Electrónica Analógica Transistores Práctica 5

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1 APELLIDOS:...NOMBRE:... APELLIDOS:...NOMBRE:... EJERCICIO 1: V C V B V E Calcular de forma teórica el valor de todas las tensiones y corrientes del circuito suponiendo el transistor en la zona activa (V BE =0,7v) y despreciando la corriente de base. V B = 2,2 V V C = 6,98 V V E = 5,02 V V CE = 5,46 V V CB = 4,76 V (tensión de colector mayor que la base) I C = 1,52 ma Comprobar la zona de funcionamiento en la que se encuentra trabajando el transistor. El transistor se encuentra trabajando en la zona activa, es decir, funciona como amplificador. La unión base-emisor está polarizada directamente y la unión base-colector inversamente. Además existe una tensión superior a la de saturación a través del transistor (C-E), habiendo corriente. Ingeniería de Sistemas y Automática Pag 1

2 Montar el circuito en el simulador y emplear los voltímetros y amperímetros que se consideren necesarios para comprobar los valores calculados de forma teórica. V B = V C = V E = V CE = V CB = 1,48 V V 2,162 V 5,63 V 4,959 I C = 1,488 ma I E = 1,479 ma I B = 9,77 ua Comprobar como se ve afectado el circuito de polarización por la resistencia de 3,3 k sustituyendo ésta por un potenciómetro de 10k y completando la siguiente tabla. R I C V CE V C Tensión en el potenciometro (R) 5% 1,485 ma 9,762 V 11,256 V 0,744 V 20% 1,481 ma 7,542 V 9,032 2,968 V 40% 1,477 ma 4,606 V 6,092 V 5,908 V 60% 1,471 ma 1,69 V 3,172 V 8,828 V 80% 1,318 ma 0,116 V 1,466 V 10,534 V 100% 1,078mA 0,088 V 1,232 V 10,768 V Ingeniería de Sistemas y Automática Pag 2

3 Consecuencias: La tensión de colector disminuye a medida que crece la resistencia, la intensidad en el colector no depende apenas del potenciómetro, hasta que el transistor entra en saturación. El transistor se satura cuando la tensión de colector emisor es menor que la tensión de unión (aproximadamente 0,7 V). En ese momento el circuito se comporta como un divisor de tensión con un transistor saturado en medio. La tensión colector emisor depende ahora de las resistencias de colector, de emisor y las de polarización de la base. Comprobar como se ve afectado el circuito de polarización por la resistencia de 7,5k sustituyendo ésta por un potenciómetro de 10k y completando la siguiente tabla. R I B V BE I C V C V CE 5% -1,166 ua 0,178 V 1,776 ua 11,99 V 11,989 V 10% ua 0,353 V 1,776 ua 11,99 V 11,989 V 15% -0,990 ua 0,518 V 7,105 ua 11,977 V 11,972 V 30% 1,887 ua 0,635 V 0,357 ma 10,82 V 10,462 V 50% 5,551 ua 0,66 V 0,889 ma 9,066 V 8,172 V 70% 8,882 ua 0,672 V 1,367 ma 7,489 V 6,114 V 100% 0,013 ma 0,683 V 1,993 ma 3,421 V 5,427 V Consecuencias Al usar el potenciómetro con valores de resistencia muy bajos, la unión base-emisor no se polariza suficientemente y el transistor permanece en corte. Hacia el 30% la base se polariza y la tensión de emisor se mueve con la tensión de base (manteniendo unos 0,63 a 0.68 V de diferencia) y determina la intensidad de emisor, aproximadamente igual a la intensidad de colector; de esta forma se determina también la tensión de colector. Modificar el circuito como se indica a continuación comprobando mediante la ayuda del osciloscopio el funcionamiento de éste y determinar la ganancia del circuito. Ingeniería de Sistemas y Automática Pag 3

4 Estimar y comprobar como se ve afectado el circuito al modificar la resistencia de 3,3k A = 111,3 sabiendo que la tensión de salida es de V o 111,7 medido a través del osciloscopio. V O1 EJERCICIO 2 Analizar el funcionamiento del circuito de la figura, indicando el estado del transistor cuando la lámpara se encuentra encendida y cuando se encuentra apagada. Ingeniería de Sistemas y Automática Pag 4

5 Describir el funcionamiento del circuito Cuando el conmutador conecta la base (a través de la resistencia de 10 kω) a -12V, la base se polariza inversamente y el transistor queda en corte, de modo que no circula corriente por la bobina del relé. Si conectamos la base a +12V, la base se polariza directamente y circulan por la base 1,13 ma hacia el emisor; dependiendo de la resistencia (para continua) de la bobina del relé y de la ganancia de corriente del transistor, éste se saturará (por ejemplo, para β=100 y Rr>240Ω), accionando el relé. Cuando el contacto del relé está cerrado (suponemos que lo está cuando el relé está excitado) la fuente de tensión (220 V, 60 Hz) se conecta a una lámpara de 10 W, 12 V, en serie con una resistencia de 0,5 kω; la lámpara presenta una impedancia de unos 14,4Ω, que construye un divisor de tensión con la resistencia, quedando una caída de tensión en la lámpara de unos 6 V, haciendo que luzca débilmente. EJERCICIO 3 DETERMINACIÓN DE LA CARACTERISTICA I D = f(v DS ) Montar el circuito de la figura anterior, en el que los datos del transistor son β =0.001 y V TO = Ajustar la tensión V GS a 0V. Variar la tensión de la fuente Vdd entre 0 y 14V y anotar los valores de la corriente de drenador y de la tensión drenador-fuente, que indican el voltimetro y el amperímetro rellenando así la siguiente tabla. V GS = 0V: V DD V DS (v) ,42 0,65 0,88 1,13 1,40 1,68 1,99 2,33 2,72 3,19 3,82 4,73 5,66 Ingeniería de Sistemas y Automática Pag 5

6 I D (ma) 0 1,59 3,16 4,71 6,24 7,74 9, V GS =-1V: V DD V DS (v) 0 0,26 0,54 0,84 1,17 1,54 1,98 2,54 3,39 4,35 5,31 6,28 7,24 8,20 9,16 I D (ma) 0 1,48 2,92 4,32 5,66 6,91 8,04 8,92 9,22 9,30 9,37 9,45 9,53 9,60 9,68 V GS =-2V: V DD V DS (v) 0 0,35 0,76 1, I D (ma) 0 1,3 2,4 3, V GS =-3V: V DD V DS (v) 0 0,5 1,5 2,5 3,5 4,5 5,5 6,5 7,5 8,5 9,5 10,5 11,5 12,5 13,4 I D (ma) 0 0, Con los valores obtenidos anteriormente, representar gráficamente la característica I D = f(v DS ) del JFET, para los distintos valores de V GS. Ingeniería de Sistemas y Automática Pag 6

7 3. Determinar a partir de la gráfica resultante, los valores de I DS y Vp. Ids es la corriente de drenador en saturación para Vgs igual a cero. En nuestro circuito seria 16 ma Vp es la tensión de saturación o estrangulamiento y el valor de Vgs que hace que la corriente Id sea prácticamente nula. 4. Calcular, para los distintos valores de V GS, el valor óhmico del transistor cuando trabaja en la zona lineal. En la zona lineal R=Vds/Ids= 0,35/1.3 = 0.27 K La resistencia irá aumentando a medida que el valor de Vgs va disminuyendo. Cuanto más estrangulado esté el canal, mayor resistencia tendrá. DETERMINACIÓN DE LA CARACTERISTICA I D = f(v GS ) En el mismo circuito de antes fijar la tensión V DS a 6V (para lo cual se mantendrá en 6V la tensión V dd y se cortocircuitará la resistencia de drenador). 1. Variar la tensión V GS y rellenar la siguiente tabla. V GS (v) I D (ma) ,43 6,55 4,20 2,37 1,05 0, Con los valores obtenidos anteriormente, representar gráficamente la característica I D = f(v GS ) del JFET, para el valor V DS = 6V. Ingeniería de Sistemas y Automática Pag 7

8 EJERCICIO 4 Sabiendo que el generador de funciones está introduciendo en el amplificador una tensión cuadrada de 1 Hz y 10 voltios de amplitud, y que los dos transistores son los especificados en el circuito. - Hacer un estudio detallado del funcionamiento del circuito. - Completar la gráfica adjunta con la forma de onda de las tensiones en la carga y el estado en cada momento de cada uno de los transistores. - Calcular el punto estático de funcionamiento de ambos transistores si V GS =4v La tensión de entrada bascula entre +10 V y -10 V cada 500 ms. Durante el tiempo que se presenta la tensión positiva, ésta polariza la puerta del transistor ZVN2106, haciendo que conduzca, lo que conecta el positivo de la batería a masa y, por tanto, el extremo izquierdo de la resistencia de carga; consideramos que la tensión sobre ella es -100 V, ya que la puerta del segundo transistor (ZVP2106) se encuentra conectada a masa a través del diodo, polarizado directamente y, por ello, en conducción, lo que bloquea a dicho transistor. Durante el medio segundo posterior, la situación cambia simétricamente, bloqueándose el primer transistor (ZVN2106) y pasando a conducir el segundo (ZVP2106), lo que conecta a +100 V el extremo derecho de la resistencia de carga; consideramos que en esta ocasión la tensión sobre esta resistencia es de +100 V. Ingeniería de Sistemas y Automática Pag 8

9 El circuito conmuta la tensión de las baterías sobre la resistencia de carga, al ritmo de la onda cuadrada de la entrada, atacándola con sentido inverso al de la señal de entrada. Ingeniería de Sistemas y Automática Pag 9

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