INTRODUCCIÓN: OBJETIVOS:

Tamaño: px
Comenzar la demostración a partir de la página:

Download "INTRODUCCIÓN: OBJETIVOS:"

Transcripción

1 INTRODUCCIÓN: En el desarrollo de esta práctica se observará experimentalmente el comportamiento del transistor bipolar BJT como amplificador, mediante el diseño, desarrollo e implementación de dos amplificadores básicos mono etapa (Emisor Común y Colector común o seguidor de emisor) y se observará el comportamiento en acople multietapa considerando las condiciones de operación de pequeña señal. Se establecerán criterios para el análisis de corriente continua DC, elección de las polarizaciones para definir el punto de operación Q, análisis del circuito en AC utilizando los modelos de pequeña señal del transistor BJT y determinación de las características fundamentales de los amplificadores. OBJETIVOS: Comprobar experimentalmente el funcionamiento del transistor bipolar como amplificador de pequeña señal en región activa. Observar el comportamiento experimental de los amplificadores mono etapa y de dos etapas Caracterizar experimentalmente algunas de las propiedades de los amplificadores. 1. ANTECEDENTES: Una de las condiciones fundamentales para la operación del transistor como amplificador es que, de acuerdo con la polarización del transistor de base emisor (Directa) y de base colector (Inversa), éste se encuentre operando en la región activa. El problema de polarización consistirá en establecer una corriente constante continua en el colector que debe ser predecible e insensible a variaciones de temperatura y del valor β. Para el análisis de este tipo de circuitos se requiere evaluar dos condiciones fundaménteles: 1.1 ELECCIÓN DEL PUNTO DE OPERACIÓN Q: El punto de operación Q de un transistor define la región de operación de acuerdo a la polarización de sus terminales. Para los amplificadores, éste punto de operación debe ser escogido de tal manera que al polarizar el transistor, éste se encuentre en la región activa. Para ello se elige la polarización que va a tener el amplificador, la cual debe estar acorde con las características de la fuente de polarización, de la amplitud de las señales de salida y principalmente con las limitaciones de voltaje y corriente que tenga el dispositivo. Una vez definido este voltaje se debe escoger una resistencia de colector considerando las características del amplificador que se desee diseñar y las limitaciones de la corriente máxima de colector, de acuerdo con esto, es posible trazar la recta de carga como se observa en la Ilustración 1 y a partir de ella escoger un punto de polarización sobre ésta, cabe de notar que esta recta define el comportamiento del punto de polarización con las variaciones de la resistencia de colector. Una vez definida dicha recta, se puede usar algún criterio empírico para la determinación de dicho punto. Un criterio muy utilizado consiste en elegir el punto de polarización sobre la mitad de la recta de carga haciendo que /2 o un valor aproximado, con ello determina la corriente de base y la respectiva corriente de colector de polarización como se indica en la Ilustración 1.

2 I βq = I CQ BQ I = I I EQ CQ BQ I CQ I BQ Recta de carga V CEQ = V CC /2 Ilustración 1. Selección del Punto de Polarización o Punto Q. Con lo anterior se pueden determinar otros parámetros como la ganancia de corriente, la corriente de emisor, los cuales, junto con las coordenadas del punto, servirán para determinar los parámetros de polarización, de los modelos de pequeña señal y del amplificador. 1.2 ANÁLISIS EN DC: Condiciones de polarización o análisis DC: consiste en encontrar condiciones de polarización de tal manera que el transistor opere en región activa y éste se encuentre en una región aproximadamente lineal. Para ello en el análisis de un amplificador se debe: Encontrar un circuito equivalente en DC, para ello: Remplace los capacitores por circuitos abiertos (Recuerde la relación corriente voltaje en un capacitor dada por con voltaje constante resulta en 0) Remplace los inductores por cortocircuitos (Recuerde la impedancia de un inductor con 0 entonces 0) Tomando como ejemplo el circuito amplificador emisor común de lailustración 2, éste se encuentra polarizado por el divisor de tensión de las resistencias de base,, dado que hay corriente de entrada en la base, es necesario simplificar el análisis hallando el equivalente Thevenin en la base del transistor para ello determine: La resistencia equivalente de thevenin La fuente de voltaje equivalente de thevenin!

3 Ilustración 2 Amplificador Emisor Común Con lo anterior, se puede determinar las relaciones de corriente y voltaje del punto Q con el fin de obtener las resistencias que permitan fijar la polarización en el punto Q. para ello analizando el circuito de la Ilustración 3. C), donde se puede definir: " " dado que se conocen las coordenadas del punto Q y se había definido a partir de ésta expresión se puede encontrar " #$ " donde #$ %0.7para un transistor de silicio (preferiblemente consulte el datasheet del transistor), observe que con y las resistencias y son incógnitas, para solucionar esta trivialidad, se puede escoger un resistor ó y despejar el valor de la resistencia faltante. Otra forma es armar un sistema de ecuaciones con uno de los parámetros del amplificador en AC. Diseño Utilizando Método Indirecto: Para el método indirecto es necesario conocer las coordenadas del punto de polarización de tal manera que con ellas se permita determinar las resistencias que componen el circuito, para ello: Determine las coordenadas del punto de polarización Q como se indicó en lailustración 1 Determine el valor de ( Con ello encuentre el valor de la resistencia en emisor dado que )* * *, *, Determine la resistencia de Colector: para ello ), Donde.. " " / / Dado que / determine " (el corresponde al de transistor típicamente 0.7V) Para determinar las resistencias en la base: 1 (! Despeje

4 A B C I CQ I BQ V be V CEQ I EQ 1.3 ANÁLISIS AC: Ilustración 3 Circuito Equivalente Análisis DC, A) DC Aplicando las condiciones, B) DC Equivalente, C) Circuito de análisis. Se realiza para establecer el comportamiento de un circuito frente a una señal de entrada variable en el tiempo, para ello se debe: 1. Encontrar el circuito equivalente AC: Remplazando los capacitores por cortocircuitos (Recuerde la impedancia característica del capacitor 1/ con incrementos de la frecuencia 0) Remplazando los inductores por circuitos abiertos. Apagando las fuentes DC: o Apagar una fuente de voltaje DC consiste en remplazarla por un corto circuito. o Apagar una fuente de corriente DC consiste en remplazarla por un circuito abierto. Para el circuito de la Ilustración 2, el circuito equivalente AC corresponde al de la Ilustración 4 A) y B). 2. Remplazar los transistores por su modelo equivalente en pequeña señal: Utilice un modelo equivalente de pequeña señal (Hibrido 3 o hibrido T) Calcule los parámetros del modelo usando los valores del punto de polarización. Para el modelo de pequeña señal de la Ilustración 4 C): o Resistencia de entrada 4 5 6, donde algunos autores definen 4 $ 6,, o Es el voltaje térmico, 7 8 A una temperatura ambiente típica de 25º C 9 %25.8 < Constante de Boltzman =1.3806@10 AB C/ E F G Temperatura en grados Kelvin F G 273"F $HIJKI L1.6022@10 AM o Transconductancia: N O, 6 o Resistencia de salida:4 P Q *,, donde R corresponde a un voltaje debido al efecto Early.

5 A B b c e b c Vbe π e C Modelo de Pequeña Señal D Vi Ii π Vbe Vo Io Ilustración 4 Análisis AC, A) Circuito equivalente, B) Circuito AC simplificado, C) Modelo Transistor Pequeña Señal, D) Circuito Equivalente Aplicando el Modelo de Pequeña Señal 3. Encontrar los parámetros del amplificador. Partiendo del circuito equivalente AC. La ganancia de voltajes T : Es la relación de amplificación o ganancia del amplificador donde: U V W1 Se considera que la señal en la salida es de mayor amplitud que la entrada, U V 1 se considera que el amplificador es un seguidor de tensión o de voltaje U V X1 el amplificador es un atenuador, es decir la señal en la salida es de menor amplitud que la entrada. Un signo negativo en la ganancia indica que la señal de entrada respecto a la de salida se encuentra desfasada 180º Para propósitos de análisis encontrar la ganancia consistirá en encontrar una expresión que relacione la señal de entrada con la salida, tomando como ejemplo el circuito de la Ilustración 2: U V / N OY 4 5 [Y 4 P [ Y 4 5 [" I Impedancia de entrada \ ] : Se interpreta como la impedancia vista por la fuente, consiste en la impedancia equivalente en la entrada del amplificador, se obtiene calculando la resistencia equivalente en la entrada del amplificador sin tener en cuenta la fuente a la entrada ni su resistencia ^ y haciendo la resistencia de carga un corto circuito. J 4 5 Impedancia de salida \ _ :Consiste en la impedancia vista desde la carga, se obtiene calculando la resistencia equivalente en la salida sin tener en cuenta la resistencia de carga y haciendo la fuente de señal corto circuito. P 4 P Los parámetros anteriores pueden ser simplificados asumiendo que la 4 P es mucho mayor que las resistencias de carga y/o colector. 2. PREINFORME: Establezca el punto de operación Q para un transistor 2n2222, a partir de las gráficas obtenidas utilizando el trazador de curvas o en su defecto definirlo con datos obtenidos de curvas trazadas por simulación (Incluya éstas graficas indicando las coordenadas del punto Q y trace la recta de carga). Para establecer dicho punto defina el voltaje de polarización Vcc de su

6 circuito y un valor para la corriente de colector de acuerdo con la tabla 1 (estos valores son tomados de acuerdo a las características físicas del transistor). Determine el valor de y sobre este voltaje a partir de la corriente de colector definida, busque el valor de la corriente de colector en las curvas características y con ella determine la curva que más se aproxime y defina y `a$ Teniendo en cuenta los datos anteriores, realice el análisis DC para los amplificadores emisor común y colector común de las ilustraciones 5 y 6 respectivamente (Observe que para ambos circuitos los equivalentes DC son iguales), determine: los valores de las resistencias,,, usando método indirecto. Una vez lo anterior realice el análisis AC (Incluya el análisis para el seguidor de emisor), considere ^ 75Ω como resistencia de salida del generador, determine los parámetros de los Amplificadores (Impedancia de entrada, impedancia de salida y ganancia) y determine el valor de RL de tal manera que para el amplificador emisor común su ganancia de voltaje sea la correspondiente a la tabla 1. Con la información anterior determine la ganancia total si se realiza una cascada entre Seguidor emisor y Emisor común, y determine cual debe ser su impedancia de entrada equivalente y la de salida correspondiente. Realice la simulación de ambos circuitos y por simulación haga un barrido de frecuencias para que observe el comportamiento de ambos amplificadores con la frecuencia, determine frecuencias máximas y mínimas y frecuencia de resonancia. Con la frecuencia de resonancia, realice simulación en el tiempo y determine la ganancia de los amplificadores. Tabla 1 Parámetros de Diseño Suma Últimos Voltaje de Corriente de Ganancia Dígitos DNI Polarización colector Emisor Común V 120 ma V 130 ma V 150 ma 100 Ilustración 5 Amplificador Emisor Común

7 Ilustración 6. Amplificador Colector Común ó Seguidor de Emisor. Con los datos calculados, realice la simulación en frecuencia de ambos circuitos y determine las frecuencias de corte y la de resonancia (donde se presenta mayor valor de ganancia) EXPERIMENTO: Realice el montaje de ambos circuitos y determine experimentalmente para cada uno de ellos: A. La ganancia de voltaje B. La impedancia de entrada C. La impedancia de salida. Retire la carga del amplificador colector común y conecte su salida a la entrada del amplificador emisor común, y determine experimentalmente los ítems A, B y C. Determine por simulación el valor del voltaje Early para el transistor.

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO T Se eliminan las fuentes

Más detalles

Laboratorio Nº3. Procesamiento de señales con transistores

Laboratorio Nº3. Procesamiento de señales con transistores Laboratorio Nº3 Procesamiento de señales con transistores Objetivos iseñar redes de polarización para operar transistores JT y JFT en modo activo, y evaluar la estabilidad térmica de puntos de operación,

Más detalles

Transistor BJT; Respuesta en Baja y Alta Frecuencia

Transistor BJT; Respuesta en Baja y Alta Frecuencia Transistor BJT; Respuesta en Baja y Alta Frecuencia Universidad de San Carlos de Guatemala, Facultad de Ingeniería, Escuela de Mecánica Eléctrica, Laboratorio de Electrónica 2, Segundo Semestre 206, Aux.

Más detalles

PRÁCTICA 3 TRANSISTORES BIPOLARES: POLARIZACIÓN Y GENERADORES DE CORRIENTE

PRÁCTICA 3 TRANSISTORES BIPOLARES: POLARIZACIÓN Y GENERADORES DE CORRIENTE PÁCTCA 3 TANSSTOES BPOLAES: POLAZACÓN Y GENEADOES DE COENTE 1. OBJETVO. Se pretende que el alumno tome contacto, por primera vez en la mayor parte de los casos, con transistores bipolares, y que realice

Más detalles

Polarización del Transistor de Unión Bipolar (BJT)

Polarización del Transistor de Unión Bipolar (BJT) Polarización del Transistor de Unión Bipolar (BJT) J. I. Huircan Universidad de La Frontera November 21, 2011 Abstract Se tienen tres formas básicas para la polarización de un BJT: Polarización ja, autopolarización

Más detalles

TEMA 6: Amplificadores con Transistores

TEMA 6: Amplificadores con Transistores TEMA 6: Amplificadores con Transistores Contenidos del tema: El transistor como amplificador. Característica de gran señal Polarización. Parámetros de pequeña señal Configuraciones de amplificadores con

Más detalles

Practica 1 BJT y FET Amplificador de 2 Etapas: Respuesta en Baja y Alta Frecuencia

Practica 1 BJT y FET Amplificador de 2 Etapas: Respuesta en Baja y Alta Frecuencia Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 2 Primer Semestre 2015 Auxiliar: Edvin Baeza Practica 1 BJT y FET Amplificador

Más detalles

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR EN EMISOR COMÚN

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR EN EMISOR COMÚN 1) POLARIZACIÓN FIJA El circuito estará formado por un transistor NPN, dos resistencias fijas: una en la base R B (podría ser variable) y otra en el colector R C, y una batería o fuente de alimentación

Más detalles

TEOREMA DE THEVENIN. 1 P ágina SOLEC MEXICO

TEOREMA DE THEVENIN. 1 P ágina SOLEC MEXICO 1 P ágina SOLEC MEXICO TEOREMA DE THEVENIN Un circuito lineal con resistencias que contenga una o más fuentes de voltaje o corriente puede reemplazarse por una fuente única de voltaje y una resistencia

Más detalles

CONSEJOS PRÁCTICOS PARA LA RESOLUCIÓN DE PROBLEMAS

CONSEJOS PRÁCTICOS PARA LA RESOLUCIÓN DE PROBLEMAS Universidad Nacional de Rosario Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniería y Agrimensura Escuela de Ingeniería Electrónica Departamento de Electrónica ELECTRÓNICA III CONSEJOS PRÁCTICOS PARA LA RESOLUCIÓN

Más detalles

Contenido. Capítulo 2 Semiconductores 26

Contenido. Capítulo 2 Semiconductores 26 ROMANOS_MALVINO.qxd 20/12/2006 14:40 PÆgina vi Prefacio xi Capítulo 1 Introducción 2 1.1 Las tres clases de fórmulas 1.5 Teorema de Thevenin 1.2 Aproximaciones 1.6 Teorema de Norton 1.3 Fuentes de tensión

Más detalles

PRÁCTICA 6 AMPLIFICADOR MULTIETAPA CONFIGURACION EMISOR COMUN CON AUTOPOLARIZACION.

PRÁCTICA 6 AMPLIFICADOR MULTIETAPA CONFIGURACION EMISOR COMUN CON AUTOPOLARIZACION. PRÁCTIC 6 MPLIFICDOR MULTIETP CONFIGURCION EMISOR COMUN CON UTOPOLRIZCION. DESRROLLO 1.- rme el circuito de la siguiente figura y aplique a la señal de entrada una señal sinusoidal de 1 KHz. de frecuencia,

Más detalles

ELECTRÓNICA ANALÓGICA FORMATO DEL REPORTE DE PRÁCTICAS DEL LABORATORIO

ELECTRÓNICA ANALÓGICA FORMATO DEL REPORTE DE PRÁCTICAS DEL LABORATORIO FORMATO DEL REPORTE DE PRÁCTICAS DEL LABORATORIO PORTADA Nombre de la universidad Facultad de Ingeniería Ensenada Carrera Materia Alumno Nombre y número de Práctica Nombre del maestro Lugar y fecha CONTENIDO

Más detalles

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas. Capítulo VII: Amplificadores de RF de potencia

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas. Capítulo VII: Amplificadores de RF de potencia Capítulo VII: Amplificadores de RF de potencia 109 110 7. Amplificadores RF de potencia 7.1 Introducción El amplificador de potencia (PA) es la última etapa de un trasmisor. Tiene la misión de amplificar

Más detalles

Fuentes de corriente

Fuentes de corriente Fuentes de corriente 1) Introducción En Electrotecnia se estudian en forma teórica las fuentes de corriente, sus características y el comportamiento en los circuitos. Desde el punto de vista electrónico,

Más detalles

= CBD

= CBD ANCHO DE BANDA Cuando el valor máximo de la corriente a la derecha o a la izquierda de, desciende hasta á (se toma por dos razones). 1. Se tiene el valor absoluto de. Son los puntos de potencia media (±5

Más detalles

Laboratorio Amplificador Diferencial Discreto

Laboratorio Amplificador Diferencial Discreto Objetivos Laboratorio mplificador Diferencial Discreto Verificar el funcionamiento de un amplificador discreto. Textos de Referencia Principios de Electrónica, Cap. 17, mplificadores Diferenciales. Malvino,

Más detalles

EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO

EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO De la ecuación que define el umbral VDS = VGS -Vth

Más detalles

AMPLIFICACIÓN: ESTRUCTURAS BÁSICAS

AMPLIFICACIÓN: ESTRUCTURAS BÁSICAS 1 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Dispositivos Electrónicos II CURSO 2010-11 Temas 4,5 4,5 AMPLIFICACIÓN: ESTRUCTURAS BÁSICAS Miguel Ángel Domínguez Gómez Camilo Quintáns Graña PARTAMENTO TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

Más detalles

Comprobar experimentalmente la ley de Ohm y las reglas de Kirchhoff. Determinar el valor de resistencias.

Comprobar experimentalmente la ley de Ohm y las reglas de Kirchhoff. Determinar el valor de resistencias. 38 6. LEY DE OHM. REGLAS DE KIRCHHOFF Objetivo Comprobar experimentalmente la ley de Ohm y las reglas de Kirchhoff. Determinar el valor de resistencias. Material Tablero de conexiones, fuente de tensión

Más detalles

Transistor BJT: Fundamentos

Transistor BJT: Fundamentos Transistor BJT: Fundamentos Lección 05.1 Ing. Jorge Castro-Godínez Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica II Semestre 2013 Jorge Castro-Godínez Transistor BJT 1 / 48 Contenido

Más detalles

TRABAJO PRÁCTICO Nº 6 EL TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERÍSTICAS

TRABAJO PRÁCTICO Nº 6 EL TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERÍSTICAS 1) Introducción Teórica a) Generalidades TRABAJO PRÁCTICO Nº 6 EL TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERÍSTICAS El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales (emisor, base y colector), que, atendiendo

Más detalles

Componentes Electrónicos. Prácticas - PSPICE. Práctica 3: Transistores

Componentes Electrónicos. Prácticas - PSPICE. Práctica 3: Transistores "#$%&'()*&+,-#.+#'(/$%1+*1(2%(&#3%( 4*5*.%.,%"(&%#,16.+#*"( 71%'(2%(8%#.*&*9:'(&%#,16.+#'(( Prácticas - PSPICE Práctica 3: Transistores PRÁCTICA COMPLETA "#$%&'()*+,-.-*-##( Práctica 3: Transistores (Simulación

Más detalles

se requiere proyectar una etapa amplificadora tal que satisfaga el esquema y datos que se transcriben a continuación:

se requiere proyectar una etapa amplificadora tal que satisfaga el esquema y datos que se transcriben a continuación: 1.1.) Utilizando transistores efecto de campo de compuerta aislada de Canal permanente N, cuyos principales datos son: 5 ma (mínimo) -0,8 Volt (mínimo) BV DSS > 45 Volt - I DSS = 17 " (típico) - V p =

Más detalles

SIFeIS. CONCAyNT PLANTA EXTERIOR E IPR. CONCAyNT ELECTRÓNICA

SIFeIS. CONCAyNT PLANTA EXTERIOR E IPR. CONCAyNT ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA PLANTA EXTERIOR E IPR GUÍA DE ESTUDIOS DE ELECTRÓNICA PARA IPR Un agradecimiento especial al Co. FRANCISCO HERNANDEZ JUAREZ por la oportunidad y el apoyo para realizar este trabajo, así como

Más detalles

PROGRAMA INSTRUCCIONAL ELECTRONICA I

PROGRAMA INSTRUCCIONAL ELECTRONICA I UNIVERSIDAD FERMIN TORO VICE RECTORADO ACADEMICO UNIVERSIDAD FACULTAD DE INGENIERIA ESCUELA DE MANTENIMIENTO MECÁNICO ESCUELA DE TELECOMUNICACIONES ESCUELA DE ELÉCTRICA ESCUELA DE COMPUTACIÓN PROGRAMA

Más detalles

Web:

Web: FACULTAD POLITÉCNICA DIRECCIÓN ACADÉMICA I. IDENTIFICACIÓN PROGRAMA DE ESTUDIO Carrera : Ingeniería Eléctrica CARGA HORARIA - (Horas reloj) Asignatura : Electrónica Básica Carga Horaria Semestral 75 Semestre

Más detalles

Por supuesto, se puede llegar al mismo fin conociendo la ecuación para el manejo del elemento alineal.

Por supuesto, se puede llegar al mismo fin conociendo la ecuación para el manejo del elemento alineal. Diapositiva 1 from Horwitz & Hill p. 1059 Cuál es la corriente que atraviesa el diodo? I V diodo Un método tradicional de hallar el punto de funcionamiento de un es un circuito alineal es mediante líneas

Más detalles

Elemento de Control. Elemento de Muetreo. Figura 1 Estructura Básica Regulador de Voltaje

Elemento de Control. Elemento de Muetreo. Figura 1 Estructura Básica Regulador de Voltaje INTRODUCCIÓN: La región activa de un transistor es la región de operación intermedia entre corte y saturación y por lo tanto dependiendo de las polarizaciones el transistor se comportará como un amplificador.

Más detalles

LEY DE OHM Y PUENTE DE WHEATSTONE

LEY DE OHM Y PUENTE DE WHEATSTONE uned de Consorci Centre Associat la UNED de Terrassa Laboratori d Electricitat i Magnetisme (UPC) LEY DE OHM Y PUENTE DE WHEATSTONE Objetivo Comprobar experimentalmente la ley de Ohm. Determinar el valor

Más detalles

Aula Virtual Análisis de Circuitos D.C. Facultad Tecnológica Universidad Distrital Francisco José de Caldas.

Aula Virtual Análisis de Circuitos D.C. Facultad Tecnológica Universidad Distrital Francisco José de Caldas. http:///wpmu/gispud/ 3.7 EQUIVALENTE THEVENIN Y NORTON Ejercicio 52. Equivalente Thévenin y Norton. a) Determine el equivalente Thévenin visto desde los terminales a y b. Circuito 162. Equivalente Thévenin

Más detalles

Transistor (2 parte) Bipolar de union 20

Transistor (2 parte) Bipolar de union 20 Transistor (2 parte) Bipolar de union 20 Introduccion En este capítulo comenzaremos a utilizar el transistor para amplificar pequeñas señales. Aprenderemos a manipular las relaciones de corrientes entre

Más detalles

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar Análisis de la línea de carga de un transistor Estados del transistor El transistor PNP Modelos y análisis del transistor en gran señal Circuitos de

Más detalles

CONTENIDO PRESENTACIÓN. Capítulo 1 COMPONENTES SEMICONDUCTORES: EL DIODO... 1

CONTENIDO PRESENTACIÓN. Capítulo 1 COMPONENTES SEMICONDUCTORES: EL DIODO... 1 CONTENIDO PRESENTACIÓN Capítulo 1 COMPONENTES SEMICONDUCTORES: EL DIODO... 1 1.1 INTRODUCCIÓN...1 1.2 EL DIODO...2 1.2.1 Polarización del diodo...2 1.3 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO...4 1.3.1 Curva característica

Más detalles

INVERSORES RESONANTES

INVERSORES RESONANTES 3 INVERSORES RESONANTES 3.1 INTRODUCCIÓN Los convertidores de CD a CA se conocen como inversores. La función de un inversor es cambiar un voltaje de entrada en CD a un voltaje simétrico de salida en CA,

Más detalles

Electrónica 2. Práctico 3 Alta Frecuencia

Electrónica 2. Práctico 3 Alta Frecuencia Electrónica 2 Práctico 3 Alta Frecuencia Los ejercicios marcados con son opcionales. Además cada ejercicio puede tener un número, que indica el número de ejercicio del libro del curso (Microelectronic

Más detalles

SIMULACIÓN CON PROTEUS

SIMULACIÓN CON PROTEUS UNIVERSIDAD DEL VALLE ESCUELA DE INGENIERIA ELÉCTRICA Y ELÉCTRONICA CÁTEDRA DE PERCEPCIÓN Y SISTEMAS INTELIGENTES LABORATORIO 2: PROTEUS 1. OBJETIVOS SIMULACIÓN CON PROTEUS Introducir al estudiante en

Más detalles

REVISTA COLOMBIANA DE FISICA, VOL. 33, No

REVISTA COLOMBIANA DE FISICA, VOL. 33, No CÁLCULO DE LA CONSTANTE DE BOLTZMAN A PARTIR DE MEDIDAS DE LA CARACTERÍSTICA IV DE UNA CELDA SOLAR. M. Grizález*, C. Quiñones y G. Gordillo Departamento de Física, Universidad Nacional de Colombia, Bogotá,

Más detalles

Tema 4 CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL ENTRADA SIMPLE

Tema 4 CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL ENTRADA SIMPLE Tema 4 CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL ENTRADA SIMPLE Tema 4: Nociones generales Estructuras ideales CLASIFICACIÓN Salida Corriente Salida Tensión Entrada Corriente A. de Corriente Transrresistor

Más detalles

PRACTICA Nº 1 MEDICIONES SOBRE CIRCUITOS ELECTRONICOS

PRACTICA Nº 1 MEDICIONES SOBRE CIRCUITOS ELECTRONICOS UNIVERSIDAD SIMON BOLIVAR DPTO. ELECTRONICA Y CIRCUITOS CIRCUITOS ELECTRONICOS I EC1177 PRACTICA Nº 1 MEDICIONES SOBRE CIRCUITOS ELECTRONICOS OBJETIVO Familiarizar al estudiante con los conceptos fundamentales

Más detalles

ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase A Inconvenientes

ETAPAS DE SALIDA Etapa de salida Clase A Inconvenientes Etapa de salida Clase A Inconvenientes El mayor inconveniente de la etapa de salida clase A es que presenta una elevada disipación de potencia en ausencia de señal AC de entrada. En gran cantidad de aplicaciones

Más detalles

CAPITULO XII PUENTES DE CORRIENTE ALTERNA

CAPITULO XII PUENTES DE CORRIENTE ALTERNA CAPITULO XII PUENTES DE CORRIENTE ALTERNA 2. INTRODUCCION. En el Capítulo IX estudiamos el puente de Wheatstone como instrumento de medición de resistencias por el método de detección de cero. En este

Más detalles

INDICE Prologo Semiconductores II. Procesos de transporte de carga en semiconductores III. Diodos semiconductores: unión P-N

INDICE Prologo Semiconductores II. Procesos de transporte de carga en semiconductores III. Diodos semiconductores: unión P-N INDICE Prologo V I. Semiconductores 1.1. clasificación de los materiales desde el punto de vista eléctrico 1 1.2. Estructura electrónica de los materiales sólidos 3 1.3. conductores, semiconductores y

Más detalles

El transistor sin polarizar

El transistor sin polarizar EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT El transistor sin polarizar El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura: La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base"

Más detalles

7. CARACTERIZACIÓN DE SOBREVOLTAJES DE BAJA FRECUENCIA TEMPORALES PRODUCIDOS POR FALLAS

7. CARACTERIZACIÓN DE SOBREVOLTAJES DE BAJA FRECUENCIA TEMPORALES PRODUCIDOS POR FALLAS 64 7. CARACTERIZACIÓN DE SOBREVOLTAJES DE BAJA FRECUENCIA TEMPORALES PRODUCIDOS POR FALLAS Otro tipo de sobrevoltajes que se presentan en un sistema eléctrico son los llamados temporales, que se caracterizan

Más detalles

Trabajo Práctico nº 1 INTERRUPTOR ELECTRONICO CONTROLADOS POR LUZ

Trabajo Práctico nº 1 INTERRUPTOR ELECTRONICO CONTROLADOS POR LUZ INTERRUPTOR ELECTRONICO CONTROLADOS POR LUZ 4 B ELECTRÓNICA 2010 CURSO: 4º B AÑO: 2010 INTEGRANTES:........ 2010 4º B Electrónica 2 OBJETIVOS: Entre los muchos objetivos del trabajo práctico podemos citar:

Más detalles

CARACTERISTICAS DEL JFET.

CARACTERISTICAS DEL JFET. Electrónica I. Guía 4 1 / 1 CARACTERISTICAS DEL JFET. Facultad: Ingeniería. Escuela: Electrónica. Asignatura: Electrónica I. Lugar de ejecución: Fundamentos Generales (Edificio 3, 2da planta, Aula 3.21).

Más detalles

Se agrupan ambos generadores de corriente, obteniéndose el circuito equivalente de la figura.

Se agrupan ambos generadores de corriente, obteniéndose el circuito equivalente de la figura. EJEMPLO Obtener el circuito equivalente Thevenin del circuito de la figura, mediante transformaciones Thevenin-Norton RESOLUCIÓN: Para agrupar los generadores de tensión V 1 y V 2 se aplica la transformación

Más detalles

elab 3D Práctica 2 Diodos

elab 3D Práctica 2 Diodos UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIERIA Y SISTEMAS DE TELECOMUNICACIÓN elab 3D Práctica 2 Diodos Curso 2013/2014 Departamento de Sistemas Electrónicos y de Control 1. Introducción

Más detalles

Circuitos con fuentes independientes de corriente y resistencias, circuitos R, I

Circuitos con fuentes independientes de corriente y resistencias, circuitos R, I MÉTODO DE LOS NUDOS Es un método general de análisis de circuitos que se basa en determinar los voltajes de todos los nodos del circuito respecto a un nodo de referencia. Conocidos estos voltajes se pueden

Más detalles

RESPUESTA FRECUENCIAL Función de transferencia del amplificador

RESPUESTA FRECUENCIAL Función de transferencia del amplificador Función de transferencia del amplificador A (db) A (db) A 0 3 db A M 3 db Amplificador directamente acoplado ω BW=ω H -ω L GB=A M ω H ω L ω H ω Amplificador capacitivamente acoplado Ancho de Banda Producto

Más detalles

COLECCIÓN DE EJERCICIOS TEORÍA DE CIRCUITOS I

COLECCIÓN DE EJERCICIOS TEORÍA DE CIRCUITOS I COLECCÓN DE EJECCOS TEOÍA DE CCUTOS ngeniería de Telecomunicación Centro Politécnico Superior Curso 9 / Aspectos Fundamentales de la Teoría de Circuitos Capítulo Problema.. (*) En cada uno de los dispositivos

Más detalles

Circuitos resistivos activos. Primera parte

Circuitos resistivos activos. Primera parte Circuitos resistivos activos. Primera parte Objetivos 1. Analizar circuitos equivalentes de transistores constituidos por resistores y fuentes dependientes. 2. Explicar las características del amplificador

Más detalles

Estudio de fallas asimétricas

Estudio de fallas asimétricas Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad Nacional de Mar del Plata Área Electrotecnia Estudio de fallas asimétricas Autor: Ingeniero Gustavo L. Ferro Prof. Adjunto Electrotecnia EDICION 2012 1.

Más detalles

ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL PROGRAMA DE ESTUDIOS 2. OBJETIVOS

ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL PROGRAMA DE ESTUDIOS 2. OBJETIVOS ELECTRÓNICA I UNIDAD ACADÉMICA: CARRERA: ESPECIALIZACIÓN: ÁREA: TIPO DE MATERIA: EJE DE FORMACIÓN: Facultad de Ingeniería en Electricidad y Computación Ingeniería en Electricidad. Ingeniería en Telemática,

Más detalles

Circuitería Básica, Leyes de Kirchhoff y Equivalente Thévenin

Circuitería Básica, Leyes de Kirchhoff y Equivalente Thévenin Circuitos de Corriente Continua Circuitería Básica, Leyes de Kirchhoff y Equivalente Thévenin 1. OBJETIVOS - Estudiar las asociaciones básicas de elementos resistivos en corriente continua: conexiones

Más detalles

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas Tema 5 TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas 5.1.- Introducción Las fuentes de corriente son ampliamente utilizadas en circuitos electrónicos integrados como elementos de polarización y como cargas

Más detalles

ANEXO 1. CALIBRADO DE LOS SENSORES.

ANEXO 1. CALIBRADO DE LOS SENSORES. ANEXO 1. CALIBRADO DE LOS SENSORES. Las resistencias dependientes de la luz (LDR) varían su resistencia en función de la luz que reciben. Un incremento de la luz que reciben produce una disminución de

Más detalles

6. Amplificadores con transistores

6. Amplificadores con transistores 6. Amplificadores con transistores Objetivos: Obtención, mediante simulación y con los equipos del laboratorio, de las carácterísticas de entrada y salida de un transistor bipolar. Obtención de los modelos

Más detalles

Polarización Análisis de circuitos Aplicaciones. Introducción a la Electrónica

Polarización Análisis de circuitos Aplicaciones. Introducción a la Electrónica TRANSISTOR BIPOLAR Funcionamiento general Estructura, dopados, bandas de energía y potenciales Curvas, parámetros relevantes Niveles de concentración de portadores Ecuaciones de DC Modelo de Ebers-Moll

Más detalles

UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA SÍLABO ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRONICA II

UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA SÍLABO ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRONICA II SÍLABO ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRONICA II CODIGO: IEE402 1. DATOS GENERALES: 1.1 DEPARTAMENTO ACADEMICO: INGENIERIA ELECTRONICA E INFORMATICA 1.2 ESCUELA PROFESIONAL: INGENIERIA ELECTRÓNICA 1.3

Más detalles

Ejercicios de ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Ejercicios de ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1. Calcula el valor de las siguientes resistencias y su tolerancia: Código de colores Valor en Ω Tolerancia Rojo, rojo, rojo, plata Verde, amarillo, verde, oro Violeta, naranja, gris, plata Marrón, azul,

Más detalles

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas. Capítulo II: Circuitos resonantes y Redes de acople

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas. Capítulo II: Circuitos resonantes y Redes de acople Capítulo II: Circuitos resonantes y Redes de acople 21 22 2. Circuitos Resonantes y Redes de Acople En este capítulo se estudiaran los circuitos resonantes desde el punto de vista del factor de calidad

Más detalles

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION BJT SANCHEZ MORONTA, M. - UGALDE OLEA, U.

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION BJT SANCHEZ MORONTA, M. - UGALDE OLEA, U. Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica Industrial de Bilbao Universidad del País Vasco / Euskal Herriko Unibertsitatea ELECTRONICA INDUSTRIAL TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION BJT SANCHEZ MORONTA, M.

Más detalles

Representaciones gráficas: Método del Paralelogramo

Representaciones gráficas: Método del Paralelogramo Representaciones gráficas: Método del Paralelogramo La relación funcional más simple entre dos variables es la línea recta. Sea entonces la variable independiente x y la variable dependiente y que se relacionan

Más detalles

SOBRETENSIONES DE BAJA FRECUENCIA TEMPORALES PRODUCIDOS POR FALLAS

SOBRETENSIONES DE BAJA FRECUENCIA TEMPORALES PRODUCIDOS POR FALLAS SOBRETENSIONES DE BAJA FRECUENCIA TEMPORALES PRODUCIDOS POR FALLAS Cuando se presenta una falla en un sistema eléctrico de potencia se presenta una condición transitoria que se amortigua rápidamente, quedando

Más detalles

CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA UNIDAD 2: AMPLIFICADOR DE POTENCIA TEORÍA PROFESOR: JORGE ANTONIO POLANÍA INTRODUCCIÓN

CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA UNIDAD 2: AMPLIFICADOR DE POTENCIA TEORÍA PROFESOR: JORGE ANTONIO POLANÍA INTRODUCCIÓN CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA UNIDAD 2: AMPLIFICADOR DE POTENCIA TEORÍA PROFESOR: JORGE ANTONIO POLANÍA INTRODUCCIÓN En un sistema de amplificación que entrega una cantidad considerable de potencia, las ganancias

Más detalles

Apuntes para el diseño de un amplificador multietapas con TBJs

Apuntes para el diseño de un amplificador multietapas con TBJs Apuntes para el diseño de un amplificador multietapas con TBJs Autor: Ing. Aída A. Olmos Cátedra: Electrónica I - Junio 2005 - Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología UNIVERSIDAD NACIONAL DE TUCUMAN

Más detalles

CAPITULO IV FAMILIAS LÓGICAS

CAPITULO IV FAMILIAS LÓGICAS FAMILIAS LÓGICAS CAPITULO IV FAMILIAS LÓGICAS FAMILIAS LÓGICAS Una familia lógica es un grupo de dispositivos digitales que comparten una tecnología común de fabricación y tienen estandarizadas sus características

Más detalles

Pérdidas por inserción y de retorno en componentes pasivos de radiofrecuencia

Pérdidas por inserción y de retorno en componentes pasivos de radiofrecuencia Pérdidas por inserción y de retorno en componentes pasivos de radiofrecuencia *Por José Toscano Hoyos 1. Introducción La consideración de las pérdidas que se presentan en un sistema de transmisión de radiofrecuencia,

Más detalles

Máster en Mecatrónica EU4M Master in Mechatronic and Micro-Mechatronic Systems BIPOLARES. Fundamentos de Ingeniería Eléctrica

Máster en Mecatrónica EU4M Master in Mechatronic and Micro-Mechatronic Systems BIPOLARES. Fundamentos de Ingeniería Eléctrica Máster en Mecatrónica U4M Master in Mechatronic and MicroMechatronic Systems IOLARS Fundamentos de Ingeniería léctrica Contenidos Funcionamiento Tipos de transistores Curvas características Resolución

Más detalles

TEMA 6 ESTABILIDAD EN EL PUNTO DE TRABAJO

TEMA 6 ESTABILIDAD EN EL PUNTO DE TRABAJO TEMA 6 ESTABILIDAD EN EL PUNTO DE TRABAJO (Guía de lases) Asignatura: Dispositivos Electrónicos I Dpto. Tecnología Electrónica ONTENIDO Introducción Estabilidad en el punto de trabajo Punto de trabajo

Más detalles

PRÁCTICA 2 FUENTES DE ALIMENTACION

PRÁCTICA 2 FUENTES DE ALIMENTACION PRÁCTICA 2 FUENTES DE ALIMENTACION Duración estimada: 2 semanas Objetivos de la práctica: 1. Comprender los conceptos fundamentales de fuentes de alimentación estabilizadas y regulables. 2. Iniciarse en

Más detalles

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS OBJETIVO: El objetivo de estas practicas es diseñar amplificadores en emisor común y base común aplicando

Más detalles

CARACTERISTICAS INFORMACION

CARACTERISTICAS INFORMACION FACULTAD: PREGRADO: POSTGRADO: CIENCIAS BASICAS E INGENIERIA INGENIERIA ELECTRÓNICA Nro CARACTERISTICAS INFORMACION 1 DENOMINACION DEL CURSO: ELECTRÓNICA ANÁLOGA I 2 CODIGO: 612402 3 AREA: PROFESIONAL

Más detalles

PROBLEMAS RESUELTOS MOVIMIENTO ONDULATORIO

PROBLEMAS RESUELTOS MOVIMIENTO ONDULATORIO PROBLEMAS RESUELTOS MOVIMIENTO ONDULATORIO 1. Una onda transversal se propaga en una cuerda según la ecuación (unidades en el S.I.) Calcular la velocidad de propagación de la onda y el estado de vibración

Más detalles

Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE

Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3: Condiciones generales Todo amplificador consta de un núcleo en el que hay un transistor (Dos, si es diferencial) Se tratará

Más detalles

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II CURSO 2010- II Profesores: Miguel Ángel Domínguez Gómez Despacho 222, ETSI Industriales Camilo Quintáns Graña Despacho 222, ETSI Industriales Fernando Machado Domínguez Despacho 229, ETSI Industriales

Más detalles

Practicas de Fundamentos de Electrotecnia ITI. Curso 2005/2006

Practicas de Fundamentos de Electrotecnia ITI. Curso 2005/2006 Practicas de Fundamentos de Electrotecnia ITI. Curso 005/006 Práctica 4 : Modelo equivalente de un transformador real. Medidas de potencia en vacío y cortocircuito. OBJETIVO En primer lugar, el alumno

Más detalles

DEFINICIONES Y CONCEPTOS (SISTEMAS DE PERCEPCIÓN - DTE) Curso

DEFINICIONES Y CONCEPTOS (SISTEMAS DE PERCEPCIÓN - DTE) Curso DEFINICIONES Y CONCEPTOS (SISTEMAS DE PERCEPCIÓN - DTE) Curso 2009-10 1. Generalidades Instrumentación: En general la instrumentación comprende todas las técnicas, equipos y metodología relacionados con

Más detalles

LABORATORIO No. 3 MODELAMIENTO Y ANALISIS DINAMICO DE SISTEMAS ELECTRICOS

LABORATORIO No. 3 MODELAMIENTO Y ANALISIS DINAMICO DE SISTEMAS ELECTRICOS UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER FACULTAD DE INGENIERIA INGENIERÍA ELECTRÓNICA 1 SISTEMAS DINAMICOS 1160601 LABORATORIO No. 3 MODELAMIENTO Y ANALISIS DINAMICO DE SISTEMAS ELECTRICOS INSTRUCCIONES

Más detalles

Clase Fuentes de corriente - Introducción a amplificadores multietapa integrados. Junio de 2011

Clase Fuentes de corriente - Introducción a amplificadores multietapa integrados. Junio de 2011 66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 24-1 Clase 24 1 - Fuentes de corriente - Introducción a amplificadores multietapa integrados Junio de 2011 Contenido: 1. El transistor MOS como

Más detalles

Ecuaciones Cuadráticas Las ecuaciones cuadráticas se pueden resolver por el método de factorización o utilizando la fórmula cuadrática.

Ecuaciones Cuadráticas Las ecuaciones cuadráticas se pueden resolver por el método de factorización o utilizando la fórmula cuadrática. Ejemplos de Ecuaciones Cuadráticas e Inecuaciones Cuadráticas Ecuaciones Cuadráticas Las ecuaciones cuadráticas se pueden resolver por el método de factorización o utilizando la fórmula cuadrática. El

Más detalles

Trabajo Práctico N o 4 Mediciones con Corriente Continua. Antonio, Pablo Oscar Frers, Wenceslao

Trabajo Práctico N o 4 Mediciones con Corriente Continua. Antonio, Pablo Oscar Frers, Wenceslao Física II A Trabajo Práctico N o 4 Mediciones con Corriente Continua Antonio, Pablo Oscar Frers, Wenceslao XXXXX XXXXX 2. do cuatrimestre 2006 ÍNDICE Índice 1. Resumen 2 2. Introducción 2 3. Método experimental

Más detalles

Determinar la relación entre ganancias expresada en db (100 ptos).

Determinar la relación entre ganancias expresada en db (100 ptos). ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES Competencia rupal Niel Segunda Instancia PROBLEMA N 1 El personal técnico de una empresa que se dedica a caracterizar antenas se ha propuesto determinar la relación entre

Más detalles

Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1

Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 INDICE: Pg. Carátula 1 Introducción 2 Conocimientos Necesarios 2 1.0

Más detalles

TEMA V TEORÍA DE CUADRIPOLOS LINEALES. 5.1.-Introducción. 5.2.-Parámetros de Impedancia a circuito abierto.

TEMA V TEORÍA DE CUADRIPOLOS LINEALES. 5.1.-Introducción. 5.2.-Parámetros de Impedancia a circuito abierto. TEMA V TEORÍA DE CUADRIPOLOS LINEALES 5.1.-Introducción. 5.2.-Parámetros de Impedancia a circuito abierto. 5.3.-Parámetros de Admitancia a cortocircuito. 5.4.-Parámetros Híbridos (h, g). 5.5.-Parámetros

Más detalles

a las pruebas de circuito abierto y cortocircuito a los generadores sincrónicos,

a las pruebas de circuito abierto y cortocircuito a los generadores sincrónicos, Electricidad avanzada ENTREGA 1 Pruebas de circuito abierto y cortocircuito en los generadores sincrónicos La máquina sincrónica es hoy por hoy, la más ampliamente utilizada para convertir grandes cantidades

Más detalles

TRABAJO PRÁCTICO Nº 2 ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA

TRABAJO PRÁCTICO Nº 2 ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA E.T. Nº 17 - D.E. X Reg. PRÁCTCAS UNFCADAS 1 ntroducción Teórica TRABAJO PRÁCTCO Nº 2 ANÁLSS DE CRCUTOS DE CORRENTE CONTNUA a Multímetro digital: El multímetro digital es un instrumento electrónico de

Más detalles

Electrónica. Tema 2 Diodos. Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Queda prohibida su reproducción o visualización sin permiso del editor.

Electrónica. Tema 2 Diodos. Copyright The McGraw-Hill Companies, Inc. Queda prohibida su reproducción o visualización sin permiso del editor. Electrónica Tema 2 Diodos Contenido Ideas básicas Aproximaciones Resistencia interna y Resistencia en continua Rectas de carga Diodo zener Dispositivos optoelectrónicos Diodo Schottky 2 Diodo Es un dispositivo

Más detalles

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES EL TRANSISTOR BIPOLAR Dr. Ing.Eduardo A. Romero Los transitores bipolares se construyen con una fina capa de material semiconductor de tipo P entre dos capas de material

Más detalles

4. POLARIZACION DE UN TRANSISTOR.

4. POLARIZACION DE UN TRANSISTOR. 4. POLARIZACION DE UN TRANSISTOR. Polarizar un transistor es dotarlo de los valores necesarios para que trabaje en el punto de funcionamiento (le VCE) que nos interese. Se describen cuatro sistemas diferentes

Más detalles

TRANSISTOR DE JUNTURA

TRANSISTOR DE JUNTURA Fundamentos de Electrónica Transistor de Juntura 3-1 CAPÍTULO 3 TANSISTO DE JUNTUA 3.1 DESCIPCIÓN Un transmisor bipolar o de juntura se fabrica como una estructura tipo sándwich formada por una capa central

Más detalles

TEMA I. Teoría de Circuitos

TEMA I. Teoría de Circuitos TEMA I Teoría de Circuitos Electrónica II 2009-2010 1 1 Teoría de Circuitos 1.1 Introducción. 1.2 Elementos básicos 1.3 Leyes de Kirchhoff. 1.4 Métodos de análisis: mallas y nodos. 1.5 Teoremas de circuitos:

Más detalles

Ingeniería Eléctrica A S I G N A T U R A S C O R R E L A T I V A S P R E C E D E N T E S

Ingeniería Eléctrica A S I G N A T U R A S C O R R E L A T I V A S P R E C E D E N T E S UNIVERSIDAD NACIONAL DEL SUR 1/3 DEPARTAMENTO DE: Ingeniería Eléctrica H O R A S D E C L A S E P R O F E S O R R E S P O N S A B L E T E Ó R I C A S P R Á C T I C A S Ing. Pablo Mandolesi Por semana Por

Más detalles

UNIVERSIDAD DON BOSCO DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BÁSICAS LABORATORIO DE FÍSICA ASIGNATURA: ELECTRICIDAD Y MAGNETISMO

UNIVERSIDAD DON BOSCO DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BÁSICAS LABORATORIO DE FÍSICA ASIGNATURA: ELECTRICIDAD Y MAGNETISMO UNIVERSIDAD DON BOSCO DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BÁSICAS LABORATORIO DE FÍSICA ASIGNATURA: ELECTRICIDAD Y MAGNETISMO I. OBJETIVOS LABORATORIO 7: REGLAS DE KIRCHHOFF Comprobar experimentalmente que en un

Más detalles

Ley de Ohm: Determinación de la resistencia eléctrica de un resistor óhmico

Ley de Ohm: Determinación de la resistencia eléctrica de un resistor óhmico Ley de Ohm: Determinación de la resistencia eléctrica de un resistor óhmico 1. Objetivos Comprobación experimental de la ley de Ohm a través de la determinación del valor de una resistencia comercial.

Más detalles

Tecnología Eléctrica ( Ingeniería Aeronáutica )

Tecnología Eléctrica ( Ingeniería Aeronáutica ) Problema 2 Es necesario seleccionar un motor trifásico de inducción para accionar un compresor de aire. Para dicha selección se han prefijado los parámetros siguientes: El compresor debe girar a una velocidad

Más detalles

INSTITUTO DE FORMACIÓN DOCENTE CONTINUA VILLA MERCEDES

INSTITUTO DE FORMACIÓN DOCENTE CONTINUA VILLA MERCEDES PROFESOR: ING. Juan Omar IBAÑEZ ÁREA: TECNOLOGÍA CARRERA: PROFESORADO EN EDUCACIÓN TECNOLÓGICA ESPACIO CURRICULAR: ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA INSTITUTO DE FORMACIÓN DOCENTE CONTINUA VILLA MERCEDES PROGRAMA

Más detalles

DIODOS Y TRANSISTORES.

DIODOS Y TRANSISTORES. INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MORELIA Práctica. 2.0.0. DIODOS Y TRANSISTORES. Características del Transistor BJT. Cliente: Ingeniería Electrónica. Autor: Ing. Miguel.Angel Mendoza Mendoza. 26 de Agosto del

Más detalles