Tema: USO DE MEMORIAS RAM Y ROM

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1 Tema: USO DE MEMORIAS RAM Y ROM Facultad: Ingeniería Escuela: Electrónica Asignatura: Interfaces y Perifericos Lugar de Ejecución: Fundamentos Generales. Edificio 3 Objetivo general genespecífico Usar memorias RAM y ROM Objetivos específicos Manejar operaciones básicas en memorias. Utilizar memorias para implementar bloques de mayor capacidad. Materiales y equipo genespecífico 1 Unidad PU Computadora con el programa Circuit maker 1 Breadboard 1 RAM CY7C Resistencias limitadoras 1 Display 2 Puntas para PU 1 Pinza 1 Cortadora de alambre Tarea previa Estudie el tema de la clase correspondiente y complemente con la lectura de la referencia bibliográfica de la guía. Simule los dos circuitos que se presentan en la guía: figuras 10.1 y Presente los circuitos impresos al docente de laboratorio. Procedimiento

2 MEMORIA ROM 1. Simule el circuito mostrado en la figura 10.1 en el Circuit Maker. Figura 10.1 Memoria PROM Dirección Dato F 004 3F 005 7F 006 FF 007 AA Tabla Contenido de las posiciones de la memoria PROM 2. Haga clic derecho sobre la memoria PROM y seleccione la opción Edit PROM/RAM, se mostrará la tabla con las localidades de memoria y sus datos respectivos (que inicialmente están en cero). 3. Deben ingresarse los datos que se almacenaran en las localidades de memoria, para ello dé doble clic sobre la dirección 0000, se le abrirá una ventana para que ingrese el dato que quiere guardar en esa localidad, escriba 01 y haga clic en el botón OK. 4. Siga el mismo proceso para llenar los datos en las direcciones que muestra la tabla Ya ingresados los datos ejecute la simulación. 6. Coloque CS en +5V anote el código binario en los LEDs: 7. Coloque el terminal CS esta a cero voltios y observe los datos. 8. Ajuste todos los interruptores conectados a las líneas de dirección a cero voltios, y observe los LEDs y debería aparecer el dato 01h. 9. De la misma forma verifique que los otros datos están almacenados en las direcciones indicadas en la tabla 10.1.

3 10. Duplique la memoria PROM32 ya programada. 11. Implemente el circuito de la figura Verifique el contenido almacenado en las siguientes direcciones: Dirección Dato Dirección Dato 000h 001h 002h 003h 004h 005h 006h 007h 020h 021h 022h 023h 024h 025h 026h 027h Tabla Contenido de las posiciones de la memoria con expansión de cantidad de palabras Fig Combinación de memorias MEMORIA RAM

4 13. Analice el circuito que se muestra en la figura 10.3, tome en cuenta la siguiente información: Este circuito posee un CI74244 o que son buffer tri-estado, los cuales son muy usados para proteger memorias a las que se les sobrescriba, o que le entren datos cuando deberían estar saliendo. La compuerta NOT es para garantizar que los datos a la salida serán los que procedan de la RAM y no los que entran a la misma. Los terminales A9 a A3 se conectan a tierra debido a que no se utilizarán direcciones de memorias mayores a Arme en breadboard el circuito mostrado en la figura 10.3, el pin-out de la memoria RAM CY7C185 y del buffer se muestra en la figura Figura 10.3 circuito de control para programación de RAM. Note que vamos a armar un circuito para el manejo de un display, cátodo común, por lo que debemos de pensar que lo que vamos a formar son números y algunas letras, por lo que los datos deben de ser coherentes para que tengan sentido.

5 Figura 10.4 Terminales de la memoria RAM y del buffer triestado Para garantizar que una memoria no se dañe por mal uso es necesario tomar algunas medidas, entre las principales medidas que tomaremos en cuenta es verificar que el 7404 este bien colocado y que funcione, lo siguiente es respetar los datos de la tabla que se presenta a continuación. tabla de operaciones. Como notara es necesario que CE1 este en bajo y que CE2 este en alto para que pueda trabajar la memoria esto nos permitirá tener una doble protección para no dañar la memoria. Coloque el dato en la entrada esto será llevando los puentes a tierra y/o a VCC,por ejemplo el dato en la localidad de memoria 001 ( ), luego pase a cero el SW, completar la tabla siguiente. Dirección de almacenamiento (Hexa) Segmento del display Dato Bin Dirección de almacenamiento (Hexa) 0 8 Segmento del display Dato Bin

6 1 9 2 A 3 B 4 C 5 D 6 E 7 F 16. Realice el mismo proceso para escribir los datos en las direcciones que se muestran en la tabla Ajuste el interruptor que está conectado a la línea WE en uno, coloque en las líneas de direcciones el dato 004h y compruebe que ahí está el dato almacenado. 18. Compruebe que los otros datos también están presentes en las direcciones indicadas. 19. Apague la fuente un momento y vuélvala a encender, verifique que los datos se borraron de la memoria RAM. 20. Apague el equipo y deje ordenado su lugar de trabajo. Análisis de resultados genespecífico 1. Los datos que observó en el paso 6 Están almacenados en la memoria? Explique 2. Cuantas palabras se pueden almacenar en el circuito de la figura 10.1? Explique su respuesta 3. Cuantas palabras se pueden almacenar en el circuito de la figura 10.2? Explique su respuesta 4. Qué función hace el inversor de la figura 10.2? 5. En circuito de la figura 10.3 Cuantas palabras se pueden almacenar? 6. En qué estado lógico se encuentran las salidas Yb3 a Yb0 del buffer triestado de la figura 10.3 cuando se están escribiendo datos?

7 Y cuando se leen datos? Bibliografía M. Mano, Diseño Digital, 3ª Ed., México, Ed. Prentice Hall, 2003, pp