FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Carrera de Ingeniería Electrónica y Control Carrera de Ingeniería Eléctrica LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA 1. TEMA PRÁCTICA N 5 CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET 2. OBJETIVOS 2.1. Diseñar el circuito de control para un MOSFET de potencia. 2.2. Conocer las características de conmutación de los MOSFET s. 3. MARCO TEÓRICO El MOSFET de potencia (Metal Oxide Semiconductor, Field Effect Transistors) difiere del transistor bipolar de juntura en principios de operación, especificaciones y funcionamiento. Las características de operación de los MOSFETs son superiores a las de los transistores bipolares de juntura: tiempos de conmutación más rápidos, circuito de control simple, no segunda avalancha, posibilidad de colocarse en paralelo, ganancia estable y amplio rango de respuesta de frecuencia y temperatura. El MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje (si bien lo más apropiado es señalar que es un elemento controlado por carga) a través del terminal gate, el que está eléctricamente aislado del cuerpo de silicio por una delgada capa de dióxido de silicio (SiO2). Por el aislamiento de la compuerta la corriente que ingresa en el gate es pequeña lo que hace que el circuito de control no deba entregar valores considerables de corriente, ventaja importante con respecto al TBJ. Al ser un semiconductor de portadores mayoritarios, el MOSFET opera a mayor velocidad que un transistor bipolar porque no tiene un mecanismo de mantenimiento de carga [1].
Figura 1. Símbolo y estructura interna de un MOSFET. Las regiones de operación del transistor de efecto de campo son la región de corte, región activa y región óhmica (Figura 2). Región de corte (Cutoff): el voltaje gate-source es menor que el voltaje de umbral V GS(th), el cual es típicamente unos cuantos voltios en la mayoría de MOSFETs de potencia. El dispositivo puede mantenerse abierto aunque se aplique una fuente de potencia entre sus terminales siempre y cuando este voltaje sea menor que el voltaje de sustentación BV SS. Región activa: la corriente de Drenaje ID es independiente del voltaje drain-source VDS y depende únicamente del voltaje gate-source V GS, y está dada por I D = gm[v GS-V GS(th)]. Región óhmica: cuando el valor de voltaje gate-source es considerablemente mayor al voltaje de umbral V GS >> V GS(th) y V DS es igual o menor que V GS - V GS(th), el elemento entra en la región óhmica. En esta región no es válida la dependencia de la corriente ID del voltaje V GS, sino más bien I D está limitada por el circuito dentro del cual se encuentre el MOSFET. Figura 2. Regiones de trabajo del MOSFET.
El TBJ y el MOSFET tienen características que se complementan entre sí, por ejemplo las pérdidas durante la conducción son menores en el TBJ especialmente en dispositivos con alto voltaje de bloqueo, pero tiene tiempos grandes de conmutación sobre todo durante el apagado. Por el contrario el MOSFET puede encenderse o apagarse más rápido, pero sus pérdidas durante la conducción son grandes especialmente para dispositivos de alto voltaje de bloqueo, por lo que una combinación de las características positiva de cada elemento formarán un transistor de buen desempeño, con el objetivo de lograrlo aparece el elemento conocido como IGBT. Al IGBT se lo puede considerar como un MOSFET el cual ha sido modificado en su estructura interna (Figura 3), agregando una capa tipo P bajo el DRAIN, esta modificación tiene como objetivo obtener características entre Drain y Source similares a las de Colector- Emisor del transistor TBJ pero manteniendo las características del MOSFET en el Gate. Es así que el IGBT se caracteriza por tener reducidos tiempos de conmutación, bajas pérdidas durante la conducción y un control por voltaje [2]. Figura 3. Símbolo y estructura interna del IGBT. 4. TRABAJO PREPARATORIO 4.1. Consultar la curva característica de funcionamiento de un MOSFET y en base a esta determinar las zonas de operación en aplicaciones de electrónica potencia. Indique las condiciones para el encendido (Vth) y el apagado del MOSFET. 4.2. Explique la importancia de la resistencia conectada en la base del MOSFET. En que rango debe estar la misma y porqué?.
4.3. Diseñar y simular los circuitos de control PWM para frecuencias cercanas o iguales a 1[KHz], 10[KHz] y 30[Khz], además debe poder variar la relación de trabajo entre 0,1 < δ < 0,9. 4.4. Dimensionar todos los elementos y simular el circuito de la Figura 4 (potencia y control), para un valor de voltaje de 40VDC y la resistencia de carga es un foco de 120V/100W. Tomar en cuenta que el Vth de estos elementos es mayor de 5 V. 4.5. Considerar para el diseño el dimensionamiento de un diodo de conmutación rápida (Fast Recovery) para trabajar con una carga inductiva que consuma igual potencia que la carga resistiva. 4.6. Traer armados los circuitos de potencia y control de los diferentes literales. Figura 4. Circuito a Implementarse con MOSFET 5. EQUIPO Y MATERIALES Fuente de poder DC de 0 a 24VDC. Osciloscopio. Transformador de aislamiento relación 1:1. Capacitor de 1000 µf. Puente de diodos. Autotransformador. Punta de prueba de Voltaje. Punta de prueba de Corriente. Cables. Analizador de armónicos.
6. PROCEDIMIENTO 6.1. Para el circuito diseñado en el literal 4.4 del trabajo preparatorio, observar formas de onda de voltaje, corriente y potencia, además comprobar que el elemento esté trabajando en las regiones de corte y óhmica. 6.2. A una relación de trabajo aproximada de 0.5 con el módulo matemático del osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y corriente para observar la curva de potencia disipada en el dispositivo, para una frecuencia de las solicitadas en el preparatorio. 6.3. Para la misma frecuencia anterior y carga resistiva tomar formas de onda de voltaje y corriente en el dispositivo, determinar los tiempos de encendido y apagado del MOSFET para calcular las pérdidas estáticas y dinámicas. 6.4. Usando el analizador de armónicos medir la potencia de disipación del MOSFET para el literal anterior. 6.5. Repetir el literal 6.3 y 6.4 para carga R-L añadiendo el diodo de conmutación (FAST RECOVERY). 7. INFORME 7.1. Presentar las respectivas formas de onda obtenidas en el osciloscopio para los diferentes literales del procedimiento. 7.2. Comentar los resultados obtenidos en los literales 6.1 y 6.2. 7.3. Calcular analíticamente la potencia de disipación del MOSFET para las condiciones de los literales 6.3 y 6.5, utilice los tiempos obtenidos experimentalmente. Comparar estos resultados con los del literal 6.4. Además adjuntar una tabla con los parámetros característicos del MOSFET usado en la práctica (Vds, Vsat, Is, Ifuga). 7.4. Conclusiones y recomendaciones. 7.5. Bibliografía.
8. REFERENCIAS [1] Batarseh, I., Power Electronics Handbook, The Power MOSFET, 2011. [2] P. S. Abedinpour and P. K. Shenai, Power Electronics Handbook, Insulated Gate Bipolar Transistor, 2011. [3] C. J. Savant and G. L. Carpenter, Diseño electrónico circuitos y sistemas. Elaborado por: Revisado por: Ing. Jorge Luis Medina, MSc. Dr. Alberto Sánchez / Dr.-Ing. Marcelo Pozo