J-FET de canal n J-FET (Transistor de efecto campo de unión) J-FET de canal p FET

Tamaño: px
Comenzar la demostración a partir de la página:

Download "J-FET de canal n J-FET (Transistor de efecto campo de unión) J-FET de canal p FET"

Transcripción

1 I. FET vs BJT Su nombre se debe a que el mecanismo de control de corriente está basado en un campo eléctrico establecido por el voltaje aplicado al terminal de control, es decir, a diferencia del BJT, el transistor de efecto de campo es un dispositivo controlado por voltaje (V GS ). El BJT es un dispositivo controlado por corriente (I B ). Se conoce también como transistor unipolar debido a que la corriente es conducida por 1 tipo de portador (electrones o huecos) según el material del que se construya el FET (canal p o canal n). El BJT es un transistor bipolar debido a que en él, la conducción de corriente se da por el desplazamiento de portadores de 2 polaridades: huecos (+) y electrones (-). En comparación con los BJT s, los transistores de efecto de campo son más estables ante los cambios de T. Los FET s son más fáciles de fabricar y su tamaño pequeño permite una mayor cantidad de dispositivos en un circuito integrado. II. CLASIFICACIÓN J-FET de canal n J-FET (Transistor de efecto campo de unión) J-FET de canal p FET MOSFET (Transistor de efecto campo de semiconductor óxido metálico) MOSFET de enriquecimiento o incremental MOSFET de deplexión o decremental Debido a que los MOSFET ocupan una pequeña área de silicio del C.I y su proceso de manufactura es relativamente sencillo, este tipo de transistores FET son muy populares desde Además, las funciones de lógica digital se pueden ejecutar con estos transistores sin necesidad de emplear diodos o resistencias; de aquí la razón por la que los C.I de VLSI (Very Large Scale Integration) se fabrican con tecnología MOS.

2 III. MOSFET INCREMENTAL a. Estructura física (Mosfet incremental de canal N) Dióxido de silicio (aislante) D (Drain) Región dopada n Contactos metálicos G (Gate) Sustrato de TIPO P SS (Sustrato o cuerpo) S (Source) Región dopada n Sustrato tipo P: Ofrece apoyo físico para todo el dispositivo, además de generar uniones PN con las regiones de Source y Drain. En operación normal, estas uniones permanecen polarizadas inversamente. Contactos metálicos: Permiten la conexión de los terminales Source y Drain con las regiones dopadas n. Dióxido de silicio (SiO 2 ): Aislador eléctrico que cubre el área entre las regiones de Source y Drain. Terminales Source y Drain : Regiones tipo N fuertemente contaminadas. Terminal Gate : Se forma depositando metal en la parte superior de la capa de óxido (SiO 2 ). En general, se considera que el MOSFET cuenta con 3 terminales: Drain, Source y Gate. Cuando se aplica un voltaje positivo al terminal Gate (V GS ), se crea una región n entre Drain y Source que permitirá la circulación de corriente entre estos 2 terminales; a esta región se le da el nombre de CANAL N. (de aquí el nombre de Mosfet de canal n). Canal N

3 El valor de V GS para el cual un número suficiente de electrones libres se acumula en la región del canal para formar un canal conductor, se conoce como voltaje umbral y se denota como V t. Este voltaje es POSITIVO para un MOSFET de canal n (caso contrario al MOSFET de canal p ) y es controlado durante la fabricación del dispositivo (por lo general su valor se encuentra entre 1 y 3 voltios). Cuando se induce un canal entre D y S, se genera un voltaje entre dichos terminales conocido como V DS. Para que un MOSFET conduzca, debe inducirse un canal entre drain y source. Cuando V GS > V t enriquece el canal (resistencia entre drain y source reducida). De aquí se deriva el nombre de MOSFET incremental o de enriquecimiento. El MOSFET de canal N, se suele denominar NMOS. b. Simbolo Mosfet incremental de CANAL N (voltajes y corrientes en su dirección respectiva): Mosfet incremental de CANAL P (voltajes y corrientes en su dirección respectiva):

4 c. Curva característica I D vs V DS Si se mantiene un voltaje constante de V GS (V GS > V t ) y se varía el voltaje V DS, el canal toma una forma cónica y su resistencia incrementa proporcionalmente con V DS.

5 Las zonas de operación de un MOSFET son: 1. Zona de corte: Es dispositivo está en corte cuando V GS < V t. 2. Zona de tríodo: Para operar un MOSFET en esta región, primero se debe inducir un canal (V GS V t ) y luego mantener V DS lo suficientemente pequeño para que el canal permanezca continuo (sin tomar la forma cónica) lo cual se logra asegurando V GD > V t. En resumen: a) Se induce un canal entre drain y source: V GS V t b) Se mantiene un canal continuo: V GD > V t,es decir, V DS < V GS V t En las zonas de corte y tríodo, el MOSFET opera como interruptor. 3. Zona de saturación: Para operar en esta zona, se deben cumplir los siguientes pasos: a) Se induce un canal entre drain y source: V GS V t b) Se genera un canal estrangulado (forma cónica): V GD V t,es decir, V DS > V GS V t Se dice que el MOSFET se encuentra en la frontera entre la región de tríodo y la de saturación cuando V DS = V GS V t. - En la zona de saturación, el MOSFET opera como amplificador. - El MOSFET saturado proporciona una corriente de drain (I D ) independiente de V DS y que está determinada por V GS, por lo tanto, en esta región, el dispositivo actúa como una fuente ideal corriente cuyo valor es controlado por V GS.

6 IV. MOSFET DECREMENTAL a. Estructura física (Mosfet decremental de canal n) D (Drain) Canal n G (Gate) Sustrato de TIPO P SS (Sustrato o cuerpo) S (Source) Región dopada n - A diferencia del mosfet incremental, el mosfet decremental tiene un canal físicamente implantado, es decir, en este transistor no es necesario inducir un canal entre drenador y fuente para que haya circulación de corriente. - Cuando se aplica un V GS negativo, la conductividad del canal disminuya y el transistor entra en la etapa de agotamiento. A medida que el voltaje negativo aumenta, se llega a un punto en el canal se encuentra completamente vacío de portadores de carga y por lo tanto i D se hace cero (aún cuando V DS todavía se puede aplicar). - El voltaje negativo V GS para el cual i D ya se ha reducido a cero, se conoce como el voltaje de umbral del mosfet decremental de canal n. - Se puede deducir que: el mosfet decremental se puede operar en el modo de enriquecimiento (mosfet incremental) al aplicar un V GS positivo y en el modo de agotamiento al aplicar un V GS negativo, lo cual se ilustra a continuación:

7 b. Símbolo Mosfet decremental de CANAL N Mosfet decremental de CANAL P NOTA: La diferencia en la simbología del Mosfet decremental respecto al incremental, radica en la línea gruesa que representa la existencia física del canal. c. Curva característica

8 Mosfet Incremental vs. Mosfet decremental:

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TTEEMAA 55: :: TTrraanss issttoorreess i dee eeffeeccttoo dee ccaamppoo 11 1) Cuál de los siguientes dispositivos no es un transistor de efecto de campo? a) MOSFET

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TRASISTORES DE EFECTO DE CAMO Oscar Montoya Figueroa Los FET s En el presente artículo hablaremos de las principales características de operación y construcción de los transistores de efecto de campo (FET

Más detalles

Transistores de Efecto de Campo

Transistores de Efecto de Campo Transistores de Efecto de Campo El transistor de efecto de campo o simplemente FET (Field-Effect- Transistor) es un dispositivo semiconductor de tres terminales muy empleado en circuitos digitales y analógicos.

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Tema 7 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 1.- Introducción. 2.- Transistores de unión de efecto de campo (JFET). 2.1.- Estructura Básica. 2.2.- Símbolos. 2.3.- Principio de funcionamiento. 2.3.1.- Influencia

Más detalles

Transistor MOSFET ELEMENTOS ACTIVOS EL-2207 I SEMESTRE 2011

Transistor MOSFET ELEMENTOS ACTIVOS EL-2207 I SEMESTRE 2011 Transistor MOSFET ELEMENTOS ACTIVOS EL-2207 I SEMESTRE 2011 ITCR - Elementos Activos I 2011 Objetivos El transistor de efecto de campo MOSFET y la tecnología CMOS (6 semanas) Construcción, símbolo, clasificación.

Más detalles

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI

Figura Nº 4.1 (a) Circuito MOS de canal n con Carga de Deplexion (b) Disposición como Circuito Integrado CI Tecnología Microelectrónica Pagina 1 4- FABRICACIÓN DEL FET Describiendo el proceso secuencia de la elaboración del NMOS de acumulación y de dispositivos de deplexion, queda explicada la fabricación de

Más detalles

GUÍA 5: TRANSISTORES

GUÍA 5: TRANSISTORES 3º Electrónica Rogelio Ortega GUÍA 5: TRANSSTORES 1. LASFAÓN DE TRANSSTORES PNP ipolar (JT) NPN TRANSSTOR anal P (JFET P) Unión anal N (JFET N) Efecto de campo (FET) Metal Oxide Semiconductor anal P (MOSFET

Más detalles

CAPI TULO 2 TRANSISTORES MOSFET INTRODUCCIÓN. 2.1. Historia del Transistor

CAPI TULO 2 TRANSISTORES MOSFET INTRODUCCIÓN. 2.1. Historia del Transistor CAPI TULO 2 TRANSISTORES MOSFET INTRODUCCIÓN En este capítulo estudiaremos los transistores. Se dará a conocer de manera breve como surgió el transistor el funcionamiento básico de este. Sin embargo el

Más detalles

BIBLIOGRAFÍA 2.1 INTRODUCCIÓN 2.1 INTRODUCCIÓN (2) Tema 3: EL TRANSISTOR FET

BIBLIOGRAFÍA 2.1 INTRODUCCIÓN 2.1 INTRODUCCIÓN (2) Tema 3: EL TRANSISTOR FET BIBLIOGRAFÍA Tema 3: EL TRANSISTOR FET.1 Introducción. El Mosfet de acumulación Funcionamiento y curvas características Polarización.3 El Mosfet de deplexión Funcionamiento y curvas características.4 El

Más detalles

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Compilación y armado: Sergio Pellizza Dto. Apoyatura Académica I.S.E.S. En el capítulo anterior hemos visto que en los transistores bipolares una pequeña corriente de

Más detalles

CAPÍTULO 3. Transistores de efecto de campo MOS (MOSFET)

CAPÍTULO 3. Transistores de efecto de campo MOS (MOSFET) CAPÍTULO 3 Transistores de efecto de campo MOS (MOSFET). Introducción 101 3.6 Determinaciones de potencias en el amplificador MOSFET fuente común 150 3.1 Estructura del dispositivo y principio de operación

Más detalles

Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ

Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ Los inventores del primer transistor en los Bell Laboratories: Doctor Williams Shockley, Doctor John Bardeen

Más detalles

Transistor de Efecto de Campo con Gate aislado Es unipolar con canal tipo n o tipo p Gate = polisilicio >> dopado sustrato

Transistor de Efecto de Campo con Gate aislado Es unipolar con canal tipo n o tipo p Gate = polisilicio >> dopado sustrato TRANSISTOR MOS Transistor de Efecto de Campo con Gate aislado Es unipolar con canal tipo n o tipo p Gate = polisilicio >> dopado sustrato Consideraciones El sustrato o Bulk es la base donde se construyen

Más detalles

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales

Transistores de efecto de campo (npn) drenador. base. fuente. emisor BJT dispositivo de 3 terminales Diapositiva 1 Transistores de efecto de campo (npn) puerta FET dispositivo de 3 terminales corriente e - de canal desde la fuente al drenador controlada por el campo eléctrico generado por la puerta impedancia

Más detalles

MOSFET Conceptos Básicos

MOSFET Conceptos Básicos MOSFET Conceptos Básicos Profesor: Ing. Johan Carvajal Godínez Introducción FET = Field Effect Transistor Unipolar = solo un tipo de portador de carga Controlado por voltaje ID=F (VGS) D Zonas de agotamiento

Más detalles

MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET

MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC TEMAS: Transistores MOSFET. Parámetros del Transistor MOSFET. Conmutación de Transistores MOSFET. OBJETIVOS: Comprender el funcionamiento del

Más detalles

Transistor de Juntura de Efecto de Campo Es unipolar con canal tipo n o tipo p Dopado Gate > dopado canal

Transistor de Juntura de Efecto de Campo Es unipolar con canal tipo n o tipo p Dopado Gate > dopado canal TRANSISTOR J-FET Transistor de Juntura de Efecto de Campo Es unipolar con canal tipo n o tipo p Dopado Gate > dopado canal Símbolos: Canal n y p Funcionamiento Con V G = 0 y V D = 0 habrá una pequeña zona

Más detalles

TEMARIO ESPECÍFICO - TEMA DEMO TECNOLOGÍA TEMA 60: CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERÍSTICAS

TEMARIO ESPECÍFICO - TEMA DEMO TECNOLOGÍA TEMA 60: CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERÍSTICAS TECNOLOGÍA TEMA 60 CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERÍSTICAS Difícilmente podrá encontrarse una actividad, técnica o no, que no implique algún elemento o circuito de conmutación.

Más detalles

FACULTAD de INGENIERIA

FACULTAD de INGENIERIA Dr. Andres Ozols Laboratorio de Sólidos Amorfos (Depto. de Física) Grupo de Biomateriales para Prótesis GBP (Instituto de Ingeniería Biomédica) aozols@fi.uba.ar www.fi.uba.ar/~aozols TRANSISTOR DE EFECTO

Más detalles

Introducción. 3.1 Modelo del Transistor

Introducción. 3.1 Modelo del Transistor 3 Celdas Básicas Introducción Muchas de las celdas utilizadas a lo largo de este trabajo están conformadas por circuitos más pequeños que presentan un comportamiento particular. En capítulos posteriores

Más detalles

2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET de Empobrecimiento

2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET de Empobrecimiento TRANSISTORES FET e IGBT 1 1. Transistores de Efecto de Campo de Unión (FET). Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada.1. MOSFET de Enriquecimiento.. MOSFET de Empobrecimiento 3. Transistor Bipolar

Más detalles

Ing. Adrián Darío Rosa. Capítulo XI. Transistor de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)

Ing. Adrián Darío Rosa. Capítulo XI. Transistor de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) Capítulo XI 1 Transistor de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) 1) Introducción. En el capítulo anterior hemos visto el principio de funcionamiento de este tipo de dispositivo en términos

Más detalles

El transistor de potencia

El transistor de potencia A 3.2 P A R T A D O El transistor de potencia 32 A Introducción a los transistores de potencia 3.2 A. Introducción a los transistores de potencia El funcionamiento y utilización de los transistores de

Más detalles

TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES

TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES INTRODUCCIÓN TEMA 9 REPASO SEMICONDUCTORES La etapa de potencia es la encarga de suministrar la energía que necesita el altavoz para ser convertida en sonido. En general, los altavoces presentan una impedancia

Más detalles

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES EL TRANSISTOR BIPOLAR Dr. Ing.Eduardo A. Romero Los transitores bipolares se construyen con una fina capa de material semiconductor de tipo P entre dos capas de material

Más detalles

UNIDAD 3 EL DIODO SEMICONDUCTOR Y MODELOS

UNIDAD 3 EL DIODO SEMICONDUCTOR Y MODELOS UNIDAD 3 EL DIODO SEMICONDUCTOR Y MODELOS OBJETIVO El estudiante conocerá la estructura básica de un diodo semiconductor para distinguir su principio de operación, comportamiento ideal y real, los modelos

Más detalles

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evolución hacia el MOSFET de enriquecimiento que es también llamado de acumulación. Sin el MOSFET de enriquecimiento no existirían

Más detalles

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL FACULTAD REGIONAL ROSARIO E CAMPO INTRODUCCION Los diferentes tipos de transistores que existen pueden agruparse en dos grandes grupos o familias: a) Transistores bipolares

Más detalles

S. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 2001.

S. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 2001. Tema 6. El transistor MOS Bibliografía A.S. Sedra, K.C. Smith, Circuitos Microelectrónicos, Oxford University Press, 004. S. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 00. Índice del Tema 6 ESTRUCTURA FÍSCA

Más detalles

TEGNOLOGIA ELECTROMECÀNICA V SEMESTRE - 2014

TEGNOLOGIA ELECTROMECÀNICA V SEMESTRE - 2014 TEGNOLOGIA ELECTROMECÀNICA V SEMESTRE - 2014 DOCENTE: JULIO CÉSAR BEDOYA PINO INGENIERO ELECTRÓNICO ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE POTENCIA TIRISTOR Es un componente electrónico constituido por elementos semiconductores

Más detalles

POLARIZACION DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION J-FET (JUNTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)

POLARIZACION DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION J-FET (JUNTION FIELD EFFECT TRANSISTOR) POLAZACON DEL TANTO DE EFECTO DE CAMPO DE UNON J-FET (JUNTON FELD EFFECT TANTO) TEOA PEA El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas con respecto del transistor

Más detalles

UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET

UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET UNIDAD 4 TRANSISTORES BJT Y JFET OBJETIVO Conocer, identificar, resolver y analizar los transistores BJT y JFET, así como distinguir sus ventajas y desventajas. TEMARIO 4.1 Construcción del transistor

Más detalles

TEMA 7 TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

TEMA 7 TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO TEMA 7 TRANITORE E EFECTO CAMPO (uía de Clases) Asignatura: ispositivos Electrónicos I pto. Tecnología Electrónica CONTENIO INTROUCCIÓN JFET: CURVA CARACTERÍTICA ímbolos de los JFET Esquema básico de polarización

Más detalles

IG = 0 A ID = IS. ID = k (VGS - VT) 2

IG = 0 A ID = IS. ID = k (VGS - VT) 2 INTRODUCCION El transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. El FET tiene más similitudes con un transistor bipolar que diferencias. Debido a esto casi todos los tipos de

Más detalles

Diapositiva 1 Para presentar los semiconductores, es útil empezar revisando los conductores. Hay dos perspectivas desde las que se puede explorar la conducción: 1) podemos centrarnos en los dispositivos

Más detalles

Unidad Orientativa (Electrónica) Amplificadores Operacionales

Unidad Orientativa (Electrónica) Amplificadores Operacionales Unidad Orientativa (Electrónica) 1 Amplificadores Operacionales Índice Temático 2 1. Que son los amplificadores operacionales? 2. Conociendo a los Amp. Op. 3. Parámetros Principales. 4. Circuitos Básicos

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Tema 7 TRANITORE E EFECTO E CAMPO 1.- Introducción. 2.- Transistores de unión de efecto de campo (JFET) 2.1.- Estructura básica. 2.2.- ímbolos. 2.3.- Principio de funcionamiento. 2.3.1.- Influencia de.

Más detalles

Los objetivos a cubrir en el cuarto capítulo, en sus distintos epígrafes, son el conocimiento de:

Los objetivos a cubrir en el cuarto capítulo, en sus distintos epígrafes, son el conocimiento de: 4 El transistor MOS 4.1 Introducción En este capítulo estudiaremos un segundo transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN, como el BJT, sino que el movimiento de carga se produce exclusivamente

Más detalles

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA

COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA COMPONENTES DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS EMPLEADOS EN TECNOLOGÍA RESUMEN La revolución tecnológica que vive la sociedad actual se debe en gran parte a la electrónica gracias a la innumerable cantidad de aparatos

Más detalles

CAPÍTULO COMPONENTES EL DIODO SEMICONDUCTORES: 1.1 INTRODUCCIÓN

CAPÍTULO COMPONENTES EL DIODO SEMICONDUCTORES: 1.1 INTRODUCCIÓN CAPÍTULO 1 COMPONENTES SEMICONDUCTORES: EL DIODO 1.1 INTRODUCCIÓN E n el capítulo 5 del tomo III se presentó una visión general de los componentes semiconductores básicos más frecuentes en electrónica,

Más detalles

A.3. El transistor unipolar

A.3. El transistor unipolar A.3. El transistor unipolar A.3.1. Introducción El siguiente componente que vamos a estudiar es el transistor unipolar o FET (field effect transistor). El FET de unión fue descrito por primera vez en 1952

Más detalles

2. Electrónica. 2.1. Conductores y Aislantes. Conductores.

2. Electrónica. 2.1. Conductores y Aislantes. Conductores. 2. Electrónica. 2.1. Conductores y Aislantes. Conductores. Se produce una corriente eléctrica cuando los electrones libres se mueven a partir de un átomo al siguiente. Los materiales que permiten que muchos

Más detalles

PROBLEMAS DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA (Transistores C.C.)

PROBLEMAS DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA (Transistores C.C.) PROLEMAS E ELECTRÓNCA ANALÓGCA (Transistores C.C.) Escuela Politécnica Superior Profesor. arío García Rodríguez ..- En el circuito de la figura si α. 98 y E.7 oltios, calcular el valor de la resistencia

Más detalles

Componentes: RESISTENCIAS FIJAS

Componentes: RESISTENCIAS FIJAS ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA Componentes: RESISTENCIAS FIJAS Componentes: RESISTENCIAS VARIABLES Componentes: RESISTENCIAS DEPENDIENTES Componentes: RESISTENCIAS DEPENDIENTES Componentes: CONDENSADORES Componentes:

Más detalles

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. Dispositivos unipolares

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. Dispositivos unipolares Diapositiva 1 Concepto Su funcionamiento se basa en el control de la corriente mediante un campo eléctrico. Dispositivos unipolares La corriente depende únicamente del flujo de portadores mayoritarios

Más detalles

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS

INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS INTRODUCCION A PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR BIPOLAR, DISEÑADOS CON PARAMETROS HIBRIDOS OBJETIVO: El objetivo de estas practicas es diseñar amplificadores en emisor común y base común aplicando

Más detalles

MODULO Nº6 TIRISTORES UNIDIRECCIONALES

MODULO Nº6 TIRISTORES UNIDIRECCIONALES MODULO Nº6 TIRISTORES UNIDIRECCIONLES UNIDD: CONVERTIDORES C - CC TEMS: Tiristores. Rectificador Controlado de Silicio. Parámetros del SCR. Circuitos de Encendido y pagado del SCR. Controlador de Ángulo

Más detalles

Seminario de Electricidad Básica

Seminario de Electricidad Básica Seminario de Electricidad Básica Qué es la Electricidad? Es una forma de energía natural que puede ser producida artificialmente y que se caracteriza por su poder de transformación; ya que se puede convertir

Más detalles

Al finalizar esta asignatura el estudiante estará en condiciones de:

Al finalizar esta asignatura el estudiante estará en condiciones de: ASIGNATURA :ELECTRÓNICA I CODIGO :TEC-151 CREDITOS :04 PREREQ. :TEC-116 INTRODUCCIÓN: Esta asignatura comprende los principios básicos que debe manejar con fluidez el estudiante de ingeniería en las áreas

Más detalles

ELECTRÓNICA ANALÓGICA. El circuito eléctrico. 1-1 Ediciones AKAL, S. A. Está formado por cuatro elementos fundamentales:

ELECTRÓNICA ANALÓGICA. El circuito eléctrico. 1-1 Ediciones AKAL, S. A. Está formado por cuatro elementos fundamentales: El circuito eléctrico Está formado por cuatro elementos fundamentales: Generador de corriente: pila. Conductor de la corriente: los cables. Control de la corriente: los interruptores. Receptores: bombillas,

Más detalles

LOGO. Semiconductores Organicos

LOGO. Semiconductores Organicos LOGO Semiconductores Organicos Integrantes Berjano Fernando Mezzadra Tomás Rodríguez Leandro Semiconductor Orgánico (Intro) Compuesto orgánico bajo la forma de cristal o un polímero que muestra propiedades

Más detalles

Transistor de Efecto de Campo xido-semiconductor MOSFET

Transistor de Efecto de Campo xido-semiconductor MOSFET Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido xido-semiconductor MOSFET Dr. Andres Ozols FIUBA 2007 Dr. A. Ozols 1 ESTRUCTURA MOS de DOS TERMINALES Dr. A. Ozols 2 Capacitor metal-óxido-sc MOS Estructura del

Más detalles

Capítulo 2 Transistores Unipolares

Capítulo 2 Transistores Unipolares Capítulo Transistores Unipolares Contenido.1 ntroducción,.. Transistores de puerta de unión: JFET,.3..1 Estudio cualitativo del transistor JFET,.3.. Estudio cuantitativo del transistor JFET,.11..3 Aproximaciones

Más detalles

DIODOS CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES

DIODOS CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES DIODOS CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES Modelo Ideal : Usaremos el diodo como un simple indicador on/off. Conduce o no el diodo? 1 Supongamos, inicialmente que el diodo está en contacto, es decir:

Más detalles

TEMA V TEORÍA DE CUADRIPOLOS LINEALES. 5.1.-Introducción. 5.2.-Parámetros de Impedancia a circuito abierto.

TEMA V TEORÍA DE CUADRIPOLOS LINEALES. 5.1.-Introducción. 5.2.-Parámetros de Impedancia a circuito abierto. TEMA V TEORÍA DE CUADRIPOLOS LINEALES 5.1.-Introducción. 5.2.-Parámetros de Impedancia a circuito abierto. 5.3.-Parámetros de Admitancia a cortocircuito. 5.4.-Parámetros Híbridos (h, g). 5.5.-Parámetros

Más detalles

Tema 4: El Transistor MOSFET

Tema 4: El Transistor MOSFET TEMA 4: EL TRANITOR MOFET Tema 4: El Transistor MOFET INICE 4.1 INTROUCCION... 4-4. ETRUCTURA METAL-OXIO-EMICONUCTOR... 4-3 4.3 CARACTERITICA ETATICA EL TRANITOR MO... 4-4 4.3.1 MO de enriquecimiento de

Más detalles

Tutorial de Electrónica

Tutorial de Electrónica Tutorial de Electrónica En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos electrónicos, tales como televisores, vídeos, equipos musicales, relojes digitales y, cómo no, ordenadores. Aunque, aparentemente

Más detalles

TEMA 3.1 MOSFET TEMA 3 TRANSISTOR MOS FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

TEMA 3.1 MOSFET TEMA 3 TRANSISTOR MOS FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA TEMA 3.1 MOSFET TEMA 3 TRANSISTOR MOS FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA 18 de abril de 2015 TEMA 3.1 MOSFET Introducción Regiones de operación Efecto Early Efecto Body 2 TEMA 3.1 MOSFET Introducción Regiones

Más detalles

Objetivo.- Al finalizar el tema, el estudiante será capaz de clasificar a los materiales según sus propiedades eléctricas.

Objetivo.- Al finalizar el tema, el estudiante será capaz de clasificar a los materiales según sus propiedades eléctricas. Contenido PROPIEDADES ELÉCTRICAS DE LOS MATERIALES 1.- Clasificación de los materiales. 2.- Electrización de conductores. 3.- Permitividad dieléctrica. Objetivo.- Al finalizar el tema, el estudiante será

Más detalles

UNIVERSIDAD DE MATANZAS CAMILO CIENFUEGOS FACULTAD DE INGENIERIAS QUÍMICA MECANICA. MONOGRAFÍA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BÁSICOS

UNIVERSIDAD DE MATANZAS CAMILO CIENFUEGOS FACULTAD DE INGENIERIAS QUÍMICA MECANICA. MONOGRAFÍA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BÁSICOS UNIVERSIDAD DE MATANZAS CAMILO CIENFUEGOS FACULTAD DE INGENIERIAS QUÍMICA MECANICA. MONOGRAFÍA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BÁSICOS Ing. Carlos R. Molina Hernández Dr. Evaristo González Milanés Departamento

Más detalles

Polo positivo: mayor potencial. Polo negativo: menor potencial

Polo positivo: mayor potencial. Polo negativo: menor potencial CORRIENTE ELÉCTRICA Es el flujo de carga a través de un conductor Aunque son los electrones los responsables de la corriente eléctrica, está establecido el tomar la dirección de la corriente eléctrica

Más detalles

ELECTRICIDAD BÁSICA EN REPARACIÓN DE AUTOMÓVILES

ELECTRICIDAD BÁSICA EN REPARACIÓN DE AUTOMÓVILES ELECTRICIDAD BÁSICA EN REPARACIÓN DE AUTOMÓVILES 1) CONCEPTOS BÁSICOS DE ELECTRICIDAD 1.1 TEORÍA ELECTRÓNICA Los físicos distinguen cuatro diferentes tipos de fuerzas que son comunes en todo el Universo.

Más detalles

ELECTRONICA DE POTENCIA

ELECTRONICA DE POTENCIA ELECTRONICA DE POTENCIA Compilación y armado: Sergio Pellizza Dto. Apoyatura Académica I.S.E.S. Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para

Más detalles

MOSFET para conmutación de potencia

MOSFET para conmutación de potencia Capítulo 1 MOFET para conmutación de potencia 1.1. Introducción El MOFET (Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor) de Potencia es el transistor de efecto de campo del tipo MO, base de los circuitos

Más detalles

Práctica 5. Circuitos digitales: control del nivel de un depósito

Práctica 5. Circuitos digitales: control del nivel de un depósito Práctica 5. Circuitos digitales: control del nivel de un depósito 1. Objetivos Conocer el funcionamiento de sistemas de control digital. Conocer el funcionamiento y la utilidad de los circuitos integrados

Más detalles

AMPLIFICACION EN POTENCIA. Figura 1. Estructura Básica de un Convertidor DC/AC.

AMPLIFICACION EN POTENCIA. Figura 1. Estructura Básica de un Convertidor DC/AC. INTRODUCCION: Los convertidores DC/AC conocidos también como inversores, son dispositivos electrónicos que permiten convertir energía eléctrica DC en alterna AC. En el desarrollo de esta sesión de laboratorio,

Más detalles

4.1. Índice del tema...1 4.2. El Condensador...2 4.2.1. Introducción...2 4.2.2. Potencia...3 4.2.3. Energía...3 4.2.4. Condición de continuidad...

4.1. Índice del tema...1 4.2. El Condensador...2 4.2.1. Introducción...2 4.2.2. Potencia...3 4.2.3. Energía...3 4.2.4. Condición de continuidad... TEMA 4: CAPACITORES E INDUCTORES 4.1. Índice del tema 4.1. Índice del tema...1 4.2. El Condensador...2 4.2.1. Introducción...2 4.2.2. Potencia...3 4.2.3. Energía...3 4.2.4. Condición de continuidad...4

Más detalles

TEMA 2. Dispositivos y modelos MOS.

TEMA 2. Dispositivos y modelos MOS. Ingeniería Técnica de Telecomunicación SS. EE. Curso 3º Microelectrónica I 20110/11 Resumen TEMA 2. Dispositivos y modelos MOS. 2.1 MOSFETs para VLSI: diseño físico-geométrico. Estructura del transistor

Más detalles

TEMA ELECTRÓNICA 3º ESO TECNOLOGÍA

TEMA ELECTRÓNICA 3º ESO TECNOLOGÍA 3º ESO Tecnologías Tema Electrónica página 1 de 11 TEMA ELECTRÓNICA 3º ESO TECNOLOGÍA Índice de contenido 1 Electrónica...2 2 Pilas en los circuitos electrónicos...2 3 DIODO...2 4 LED (diodo emisor de

Más detalles

F.A. (Rectificación).

F.A. (Rectificación). Ficha Temática F.A. (Rectificación). Circuito rectificador de media onda. Cuando se introduce una tensión de C.A. a la entrada del circuito, mostrado en la Figura 11.3, en la salida aparece una tensión

Más detalles

Figura 1. Tipos de capacitores 1

Figura 1. Tipos de capacitores 1 CAPACITOR EN CIRCUITO RC OBJETIVO: REGISTRAR GRÁFICAMENTE LA DESCARGA DE UN CAPACITOR Y DETERMINAR EXPERIMENTALMENTE LA CONSTANTE DE TIEMPO RC DEL CAPACITOR. Ficha 12 Figura 1. Tipos de capacitores 1 Se

Más detalles

Analizar los circuitos de aplicación más usuales de los dispositivos antes mencionados.

Analizar los circuitos de aplicación más usuales de los dispositivos antes mencionados. ELECTRÓNICA Asignatura Clave:FIM015 Numero de Créditos: 8 Teóricos:4 Prácticos: 4 INSTRUCCIONES PARA OPERACIÓN ACADÉMICA: El Sumario representa un reto, los Contenidos son los ejes temáticos, los Activos

Más detalles

SISTEMA DE RECTIFICACIÓN TIPO PUENTE Y FILTRADO

SISTEMA DE RECTIFICACIÓN TIPO PUENTE Y FILTRADO SISTEMA DE RECTIFICACIÓN TIPO PUENTE Y FILTRADO I. OBJETIVOS Analizar componentes. Montaje del circuito. Análisis de CA y CD. Sistema de rectificación tipo fuente. Filtraje. Uso del osciloscopio. Gráfico

Más detalles

LECCIÓN B07: CIRCUITOS LIMITADORES Y FIJADORES

LECCIÓN B07: CIRCUITOS LIMITADORES Y FIJADORES LECCIÓN B07: CIRCUITOS LIMITADORES Y FIJADORES OBJETIVOS MATERIAL Pruebas en vacío y en carga en los circuitos limitadores. Utilización de un circuito fijador de límite superior. Utilización de un circuito

Más detalles

CAPÍTULO 2 SISTEMA ELECTROACÚSTICO 2.1 ANTECEDENTES. Como hemos mencionado anteriormente, la finalidad de este trabajo no es que los

CAPÍTULO 2 SISTEMA ELECTROACÚSTICO 2.1 ANTECEDENTES. Como hemos mencionado anteriormente, la finalidad de este trabajo no es que los CAPÍTULO 2 SISTEMA ELECTROACÚSTICO 2.1 ANTECEDENTES Como hemos mencionado anteriormente, la finalidad de este trabajo no es que los hipoacúsicos escuchen perfectamente, sino que todos los afectados por

Más detalles

MASTER DEGREE: Industrial Systems Engineering

MASTER DEGREE: Industrial Systems Engineering PAC- Performance-centered Adaptive Curriculum for Employment Needs Programa ERASMUS: Acción Multilateral - 517742-LLP-1-2011-1-BG-ERASMUS-ECUE MASTER DEGREE: Industrial Systems Engineering ASIGNATURA ISE3:

Más detalles

El transistor. Estructura física y aplicaciones. Asier Ibeas Hernández PID_00170129

El transistor. Estructura física y aplicaciones. Asier Ibeas Hernández PID_00170129 El transistor Estructura física y aplicaciones Asier Ibeas Hernández PID_00170129 Los textos e imágenes publicados en esta obra están sujetas excepto que se indique lo contrario a una licencia de Reconocimiento-Compartir

Más detalles

Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7

Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7 Facultad de Tecnología Informática Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7 Guia de Lectura / Problemas. Transistores bipolares y de efecto campo. Contenidos: Tipos de transistores:bjt y FET; p-n-p y

Más detalles

TIPOS DE SEMICONDUCTORES

TIPOS DE SEMICONDUCTORES ntroducción a la Tecnología de los Computadores. T1-1 ntroducción a la Tecnología de los Computadores. T1-2 TEMA 1. Principios Básicos de Semiconductores CONDUCTORES, ASLANTES Y SEMCONDUCTORES. Una de

Más detalles

EL42A - Circuitos Electrónicos

EL42A - Circuitos Electrónicos EL42A - Circuitos Electrónicos Clase No. 6: Diodos para Propósitos Especiales Patricio Parada pparada@ing.uchile.cl Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de Chile 18 de Agosto de 2009 1 / Contenidos

Más detalles

Estructura típica de un transistor bipolar de juntura tipo NPN.

Estructura típica de un transistor bipolar de juntura tipo NPN. 5.1 ESTRUCTURA, FUNCIONAMIENTO Y CURVAS CARACTERÍSTICAS Un transistor bipolar de juntura está construido de forma completamente distinta a la de un FET, y su principio de operación también es muy diferente.

Más detalles

FOLLETO DEL PRIMER PARCIAL DE MAQUINARIA ELÉCTRICA I

FOLLETO DEL PRIMER PARCIAL DE MAQUINARIA ELÉCTRICA I FOLLETO DEL PRIMER PARCIAL DE MAQUINARIA ELÉCTRICA I 1- UN MOTOR INTERPOLAR SHUNT DE 7.5HP Y 220V TIENE ARMADURA Y CAMPO DE DERIVACION CON UNA RESISTENCIA DE 0.5 OHM Y 200 OHM RESPECTIVAMENTE, LA CORRIENTE

Más detalles

MONOCANAL COMPLEMENTARIA SATURADAS NO SATURADAS

MONOCANAL COMPLEMENTARIA SATURADAS NO SATURADAS )$0,/,$6/Ï*,&$6 UNIPOLARES BIPOLARES MONOCANAL COMPLEMENTARIA SATURADAS NO SATURADAS 3026 1026 &026 275$6 677/ 275$6 77/ +77/ /377/ 275$6 /677/ %,%/,2*5$)Ë$ CIRCUITOS ELECTRÓNICOS (TOMO 4) MUÑOZ MERINO,

Más detalles

ORIENTACIONES DIDÁCTICAS PARA EL ALUMNADO

ORIENTACIONES DIDÁCTICAS PARA EL ALUMNADO ORIENTACIONES DIDÁCTICAS PARA EL ALUMNADO "Contenido adscrito a la Licéncia "Creative Commons" CC ES en las opciones "Reconocimiento -No Comercial- Compartir Igual". Autor: Ángel Mahiques Benavent ÍNDICE

Más detalles

cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. Transistores Muchos materiales, como los metales, permiten que la corriente eléctrica fluya a través de ellos. Se conocen como conductores. Los materiales que no permiten el paso de la corriente eléctrica

Más detalles

CURSO TALLER ACTIVIDAD 15 TRANSFORMADOR

CURSO TALLER ACTIVIDAD 15 TRANSFORMADOR CURSO TALLER ACTIVIDAD 15 TRANSFORMADOR Un transformador es un elemento que transfiere energía de un circuito a otro mediante inducción electromagnética. Es un dispositivo eléctrico que sirve para bajar

Más detalles

INTRODUCCIÓN A LA ELECTRICIDAD

INTRODUCCIÓN A LA ELECTRICIDAD Dpto. Escultura.Facultad de Bellas Artes de Valencia Prof: Moisés Mañas Moimacar@esc.upv.es Todas las cosas están formadas por átomos Todas las cosas están formadas por átomos Protones (carga +) Neutrones

Más detalles

CAPÍTULO II. FUENTES Y DETECTORES ÓPTICOS. Uno de los componentes clave en las comunicaciones ópticas es la fuente de

CAPÍTULO II. FUENTES Y DETECTORES ÓPTICOS. Uno de los componentes clave en las comunicaciones ópticas es la fuente de CAPÍTULO II. FUENTES Y DETECTORES ÓPTICOS. 2.1 INTRODUCCIÓN. Uno de los componentes clave en las comunicaciones ópticas es la fuente de luz monocromática. En sistemas de comunicaciones ópticas, las fuentes

Más detalles

Capítulo I. Convertidores de CA-CD y CD-CA

Capítulo I. Convertidores de CA-CD y CD-CA Capítulo I. Convertidores de CA-CD y CD-CA 1.1 Convertidor CA-CD Un convertidor de corriente alterna a corriente directa parte de un rectificador de onda completa. Su carga puede ser puramente resistiva,

Más detalles

INFORME DE. puntos de medición

INFORME DE. puntos de medición UNIVERSIDADD SIMON BOLIVAR Departamento de Electrónica y Circuitos EC 1113 Circuitos Electrónicos (Laboratorio) INFORME DE PRACTICAA Nº2 Verificar Conceptos Teóricos Relacionados con: Características Corriente-Voltaje

Más detalles

Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores

Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores Diodos: caracterización y aplicación en circuitos rectificadores E. de Barbará, G. C. García *, M. Real y B. Wundheiler ** Laboratorio de Electrónica - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales Departamento

Más detalles

TEMA 4: ELECTRICIDAD

TEMA 4: ELECTRICIDAD TEMA 4: ELECTRICIDAD 1. Origen de los fenómenos eléctricos 2. La corriente eléctrica a. Corriente continua b. Corriente alterna 3. Elementos de un circuito a. Generadores b. Receptores c. Conductores d.

Más detalles

SERVOMOTORES. Los servos se utilizan frecuentemente en sistemas de radiocontrol, mecatrónicos y robótica, pero su uso no está limitado a estos.

SERVOMOTORES. Los servos se utilizan frecuentemente en sistemas de radiocontrol, mecatrónicos y robótica, pero su uso no está limitado a estos. SERVOMOTORES Un servomotor (también llamado Servo) es un dispositivo similar a un motor DC, que tiene la capacidad de ubicarse en cualquier posición dentro de su rango de operación y mantenerse estable

Más detalles

1. INTRODUCCIÓN A LOS CONVERTIDORES CA/CC

1. INTRODUCCIÓN A LOS CONVERTIDORES CA/CC 1. INTRODUCCIÓN A LOS CONVERTIDORES CA/CC 1.1. Introducción Un convertidor ca/cc transforma corriente alterna en corriente continua. El término continua hace referencia a que la corriente fluye en un único

Más detalles

UNIVERSIDAD SIMÓN BOLÍVAR DPTO. DE TECNOLOGÍA INDUSTRIAL GUÍA DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I TI-2225. Prof. Alexander Hoyo http://prof.usb.

UNIVERSIDAD SIMÓN BOLÍVAR DPTO. DE TECNOLOGÍA INDUSTRIAL GUÍA DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I TI-2225. Prof. Alexander Hoyo http://prof.usb. UNIVESIDAD SIMÓN BOLÍVA DPTO. DE TECNOLOGÍA INDUSTIAL GUÍA DE CICUITOS ELECTÓNICOS I TI-2225 Prof. Alexander Hoyo http://prof.usb.ve/ahoyo Guía de Circuitos Electrónicos I Prof. Alexander Hoyo 2 ÍNDICE

Más detalles

CORRECCION del FACTOR de POTENCIA

CORRECCION del FACTOR de POTENCIA CORRECCION del FACTOR de POTENCIA Las cargas generan perturbaciones CARGA Armónicas Potencia Reactiva Cargas Asimétricas Flicker RED 2 Diferentes aspectos de la calidad de energía eléctrica Perturbaciones

Más detalles

CAPÍTULO 3 3. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

CAPÍTULO 3 3. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) CAPÍTULO 3 3. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) 3.1 Introducción La búsqueda de un método para controlar la corriente que puede circular en el interior de un sólido la extendió Lilienfeld por una idea

Más detalles

d s = 2 Experimento 3

d s = 2 Experimento 3 Experimento 3 ANÁLISIS DEL MOVIMIENTO EN UNA DIMENSIÓN Objetivos 1. Establecer la relación entre la posición y la velocidad de un cuerpo en movimiento 2. Calcular la velocidad como el cambio de posición

Más detalles

PRACTICA Nº 4 CARACTERISTICAS DEL MOSFET, AMPLIFICADOR DRAIN COMUN

PRACTICA Nº 4 CARACTERISTICAS DEL MOSFET, AMPLIFICADOR DRAIN COMUN UNIVERSIDAD SIMON BOLIVAR DPTO. ELECTRONICA Y CIRCUITOS CIRCUITOS ELECTRONICOS I EC1177 PRACTICA Nº 4 CARACTERISTICAS DEL MOSFET, AMPLIFICADOR DRAIN COMUN OBJETIVO Familiarizar al estudiante con el uso

Más detalles

Generación de Corriente Alterna

Generación de Corriente Alterna Electricidad Generación de Corriente Alterna Elaborado Por: Germán Fredes / Escuela de Educación Técnica Nº1 Juan XXIII de Marcos Paz Introducción En la actualidad la mayoría de los artefactos que tenemos

Más detalles