EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR INTRODUCCIÓN

Transcripción

1 EL TRANSISTOR OMO ONMUTADOR INTRODUIÓN 1.- EL INTERRUPTOR A TRANSISTOR Un circuito básico a transistor como el ilustrado en la Figura 1 a), conforma un circuito inversor; es decir que su salida es de bajo nivel cuando la señal de entrada es alta y viceversa. El mismo está calculado de manera que el transistor esté en la zona de corte (punto B) o saturación (punto A), Figura 1 d), dependiendo si el valor de la función de entrada vale 0 ó +V, respectivamente. Trabajando de esta manera el transistor se comporta como un interruptor controlado, realizando transiciones entre la saturación y el corte. Se observa que el interruptor está controlado por la corriente de base: uando el transistor está al corte no fluye corriente y el interruptor está abierto (Figura 1c), cuando el transistor está saturado fluye la máxima corriente de colector y el interruptor está cerrado (Figura 1b). Vcc Vcc Vcc +V VE R1 R2 Rc E Rc E Rc E A I B V E a) b) c) d) Figura 1: ircuito de conmutación básico: a) onfiguración. b) Llave cerrada (punto A). c) llave abierta (punto B). d) Recta de carga y puntos de funcionamiento. 1.1 Tiempos de conmutación del transistor En la Figura 2 se representa la respuesta del transistor del circuito de la Figura 1 cuando se aplica a su entrada un impulso rectangular. Desde el instante en que la tensión aplicada en el borne V E pasa del valor 0 a +V, hasta que la intensidad de colector alcanza el 90% de su valor final Ics, y el transistor llega a la saturación, se observa que transcurre un cierto tiempo llamado t on. Igualmente, desde el momento en que la tensión en el borne V E pasa del valor +V a 0 hasta que la intensidad del colector alcanza el 10% de Ics transcurre un tiempo llamado t off. Siendo t on el tiempo de conmutación del estado de corte al de saturación o tiempo de encendido, mientras que a t off se lo denomina tiempo de conmutación del estado de saturación al corte, o tiempo de corte o apagado. 1

2 Tiempo de retardo: t d (delay time): Intervalo de tiempo entre el punto correspondiente al instante de aplicación de la señal de entrada y el punto en que la señal de salida toma el 10% de su valor final. Este tiempo de retraso se debe, principalmente a dos factores: 1.- uando un transistor actúa como conmutador, se lo polariza inversamente para llevarlo al corte, con lo cual la capacidad de la juntura base-emisor se carga a ese valor de tensión negativa; por tal razón para pasarlo a la conducción (saturación) se necesita de cierto tiempo para descargar y cargar ese condensador. A mayor valor de polarización inversa mayor será ese retardo. 2.- Se requiere de cierto tiempo para que la corriente de emisor se difunda a través de la región de la base. V E +V tensión de entrada 0 t o t 1 t corriente de colector Figura 2: Tiempos de conmutación del transistor Tiempo de subida o crecimiento: t r (rise time): Intervalo de tiempo entre los puntos correspondientes al 10 y 90% de la forma de onda ascendente de la corriente de colector. El tiempo de crecimiento es una función de la frecuencia de corte alfa, f ; y también depende inversamente de la cantidad de corriente de apertura; mientras mayor sea la corriente de apertura, menor será el tiempo de crecimiento. Tiempo de almacenamiento: t s (storage time): Intervalo de tiempo entre el instante en que la tensión de entrada comienza el descenso y el punto correspondiente al 90% de la forma de onda descendente de la corriente de colector. El tiempo de almacenamiento es una función de h fe, y de las corrientes de apertura y cierre. La no respuesta del transistor durante el tiempo t s a la anulación de la excitación, se debe a que el transistor en saturación tiene una carga en exceso de portadores minoritarios almacenados en la base. El transistor no puede responder hasta que ese exceso de carga de saturación se haya eliminado. En el caso extremo este tiempo t s puede ser de dos a tres veces el tiempo de subida o de bajada a través de la región activa. Al emplear transistores de conmutación donde la velocidad resulta de verdadero interés, la mayor ventaja se obtiene cuando se reduce el tiempo de almacenamiento. Se puede reducir el tiempo de almacenamiento proporcionando una corriente inversa de base de manera que extraiga los portadores en exceso de la base, 2

3 aumentando así la velocidad de disminución del número de portadores almacenados en exceso. Un condensador, llamado condensador de rapidez, elegido apropiadamente y colocado en paralelo con la resistencia de base R 1 (Figura 1-a) hará que t s se reduzca considerablemente. El condensador de rapidez también proporciona un impulso de corriente inicial cuando el transistor se conmuta al estado de conducción, reduciendo de este modo el tiempo de retardo (t d ) y el de subida (t r ). Tiempo de caída t f (fall time): Intervalo de tiempo entre los puntos correspondientes al 90 y 10% de la forma de onda descendente de la corriente de colector. Tiempo de conexión o encendido T ON = t d + t r : Resulta de la suma de los tiempos de retardo t d y de subida t r. Es el tiempo total para pasar del corte a la saturación. Tiempo de desconexión o apagado T OFF = t s + t f : Es la suma de los tiempos de almacenamiento t S más el de caída t f. Es el tiempo total para pasar de la saturación al corte. Tiempo total de conmutación T T = (t d + t r ) + (t s + t f ) = T ON + T OFF Los tiempos de encendido (T ON ) y apagado (T OFF ) limitan la frecuencia máxima a la cual puede conmutar el transistor. F máx T ON 1 T OFF 1 T T En la Tabla 1 se detallan los tiempos de respuestas de algunos transistores utilizados en conmutación, de acuerdo a las hojas de datos dadas por el fabricante. Transistor Aplicaciones Pot. h fe (mín/máx) t d t r t s t f t on t off f T (mín) (MHz) PXT2222A NPN-(Philips) PMBT2369 NPN-(Philips) Propósitos grales. P tot= 1,25W Alta Velocidad P tot= 250 mw 100/ / MPS3904 NPN-(Philips) Propósitos generales. P tot= 500mW 100/ Tabla 1: Valores comparativos de los tiempos de conmutación de diferentes transistores En los circuitos interruptores a transistor, el tiempo de encendido: T ON de un transistor, definido anteriormente como el retardo de tiempo entre el instante de 3

4 aplicación de un pulso de entrada y el momento en que la corriente de salida toma el 90% de su valor final, NO se emplea para analizar el retraso de la propagación, por dos motivos: Primero, la entrada a la puerta no es un impulso cuadrado, sino que tiene un tiempo de subida no nulo. Segundo, la entrada no necesita alcanzar el 90% de su valor para que la puerta cambie de estado. Por lo tanto el tiempo que se utiliza es el tiempo de propagación: Tiempo de retardo de propagación: El tiempo que tarda un interruptor a transistor en responder a una señal de entrada es lo que se llama tiempo de retardo de propagación tpd. La Figura 3 ilustra gráficamente los conceptos tpdf y tpdr aplicados al caso de un circuito que realiza la función lógica inversión. Figura 3: Tiempo de retardo de propagación tpdr = tpd,lh = tpd+ = Tiempo de retraso cuando la salida alcanza el 50% del nivel al pasar del nivel bajo al alto. tpdf = tpd,hl = tpd- = Tiempo de retraso cuando la salida del interruptor alcanza el 50% del nivel al pasar del nivel alto hacia el nivel bajo. Ordinariamente tpd+ es mayor que tpd- a causa de la inevitable capacidad en la salida del interruptor. Por lo tanto el tiempo que tarda un interruptor a transistor en responder a una señal de entrada, definido como tiempo de propagación medio, es la media aritmética entre los tiempos medios de propagación del cambio de estado de la entrada a la salida en los casos en que ésta pasa del estado 1 al 0, y viceversa, es decir: tpd= (tpdf + tpdr) / 2 on lo cual la frecuencia máxima de utilización del transistor estará dada por: f máx.=1/2 tpd 4

5 2.-LIMITAIONES DE FREUENIA DE LOS TRANSISTORES iertos transistores presentan una ganancia aprovechable en frecuencias de cientos de MHz, mientras que otros no funcionarán con frecuencias superiores a los 50 khz. Las características dadas por los fabricantes o los manuales de transistores indican, por lo general, uno o más parámetros que describen el comportamiento de los transistores en función de la frecuencia. Los tres parámetros de frecuencia más comúnmente indicados son: Frecuencia de corte beta o de emisor común: f, es la frecuencia para la cual la ganancia de corriente h fe, del transistor en configuración emisor común cae 1/ 2 0,707, por lo tanto f es la frecuencia de corte en la que la ganancia en corto circuito en configuración emisor común, cae 3 db, Figura 4. Figura 4: aracterísticas frecuenciales. Frecuencia de transición o de corte: f T, Se define como la frecuencia para la cual la ganancia de corriente, h fe, del transistor en configuración emisor común, se hace igual a la unidad, con lo cual se considera que es la máxima frecuencia de operación del transistor. i i i b h fe 1 i (db) = 20 log 1 = 0 db Se deduce también que f T = h fe. f, llamado producto ganancia-ancho de banda. Frecuencia de corte alfa o de base común: f, es la frecuencia para la cual la ganancia de corriente h fb ( ), en configuración base común cae 0,707; por lo tanto f es la frecuencia de corte en la que la ganancia de corto circuito en configuración base común, cae 3 db. Bibliografía: MANDADO Enrique; Sistemas Electrónicos Digitales. Marcombo Boixareu Editores. Barcelona, SHILLING Donald, BELOVE harles; ircuitos Electrónicos, discretos e integrados. Marcombo Boixareu Editores. Barcelona, BOYLESTAD Robert, NASHELSKY, Louis; Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. Pearson Educación. México,

6 6

7 7

8 8

9 9