UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA SÍLABO ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

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1 SÍLABO ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS CÓDIGO: IEE DATOS GENERALES 1.1. DEPARTAMENTO ACADÉMICO : Ing. Electrónica e Informática 1.2. ESCUELA PROFESIONAL : Ingeniería Electrónica 1.3. CICLO DE ESTUDIOS : 1.4. CRÉDITOS : CONDICIÓN : Obligatorio 1.6. PRE-REQUISITOS : 1.7. HORAS DE CLASE SEMANAL : 05 (Teoría 03 - Práctica 02) 1.8. HORAS DE CLASE TOTAL : PROFESORES RESPONSABLES : Msc. Ing. Fernando López A AÑO LECTIVO ACADEMICO : I 2. SUMILLA La asignatura de Dispositivos Electrónicos, es de carácter teórico práctico y tiene como propósito desarrollar en el alumno los conocimientos básicos de los componentes y dispositivos usados en Electrónica, estudiando la estructura física de los mismos, la fabricación, así como su funcionamiento y aplicaciones en circuitos electrónicos, analógicos y digitales. Los tópicos generales de estudio son: Conducción en semiconductores, diodos semiconductores, Transistores bipolares, Transistores unipolares, dispositivos de potencia, circuitos Integrados. 3. COMPETENCIA GENERAL Comprende los principios básicos de operación de los componentes y dispositivos electrónicos, mediante el análisis lógico, la implementación de circuitos con estos dispositivos y la resolución de problemas; trabajando en equipo, 4. ORGANIZACIÓN DE LAS UNIDADES DE APRENDIZAJE UNIDAD DENOMINACIÓN Nº DE HORAS I Conducción en semiconductores II Diodos semiconductores III Transistores bypolares IV Transistores unipolares V Dispositivos de potencia VI Circuitos integrados Total Horas: 1

2 5. PROGRAMACIÓN DE LAS UNIDADES DE APRENDIZAJE UNIDAD I: CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento de La conducción en semiconductores. Competencia específica 2: Aplica conocimiento de física electrónica, conducción en cristales, ecuaciones correspondientes de conductividad. materiales semiconductores. Resuelve ejercicios con materiales extrínsecos /intrínsecos, termistores, LDR,.VDR Conceptos de huecos y electrones en semiconductores intrínsecos, semiconductores extrínsecos tipo P y tipo N. ecuación de neutralidad, ley de acción de masas, nivel de Fermi, difusión de portadoras, ecuación de continuidad, recombinación, efecto Hall, resistencias termistores, LDR, VDR UNIDAD II DIODOS SEMICONDUCTORES Competencia específica 1: Comprende la aplicación de unión P-N de un semiconductor. Conceptúa el diodo P-N, características circuitales, ecuación I-V Resuelve ejercicios con los diferentes tipos de diodos P-N, dependencia térmica.. Teoría del diodo P-N, fabricación, deducción de la ecuación del diodo real, dependencia térmica del diodo, resistencia estática y dinámica de un diodo, capacidad de difusión, capacidad de transición, tiempo de conmutación, polarización directa/inversa,circuitos con diodos, diodos 2

3 especiales como Zener, Varactor,Tunnel, LED, fotodiodo,diodolaser. diodo shokley. UNIDAD III: TRANSISTORES BIPOLARES BJT Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento, de un transistor bipolar en DC y en AC. Competencia específica 2:Reconocimiento de las zonas de trabajo de un transistor bipolar.. propiedades de un transistor bipolar. Resuelve ejercicios mediante el análisis de las propiedades de un transistor bipolar. Uso de curvas características. con responsabilidad y Tipos NPN y PNP. Técnicas de fabricación de un transistor bipolar. Ecuaciones Ebers-Moll. Curvas i-v de configuraciones emisor común, base común,colector común. Zonas de un BJT activa, saturación y corte.polarización de un BJT.Estabilidad térmica. Conmutación de un BJT. UNIDAD IV: TRANSISTORES UNIPOLARES Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento de un transistor unipolar. Competencia específica 2: Reconocimiento de las zonas de trabajo de un transistor unipolar. propiedades de un transistor unipolar. Resuelve ejercicios mediante el análisis de las propiedades de un transistor unipolar. Uso de curvas características. Participa activamente, responsabilidad con y Tipos de unipolares JFET y MOSFET de canal N y canal P. Fabricación del Jfet y del mosfet.curvas de transferencia. Zonas de operación, saturación, óhmica y de corte.modelos para pequeña señal.aplicaciones de un Jfet y Mosfet. 3

4 UNIDAD V: DISPOSITIVOS DE POTENCIA Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento y análisis de dispositivos electrónicos de potencia.. Competencia específica 2: Aplica los conceptos anteriores, para implementar tarjetas y circuitos de potencia. diversos tipos de dispositivos de potencia.. Resuelve ejercicios mediante el análisis de los parámetros de dispositivos de potencia. Tiristores, SCR, TRIAC,MOSFET DE POTENCIA,IGBT, DISPOSITIVOS DE CONTROL COMO PUT,SUS,DIAC,UJT, SBS,DARLISTOR. Técnicas de fabricación, curvas características, polarización, data sheet, funcionamiento y aplicaciones. UNIDAD VI: CIRCUITOS INTEGRADOS IC Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento, de circuitos integrados. Competencia específica 2 : Aplica los conceptos de fabricación de los IC. circuitos integrados. Reconocer tecnologías de fabricación de IC, analógica y digital. Características principales de un circuito integrado. Técnicas de fabricación planar, epitaxial, fotolitográfica. Tecnologías como TTL,DTL,ECL,RTL,CMOS. Integración de R,L,C, diodos y 4

5 transistores. Uso de películas delgadas. Tecnologia digital con CMOS y TTL 6. ESTRATEGIAS METODOLÓGICAS Para el logro de un aprendizaje significativo, dentro del enfoque Constructivista, se aplicará: 6.1 Método de Cambio Conceptual y Verbal Significativo para la parte teórica. 6.2 Método de Resolución de Problemas de casos prácticos, aplicados a grupos de no más de tres alumnos 6.3 Simulación de diversos circuitos eléctricos, aplicando software especializado (Proteus, Matlab) como parte de un trabajo del curso. 7. EVALUACIÓN La evaluación es continua y apunta hacia el establecimiento de relaciones significativas entre los distintos conceptos, así mismo toma en cuenta la retroalimentación. PROMEDIO FINAL se obtiene: PF = (PP + EP + EF ) / 3 (PP) promedio de prácticas: (4 prácticas calificadas)/4 (EP) Examen parcial (EF) Examen final 8. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS. -MILLMAN -HALKIAS.. ^^ DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS ^^ -GRAY-SEARLE ^^.PRINCIPIOS DE ELECTRONICA,FISICA,MODELOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS^^ -DATA SHEETS DE LOS FABRICANTES (INTERNET ) 5