Introducción a la Electrónica Cod LABORATORIO Nº 4: POLARIZACION DE TRANSISTORES BJT

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1 Página 1 de 3 : POLARIZACION DE TRANSISTORES BJT OBJETIOS: Ensayar diversas topologías de polarización de transistores. Familiarizarse con los componentes, comparar resultados prácticos respecto de los teóricos calculados. Mediciones de punto de reposo, estabilidad frente a perturbaciones, y respuesta en frecuencia para una etapa amplificadora en Emisor Común. Es necesario para este laboratorio que cada comisión cuente con un protoboard para el armado de los diversos circuitos. El transistor a ensayar Q1 será el BC548B (NPN), provisto por la cátedra. Debe tenerse las hojas de datos de dicho transistor (adjunta con el práctico). Es recomendable que cada comisión cuente con al menos un mínimo surtido de resistencias para realizar las prácticas, además de las calculadas. 1) POLARIZACION FIJA Fig Para el circuito de polarización fija de la Fig.1 calcule el valor de RB y RC tal que: Icq=5 y ceq=5. 2- Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el punto de trabajo con estos valores. Luego mida experimentalmente los valores del punto de reposo. 3- Mida las variaciones de Ic y ce al variar la temperatura de operación del circuito. (mientras efectúa las mediciones, aplicar aire caliente con la pistola de calor). 4- Observe la variación de Icq y ceq al substituir el transistor por otro del mismo tipo. Si lo desea, puede utilizar para Rb un preset (resistencia variable) en serie con una R fija. Esto le permitirá obtener más fácilmente el punto de polarización deseado.

2 Página 2 de 3 2) AUTO POLARIZACION Fig. 2 - Repita los puntos 1 al 4 del circuito anterior. Compare y saque conclusiones. - Mida la tensión be para temperatura ambiente y para una temperatura mayor. - Que configuración parece mas estable frente a las variaciones de temperatura? Justifique el porqué.

3 Página 3 de 3 3) POLARIZACION CON R DE EMISOR RESPUESTA EN FRECUENCIA. Fig. 3 Requerimientos del circuito: Ganancia de tensión (o/in): 10 Impedancia de entrada: > de 10 Kohm. Tensión de alimentación: 15 dc. Icq= 1 ceq= 4 e= 1 Frecuencia de corte inferior: 40 Hz Calcular R1, R2, RC y RE para que en el punto de reposo se obtenga: Icq= 1 ceq= 4 REq= 1 (Utilice RE= 1Kohm) Para el cálculo simplificado de R1 y R2, imponga una Idiv >= 10 Ibase. a) Polarizar el transistor en el punto de reposo deseado. b) Aplicar una señal senoidal de entrada, y obtener la respuesta en frecuencia del amplificador. Mida ganancia a frecuencias medias, y obtenga las frecuencias de corte inferior y superior del amplificador. c) erifique (aumentando amplitud de in) cual es la máxima excursión de salida (pp - tensión pico a pico) que puede obtener sin distorsión. d) erifique ganancia a frecuencias medias, colocando en condensador CE= 100 uf en el emisor. Efectúe simulaciones con el LTSpice de las 3 configuraciones propuestas. Compare resultados teóricos con los obtenidos en la práctica.

4 BC546/547/548/549/550 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING AND AMPLIFIER HIGH OLTAGE: BC546, CEO=65 LOW NOISE: BC549, BC550 Complement to BC BC560 TO-92 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A=25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base oltage : BC546 : BC547/550 : BC548/549 Collector-Emitter oltage : BC546 : BC547/550 : BC548/549/550 Emitter-Base oltage : BC546/547 : BC548/549/550 Collector Current (DC) Collector Dissipation Junction Temperature Storage Temperature CBO CEO EBO I C P C T J T STG ~ 150 mw C C 1. Collector 2. Base 3. Emitter ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A=25 C) Characteristic Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector Cut-off Current DC Current Gain Collector Emitter Saturation oltage Collector Base Saturation oltage Base Emitter On oltage Current Gain Bandwidth Product I CBO h FE CE (sat) BE (on) BE (on) f T CB=30, I E=0 CE=5, I C=2 I C=10, I B=0.5 I C=100, I B=5 I C=10, I B=0.5 I C=100, I B=5 CE=5, I C=2 CE=5, I C=10 CE=5, I C= na MHz Collector Base Capacitance Emitter Base Capacitance Noise Figure : BC546/547/548 : BC549/550 : BC549 : BC550 C CBO C EBO NF NF CB=10, f=1mhz EB=0.5, f=1mhz CE=5, I C=200µA f=1khz, R G=2KΩ CE=5, I C=200µA R G=2KΩ, f=30~15000mhz pf pf h FE CLASSIFICATION Classification A B C h FE Rev. B 1999 Fairchild Semiconductor Corporation

5 BC546/547/548/549/550 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR