2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica
|
|
- Nieves Sáez Santos
- hace 6 años
- Vistas:
Transcripción
1 TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1
2 2.4 Transistores El transistor bipolar Funcionamiento básico Polarización Zonas de trabajo Punto de trabajo Q Análisis de circuitos con transistores bipolares El transistor de efecto de campo 3 El transistor bipolar Dispositivo semiconductor que permite el control y regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Los símbolos que corresponden al bipolar son los siguientes: El nombre se refiere a su construcción como semiconductor. Un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. 4 2
3 Funcionamiento básico Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base por lo que la lámpara no se encenderá. Toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor. Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña circulará por la Base yuna intensidad muy grande dese el Emisor al Colector. IE > IC > IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE 5 Polarización Para que trabaje en modo activo: La unión base - emisor se polariza directamente y La unión base - colector se polariza inversamente. VCB IC VEB IC IB IB VBE IE VBC IE Transistor NPN Transistor PNPinvertido 6 3
4 Polarización El Transistor como amplificador de corriente: Ganancia en corriente en emisor común entre 50 y 200. Un valor típico es 100, pudiendo ser para dispositivos especiales. 7 Polarización La corriente de emisor: IE = IC + IB IE = [(β + 1)/β]*IC IC = α * IE El transistor se puede considerar una fuente dependiente de corriente controlada por corriente β α = β + 1 β = α α β α es la ganancia en corriente en base común menor que 1. Pequeños cambios en α producen grandes cambios en β. 8 4
5 Zonas de trabajo CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat SATURACION.- Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. La tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. Como si fuera un interruptor. ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente. La ganancia relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base: ß = IC / IB 9 Zonas de trabajo ΔICE ACTIVA ΔVCE CORTE 10 5
6 Zonas de trabajo Saturación Corte Activa VBE ~ 0,8v < 0,7v ~ 0,7v VCE ~ 0 ~ VCC Variable VBC ~ VCC ~ 0 Variable IC < βib = ICEO~ 0 = βib IB Variable = 0 Variable 11 Punto de trabajo (Q) Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo consiste básicamente en obtener el valor de las diferentes tensiones y corrientes que se establecen el funcionamiento el mismo en su punto más estable. El análisis del punto de trabajo de un dispositivo, se puede llevar a cabo de dos formas diferentes: analítica (realizando un análisis matemático de todas las ecuaciones implicadas) o gráfica ( recta de carga en continua). Método analítico, se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se establece teniendo en cuenta: Las leyes de Kirchoff aplicadas a tensiones y corrientes. El comportamiento del T según la región de funcionamiento. Las relaciones eléctricas del circuito de polarización usado. 12 6
7 Punto de trabajo (Q) Seis variables definen el comportamiento de los TB npn: IB, IC, IE, VCE, VBE y VBC Tres estructuras de funcionamiento: emisor común, base común y colector común Normalmente los fabricantes suelen dan la información correspondiente a emisor común. Donde: IE = IB + IC ; VCE = VBE VBC Para obtener el punto Q solamente es necesario: IBQ, ICQ ; VCEQ y VBEQ 13 Punto de trabajo (Q) Dado que lo que se busca son las tensiones y corrientes en continua: a) Anular los generadores de corriente o tensión alterna (los de tensión se sustituyen por cortocircuitos y los de corriente por circuitos abiertos). b) Sustituir por circuitos abiertos los condensadores y por cortocircuitos las inductancias. c) El punto Q se encuentra siempre sobre la recta de carga en continua. d) Un método para elegir el punto Q adecuado se basa en representar previamente la recta de carga, para poder evaluar las diferentes posibilidades. 14 7
8 Punto de trabajo (Q) En saturación VCE=0,2 -> VCE=0: = IC sat * RC RC IC sat = /RC RB (0, /RC ) EB En corte IC=0: = VCE = ICRC +VCE (, 0) 15 Punto de trabajo (Q) RC RB EB RC Q IBQ=100μA = ICRC +VCE Pendiente de la recta de carga: -1/RC 16 8
9 Punto de trabajo (Q) En saturación IB=0 y VCE=0: = IC sat * (RC + RE) RC IC sat = /(RC + RE) RB (0, /(RC + RE) EB RE = ICRC +VCE +IERE En corte IC=0: = VCE (, 0) 17 Punto de trabajo (Q) RC RC+RE EB RB Q IBQ=100μA RE = ICRC +VCE + IERE Pendiente de la recta de carga: -1/(RC+RE) 18 9
10 Análisis con transistores Considerar el circuito de la figura: VCC RC vi RB vo V GND Si trabaja en conmutación es un Inversor lógico digital básico. 19 Análisis con transistores La relación IC = α * IE únicamente se cumple para la zona activa: Suponemos que el transitor está en zona activa. 1. Se calcula Ic utilizando la ecuación: IC = α * IE 2. Se calcula Ic utilizando la ecuación: VC = VCC -RC*IC 3. Se verifica si VC >= a- Si VC >= 0.7 nuestra suposición es correcta 3.b- Si VC < 0.7 el transistor está en saturación La saturación ocurre cuando se fuerza una corriente IC mayor de la que el transistor puede soportar en modo activo. La máxima IC sin que el transistor se salga del modo activo se evalúa para VCB =
11 El transistor de Efecto de Campo La corriente se controla mediante tensión: Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Se empezaron a construir en la década de los 60. Características generales: Por el terminal de control no se absorbe corriente. Una señal muy débil puede controlar el componente. La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo: JFET (transistor de efecto de campo de unión) MOSFET: ocupan menos espacio que los bipolares -> circuitos integrados. 21 El transistor de Efecto de Campo Los tres terminales se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain) Pueden ser de canal N: o de canal P: Parámetros FET de canal N Parámetros FET de canal P 22 11
12 El transistor de Efecto de Campo La curva característica del FET define su funcionamiento. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes: Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS. Zona de saturación.- El FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS que existe entre Puerta (G) y Fuente (S). Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula. Existen tres configuraciones típicas: Surtidor común (SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC) La más utilizada es la de surtidor común que es la equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares. Los FET se utilizan para amplificar señales débiles. 23 El transistor de Efecto de Campo 24 12
13 El transistor de Efecto de Campo Al variar VDS varia ID permaneciendo constante VGS. Zona lineal: al aumentar VDS aumenta ID. Zona de saturación: al aumentar VDS produce una saturación de ID que hace que ésta sea constante: El transistor trabaja como amplificador Zona de corte: se caracteriza por tener una ID nula. Zona de ruptura: indica la máxima VDS que soportará el transistor. Cuando VGS es cero, ID es máxima. 25 El transistor de Efecto de Campo CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA: Indican la variación de ID en función de VGS. HOJAS DE CARACTERÍSTICAS DE LOS FET: Ejemplo: 2N4220 (25º) VGS y VGD.- tensiones inversas máximas soportables por la unión PN: (-30V) IG.- corriente máxima que puede circular por la unión G-S cuando se polariza directamente: (10 ma) PD.- potencia máxima: (300 mw) IDSS.- corriente de saturación cuando VGS=0. Vp.- voltaje umbral o de estrangulamiento. ID = IDSS 1 - VGS VP 2 Ecuación de Shockley 26 13
2.4 Transistores. Dispositivo semiconductor que permite el control y regulación. Los símbolos que corresponden al bipolar son los siguientes:
TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2010 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4
Más detallesEL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956
EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956 EL TRANSISTOR BIPOLAR EL TRANSISTOR BIPOLAR El transistor bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor) fue desarrollado en los Laboratorios Bell Thelephone en 1948. El nombre
Más detallesTRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) Generalidades Clasificación Principio de Funcionamiento y Simbología Característica V-I
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) Generalidades Clasificación Principio de Funcionamiento y Simbología Característica V-I de Salida Característica de Transferencia Circuitos
Más detallesPOLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA
POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA EJEMPLO El transistor npn tiene β =100 y un voltaje VBE = 0,7 a ic = 1mA. Diseñe el circuito para que circule una corriente
Más detallesFUNDAMENTOS DE CLASE 4: TRANSISTOR BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA CLASE 4: TRANSISTOR BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR TRANSISTOR Es un tipo de semiconductor compuesto de tres regiones dopadas. Las uniones Base-Emisor y base colector se comportan
Más detallesTRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) INTRODUCCIÓN: Son dispositivos de estado sólido Tienen tres o cuatro terminales Es el
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) INTRODUCCIÓN: Son dispositivos de estado sólido Tienen tres o cuatro terminales Es el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas El
Más detallesEL TRANSISTOR BIPOLAR
EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIÓN UTILIZANDO UNA FUENTE DE CORRIENTE: EL ESPEJO DE CORRIENTE El transistor Q1 está conectado de forma que actúa como un diodo. La corriente que va a circular por el emisor
Más detallesFUNDAMENTOS DE CLASE 3: DIODOS
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA CLASE 3: DIODOS RECORTADORES Permiten eliminar parte de la señal de una onda En serie: RECORTADORES: EJERCICIO Ejercicio: Calcular la característica de trasferencia RECORTADORES:
Más detallesEl transistor como dispositivo amplificador: polarización y parámetros de pequeña señal.
Sesión 13 El transistor como dispositivo amplificador: polarización y parámetros de pequeña señal. Componentes y Circuitos Electrónicos José A. Garcia Souto www.uc3m.es/portal/page/portal/dpto_tecnologia_electronica/personal/joseantoniogarcia
Más detallesDISPOSITIVOS ACTIVOS EN MODO DE CONMUTACIÓN
DISPOSITIVOS ACTIVOS EN MODO DE CONMUTACIÓN 1 El Transistor y el FET como Dispositivos de Conmutación Configuración (1) Vcc Rc (0) V R1 Simbología Saturación Corte ó ó = 2 2 Existe un tiempo repetitivo
Más detallesTRABAJO PRÁCTICO Nº 7 EL TRANSISTOR BIPOLAR - POLARIZACIÓN
TRBJO PRÁCTICO Nº 7 EL TRNSISTOR BIPOLR - POLRIZCIÓN 1) Introducción Teórica Polarizar un transistor de unión bipolar (en inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) significa conseguir que las
Más detallesMODULO Nº11 TRANSISTORES BJT
MODULO Nº11 TRANSISTORES BJT UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC TEMAS: Transistores de Unión Bipolar. Parámetros del Transistor BJT. Conmutación de Transistores BJT. OBJETIVOS: Comprender el funcionamiento
Más detallesEL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO
EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO Se define Para la región triodo (zona ohmica) VGS
Más detallesTrabajo Practico: Transistores
Universidad Abierta Interamericana Trabajo Practico: Transistores Alumnos: Profesor: Campus: Turno: Andrés Martín Dellafiore Facundo Juarez Martín Castiñeira Daniel Zuccari Eduardo Sandoval Solá Marcos
Más detallesDOS TRANSISTORES. AMPLIFICADOR CON UN TRANSISTOR NPN Y OTRO PNP. a) Polarización. β = 100 y Vbe 0 0,7V.
DOS TRANSISTORES AMPLIFICADOR CON UN TRANSISTOR NPN Y OTRO PNP. a) Polarización. β = 100 y Vbe 0 0,7V. En primer lugar se calcula el Thevenin equivalente del circuito de base de Q1 y todas las variables
Más detalles1] Analizar los símbolos utilizados para BJT y FET. Qué indica cada elemento de los mismos?
CONTENIDOS Tipos de transistores: BJT y FET; p-n-p y n-p-n; JFET y MOSFET. Propiedades. Regiones de trabajo. Configuraciones de uso. Su utilización en circuitos digitales. Resolución: 1] Analizar los símbolos
Más detallesEL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO
EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO Se define Para la región triodo (zona ohmica) VGS
Más detallesINDICE Capítulo 1. Principios del Modelado y Procesamiento de Señal Capítulo 2. Amplificadores Operacionales
INDICE Prólogo XI Prólogo a la Edición en Español XIV Capítulo 1. Principios del Modelado y Procesamiento de Señal 1 1.1. Sinergia hombre computador 3 1.2. Características tensión corriente y transferencia
Más detallesCURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN
CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN Está formado por dos junturas PN tal como se muestra en la figura. Una juntura está polarizada directamente y la otra está polarizada
Más detallesCapítulo 1. Historia y fundamentos físicos de un transistor.
Capítulo 1. Historia y fundamentos físicos de un transistor. 1.1 Fundamentos del transistor TBJ 1.1.1 Corrientes en un transistor de unión o TBJ El transistor bipolar de juntura, o TBJ, es un dispositivo
Más detallesLaboratorio Nº3. Procesamiento de señales con transistores
Laboratorio Nº3 Procesamiento de señales con transistores Objetivos iseñar redes de polarización para operar transistores JT y JFT en modo activo, y evaluar la estabilidad térmica de puntos de operación,
Más detallesCálculo de las tensiones y corrientes en un transistor
Cálculo de las tensiones y corrientes en un transistor Analicemos el circuito de la Figura 1. FIGURA 1: Circuito a analizar Este es un circuito genérico, pensado solamente para ver como se plantean las
Más detallesVce 1V Vce=0V. Ic (ma)
GUIA DE TRABAJOS PRACTICOS P31 Bibliografía de Referencia Transistores y Circuitos Amplificadores * Boylestad, R & Nashelsky, L. Electrónica -Teoría de Circuitos y Dispositivos 10ª. Ed. Pearson Educación,
Más detallesEL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO
EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO De la ecuación que define el umbral VDS = VGS -Vth
Más detallesINSTRUMENTAL Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
INSTRUMENTAL Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS TP7 - GUÍA PARA EL TRABAJO PRÁCTICO N O 7 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN (BJT) TEMARIO: Transistores PNP y NPN Circuitos de polarización en cc El transistor como conmutador
Más detallesElectrónica. Transistores de efecto de campo. Introducción a la Electrónica
Introducción a la Electrónica Transistores de efecto de campo Introducción a la Electrónica Características La corriente es controlada a travez de un campo eléctrico establecido por el voltaje aplicado
Más detallesTransistor BJT: Fundamentos
Transistor BJT: Fundamentos Lección 05.1 Ing. Jorge Castro-Godínez Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica II Semestre 2013 Jorge Castro-Godínez Transistor BJT 1 / 48 Contenido
Más detallesEL TRANSISTOR BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor)
1.- ntroducción. EL TANSSTO BPOLA. BJT (Bipolar Junction Transistor) Tema 4 2.- Componentes de las corrientes 2.1.- Corrientes en la zona activa. a 2.2.- Ecuación generalizada del transistor. 3.- Curvas
Más detallesBoletín de problemas de BJT
Boletín de problemas de BJT Nota: Todos los circuitos siguientes han sido simulados en el entorno Micro-cap 10.0.9.1 Evaluation Version. a. Polarización con 1 transistor npn 1.- Hallar las tensiones (V
Más detallesELECTRÓNICA Y AUTOMATISMOS
ELECTRÓNICA Y AUTOMATISMOS 2º Curso de Instalaciones Electromecánicas Mineras Tema 1: Componentes Electrónicos El transistor bipolar Profesor: Javier Ribas Bueno Nota: Las animaciones contenidas en esta
Más detallesUNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA
UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA Qué es un semiconductor? Es un material con una resistividad menor que un aislante y mayor que un conductor.
Más detalles1.- En el circuito de la figura 5.1 la impedancia de salida Ro es. Figura 5.1
Tema 5. Amplificadores con BJT 1.- En el circuito de la figura 5.1 la impedancia de salida Ro es RC 1 hre R c 1 Figura 5.1 2.- En el circuito de la figura 5.1 la impedancia de entrada es igual a R1 h ie
Más detallesCaracterísticas del transistor bipolar y FET: Polarización
Características del transistor bipolar y FET: Polarización 1.- Introducción El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se introducen las principales
Más detalles1.- Tensión colector emisor V CE del punto Q de polarización. a) 10,0 V b) 8,0 V c) 6,0 V
C. Problemas de Transistores. C1.- En el circuito amplificador de la figura se desea que la tensión en la resistencia R L pueda tomar un valor máximo sin distorsión de 8 V. Asimismo, se desea que dicha
Más detallesINDICE. Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos
Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos INDICE Circuitos discretos e integrados Señales analógicas y digitales Notación 3 Resumen
Más detallesElectromagnetismo Estado Solido II 1 de 7
Facultad de Tecnología Informática Electromagnetismo Estado Solido II 1 de 7 Guia de Lectura / Problemas. Transistores bipolares y de efecto campo. Contenidos: Tipos de transistores:bjt y FET; p-n-p y
Más detallesOBJETIVOS Reconocer como funciona el transistor bipolar. Reconocer las zonas de operación como amplificador, en corte y saturación.
Página1 OBJETIVOS Reconocer como funciona el transistor bipolar. Reconocer las zonas de operación como amplificador, en corte y saturación. 1. Conceptos preliminares El transistor como elemento activo,
Más detallesEL TRANSISTOR BIPOLAR
L TRASISTOR IOLAR La gráfica esquemática muestra el transistor como interruptor. La resistencia de carga está colocada en serie con el colector. l voltaje Vin determina cuando el transistor está abierto
Más detallesTema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE
Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3: Condiciones generales Todo amplificador consta de un núcleo en el que hay un transistor (Dos, si es diferencial) Se tratará
Más detalles1 V. El transistor JFET en la zona óhmica. En esta región el canal conductor entre drenador y fuente se comporta como una resistencia R DS
El transistor JFET en la zona óhmica La zona óhmica o lineal se sitúa cerca del origen, para V DS
Más detallesTEMA 4 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN
TEMA 4 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN TTEEMAA 44: :: EEll ttrraanssi issttoorr bbi ippoollaarr dee uunióón 11 1) En un transistor bipolar de unión la zona de semiconductor menos dopada corresponde a, a)
Más detallesELECTRONICA ANALOGICA I
1 Bibliografía de referencia Boylestad R., Nasheslsky, Electrónica: teoría de circuitos, Ed. Prentice Hall, 6ta. Edición Boylestad R.- Nashelsky L., Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos,
Más detallesAnalógicos. Digitales. Tratan señales digitales, que son aquellas que solo pueden tener dos valores, uno máximo y otro mínimo.
Electrónica Los circuitos electrónicos se clasifican en: Analógicos: La electrónica estudia el diseño de circuitos que permiten generar, modificar o tratar una señal eléctrica. Analógicos Digitales Tratan
Más detallesTransistor BJT. William Shockley, John Bardeen y Walter H. Brattain Nobel de Física en 1956
Transistor BJT William Shockley, John Bardeen y Walter H. Brattain 1947-48 Nobel de Física en 1956 Transistor BJT Tres terminales: Colector Base Emisor BJT: Bipolar Junction Transistor Se suelen usar más
Más detallesEl Transistor BJT 1/11
l Transistor JT 1/11 1. ntroducción Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal en uno de los terminales controla la señal en los otros dos. Se construyen principalmente
Más detallesCURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 4: POLARIZACIÓN - TEORÍA
CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 4: POLARIZACIÓN - TEORÍA Hay varias formas de polarizar un transistor, esto es, obtener su punto de operación adecuado (valores de Vcc y de Ic). Se tiene la polarización fija,
Más detallesVGD = 0 < Vt = 2 Están en saturación Ecuaciones en el circuito MOSFET de la izquierda Iref = ID:
ESPEJO DE CORRIENTE CON MOSFET Hallar los valores de los voltajes y corrientes en el circuito. VGD = 0 < Vt = 2 Están en saturación Ecuaciones en el circuito MOSFET de la izquierda Iref = ID: Ecuación
Más detallesContenido. Capítulo 2 Semiconductores 26
ROMANOS_MALVINO.qxd 20/12/2006 14:40 PÆgina vi Prefacio xi Capítulo 1 Introducción 2 1.1 Las tres clases de fórmulas 1.5 Teorema de Thevenin 1.2 Aproximaciones 1.6 Teorema de Norton 1.3 Fuentes de tensión
Más detalles1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IB VC VB IE
Ejercicios relativos al transistor bipolar Problemas de transistores BJT en estática 1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IC IB VC VB
Más detallesElectrónica Analógica. Conferencia #4 Funcionamiento y características del transistor bipolar.
Electrónica Analógica Conferencia #4 Funcionamiento y características del transistor bipolar. Transistor bipolar. Principio de funcionamiento. Modelos y representación del BJT. Modos de operación. Bibliografía:
Más detallesBase común: Ganancia de corriente
Base común: de corriente La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida entre la de entrada. En un circuito de base común, la primera es la corriente de colector (Ic) y la corriente
Más detallesTRANSISTOR BIPOLAR: TEMA 2.1
TRANSISTOR BIPOLAR: TEMA 2.1 Zaragoza, 12 de noviembre de 2013 ÍNDICE TRANSISTOR BIPOLAR Tema 2.1 Introducción Las corrientes en el BJT Ecuaciones de Ebers Moll TRANSISTOR BIPOLAR Tema 2.1 Introducción
Más detallesSímbolo. Características Clasificación de los transistores Transistores bipolares Transistores unipolares 4.1 TRANSISTORES F.T.C.
eman ta zabal zazu Universidad del aís Vasco epartamento de Arquitectura y Tecnología de Computadores upv ehu TRAITORE ímbolo. Características Clasificación de los transistores Transistores bipolares Transistores
Más detallesA.2. El transistor bipolar
A.2. El transistor bipolar A.2.1. Introducción componente de tres capas semiconductoras colocadas alternativamente principal aplicación: amplificador A.2.2. aracterización del transistor bipolar tiene
Más detallesBENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTONÓMA DE PUEBLA FACULTAD DE CIENCIAS DE LA ELECTRÓNICA DISPOTIVOS ELECTRÓNICOS
BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTONÓMA DE PUEBLA FACULTAD DE CIENCIAS DE LA ELECTRÓNICA DISPOTIVOS ELECTRÓNICOS PRÁCTICA NÚMERO 5 POLARIZACIÓN Y CONFIGURACIONES DE UN TRANSISTOR BJT TIEMPO ESTIMADO PARA LA REALIZACIÓN
Más detalles1º Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS. PROBLEMAS de transistores bipolares
1º Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS 3 PROBLEMAS de transistores bipolares EJERCICIOS de diodos: TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Más detallesEL TRANSISTOR. El transistor se construye a partir del diodo, al unir dos diodos se obtienen uniones o junturas del tipo NPN o PNP.
Oscar Ignacio Botero Henao El Transistor EL TRANSISTOR CONSTRUCCIÓN El transistor se construye a partir del diodo, al unir dos diodos se obtienen uniones o junturas del tipo NPN o PNP. SÍMBOLO ELECTRÓNICO
Más detallesEL42A - Circuitos Electrónicos
EL42A - Circuitos Electrónicos Clase No. 12: Transistores de Efecto de Campo (3) Patricio Parada pparada@ing.uchile.cl Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de Chile 10 de Septiembre de 2009
Más detallesPráctica # 5 Transistores práctica # 6
Práctica # 5 Transistores práctica # 6 Objetivos Identificar los terminales de un transistor:( emisor, base, colector). Afianzar los conocimientos para polarizar adecuadamente un transistor. Determinar
Más detallesTRANSISTOR FET. TRANSISTOR FET (Introducción).
TRANSISTOR FET TRANSISTOR FET (Introducción). Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores
Más detallesTRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores. Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital
TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital Objetivos Efectuar el estudio del funcionamiento de un transistor bipolar como elemento digital,
Más detallesEl transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(c), base(b) y emisor(e).
FUNDAMENTO TEORICO El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(c), base(b) y emisor(e). La palabra bipolar se deriva del
Más detallesEVALUACIÓN DE ELECTRÓNICA BÁSICA, 50 PREGUNTAS, TIEMPO = 1 HORA
EVALUACIÓN DE ELECTRÓNICA BÁSICA, 50 PREGUNTAS, TIEMPO = 1 HORA 1. Es un material semiconductor que se ha sometido al proceso de dopado. a) Intrínseco b) Extrínseco c) Contaminado d) Impurificado 2. Material
Más detallesTECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE ECATEPEC DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y TELEMÁTICA PRÁCTICAS DE LABORATORIO
TECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE ECATEPEC DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y TELEMÁTICA PRÁCTICAS DE LABORATORIO ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA I REALIZÓ: DANIEL JAIMES SERRANO SEPTIEMBRE 2009.
Más detallesTEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas
Tema 5 TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas 5.1.- Introducción Las fuentes de corriente son ampliamente utilizadas en circuitos electrónicos integrados como elementos de polarización y como cargas
Más detallesEl BJT en la zona activa
El BJT en la zona activa Electrónica Analógica º Desarrollo de Productos Electrónicos Índice.- Amplificadores con BJT. 2.- Osciladores L con BJT. Electrónica Analógica El BJT en la zona activa 2 .- ircuitos
Más detallesFundamentos del transitor MOSFET
Fundamentos del transitor MOSFET Lección 04.1 Ing. Jorge Castro-Godínez EL2207 Elementos Activos Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica I Semestre 2014 Jorge Castro-Godínez
Más detallesTRANSISTOR BIPOLAR: TEMA 2.2
TRANSISTOR BIPOLAR: TEMA 2.2 Zaragoza, 12 de noviembre de 2013 ÍNDICE TRANSISTOR BIPOLAR Tema 2.2 Polarización Modelo de pequeña señal TRANSISTOR BIPOLAR Tema 2.2 Polarización Modelo de pequeña señal POLARIZACIÓN
Más detallesPRACTICA 1 CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA. Objetivo:
PRACTICA 1 CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA Objetivo: Comprender el comportamiento de un transistor en un amplificador. Diseñando y comprobando las diferentes configuraciones
Más detallesTARJETAS PARA EXPERIMENTOS DE ELECTRÓNICA LINEAL SEMICONDUCTORES MOD. MCM3/EV TRANSISTORES Y SUS POLARIZACIONES MOD. MCM4/EV CIRCUITOS AMPLIFICADORES
TARJETAS PARA EXPERIMENTOS DE ELECTRÓNICA LINEAL SEMICONDUCTORES MOD. MCM3/EV EB 21 TRANSISTORES Y SUS POLARIZACIONES MOD. MCM4/EV EB 22 CIRCUITOS AMPLIFICADORES MOD. MCM5/EV EB 23 CIRCUITOS OSCILADORES
Más detalles5.- Si la temperatura ambiente aumenta, la especificación de potencia máxima del transistor a) disminuye b) no cambia c) aumenta
Tema 4. El Transistor de Unión Bipolar (BJT). 1.- En un circuito en emisor común la distorsión por saturación recorta a) la tensión colector-emisor por la parte inferior b) la corriente de colector por
Más detallesCURSO: ELECTRÓNICA INDUSTRIAL UNIDAD 1: EL FET TEORÍA PROFESOR: JORGE POLANÍA 1. EL JFET
CURSO: ELECTRÓNICA INDUSTRIAL UNIDAD 1: EL FET TEORÍA PROFESOR: JORGE POLANÍA En la electrónica moderna se usan algunos dispositivos semiconductores diferentes al diodo de unión y al transistor bipolar
Más detalles2º parcial de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos, GTE. 1. Universidad de Sevilla. Escuela Superior de Ingenieros DEPARTAMENTO DE
2º parcial de Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos, TE. 1 Universidad de evilla Escuela uperior de Ingenieros EPARTAMENTO E INENIERÍA ELECTRÓNICA El transistor JFET Autores: Francisco Colodro
Más detallesTEMA 3 ELECTRÓNICA TECNOLOGÍA 3º ESO. Samuel Escudero Melendo
TEMA 3 ELECTRÓNICA TECNOLOGÍA 3º ESO Samuel Escudero Melendo QUÉ VEREMOS? CONCEPTOS BÁSICOS ELECTRICIDAD y ELECTRÓNICA CANTIDAD DE CARGA, INTENSIDAD, VOLTAJE, RESISTENCIA LEY DE OHM ELEMENTOS DE CIRCUITOS
Más detallesTRABAJO PRÁCTICO Nº 8 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE SEÑAL
TRABAJO PRÁCTICO Nº 8 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE SEÑAL 1) Introducción Teórica y Circuito de Ensayo Ya hemos visto cómo polarizar al TBJ de modo tal que su punto de trabajo estático (Q)
Más detallesINDICE Capitulo 1. Magnitudes Electrónicas y Resolución de Circuitos de cc Capitulo 2. Capacidad e Inductancia. Comportamiento en cc
INDICE Prólogo XI Capitulo 1. Magnitudes Electrónicas y Resolución de Circuitos de 1 cc 1.1. Introducción 1 1.2. Magnitudes más relevantes del circuito electrónico 2 1.2.1. Tensión eléctrica 2 1.2.2. Intensidad
Más detallesParcial_1_Curso.2012_2013. Nota:
Parcial_1_Curso.2012_2013. 1. El valor medio de una señal ondulada (suma de una señal senoidal con amplitud A y una señal de componente continua de amplitud B) es: a. Siempre cero. b. A/ 2. c. A/2. d.
Más detallesPlan de Estudios. b) El manejo correcto de estos Dispositivos en el armado de los circuitos que se diseñen;
76 Plan de Estudios 1.- Descripción Carrera : Ingeniería Electrónica Asignatura : Laboratorio 2 Clave : IEE - 449 Créditos : 3 (tres) Pre Requisitos : IEE 354 Circuitos Electrónicos IEE 340 Laboratorio
Más detallesElectrónica. Transistores BIPOLARES. Tipos, Zonas de trabajo, Aplicaciones
Transistores BIPOLARES Tipos, Zonas de trabajo, Aplicaciones 4 B ELECTRÓNICA 2012 1- Principio de Funcionamiento de los Transistores Bipolares: Tanto en un transistor NPN o PNP su principio de funcionamiento
Más detallesWeb:
FACULTAD POLITÉCNICA DIRECCIÓN ACADÉMICA I. IDENTIFICACIÓN PROGRAMA DE ESTUDIO Carrera : Ingeniería Eléctrica CARGA HORARIA - (Horas reloj) Asignatura : Electrónica Básica Carga Horaria Semestral 75 Semestre
Más detallesTEMA 4.1 OPAMP TEMA 4 AMPLIFICADOR OPERACIONAL FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
TEMA 4.1 OPAMP TEMA 4 AMPLIFICADOR OPERACIONAL FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA 20 de marzo de 2015 TEMA 4.1 OPAMP Introducción Funcionamiento ideal Regiones de operación Lazo abierto Lazo cerrado TEMA 4.1 OPAMP
Más detallesDiodos y Transistores
Componentes electrónicos básicos Diodos y Diodos rectificadores Un diodo no es más que la unión de un material semiconductor tipo N, llamado cátodo o negativo, con uno tipo P, llamado ánodo o positivo,
Más detallesTECNOLOGÍA DE LOS SISTEMAS DIGITALES
TECNOLOGÍA DE LOS SISTEMAS DIGITALES ESCALAS DE INTEGRACIÓN TECNOLOGÍAS SOPORTES FAMILIAS LÓGICAS FAMILIAS LÓGICAS BIPOLAR MOS BICMOS GaAs TTL ECL CMOS NMOS TRANSMISIÓN DINÁMICOS PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS
Más detallesÍndice analítico Capítulo 1 Conceptos y análisis de circuitos básicos en corriente alterna Resistencia puramente óhmica
Índice analítico Capítulo 1 Conceptos y análisis de circuitos básicos en corriente alterna... 1 1.1 Resistencia puramente óhmica... 1 1.2 La bobina en corriente alterna. Reactancia inductiva (XL)... 1
Más detallesCircuitos Integradores
CICUITOS INTEGADOES PASIVOS Y ACTIVOS, LINEALES Y NO LINEALES. DIFEENCIADOES PASIVOS Y ACTIVOS, LINEALES Y NO LINEALES. DISPOSITIVOS ACTIVOS COMO INTEUPTOES.(SWITCH) 1 Circuitos Integradores a) Integrador
Más detallesINDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal
INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar Análisis de la línea de carga de un transistor Estados del transistor El transistor PNP Modelos y análisis del transistor en gran señal Circuitos de
Más detallesOPCIÓN: SISTEMAS ASIGNATURA: ESCUELA SUPERIOR DE CÓMPUTO SUBDIRECCIÓN ACADEMICA ELECTRÓNICA ANALÓGICA
ESCUELA SUPERIOR DE CÓMPUTO SUBDIRECCIÓN ACADEMICA INGENIERÍA EN SISTEMAS COMPUTACIONALES ACADEMIA DE SISTEMAS DINÁMICOS NOMBRE: OPCIÓN: SISTEMAS ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA GRUPO: BOLETA: CALIFICACIÓN:
Más detallesTRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Tema 7 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 1.- Introducción. 2.- Transistores de unión de efecto de campo (JFET). 2.1.- Estructura Básica. 2.2.- Símbolos. 2.3.- Principio de funcionamiento. 2.3.1.- Influencia
Más detallesINDICE. XV I. Dispositivos de efecto de campo Capitulo 1. Transistores de unión de efecto de campo
INDICE Prefacio XV I. Dispositivos de efecto de campo Capitulo 1. Transistores de unión de efecto de campo 3 1.1. introducción 1.2. teoría de funcionamiento 5 1.3. parámetros del JFET 1.3.1. notación 11
Más detallesTEMA 6 Amplificador diferencial
Tema 6 TEMA 6 Amplificador diferencial 6.1.- Introducción El amplificador diferencial es un circuito que constituye parte fundamental de muchos amplificadores y comparadores y es la etapa clave de la familia
Más detallesPRÁCTICA 3. Simulación de amplificadores con transistores
PRÁCTICA 3. Simulación de amplificadores con transistores 1. Objetivo El objetivo de la práctica es recordar el uso de MicroCap, esta vez en su versión de simulador de circuitos analógicos, analizando
Más detallesINTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES
INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES EL TRANSISTOR BIPOLAR Dr. Ing.Eduardo A. Romero Los transitores bipolares se construyen con una fina capa de material semiconductor de tipo P entre dos capas de material
Más detallesTEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TTEEMAA 55: :: TTrraanss issttoorreess i dee eeffeeccttoo dee ccaamppoo 11 1) Cuál de los siguientes dispositivos no es un transistor de efecto de campo? a) MOSFET
Más detallesTEMA 4 TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO
TEMA 4 TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO Profesores: Germán Villalba Madrid Miguel A. Zamora Izquierdo 1 CONTENIDO Introducción El transistor JFET Análisis de la recta de carga. Circuitos de polarización. El
Más detallesUNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO
UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉICO FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN LICENCIATURA: INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES, SISTEMAS Y ELECTRÓNICA DENOMINACIÓN DE LA ASIGNATURA: Dispositivos y Circuitos
Más detallesCOMPONENTES ELECTRÓNICOS
UD 2.- COMPONENTES ELECTRÓNICOS 2.1. RESISTENCIA FIJA O RESISTOR 2.2. RESISTENCIAS VARIABLES 2.3. EL RELÉ 2.4. EL CONDENSADOR 2.5. EL DIODO 2.6. EL TRANSISTOR 2.7. MONTAJES BÁSICOS CON COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Más detallesTransistor BJT como Amplificador
Transistor BJT como Amplificador Lección 05.2 Ing. Jorge Castro-Godínez Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica II Semestre 2013 Jorge Castro-Godínez Transistor BJT como Amplificador
Más detallesEl BJT a pequeña señal
El BJT a pequeña señal J.I.Huircan Universidad de La Frontera January 4, 202 Abstract El modelo de BJT basado en parámetros h permite tratar el dispositivo como una red lineal, en la cual la corriente
Más detallesCLASE PRÁCTICA 2 RESUELTA. PLAN D PROBLEMAS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
LASE PRÁTIA RESUELTA. PLAN D PROBLEMAS DE POLARIZAIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) Sumario:. Introducción.. Solución de problemas. 3. onclusiones. Bibliografía:. Rashid M. H. ircuitos Microelectrónicos.
Más detalles