GENERACIÓN DE PORTADORA Contenido 1.- Principios de oscilación. 2.- Osciladores LC. 3.- Osciladores controlados por cristal. Objetivo.- Al finalizar, el lector será capaz de describir y dibujar los circuitos

Más detalles

Inductancia. Auto-Inductancia, Circuitos RL X X XX X X XXXX L/R 07/08/2009 FLORENCIO PINELA - ESPOL 0.0183156

Inductancia. Auto-Inductancia, Circuitos RL X X XX X X XXXX L/R 07/08/2009 FLORENCIO PINELA - ESPOL 0.0183156 nductancia Auto-nductancia, Circuitos R X X XX X X XXXX X X XX a b R a b e 1 e1 /R B e ( d / dt) 0.0183156 1 0 1 2 3 4 Vx f( ) 0.5 0 t A NERCA Y A NDUCTANCA a oposición que presentan los cuerpos al intentar

Más detalles

Receta de diseño de un amplificador de bajo ruido LNA.

Receta de diseño de un amplificador de bajo ruido LNA. Receta de diseño de un amplificador de bajo ruido LNA. A. J. Zozaya Instituto Espacial Ecuatoriano Quito, 26 de junio de 2015 1 Resumen En este pequeño artículo se describe el procedimiento de diseño de

Más detalles

230663 - RICS - Circuitos Integrados y Sistemas de Radiofrecuencia

230663 - RICS - Circuitos Integrados y Sistemas de Radiofrecuencia Unidad responsable: Unidad que imparte: Curso: Titulación: Créditos ECTS: 2015 230 - ETSETB - Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación de Barcelona 710 - EEL - Departamento de Ingeniería

Más detalles

Ejercicios Propuestos Inducción Electromagnética.

Ejercicios Propuestos Inducción Electromagnética. Ejercicios Propuestos Inducción Electromagnética. 1. Un solenoide de 2 5[] de diámetro y 30 [] de longitud tiene 300 vueltas y lleva una intensidad de corriente de 12 [A]. Calcule el flujo a través de

Más detalles

CAPITULO 5. Corriente alterna 1. ANÁLISIS DE IMPEDANCIAS Y ÁNGULOS DE FASE EN CIRCUITOS, RL Y RLC SERIE.

CAPITULO 5. Corriente alterna 1. ANÁLISIS DE IMPEDANCIAS Y ÁNGULOS DE FASE EN CIRCUITOS, RL Y RLC SERIE. CAPITULO 5 Corriente alterna 1. ANÁLISIS DE IMPEDANCIAS Y ÁNGULOS DE FASE EN CIRCUITOS, RL Y RLC SERIE. Inductor o bobina Un inductor o bobina es un elemento que se opone a los cambios de variación de

Más detalles

Trabajo práctico Nº 1

Trabajo práctico Nº 1 Circuito de acoplamiento 1. Introducción 1.1. Requisitos 2. Funcionamiento 2.1. Sintonización 2.2. Adaptación 3. Diseño 3.1. Consideraciones generales 3.2. Diseño inductor 3.3. Factor de calidad 3.4. Cálculo

Más detalles

Apéndice B Construcción de Bobinas

Apéndice B Construcción de Bobinas Apéndice B Construcción de Bobinas B.1 Características de una Bobina. El diseño de los inductores se basa en el principio de que un campo magnético variable induce un voltaje en cualquier conductor en

Más detalles

Carrera: Ingeniería en Mecatrónica. Clave de la asignatura: Horas teoría-horas práctica-créditos: 4-2-10 ASIGNATURAS TEMAS ASIGNATURAS TEMAS

Carrera: Ingeniería en Mecatrónica. Clave de la asignatura: Horas teoría-horas práctica-créditos: 4-2-10 ASIGNATURAS TEMAS ASIGNATURAS TEMAS 1. - DATOS DE LA ASIGNATURA Nombre de la asignatura: Electricidad y Magnetismo Carrera: Ingeniería en Mecatrónica Clave de la asignatura: Horas teoría-horas práctica-créditos: 4-2-10 2. - UBICACIÓN a)

Más detalles

Máster Universitario en Profesorado

Máster Universitario en Profesorado Máster Universitario en Profesorado Complementos para la formación disciplinar en Tecnología y procesos industriales Aspectos básicos de la Tecnología Eléctrica Contenido (II) SEGUNDA PARTE: corriente

Más detalles

Diseño de Amplificadores de mediana potencia para aplicaciones WiMAX

Diseño de Amplificadores de mediana potencia para aplicaciones WiMAX Diseño de Amplificadores de mediana potencia para aplicaciones WiMAX Liliana CARDOZA, Everardo INZUNZA, Rosa Martha LOPEZ, Enrique Efrén GARCIA, Jesús Everardo OLGUIN Facultad de Ingeniería Ensenada, Universidad

Más detalles

REVISTA COLOMBIANA DE FÍSICA, VOL. 34, No. 1. 2002

REVISTA COLOMBIANA DE FÍSICA, VOL. 34, No. 1. 2002 POSICIONADOR PARA BANCO ÓPTICO A PARTIR DE VARIACIÓN DE INDUCTANCIA Y LVDT CON SISTEMAS DE ADQUISICIÓN ANÁLOGO DIGITAL Y PROGRAMACIÓN LABVIEW C. G. López b y L. C. Jiménez 1 Grupo de Películas Delgadas,

Más detalles

IMPLEMENTACIÓN DE UN CONVERSOR RF-DC COMO PARTE DE UN SISTEMA DE MODULACIÓN POR ABSORCIÓN

IMPLEMENTACIÓN DE UN CONVERSOR RF-DC COMO PARTE DE UN SISTEMA DE MODULACIÓN POR ABSORCIÓN IMPLEMENTACIÓN DE UN CONVERSOR RF-DC COMO PARTE DE UN SISTEMA DE MODULACIÓN POR ABSORCIÓN Daniel Crepaldo, Eduardo Prina, María Isabel Schiavon E-mail: crepaldo@fceia.unr.edu.ar, eprina@fceia.unr.edu.ar,

Más detalles

CIRCUITOS ELECTRICOS I

CIRCUITOS ELECTRICOS I 1. JUSTIFICACIÓN. CIRCUITOS ELECTRICOS I PROGRAMA DEL CURSO: Circuitos Eléctricos I AREA: MATERIA: Circuitos Eléctricos I CODIGO: 3001 PRELACIÓN: Electricidad y Magnetismo UBICACIÓN: IV T.P.L.U: 5.0.0.5

Más detalles

Optimización del modelo en pequeña señal del transistor bipolar de heterounión de SiGe para altas frecuencias y ruido

Optimización del modelo en pequeña señal del transistor bipolar de heterounión de SiGe para altas frecuencias y ruido Científica, Vol14 Núm 3, pp 115-119, julio-septiembre 2010 ISSN 1665-0654, ESIME Instituto Politécnico Nacional MÉXICO Optimización del modelo en pequeña señal del transistor bipolar de heterounión de

Más detalles

11533 - CIRCOM - Circuitos para Comunicaciones

11533 - CIRCOM - Circuitos para Comunicaciones Unidad responsable: 230 - ETSETB - Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación de Barcelona Unidad que imparte: 710 - EEL - Departamento de Ingeniería Electrónica Curso: Créditos: 2014 6

Más detalles

Dispositivos de las tecnologías CMOS

Dispositivos de las tecnologías CMOS Dispositivos de las tecnologías CMOS MOSFET: canal N y canal P (únicos dispositivos en chips digitales) BJT: PNP de mala calidad (dispositivos parásitos. Se usan como diodos) Resistencias Condensadores

Más detalles

Las resistencias disipan la energía, los capacitores e inductores la almacenan. Un capacitor es un elemento pasivo diseñado para almacenar energía en

Las resistencias disipan la energía, los capacitores e inductores la almacenan. Un capacitor es un elemento pasivo diseñado para almacenar energía en CAPACITORES Las resistencias disipan la energía, los capacitores e inductores la almacenan. Un capacitor es un elemento pasivo diseñado para almacenar energía en su campo eléctrico. Construcción Están

Más detalles

Anexo 3.1 Respuesta en Frecuencia: Filtros

Anexo 3.1 Respuesta en Frecuencia: Filtros ELC-333 Teoría de Control Anexo 3. : Filtros Prof. Francisco M. Gonzalez-Longatt fglongatt@ieee.org http://www.giaelec.org/fglongatt/sp.htm . Filtros Se denomina filtro a un circuito sensible a la frecuencia

Más detalles

Comunicaciones (5º año) Definición: Se denomina así a un amplificador que cumple dos condiciones:

Comunicaciones (5º año) Definición: Se denomina así a un amplificador que cumple dos condiciones: Amplificadores de RF Comunicaciones (5º año) - De pequeña señal de RF Amp. ó de señal débil de FI De RF - De potencia o de (sintonizados) gran señal Amplificadores de señal débil Definición: Se denomina

Más detalles

Usos de un Analizador de Respuesta en Frecuencia

Usos de un Analizador de Respuesta en Frecuencia Usos de un Analizador de Respuesta en Frecuencia La respuesta en frecuencia es la medida del espectro de salida de un sistema en respuesta a un estímulo. El análisis de respuesta en frecuencia mide la

Más detalles

Componentes pasivos. Diferencias entre componentes reales e ideales

Componentes pasivos. Diferencias entre componentes reales e ideales Componentes pasivos Diferencias entre componentes reales e ideales 2 3 Componentes Electrónicos Pasivos RESISTORES CONSTRUCCIÓN VALOR RELACIÓN V/I SMD TERMINALES FIJOS VARIABLES LINEALES NO LINEALES Componentes

Más detalles

CAPÍTULO III. ETAPA DE CONVERSIÓN Y FILTRADO. de la industria tienen algo en común, la utilización de electrónica de potencia dentro de

CAPÍTULO III. ETAPA DE CONVERSIÓN Y FILTRADO. de la industria tienen algo en común, la utilización de electrónica de potencia dentro de CAPÍTULO III. ETAPA DE CONVERSIÓN Y FILTRADO 3.. Introducción. Muchos de los sistemas electrónicos utilizados para aplicaciones dentro del campo de la industria tienen algo en común, la utilización de

Más detalles

Objetivo de la actividad

Objetivo de la actividad Tema 3. Inductancia Objetivo de la actividad Al finalizar la actividad serás capaz de: Definir los conceptos más importantes que definen a un inductor, y presentarlos en el uso de circuitos eléctricos.

Más detalles

UNIVERSIDAD DE PUERTO RICO EN HUMACAO DEPARTAMENTO DE FÍSICA Y ELECTRÓNICA PROGRAMA DE GRADO ASOCIADO EN TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

UNIVERSIDAD DE PUERTO RICO EN HUMACAO DEPARTAMENTO DE FÍSICA Y ELECTRÓNICA PROGRAMA DE GRADO ASOCIADO EN TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA UNIVERSIDAD DE PUERTO RICO EN HUMACAO DEPARTAMENTO DE FÍSICA Y ELECTRÓNICA PROGRAMA DE GRADO ASOCIADO EN TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA A Título: B Codificación del curso: TEEL 1021 C Numero de horas crédito:

Más detalles

TEMA I. Teoría de Circuitos

TEMA I. Teoría de Circuitos TEMA I Teoría de Circuitos Electrónica II 2009 1 1 Teoría de Circuitos 1.1 Introducción. 1.2 Elementos básicos 1.3 Leyes de Kirchhoff. 1.4 Métodos de análisis: mallas y nodos. 1.5 Teoremas de circuitos:

Más detalles

Mediciones eléctricas XII

Mediciones eléctricas XII Mediciones eléctricas XII Profesor: Gabriel Ordóñez Plata Transformadores de medida Seria difícil y poco práctico desarrollar medidores de señales eléctricas para manejo de altas tensiones y altas corrientes.

Más detalles

Centro de Bachillerato Tecnológico Industrial y de Servicios nº 137. Submódulo: Prueba Circuitos Eléctricos y Electrónicos Para Sistemas de Control

Centro de Bachillerato Tecnológico Industrial y de Servicios nº 137. Submódulo: Prueba Circuitos Eléctricos y Electrónicos Para Sistemas de Control Centro de Bachillerato Tecnológico Industrial y de Servicios nº 137 Submódulo: Prueba Circuitos Eléctricos y Electrónicos Para Sistemas de Control Profr. Ing. Cesar Roberto Cruz Pablo Enrique Lavín Lozano

Más detalles

PRUEBAS DE ACCESO A LA UNIVERSIDAD L.O.G.S.E.

PRUEBAS DE ACCESO A LA UNIVERSIDAD L.O.G.S.E. PRUEBAS DE ACCESO A LA UNIVERSIDAD L.O.G.S.E. CURSO 000-001 - CONVOCATORIA: ELECTROTECNIA EL ALUMNO ELEGIRÁ UNO DE LOS DOS MODELOS Criterios de calificación.- Expresión clara y precisa dentro del lenguaje

Más detalles

Capítulo IV. Modelo de transmisión inalámbrica de energía

Capítulo IV. Modelo de transmisión inalámbrica de energía Capítulo IV. Modelo de transmisión inalámbrica de energía 4.1. Análisis del transformador ideal Un transformador ideal es un dispositivo sin pérdidas que tiene un devanado de entrada y un devanado de salida

Más detalles

Práctica 2: Medidas de Voltaje DC, Potencia y Capacitancia

Práctica 2: Medidas de Voltaje DC, Potencia y Capacitancia Práctica 2: Medidas Voltaje DC, Potencia y Capacitancia Objetivos: Medir voltaje y potencia en circuitos divisores voltaje. Medir capacitancia. Medir voltajes, tiempos carga y scargas y diferencias fase

Más detalles

INDICE Capitulo Uno Circuitos de Corriente Directa (CD) Capitulo Dos. Circuitos de Corriente Alterna (CA) Capitulo Tres. Transductores de Entrada

INDICE Capitulo Uno Circuitos de Corriente Directa (CD) Capitulo Dos. Circuitos de Corriente Alterna (CA) Capitulo Tres. Transductores de Entrada INDICE Capitulo Uno Circuitos de Corriente Directa (CD) 1 Introducción 1 Diferencia de potencial 1 Corriente 2 Resistencia de ley de Ohm 3 Potencia 4 Ecuaciones de Kirchhoff 5 El método de la malla cerrada

Más detalles

Electrónica para Sistemas de Comunicación

Electrónica para Sistemas de Comunicación Electrónica para Sistemas de Comunicación Profesor: Dr. Hildeberto Jardón Aguilar OBJETIVOS Los objetivos del curso son capacitar a los estudiantes de maestría para resolver una serie de tareas que se

Más detalles

CÁLCULO, SIMULACIÓN E IMPLEMENTACIÓN DE UN TRANSFORMADOR DE ALTO VOLTAJE PARA APLICACIÓN EN DESCARGAS CON BARRERA DIELÉCTRICA T.G.

CÁLCULO, SIMULACIÓN E IMPLEMENTACIÓN DE UN TRANSFORMADOR DE ALTO VOLTAJE PARA APLICACIÓN EN DESCARGAS CON BARRERA DIELÉCTRICA T.G. CÁLCULO, SIMULACIÓN E IMPLEMENTACIÓN DE UN TRANSFORMADOR DE ALTO VOLTAJE PARA APLICACIÓN EN DESCARGAS CON BARRERA DIELÉCTRICA T.G. 1017 JUAN JOSÉ CORREA ACOSTA ARNOLD FABIAN WIESNER HERNANDEZ DIRIGIDO

Más detalles

Análisis de estabilidad no lineal en amplificadores de microondas realimentados

Análisis de estabilidad no lineal en amplificadores de microondas realimentados Análisis de estabilidad no lineal en amplificadores de microondas realimentados Alumno: Natanael Ayllón Rozas, Tutores: Juan Mari Collantes, Joaquín Portilla Resumen El objetivo de este trabajo dirigido

Más detalles

TRANSFORMADOR NÚCLEOS

TRANSFORMADOR NÚCLEOS TRANSFORMADOR El transformador es un dispositivo que convierte energía eléctrica de un cierto nivel de voltaje, en energía eléctrica de otro nivel de voltaje, por medio de la acción de un campo magnético.

Más detalles

ELEMENTOS DE UN CIRCUITO Unidad 1. Conceptos básicos de electricidad

ELEMENTOS DE UN CIRCUITO Unidad 1. Conceptos básicos de electricidad ELEMENTOS DE UN CIRCUITO Unidad 1. Conceptos básicos de electricidad Qué elementos componen un circuito eléctrico? En esta unidad identificaremos los elementos fundamentales de un circuito eléctrico, nomenclatura

Más detalles

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA RESUMEN La revolución tecnológica que vive la sociedad actual se debe en gran parte a la electrónica gracias a la innumerable cantidad de aparatos

Más detalles

Unidad9 CARACTERISTICAS DIELECTRICAS Y AISLAN- TES DE LOS MATERIALES

Unidad9 CARACTERISTICAS DIELECTRICAS Y AISLAN- TES DE LOS MATERIALES Unidad9 CARACTERISTICAS DIELECTRICAS Y AISLAN- TES DE LOS MATERIALES 1 PRESENTACION El diseño óptimo de un componente no conductor de la corriente eléctrica requiere el compromiso de una buena conformación,

Más detalles

Resistencias. Resistencias. Resistencias variables. Tolerancia. Potencia de disipación

Resistencias. Resistencias. Resistencias variables. Tolerancia. Potencia de disipación Elementos Pasivos Un elemento pasivo es aquel que no es capaz de entregar potencia al circuito en el cual está conectado esistencia Condensador Bobina esistencia Clasificación según el elemento resistivo

Más detalles

UNIVERSIDAD VERACRUZANA. CENTRO DE INVESTIGACIÓN EN MICRO Y NANOTECNOLOGÍA Maestría en Ciencias en Micro y Nanosistemas

UNIVERSIDAD VERACRUZANA. CENTRO DE INVESTIGACIÓN EN MICRO Y NANOTECNOLOGÍA Maestría en Ciencias en Micro y Nanosistemas UNIVERSIDAD VERACRUZANA CENTRO DE INVESTIGACIÓN EN MICRO Y NANOTECNOLOGÍA Maestría en Ciencias en Micro y Nanosistemas DATOS GENERALES Nombre de la experiencia educativa Diseño de Microcircuitos para Comunicaciones

Más detalles

UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS, AGRIMENSURA E INGENIERIA. Telecomunicaciones.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS, AGRIMENSURA E INGENIERIA. Telecomunicaciones. UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS, AGRIMENSURA E INGENIERIA. Telecomunicaciones. Transmisión de información por radiación electromagnética. Radios. Atenas. La presente monografía

Más detalles

SISTEMA DE PUESTA A TIERRA ELECTROMAGNÉTICO TERRAGAUSS.

SISTEMA DE PUESTA A TIERRA ELECTROMAGNÉTICO TERRAGAUSS. SISTEMA DE PUESTA A TIERRA ELECTROMAGNÉTICO TERRAGAUSS. En toda instalación eléctrica se pueden producir fallas que pongan en peligro la integridad física de las personas así como dañar los equipos eléctricos

Más detalles

TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO EN ENERGÍAS RENOVABLES

TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO EN ENERGÍAS RENOVABLES TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO EN ENERGÍAS RENOVABLES HOJA DE ASIGNATURA CON DESGLOSE DE UNIDADES TEMÁTICAS 1. Nombre de la asignatura Electricidad y Magnetismo 2. Competencias Formular proyectos de energías

Más detalles

Capítulo 6 Diseño de Transmisores

Capítulo 6 Diseño de Transmisores Capítulo 6 Diseño de Transmisores 6.1 Consideraciones para el Diseño de Circuitos de RF. En el caso de RF en el proceso de diseño el efecto de la propagación de la onda en la operación del circuito es

Más detalles

CAPÍTULO 2 SISTEMA ELECTROACÚSTICO 2.1 ANTECEDENTES. Como hemos mencionado anteriormente, la finalidad de este trabajo no es que los

CAPÍTULO 2 SISTEMA ELECTROACÚSTICO 2.1 ANTECEDENTES. Como hemos mencionado anteriormente, la finalidad de este trabajo no es que los CAPÍTULO 2 SISTEMA ELECTROACÚSTICO 2.1 ANTECEDENTES Como hemos mencionado anteriormente, la finalidad de este trabajo no es que los hipoacúsicos escuchen perfectamente, sino que todos los afectados por

Más detalles

Carrera: MTM-0515 3-2-8. Participantes Representante de las academias de ingeniería Mecatrónica de los Institutos Tecnológicos. Academia de Ingeniería

Carrera: MTM-0515 3-2-8. Participantes Representante de las academias de ingeniería Mecatrónica de los Institutos Tecnológicos. Academia de Ingeniería 1.- DATOS DE LA ASIGNATURA Nombre de la asignatura: Carrera: Clave de la asignatura: Horas teoría-horas práctica-créditos: Electricidad y Magnetismo Ingeniería Mecatrónica MTM-0515 3-2-8 2.- HISTORIA DEL

Más detalles

División sistemas de alimentación (inductivos)

División sistemas de alimentación (inductivos) División sistemas de alimentación (inductivos) Componentes inductivos PRODUCTOS: Inductancias. Transformadores para fuentes lineales. Transformadores de alta frequencia. Standard. Custom Filtros. Choque

Más detalles

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN FACULTAD DE MATEMÁTICAS LICENCIATURA EN CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN FACULTAD DE MATEMÁTICAS LICENCIATURA EN CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN FACULTAD DE MATEMÁTICAS LICENCIATURA EN CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN MATERIA : ELECTRÓNICA DIGITAL NIVEL : PRIMER SEMESTRE Última actualización: Julio 25, 2002. Autores: M.

Más detalles

TÉCNICAS DE APRENDIZAJE EN EL LABORATORIO DE MEDIDAS E INSTRUMENTACIÓN PARA LA CARACTERIZACIÓN DE CIRCUITOS DE RADIO FRECUENCIA (RF)

TÉCNICAS DE APRENDIZAJE EN EL LABORATORIO DE MEDIDAS E INSTRUMENTACIÓN PARA LA CARACTERIZACIÓN DE CIRCUITOS DE RADIO FRECUENCIA (RF) TÉCNICAS DE APRENDIZAJE EN EL LABORATORIO DE MEDIDAS E INSTRUMENTACIÓN PARA LA CARACTERIZACIÓN DE CIRCUITOS DE RADIO FRECUENCIA (RF) 1. Introducción R.Berenguer 1, I. Gutiérrez 2, H.Solar 1, I.Sancho 1,

Más detalles

Física II. Carrera: SCM - 0410 3-2-8. Participantes. Representantes de la academia de sistemas computacionales de los Institutos Tecnológicos.

Física II. Carrera: SCM - 0410 3-2-8. Participantes. Representantes de la academia de sistemas computacionales de los Institutos Tecnológicos. 1.- DATOS DE LA ASIGNATURA Nombre de la asignatura: Carrera: Clave de la asignatura: Horas teoría-horas práctica-créditos Física II Ingeniería en Sistemas Computacionales SCM - 0410 3-2-8 2.- HISTORIA

Más detalles

Práctica #2. By K. Ing.kieigi@misena.edu.co

Práctica #2. By K. Ing.kieigi@misena.edu.co Práctica #2 By K. Ing.kieigi@misena.edu.co Práctica #2. Transformadores e Inductores Integrantes: Gissette Ivonne Cortés Alarcón Presentado a: Instructor Leider Gaitán Tecnólogo en Mantenimiento Electrónico

Más detalles

MMICs en el Régimen de Ondas Milimétricas

MMICs en el Régimen de Ondas Milimétricas MMICs en el Régimen de Ondas Milimétricas Huei Wang, Kun-You Lin, Zuo-Min Tsai, Liang-Hung Lu, Hsin-Chia Lu, Chi-Hsueh Wang, Jeng-Han Tsai, Tian-Wei Huang, y Yi-Cheng Lin L os circuitos integrados monolíticos

Más detalles

CAPITULO 5. Corriente alterna

CAPITULO 5. Corriente alterna CAPITULO 5 Corriente alterna Se denomina Corriente Alterna (CA) a la corriente eléctrica en la cual la magnitud y el sentido varían periódicamente, siendo la forma sinusoidal la más utilizada. El uso doméstico

Más detalles

Transmisión y Recepción de Comunicaciones (66.76) Guía de Ejercicios

Transmisión y Recepción de Comunicaciones (66.76) Guía de Ejercicios Guía de Ejercicios 1 Contenido Magnitudes Logarítmicas... 3 Líneas de Transmisión... 5 Carta de Smith... 7 Impedancias sobre la Carta de Smith... 7 Líneas de transmisión sobre la Carta de Smith... 8 Parámetros

Más detalles

INDICE Capitulo I. 1. Introducción a los Principios de las Máquinas Capitulo 2. Transformadores

INDICE Capitulo I. 1. Introducción a los Principios de las Máquinas Capitulo 2. Transformadores INDICE Prefacio XXI Capitulo I. 1. Introducción a los Principios de las Máquinas 1.1. Las máquinas eléctricas y los transformadores en la vida cotidiana 1 1.2. Nota sobre las unidades y notación Notación

Más detalles

Diseño de amplificadores de potencia aplicados a comunicaciones móviles inalámbricas Catarino Alor Aguilar, David H. Covarrubias Rosales*

Diseño de amplificadores de potencia aplicados a comunicaciones móviles inalámbricas Catarino Alor Aguilar, David H. Covarrubias Rosales* Diseño de amplificadores de potencia aplicados a comunicaciones móviles inalámbricas Catarino Alor Aguilar, David H. Covarrubias Rosales* Abstract This work deals with the use of bipolar transistors (BJT)

Más detalles

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI Tecnología Microelectrónica Pagina 1 4- FABRICACIÓN DEL FET Describiendo el proceso secuencia de la elaboración del NMOS de acumulación y de dispositivos de deplexion, queda explicada la fabricación de

Más detalles

RESPUESTA A LA FRECUENCIA

RESPUESTA A LA FRECUENCIA Respuesta en frecuencia_rev005 1 RESPUESTA A LA FRECUENCIA Realizado por: Sr. Andrés Equiza Revisión 005 por : 1. Comportamiento de XL y Xc en función de ω Un circuito eléctrico con elementos como inductores

Más detalles

CATEDRA: ELECTROTECNIA Y MAQUINAS ELECTRICAS TRABAJO PRACTICO DE LABORATORIO Nº 2 TITULO: CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA USO DEL OSCILOSCOPIO

CATEDRA: ELECTROTECNIA Y MAQUINAS ELECTRICAS TRABAJO PRACTICO DE LABORATORIO Nº 2 TITULO: CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA USO DEL OSCILOSCOPIO UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL FACULTAD REGIONAL ROSARIO DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA CATEDRA: ELECTROTECNIA Y MAQUINAS ELECTRICAS TRABAJO PRACTICO DE LABORATORIO Nº 2 TITULO: CIRCUITOS DE CORRIENTE

Más detalles

Cuando un condensador se comporta como una bobina

Cuando un condensador se comporta como una bobina Cuando un condensador se comporta como una bobina Milagros Montijano Moreno Objetivo Se pretende señalar en este trabajo la diferencia entre el componente electrónico ideal y el real y aportar un procedimiento

Más detalles

Asignatura: Electromagnetismo Programa por objetivos

Asignatura: Electromagnetismo Programa por objetivos Asignatura: Electromagnetismo Programa por objetivos PRESENTACION Y ENCUADRE CARGA Y CAMPO ELÉCTRICO...3......3..4......3.3..3..3.3.3.4 CARGA ELECTRICA Evolución del concepto de carga eléctrica. Estructura

Más detalles

Preestudio para el desarrollo de un equipo de calentamiento por inducción.

Preestudio para el desarrollo de un equipo de calentamiento por inducción. Preestudio para el desarrollo de un equipo de calentamiento por inducción. Mariano uenca Alba, Ingeniero Técnico Telecomunicación e-segainvex, Universidad Autónoma de Madrid. Objetivos: Se pretende estudiar

Más detalles

Ejemplo 2. Velocidad de arrastre en un alambre de cobre

Ejemplo 2. Velocidad de arrastre en un alambre de cobre Ejemplo 1 Cual es la velocidad de desplazamiento de los electrones en un alambre de cobre típico de radio 0,815mm que transporta una corriente de 1 A? Si admitimos que existe un electrón libre por átomo

Más detalles

Capacitores de película de sulfuro de polifenileno (PPS) para montaje superficial

Capacitores de película de sulfuro de polifenileno (PPS) para montaje superficial CAPACITORES INTRODUCCIÓN Los capacitores son componentes eléctricos y electrónicos capaces de almacenar energía eléctrica, la cantidad de energía almacenada dependerá de las características del mismo componente.

Más detalles

PRÁCTICA 3. MEDIDA DE IMPEDANCIAS: PUENTE DE WHEATSTONE, MEDIDOR LCR. CARACTERIZACIÓN DE FILTROS.

PRÁCTICA 3. MEDIDA DE IMPEDANCIAS: PUENTE DE WHEATSTONE, MEDIDOR LCR. CARACTERIZACIÓN DE FILTROS. PRÁCTICA 3. MEDIDA DE IMPEDANCIAS: PUENTE DE WHEATSTONE, MEDIDOR LCR. CARACTERIZACIÓN 1 Objetivo. DE FILTROS. Realizar medidas de componentes pasivos. Diseño y caracterización de filtros activos y pasivos

Más detalles

DISEÑO DE UN CONVERTIDOR ANÁLOGO-DIGITAL INTEGRADO TIPO PARALELO

DISEÑO DE UN CONVERTIDOR ANÁLOGO-DIGITAL INTEGRADO TIPO PARALELO DISEÑO DE UN CONVERTIDOR ANÁLOGO-DIGITAL INTEGRADO TIPO PARALELO Autores Iván Jaramillo J. i_jaramj@ing.unal.edu.co (1) Antonio García R. angarcia@uniandes.edu.co (2) Fernando Prieto Avellaneda (3) Carlos

Más detalles

S. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 2001.

S. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 2001. Tema 6. El transistor MOS Bibliografía A.S. Sedra, K.C. Smith, Circuitos Microelectrónicos, Oxford University Press, 004. S. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 00. Índice del Tema 6 ESTRUCTURA FÍSCA

Más detalles

TEMA 2. Dispositivos y modelos MOS.

TEMA 2. Dispositivos y modelos MOS. Ingeniería Técnica de Telecomunicación SS. EE. Curso 3º Microelectrónica I 20110/11 Resumen TEMA 2. Dispositivos y modelos MOS. 2.1 MOSFETs para VLSI: diseño físico-geométrico. Estructura del transistor

Más detalles

RESUMEN ~146~ Palabras clave: Capacitor, Ciclo de Trabajo, Convertidor CD-CD, Convertidor Elevador.

RESUMEN ~146~ Palabras clave: Capacitor, Ciclo de Trabajo, Convertidor CD-CD, Convertidor Elevador. Familia de Convertidores CD/CD de Alta Elevación y Usos en la Actualidad Fernando Medina Ríos Instituto Tecnológico de Celaya fernando.medina_itc.elec@hotmail.com Nimrod Vázquez Nava Instituto Tecnológico

Más detalles

Y ACONDICIONADORES TEMA

Y ACONDICIONADORES TEMA SENSORES Y ACONDICIONADORES TEMA 6 SENSORES CAPACITIVOS Profesores: Enrique Mandado Pérez Antonio Murillo Roldan Camilo Quintáns Graña Tema 6-1 SENSORES CAPACITIVOS Sensores basados en la variación de

Más detalles

ELEMENTOS ALMACENADORES DE

ELEMENTOS ALMACENADORES DE Capítulo ELEMENTOS ALMACENADORES DE ENERGÍA ELÉCTRICA Portada del Capítulo 5 2CAPÍTULO. ELEMENTOS ALMACENADORES DE ENERGÍA ELÉCTRICA. INTRODUCCIÓN Hasta este capitulo solo se han tratado circuitos resistivos,

Más detalles

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES EL TRANSISTOR BIPOLAR Dr. Ing.Eduardo A. Romero Los transitores bipolares se construyen con una fina capa de material semiconductor de tipo P entre dos capas de material

Más detalles

Unidad Nº 9 Inducción magnética

Unidad Nº 9 Inducción magnética Unidad Nº 9 Inducción magnética Inducción magnética 9.1 - Se coloca una bobina de alambre que contiene 500 espiras circulares con radio de 4 cm entre los polos de un electroimán grande, donde el campo

Más detalles

Modulo 3. Hilos y Señales. Fundamentos Cableado Estructurado. Copyright 2008 (basado PNIE-Cisco)

Modulo 3. Hilos y Señales. Fundamentos Cableado Estructurado. Copyright 2008 (basado PNIE-Cisco) Modulo 3 Hilos y Señales Objetivos del capítulo Comprender las caracteristicas eléctricas de los cables Aprender sobre la puesta a tierra Aprender sobre teoría óptica Aprender la teoría básica de conexiones

Más detalles

Tecnología de fabricación en VLSI

Tecnología de fabricación en VLSI Tecnología de fabricación en VLSI Clave del curso: EED307-3 (Opcional como curso relacionado con el proyecto de Maestría). INSTRUCTOR: SESION: PERIODO: Dr. Juan Luis del Valle Martes y Viernes, 9:00-11:00

Más detalles

CURSO TALLER ACTIVIDAD 15 TRANSFORMADOR

CURSO TALLER ACTIVIDAD 15 TRANSFORMADOR CURSO TALLER ACTIVIDAD 15 TRANSFORMADOR Un transformador es un elemento que transfiere energía de un circuito a otro mediante inducción electromagnética. Es un dispositivo eléctrico que sirve para bajar

Más detalles

PRÁCTICA # 1 EL MEDIDOR DE IMPEDANCIA

PRÁCTICA # 1 EL MEDIDOR DE IMPEDANCIA PRÁCTICA # 1 EL MEDIDOR DE IMPEDANCIA 1. Finalidad Familiarización con el medidor de impedancia general radio, modelo 1650-B. 2. Método Mediciones directas con sus elementos circuitales con su correspondiente

Más detalles

Los resistores, también conocidos como resistencias, son uno de los componentes más utilizados en los circuitos electrónicos.

Los resistores, también conocidos como resistencias, son uno de los componentes más utilizados en los circuitos electrónicos. RESISTENCIAS Los resistores, también conocidos como resistencias, son uno de los componentes más utilizados en los circuitos electrónicos. Es un componente de gran importancia, que a pesar de su sencillez,

Más detalles

ES 2 452 616 R1 ESPAÑA 11. Número de publicación: 2 452 616. Número de solicitud: 201200989 H01P 1/201 (2006.01)

ES 2 452 616 R1 ESPAÑA 11. Número de publicación: 2 452 616. Número de solicitud: 201200989 H01P 1/201 (2006.01) 19 OFICINA ESPAÑOLA DE PATENTES Y MARCAS ESPAÑA 11 21 Número de publicación: 2 452 616 Número de solicitud: 201200989 51 Int. CI.: H01P 1/201 (2006.01) 12 INFORME SOBRE EL ESTADO DE LA TÉCNICA R1 22 Fecha

Más detalles

INFORME DE. puntos de medición

INFORME DE. puntos de medición UNIVERSIDADD SIMON BOLIVAR Departamento de Electrónica y Circuitos EC 1113 Circuitos Electrónicos (Laboratorio) INFORME DE PRACTICAA Nº2 Verificar Conceptos Teóricos Relacionados con: Características Corriente-Voltaje

Más detalles

Ejercicios típicos de Señales

Ejercicios típicos de Señales Ejercicios típicos de Señales 1- Calcular el voltaje eficaz de la onda senoidal. 3V 2V V PP = 6V 1V V P = V PP /2 = 6/2 = 3V -1V V ef = V P * 0.707 = 3V* 0.707 = 2.12V -2V -3V 2- Calcular el valor pico

Más detalles

Máster en Mecatrónica EU4M Master in Mechatronic and Micro-Mechatronic Systems COMPONENTES PASIVOS. Fundamentos de Ingeniería Eléctrica

Máster en Mecatrónica EU4M Master in Mechatronic and Micro-Mechatronic Systems COMPONENTES PASIVOS. Fundamentos de Ingeniería Eléctrica Máster en Mecatrónica EU4M Master in Mechatronic and Micro-Mechatronic Systems COMPONENTES PASIVOS Fundamentos de Ingeniería Eléctrica Contenidos Resistencias Tipos Características Código de colores Potenciómetros

Más detalles

Principios de Electrónica para Altas Frecuencias

Principios de Electrónica para Altas Frecuencias Universidad de Chile Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticas Departamento de Ingeniería Eléctrica Principios de Electrónica para Altas Frecuencias Autor: Nicolás Reyes Profesor encargado: Dr. Javier

Más detalles

Contenido del módulo 3 (Parte 66)

Contenido del módulo 3 (Parte 66) 3.1 Teoría de los electrones Contenido del módulo 3 (Parte 66) Localización en libro "Sistemas Eléctricos y Electrónicos de las Aeronaves" de Paraninfo Estructura y distribución de las cargas eléctricas

Más detalles

40 años de Investigación y Desarrollo de Celdas Solares en el CINVESTAV

40 años de Investigación y Desarrollo de Celdas Solares en el CINVESTAV 40 años de Investigación y Desarrollo de Celdas Solares en el CINVESTAV Arturo Morales Acevedo CINVESTAV del IPN Departamento de Ingeniería Eléctrica Tópicos Breve reseña histórica. Tecnología actual para

Más detalles

LISTA DE FIGURAS... VII NOMENCLATURA... IX ABREVIACIONES... XI CAPÍTULO

LISTA DE FIGURAS... VII NOMENCLATURA... IX ABREVIACIONES... XI CAPÍTULO Tabla de Contenidos LISTA DE FIGURAS... VII NOMENCLATURA... IX ABREVIACIONES... XI CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN... 1 1.1. INTRODUCCIÓN GENERAL... 1 1.2. TRABAJOS PREVIOS... 3 1.2.1 Equipos Comerciales... 3

Más detalles

CIRCUITOS DC Y AC. En las fuentes reales, ya sean de voltaje o corriente, siempre se disipa una cierta cantidad de energía en forma de calor.

CIRCUITOS DC Y AC. En las fuentes reales, ya sean de voltaje o corriente, siempre se disipa una cierta cantidad de energía en forma de calor. CIRCUITOS DC Y AC 1. Fuentes de tensión y corriente ideales.- Una fuente ideal de voltaje se define como un generador de voltaje cuya salida V=V s es independiente de la corriente suministrada. El voltaje

Más detalles

MASTER DEGREE: Industrial Systems Engineering

MASTER DEGREE: Industrial Systems Engineering PAC- Performance-centered Adaptive Curriculum for Employment Needs Programa ERASMUS: Acción Multilateral - 517742-LLP-1-2011-1-BG-ERASMUS-ECUE MASTER DEGREE: Industrial Systems Engineering ASIGNATURA ISE3:

Más detalles

Formato para prácticas de laboratorio

Formato para prácticas de laboratorio Formato para prácticas de laboratorio Fecha de efectividad: 4 de febrero de 2004 UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE BAJA CALIFORNIA FACULTAD DE INGENIERÍA (UNIDAD MEXICALI) DOCUMENTO DEL SISTEMA DE CALIDAD CARRERA

Más detalles

VATÍMETRO PARA MEDIDA DE LAS CARACTERÍSTICAS MAGNÉTICAS DE LOS NÚCLEOS DE TRANSFORMADORES Y MATERIALES BOBINADOS.

VATÍMETRO PARA MEDIDA DE LAS CARACTERÍSTICAS MAGNÉTICAS DE LOS NÚCLEOS DE TRANSFORMADORES Y MATERIALES BOBINADOS. VATÍMETRO PARA MEDIDA DE LAS CARACTERÍSTICAS MAGNÉTICAS DE LOS NÚCLEOS DE TRANSFORMADORES Y MATERIALES BOBINADOS. El vatímetro proporciona medidas de precisión en tiempo real para las pérdidas en chapas

Más detalles

Implementación de un circuito integrado orientado a la enseñanza del proceso de diseño de circuitos analógicos básicos con tecnología CMOS.

Implementación de un circuito integrado orientado a la enseñanza del proceso de diseño de circuitos analógicos básicos con tecnología CMOS. 1 Implementación de un circuito integrado orientado a la enseñanza del proceso de diseño de circuitos analógicos básicos con tecnología CMOS. Gustavo. Patiño y José E. edo, Grupo de Microelectrónica y

Más detalles

UNICA Facultad de Ingeniería Mecánica

UNICA Facultad de Ingeniería Mecánica UNICA Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica CURSO Dibujo Electrónico Alumno Porras Dávalos Alexander Darwin Paginas de estudio porrasdavalosa1.wikispaces.com porrasdavalosa.wordpress.com porrasdavalosa.blogger.com

Más detalles

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE TAMAULIPAS

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE TAMAULIPAS R-RS-01-25-03 UNIVERSIDAD AUTONOMA DE TAMAULIPAS NOMBRE DE LA FACULTAD O UNIDAD ACADEMICA NOMBRE DEL PROGRAMA INGENIERO INDUSTRIAL NOMBRE DE LA ASIGNATURA ELECTRICIDAD Y MAGNETISMO PROGRAMA DE LA ASIGNATURA

Más detalles

Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1

Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 INDICE: Pg. Carátula 1 Introducción 2 Conocimientos Necesarios 2 1.0

Más detalles