Práctica 2 Transistores, Curvas BJT y FET

Transcripción

1 Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Vacaciones Junio 2014 Auxiliar: Edvin Baeza Práctica 2 Transistores, Curvas BJT y FET Objetivos: Que el estudiante aprenda a armar circuitos, diseñar, interpretar y leer diagramas de circuitos electrónicos y aplicaciones con los diferentes tipos de diodos y transistores que existen a partir de sus conceptos básicos. Descripción: La práctica consiste en: Armar los circuitos que se adjuntan al documento. Mostrar las formas de onda en el osciloscopio y voltajes de los circuitos según los enunciados. Realizar una investigación y enviarla al correo tareaslaboratoriodeelectronica@gmail.com, con todos los datos del grupo con Asunto: E1_No.Grupo_Investigación X. Investigar: - Transistores BJT (NPN y PNP) -Polarización en las tres configuraciones -Efectos de cambio de temperatura, distorsiones en cada configuración etc. -Curvas del transistor -Aplicaciones en cada configuración - Transistor de Efecto de Campo tipo N y tipo P (FET) -Polarización (Regiones de Trabajo) -Curvas del FET -Aplicaciones -MOSFET -Diferencias entre BJT, FET y MOSFET Colocar en la investigación, Carátula, conclusiones y bibliografía. La investigación deben de enviarla el mismo día de la práctica o con anterioridad, ya que sin ella no tendrán los conceptos para contestar las preguntas y la realización de la misma.

2 Formato de entrega: Entregar la hoja de calificación adjunta. Armar los circuitos en protoboard en el laboratorio de electrónica (Edificio T-1, tercer nivel). Deben traer sus propios componentes electrónicos y multímetro. Enviar al correo la investigación. Lista de materiales: Diodos Transistores BJT y FET Resistencias Nota La práctica se puede hacer en grupos de máximo de 3 integrantes. No se reciben prácticas, investigaciones, circuitos y tareas tarde.

3 Circuitos: 1. Características del transistor BJT (Vce vs Ic) Osciloscopio acoplamiento CD 2. Características del transistor FET (Opcional el número de FET de la figura) (Id vs Vds)

4 Hoja de calificación Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Vacaciones Junio 2014 Auxiliar: Edvin Baeza Practica No. 2 Grupo: Transistores: Curvas BJT y FET Nombres Completos Carnet Asistencia Circuito BJT Armado Si / No Circuito FET Armado Si / No Sello y Firma Auxiliar Características del transistor BJT (Vce vs Ic) 1. Dibujar las formas de onda obtenidas en el osciloscopio usando la función X-Y variando el voltaje del generador. 2. Dibujar el sentido de circulación la corriente y su polarización para un transistor BJT tipo NPN y PNP con configuración de emisor común. Características del transistor FET (Id vs Vds) 3. Dibujar las formas de onda obtenidas en el osciloscopio usando la función X-Y variando el voltaje DC. 4. Indique la polarización de VDS VGS y de ID y si la dirección de la corriente ID respecto los circuitos con transistor FET tipo N y P. Preguntas: 1.- En un circuito en emisor común la distorsión por saturación recorta a) la tensión colector-emisor por la parte inferior b) la corriente de colector por la parte inferior c) la tensión colector-emisor por la parte superior

5 2.- Si la temperatura ambiente aumenta, la especificación de potencia máxima del transistor a) disminuye b) no cambia c) aumenta 3.-Cuando hacemos trabajar al BJT como interruptor (polarización de base, con Vcc = 5V) y no hay corriente de base, la tensión de salida del transistor es a) desconocida b) baja (0 V) c) alta (5V) 4.-En el dibujo de la figura el transistor T1 está en a) colector común b) base común c) emisor común 5.-La adición de una resistencia en el emisor en la configuración de emisor común a) aumenta la estabilidad de la etapa b) mantiene la amplificación de tensión c) disminuye la amplificación de corriente 6.- La polarización de base común está asociada a a) los circuitos digitales b) los amplificadores c) un punto Q estable