CONSEJO NACIONAL DE CIENCIA Y TECNOLOGIA

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1 DATOS PERSONALES CONSEJO NACIONAL DE CIENCIA Y TECNOLOGIA VILCHIS BRAVO, HEBER CURRICULUM VITAE UNICO No. CVU Fecha de 20 de agosto de 1983 Nacimiento Estado Civil Casado Lugar de DISTRITO FEDERAL, México Nacimiento Nacionalidad MEXICANO Género MASCULINO Dirección IDENTIFICACIONES CORREO TELEFONO 20 DE NOVIEMBRE MZ. 505 LT. 15, IZTAPALAPA, DISTRITO FEDERAL, México Ciudad: MEXICO, C.P.: México CURP: VIBH830820HDFLRB01 * RFC: Credencial Elector: VIBH VLBRHB H000 CASA: heykert_94@yahoo.com.mx * CELULAR: (001) PRINCIPAL: (001) * DESEMPEÑO PROFESIONAL ADSCRIPCION ACTUAL 02/ /2017 ; INST. DE EDU. SUP. PUBLICAS, UNIVERSIDAD DE CIENCIAS Y ARTES DE CHIAPAS / INSTITUTO DE CIENCIAS BÁSICAS Y APLICADAS, PROFESOR INVESTIGADOR DE TIEMPO COMPLETO

2 EXPERIENCIA LABORAL 08/ Institución, INST. DE EDU. SUP. PUBLICAS, PROFESOR DE ASIGNATURA, UNIVERSIDAD 12/2015 ; POLITECNICA DE SAN LUIS POTOSI,,,,, 09/ Institución, INST. DE EDU. SUP. PUBLICAS, PROFESOR INVESTIGADOR DE TIEMPO 08/2013 ; COMPLETO, UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE DE MEXICO, FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EN BASE A III-NITRUROS MEDIANTE LA TÉCNICA MOCVD, CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE NANOESTRUCTURAS PARA DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y OPTOELECTRÓNICOS,,, 02/ Institución, INST. DE EDU. SUP. PUBLICAS, PROFESOR DE ASIGNATURA, INSTITUTO 08/2012 ; POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE BIOTECNOLOGIA,,,,, PRODUCCION CIENTIFICA ARTICULOS 2016 ; Structural and Raman studies of Ga2O3 obtained on GaAs substrate, C. Galván, M. Galván, J. S. Arias-Cerón E. López-Luna, H. Vilchis, V. M. Sánchez-R,Materials Science in Semiconductor Processing, Vol.41, Pag , Revistas Indizadas, 2015 ; Electrical behavior of Mg doped cubic GaN on c-gan structure, H. Vilchis V.M. Sanchez- R, Materials Science in Semiconductor Processing, Vol.37, Pag.68-72, Revistas Indizadas, 2012 ; CUBIC GAN LAYERS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ON GAN TEMPLATES OBTAINED BY NITRIDATION OF GAAS ISSN: , H. Vilchis, V.M. Sanchez-R, A. Escobosa, Thin Solid Films, Vol.520, Pag , Revistas Indizadas, 2009 ; A MAJORED THERMAL NITRIDATION PROCESS ON GAAS (100) SURFACES: OPTICAL, STRUCTURAL AND CHEMICAL ANALYSIS ISSN: X, Vilchis H, Sanchez-R M, Escobosa A, Revista Mexicana de Física - S, Vol.55, Pag.61-63, Revistas Indizadas, 2009 ; CHARACTERIZATION OF GAN FILMS GROWN ON GAAS BY AP-MOVPE ISSN: , Vilchis, H.; Sanchez-R, V.M.; Escobosa, A., Journal of Physics: Conference Series, Vol.167, Pag , Revistas Arbitradas, ;REPORTES TECNICOS 30/05/2013 ; MANUAL DE ASIGNATURA TÓPICOS DE NANOMATERIALES, SUBSISTEMA DE UNIVERSIDADES POLITÉCNICAS,, Héctor Cruz Mejía Xicoténcalt López Andrade Lesli Ortega Arroyo Heber Vilchis Bravo, Pags /05/2013 ; MANUAL DE ASIGNATURA TÓPICOS DE NANOELECTRONICA, SUBSISTEMA DE UNIVERSIDADES POLITECNICAS,,, Pags. 22 PARTICIPACION EN CONGRESOS 2014 ; ELECTRICAL BEHAVIOR OF MG DOPED CUBIC GAN ON C-GAN STRUCTURE, Extranjero, XXIII International Materials Research Congress, H. VILCHIS V. M. SÁNCHEZ- R 2014 ; STRUCTURAL AND OPTICAL STUDIES OF GA2O THIN FILMS SYNTHESIZED ON GAAS, Nacional, 1ra Escuela de Verano en Nanociencia y Nanotecnología IPICYT-UASLP 2014, H. VILCHIS E. LOPEZ-LUNA C. GALVAN M. A. VIDAL V. M. SANCHEZ-R 2014 ; STRUCTURAL STUDIES OF GA2O3 THIN FILMS SYNTHESIZED ON GAAS BY APCVD, Extranjero, XXIII International Materials Research Congress, H. VILCHIS V. M. SANCHEZ- R 2013 ; ELECTRICAL AND OPTICAL CHARACTERIZATION OF C-GAN P-N HOMOJUNCTION, Extranjero, XXII International Materials Research Congress, VICTOR MANUEL SANCHEZ RESENDIZ

3 2013 ; SYNTHESIS OF CARBON NANOFIBERS BY SPRAY PYROLYSIS, Extranjero, 4TH MEXICAN WORKSHOP ON NANOSTRUCTURED MATERIALS, ANTONIO JUANICO LORAN SAÚL RANGEL LARA J. BERNAL 2012 ; NITRIDATION OF GAAS SURFACE AS AN ALTERNATIVE FOR OBTAIN CUBIC GAN SUBSTRATE, Extranjero, MRS Spring Meeting, VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESENDIZ, Estados Unidos, 2012 ; STRUCTURAL STUDIES OF CUBIC GAN FILMS GROWN BY MOCVD, Extranjero, 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and System, VICTOR MANUEL SANCHEZ RESENDIZ ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRIA 2010 ; ELECTRICAL PROPERTIES IN CUBIC GAN FILMS GROWN ON GAN BUFFER LAYER BY MOVPE, Extranjero, International Conference - Metal Organic Vapor Phase Epitaxy XV, ARTUTO ESCOBOSA ECHAVARRÍA VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESENDIZ, Estados Unidos, 2010 ; PHASE IDENTIFICATION OF MONOCRYSTALLINE CUBIC GALLIUM NITRIDE ON HEXAGONAL GALLIUM NITRIDE POLYCRYSTAL, Extranjero, XVII Latin American Seminary of Analysis by X-Ray Techniques, ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRÍA VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESENDIZ 2009 ; TEXTURE OF HEXAGONAL AND CUBIC PHASES OF GALLIUM NITRIDE SYNTHESIZED BY NITRIDATION OF GALLIUM ARSENIDE, Extranjero, XVIII International Materials Research Congress, ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRÍA VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESENDIZ 2008 ; A COMPARATIVE ANALYSIS BETWEEN NITRIDE FILMS ON GAAS AND EPITAXIAL FILMS OF GAN BY MOCVD SYSTEM, Extranjero, 5th International Conference on Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control, ARTURO ESCOBOSA ECHAVARÍA 2008 ; A COMPARATIVE ANALYSIS OF SYNTHESIZING GALLIUM NITRIDE FILMS: ON GALLIUM ARSENIDE AND SAPPHIRE SUBSTRATES, Extranjero, 5th International Conference on Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control, CESIA GUARNEROS VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESÉNDIZ ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRÍA 2008 ; A MAJORED THERMAL NITRIDATION PROCESS ON GAAS (100) SURFACES: OPTICAL, STRUCTURAL AND CHEMICAL ANALYSIS, Extranjero, XVII International Materials Research Congress, VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESENDÍZ ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRÍA 2008 ; CHARACTERIZATION OF GAN FILMS GROWN ON GAAS BY AP-MOVPE, Extranjero, XIX Latin American Symposium on Solid State Physics, ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRÍA VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESENDÍZ, Argentina, 2008 ; EFFECTS IN GAN FILMS GROWN BY MOVPE ON GAAS DUE TO THE DISTANCE OF HEAT SOURCE, Extranjero, Seventh International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems, VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESÉNDIZ ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRÍA 2008 ; GROWTH OF THIN GAN FILMS AT DIFFERENT V/III MOLAR RATIO, Nacional, third Mexican Workshop on Nanostructured Materials, VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESÉNDIZ ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRÍA 2008 ; OBTENCIÓN DE PELÍCULAS DE C-GAN MEDIANTE MOCVD SIN EMISIÓN DE BANDA AMARILLA, Nacional, VII Taller Nacional de Estudiantes de Posgrado de Física y Ciencia de Materiales, VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESÉNDIZ ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRÍA 2007 ; CRECIMIENTO DE PELÍCULAS DE GAN CON ESTRUCTURA CÚBICA Y HEXAGONAL SOBRE SUSTRATOS DE GAAS [001] EN UN SISTEMA MOCVD, Nacional, X Congreso Nacional de Ingeniería Electromecánica y de Sistemas, ARTURO ESCOBOSA ECHAVARRÍA VÍCTOR MANUEL SÁNCHEZ RESÉNDIZ,México, FORMACION ACADEMICA NIVELES/GRADOS

4 ACADEMICOS 30/10/2012 ; DOCTORADO, DOCTORADO EN CIENCIAS DE INGENÍERIA ELÉCTRICA,, CENTRO DE INVESTIGACION Y DE ESTUDIOS AVANZADOS DEL INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL. / DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA / SECCION DE ELECTRONICA DEL ESTADO SOLIDO DISTRITO FEDERAL, ENTIDADES PARAESTATALES, Realización y caracterización de estructuras epitaxiales sobre substratos de GaN en fase cúbica para diodos emisores de luz 28/11/2008 ; MAESTRIA, MAESTRO EN CIENCIAS DE INGENÍERIA ELÉCTRICA, , CENTRO DE INVESTIGACION Y DE ESTUDIOS AVANZADOS DEL INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL. / DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA / SECCION DE ELECTRONICA DEL ESTADO SOLIDO DISTRITO FEDERAL,ENTIDADES PARAESTATALES, Obtención de Películas de Nitruro de Galio sobre substratos de Arseniuro de Galio mediante la Técnica MOCVD y su Caracterización para Aplicaciones en Dispositivos Opto-electrónicos 11/03/2008 ; LICENCIATURA, ING. COMUNICACIONES Y ELÉCTRONICA, , INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA (UNIDAD ZACATENCO) DISTRITO FEDERAL, INST. DE EDU. SUP. PUBLICAS, IDIOMAS ; Español LENGUA MATERNA 17/05/2012 ; Inglés Conversacion: Medio, Lectura: Alto, Escritura: Medio (550) FORMACION DE RECURSOS HUMANOS DOCENCIA 08/ Impacto de la nanotecnología en la sociedad, Tiempo en Horas (80) UNIVERSIDAD 12/2015 ; AUTONOMA DE SAN LUIS POTOSI / FACULTAD DE CIENCIAS,,LICENCIATURA 08/ Física 1, Tiempo en Horas (80) UNIVERSIDAD POLITECNICA DE SAN LUIS POTOSI, 12/2015 ;,LICENCIATURA 05/ Nanoelectrónica, Tiempo en Horas (60) UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE DE MEXICO, 08/2013 ;,LICENCIATURA 05/ Tópicos de Nanoelectrónica, Tiempo en Horas (60) UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE 08/2013 ; DE MEXICO,,LICENCIATURA 05/ Tópicos de Nanociencias, Tiempo en Horas (120) UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE DE 08/2013 ; MEXICO,,LICENCIATURA 01/ Tópicos de Nanoléctronica, Tiempo en Horas (120) UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE 04/2013 ; DE MEXICO,,LICENCIATURA 01/ Nanoelectrónica, Tiempo en Horas (60) UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE DE MEXICO, 04/2013 ;,LICENCIATURA 01/ Tópicos de Nanomateriales, Tiempo en Horas (120) UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE 04/2013 ; DE MEXICO,,LICENCIATURA 09/ Tópicos de Nanoelectrónica, Tiempo en Horas (60) UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE 12/2012 ; DE MEXICO,,LICENCIATURA 09/ Electrónica Digital, Tiempo en Horas (60) UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE DE 12/2012 ; MEXICO,,LICENCIATURA 09/ Microcontroladores, Tiempo en Horas (60) UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE DE 12/2012 ; MEXICO,,LICENCIATURA 01/ Análisis de Circuitos, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES 06/2012 ; ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 01/ Electrónica I, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES 06/2012 ; ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE

5 01/ Sistemas Digitales II, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / 06/2012 ; UNIDADES ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 08/ Electrónica II, Tiempo en Horas (108) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES 12/2011 ; ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 08/ Electrónica I, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES 12/2011 ; ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 01/ Electrónica III, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES 06/2011 ; ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 01/ Sistemas Digitales II, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / 06/2011 ; UNIDADES ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 08/ Electrónica II, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES 12/2010 ; ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 08/ Sistemas digitales 1, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES 12/2010 ; ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 08/ Diseño de circuitos asistidos por computadora, Tiempo en Horas (27) INSTITUTO 12/2010 ; POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 02/ Electrónica III, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES 06/2010 ; ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 02/ Redes y Telecomunicaciones, Tiempo en Horas (54) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / 06/2010 ; UNIDADES ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE 02/ Electromecánica de Procesos, Tiempo en Horas (80) INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / 06/2010 ; UNIDADES ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE TESIS DIRIGIDAS 30/05/2012 ; Mantenimiento correctivo a dispositivos biomédicos y propuesta de un prototipo de articulación eléctrica a una cama censable, INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE BIOTECNOLOGIA, LICENCIATURA, Xochilt Saldivar Mayorga México, INVESTIGACION CIENTIFICA Y TECNOLOGICA ESTANCIAS DE INVESTIGACION 02/ UNIVERSIDAD AUTONOMA DE SAN LUIS POTOSI / LABORATORIO NACIONAL-CIACYT 01/2016 ; (COORDINACION PARA LA INNOVACION Y LA APLICACION DE LA CIENCIA Y TECNOLOGIA), INST. DE EDU. SUP. PUBLICAS, Síntesis de películas de c-gan sobre substratos de GaAs tipo p y su aplicación en el desarrollo de celdas fotovoltaicas, México 02/ /2015 ; UNIVERSIDAD AUTONOMA DE SAN LUIS POTOSI / LABORATORIO NACIONAL-CIACYT (COORDINACION PARA LA INNOVACION Y LA APLICACION DE LA CIENCIA Y TECNOLOGIA), INST. DE EDU. SUP. PUBLICAS, SINTESIS Y CARACTERIZACIÓN DE SEMICONDUCTORES III-N PARA APLICACIONES OPTO-ELECTRÓNICAS, México

6 PROYECTOS DE INVESTIGACIÓN 08/ Proyecto de Investigación, IMPLANTE COCLEAR PARA INDIVIDUOS CON SORDERA 06/2005 ; PROFUNDA, INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL / UNIDADES ACADEMICAS DE NIVEL SUPERIOR / ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA (UNIDAD ZACATENCO) Investigadores Participantes : BECERRA GARCÍA JORGE Becarios Participantes : HÉBER VILCHIS BRAVO GRUPOS DE INVESTIGACION 09/2011 ; Ingeniería de Materiales y Procesos, UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE DE MEXICO,Saúl Rangel Lara, ANTONIO JUANICO LORAN, CARLOS CAMACHO OLGUÍN, HÉBER VILCHIS BRAVO, SAÚL RANGEL LARA,INST. DE EDU. SUP. PUBLICAS ;APOYOS CONACYT 02/ , Formación Académica, BECA 01/2016 ; 01/ , Formación Académica, ESTIMULO SNI 12/2016 ; 01/ , Formación Académica, BECA 04/2012 ; 09/ , Formación Académica, BECA 08/2008 ; DIVULGACION Y DIFUSION DIVULGACION Y DIFUSION 20/10/2014 ; SABES COMO SE FABRICAN LOS DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS QUE HACEN FUNCIONAR TU CELULAR?, Secretaría de Investigación y Posgrado UASLP,Nacional, Conferencias, 21a Semana nacional de ciencia y tecnología y 5a Jornadas estatales de ciencia, tecnología e Innovación