Laboratorio Nacional de Nanoelectrónica (LNN)

Transcripción

1 Laboratorio Nacional de Nanoelectrónica (LNN) Alfonso Torres Jacome Coordinación de Electrónica INAOE

2 Objetivos del LNN Construir un laboratorio para el desarrollo de una micro y nanotecnología nacional. Este permitirá la fabricación ió de dispositivositi semiconductores, sensores, circuitos integrados y MEMS con desempeño mejorado a través de la incorporación de materiales nanoestructurados a la tecnología del silicio. 2

3 Metas del LNN Generación de recursos humanos altamente calificados en el área de la electrónica. Ser el enlace entre la investigación tecnológica y el sector industrial para el desarrollo de una industria electrónica nacional. Mejorar el entorno Industria - Universidad - Gobierno a través de un proyecto auto-sustentable. Creación de un Consorcio. Ofrecer todos sus servicios a universidades, centros de investigación y empresarios, de diseño fabricación y prueba tanto de prototipos como producción en lotes de dispositivos, sensores CIs y MEMS. 3

4 Estado Actual del LNN Por su magnitud el proyecto se ha dividido en 2 etapas, LNN1 y LNN2. LNN1 se ha convertido en el LIMEMS, laboratorio para la fabricación de prototipos, y LNN2 se conoce como LMMPE, laboratorio de producción de CIs, MEMS y sensores en lotes. Laboratorios apoyados por la SE, Gobierno del Estado de Puebla y FUMEC. 4

5 LIMEMS Es la integración de 3 laboratorios para el desarrollo de MEMS en México en tres áreas específicas, BIOMEMS, Telecomunicaciones e Industria Automotriz. UACJ, empaquetamiento UNAM, diseño de MEMS INAOE, prototipos 5

6 LIMEMS Sistema de bahías: Obleas de 6 de diámetro pasillo central Proceso BICMOS, 0.8µm. 800 m 2, área total. 550 m 2 clase m 2 clase 1000 Micromaquinado superficial y de volumen Materiales nanoestructurados compatibles con la tecnología del silicio. 6

7 LIMEMS Sistema de fabricación de mascarillas 0.5 µm Técnicas de diseño y ensamble de cuartos limpios propiedad de INAOE. Asher and metal etcher 7

8 LIMEMS Implantadores de iones de alta y baja energía Wet benches Hornos de difusión y metal etcher 8

9 LIMEMS 9

10 LMMPE m 2 clase , 200 m 2 para metrología y fotolitografía, piso aislado de vibraciones. 10

11 Proceso CMOS 0.8 µm Parameter AMS NMOS PMOS Units Field oxide thickness µm Gate oxide thickness Å Poly silicon 1 thickness µm S/D n+ junction depth µm LDD n junction depth µm S/D p+ junction depth µm N-well junction depth µm N-well resistance KΩ/square P-well resistance 8.3 KΩ/ square N+ resistance Ω/ square P+ resistance Ω/ square Poly silicon 1 (region n+) resistance Ω/ square Poly silicon 2 (region p+) resistance Ω/ square Vt V Sub-threshold slope Retrograde well V/dec V/dec 11

12 Líneas de investigación ió Materiales nanoestructurados y nuevas tecnologías de fabricación Sensores RF MEMS Desarrollo de nuevas técnicas de diseño tendientes t a la obtención de máxima eficiencia de CIs y dispositivos. Electrónica sobre plásticos ( biosensores desechables, celdas solares, etc.) 12

13 Personal Académico La Coordinación de Electrónica cuenta con 31 investigadores de tiempo completo. Todos pertenecen al SNI. Programas de Maestría y Doctorado en Electrónica. 34 estudiantes de doctorado y 53 estudiantes de maestría. 13

14 Proyectos 17 proyectos de investigación con financiamiento del CONACYT. 1 proyecto con financiamientoi i de la SE y Gobierno del Estado de Puebla. 3 proyectos financiadosi por INTEL 1 proyecto financiado por Freescale 14

15 Colaboraciones Internacionales: Univ. de Texas A&M,USF (EUA) Univ. Católica de Leuven, IMEC (Bélgica), Univ. de Pavia, Simon Fraser University, McMaster University Canadá. Intel, Freescale, Starmega. Convenios de colaboración con 17 universidades y centros de investigación nacionales. 15

16 Perspectivas Completar el proyecto LNN. Duplicar la planta de investigación. Atender un mayor número de estudiantes. 16

17 Materiales nanoestructurados obtenidos mediante LF-PECVD Imágenes de AFM de películas de SiGe depositadas mediante LF PECVD con diferentes diluciones de H2 17

18 Imágenes de SEM y correspondiente función de distribución F(d) para películas de SiGe con diferentes diluciones de H. Diámetro promedio <D>, dispersión D y factor de llenado FF. 18

19 Detectores t de radiación ió SiGe 1D array of 32 cells 19

20 Bolómetro para detección de imágenes en 1mm. Wafer size model for mechanical test Wafer through vertical etching Wafer-size bolometer model Package model 20

21 Micromaquinado superficial Rugosidad del poly-silicio Definición de paredes del poly Espejos electrostaticos 21

22 Micromaquinado i en volumen Microlentes Micro-electrodos Detector de gas 22

23 Gracias por su atención LMMPE 23