Sistemas con Microprocesadores II

Transcripción

1 Sistemas con Microprocesadores II 1 El PIC16F628 PIC16F628 Memoria de datos EEPROM Memoria de programa FLASH Rebotes en los pulsadores Teclado matricial Display de 7 segmentos Teclado Matricial con display de 7 segmentos 2 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Mauricio López V. (Ingeniería) Microcontroladores PIC Noviembre, / 79

2 PIC16F628 El PIC16F628 Mauricio López V. (Ingeniería) El PIC16F Noviembre, / 79

3 Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM Memoria de 128 bytes (128 x 8) (PIC16F877, PIC16F84). Esta es adecuada para guardar datos que deban mantenerse almacenados, inclusive aún si se quite la fuente de alimentación. Se pueden realizar dos tipos de operación: Operación de lectura. Operación de escritura o grabación. Un ciclo de grabación dura unos 10 ms. Al escribir en una posición de memoria ya ocupada, automáticamente se borra el contenido que había y se introduce el nuevo dato, por lo que no hay comando de borrado. Soporta un millón de ciclos de escritura/borrado y guarda la información inalterada durante más de 40 años. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

4 Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM Esta memoria no forma parte del espacio direccionable y no es accesible de manera directa para su lectura y su escritura. Se direcciona de manera indirecta a través de las registros de las funciones especiales (SFR). Hay cuatro SFR usados para la lectura y la escritura de esta memoria de datos EEPROM EECON1 (bits de control) EECON2 (no implementado físicamente, usado para iniciar la lectura o la escritura) EEDATA (dato leído o para ser grabado) EEADR (dirección a acceder) Una de las aplicaciones se encuentra en los sistemas de seguridad, para poder modificar y almacenar un código de seguridad diferente. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

5 Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM EEDATA (EEPROM Data Register). Contiene los bytes que se van a escribir o que se han leído. EEADR (EEPROM Address Register). Contiene la dirección a acceder para lectura o escritura. Ocupan las direcciones de un mapa que comienza en la posición 00H (termina en la FFH, 256 localidades). EECON1 (EEPROM Control Register 1). Sus bits definen el modo de funcionamiento de esta memoria. Los bits RD y WR indican respectivamente lectura o escritura. Sólo se requiere ponerlos a 1, ya que se borran automáticamente cuando la operación de lectura o escritura se ha completado. EECON2 (EEPROM Control Register 2). No implementado físicamente. Se emplea como dispositivo de seguridad durante el proceso de escritura, para evitar las interferencias en el largo intervalo de tiempo que precisa su desarrollo. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

6 Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM (PIC16F877, PIC16F84). bit7:4 Sin implementar: Leído como un 0. bit 3 WRERR: (EEPROM Error Flag bit). Bit señalizador de error de escritura. WRERR = 1. Una operación de escritura se ha terminado prematuramente. WRERR = 0. La operación de escritura se ha completado correctamente. bit 2 WREN: (EEPROM Write Enable bit). Bit de permiso de escritura. WREN = 1. Permite la escritura de la EEPROM. WREN = 0. Deshabilita la escritura a la EEPROM. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

7 Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM bit 1 WR: (Write Control bit). Bit de control para inicio de escritura. WR = 1. Iniciar un ciclo de escritura de la EEPROM. Cuando se completa el ciclo pasa a 0 automáticamente. WR = 0. Un ciclo de escritura de la EEPROM se ha completado. bit 0 RD: (Read Control bit). Bit de control para inicio de lectura. RD = 1. Iniciar una lectura de la EEPROM. Cuando se completa el ciclo pasa a 0 automáticamente. RD = 0. No iniciar una lectura de la EEPROM. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

8 Memoria de datos EEPROM Pasos para la lectura de la memoria de datos EEPROM 1. Escribir la dirección a acceder en el registro EEADR. 2. Poner el bit RD (EECON1<RD>) en uno para comenzar la operación de lectura. 3. En el siguiente ciclo el dato leído de la EEPROM estará disponible en el registro EEDATA. Leer el dato del registro EEDATA (el dato permanecerá en él hasta que se realice una nueva lectura o escritura en la EEPROM). Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

9 Memoria de datos EEPROM Ejemplo de lectura de memoria de datos EEPROM BCF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 0. MOVF DATA_EE_ADDR, W ; DATA_EE_ADDR contiene ; la dirección a acceder. BSF STATUS, RP0 ; Banco 1. MOVWF EEADR ; Establece la dirección a leer. BSF EECON1, RD ; Lectura del dato en EEPROM. MOVF EEDATA, W ; W <-- EEDATA. BCF STATUS, RP0 ; Banco 0. PIC16F877 PIC16F84 Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

10 Memoria de datos EEPROM Pasos para la escritura de la memoria de datos EEPROM Escritura de la memoria de datos EEPROM: 1. Si no se implementa el paso 10, debe verificar el bit WR para comprobar si está en proceso una escritura. 2. Escribir la dirección a acceder en el registro EEADR. 3. Escribir el dato de 8 bits en el registro EEDATA. 4. Poner el bit WREN en uno para habilitar la operación de escritura. 5. Deshabilitar las interrupciones (si han sido habilitadas). Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

11 Memoria de datos EEPROM Pasos para la escritura de la memoria de datos EEPROM 6. Ejecutar la siguiente secuencia para iniciar la escritura de cada byte. - Escribir 55h en EECON2. - Escribir AAh en EECON2. - Poner el bit WR en uno. 7. Habilitar las interrupciones si se están empleando. 8. Limpiar el bit WREN para deshabilitar las operaciones de escritura. 9. Cuando se contempla el ciclo de escritura, el bit WR se pone a 0 y la bandera de interrupción EEIF se pone a 1 (EEIF debe borrarse por programa). Si no se ha implementado el paso 1, el programa debe verificar si el bit EEIF está a 1 o si el bit WR está a 0, lo que indica el fin del proceso de escritura. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

12 Memoria de datos EEPROM Ejemplo de escritura de memoria de datos EEPROM Secuencia Requerida BCF STATUS, RP1 BSF STATUS, RP0 ; Banco 1. BTFSC EECON1, WR ; Espera a que el proceso de GOTO $-1 ; escrituras se complete. BCF STATUS,RP0 ; Banco 0. MOVF DATA_EE_ADDR, W ; DATA_EE_ADDR contiene ; la dirección a acceder. BSF STATUS,RP0 ; Banco 1. MOVWF EEADR ; Establece la dirección a escribir. BCF STATUS,RP0 ; Banco 0. MOVF DATA_EE_DATA, W ; DATA_EE_DATA contiene el ; dato a escribir en memoria. BSF STATUS,RP0 ; Banco 1. MOVWF EEDATA ; Establece el dato a escribir. BSF EECON1, WREN ; Habilita permiso para escritura. BCF INTCON,GIE ; De habilita interrupciones. MOVLW 55h ; Debe mandarse el valor 55h a MOVWF EECON2 ; EECON2 para iniciar la ; secuencia de escritura. MOVLW AAh MOVWF EECON2 ; Escribe AAh. BSF EECON1, WR ; WR <-- 1. Comienza la escritura. BSF INTCON,GIE ; Habilita interrupciones. BCF EECON1, WREN ; Deshabilita escritura. PIC16F877 PIC16F84 Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

13 Memoria de datos EEPROM Notas para la escritura de memoria de datos EEPROM En el proceso de escritura Microchip recomienda deshabilitar las interrupciones. El bit WREN debe ser puesto a 1 para habilitar la escritura. Este mecanismo evita escrituras accidentales. El usuario debe controlar que el bit WREN esté siempre en 0 salvo en el momento de la escritura, ya que este bit no se borra automáticamente. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

14 Memoria de programa FLASH Memoria de programa FLASH En los microcontroladores PIC16F877, no sólo es posible leer y escribir la memoria de datos EEPROM, sino que también en la memoria de programa. Debido a la posibilidad de escribir en la memoria de programa FLASH, que tiene un tamaño de 14 bits, hasta un total de 8Kbytes, se requiere de: - un par de registros que contenga los 14 bits del dato a leer o escribir en la memoria, EEDATH: EEDATA y - un par de registros que contenga los 13 bits de la dirección a acceder en la memoria, EEADRH:EEADR. Los registros involucrados en estas operaciones son seis: - EECON1 (bits de control) - EECON2 (no implementado físicamente, usado para iniciar la lectura o la escritura) - EEDATA (almacena el byte de datos para su lectura o escritura) - EEDATH (almacena los 6 bits de mayor peso cuando se trabaja sobre la memoria FLASH) - EEADR (almacena la dirección de la posición EEPROM a acceder) - EEADRH (almacena los 5 bits de mayor peso de la dirección cuando se trabaja sobre la memoria FLASH.) Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria de programa... Noviembre, / 79

15 Memoria de programa FLASH Memoria de programa FLASH En los microcontroladores PIC16F877, no sólo es posible leer y escribir la memoria de datos EEPROM, sino que también en la memoria de programa. Debido a la posibilidad de escribir en la memoria de programa FLASH, que tiene un tamaño de 14 bits, hasta un total de 8Kbytes, se requiere de: - un par de registros que contenga los 14 bits del dato a leer o escribir en la memoria, EEDATH: EEDATA y - un par de registros que contenga los 13 bits de la dirección a acceder en la memoria, EEADRH:EEADR. Los registros involucrados en estas operaciones son seis: - EECON1 (bits de control) - EECON2 (no implementado físicamente, usado para iniciar la lectura o la escritura) - EEDATA (almacena el byte de datos para su lectura o escritura) - EEDATH (almacena los 6 bits de mayor peso cuando se trabaja sobre la memoria FLASH) - EEADR (almacena la dirección de la posición EEPROM a acceder) - EEADRH (almacena los 5 bits de mayor peso de la dirección cuando se trabaja sobre la memoria FLASH.) Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria de programa... Noviembre, / 79

16 Memoria de programa FLASH Pasos para la lectura de la memoria de programa FLASH 1. Escribir la dirección en EEADRH:EEADR. Asegurarse de que no sea mayor que el tamaño de la memoria de programa del dispositivo. 2. Poner el bit EEPGD en uno para apuntar a la memoria de programa FLASH. 3. Poner el bit RD en uno para que se inicie la operación de lectura. 4. Ejecutar dos instrucciones NOP, para dar tiempo a que el microcontrolador extraiga los datos de la memoria de programa a los registros EEDATH: EEDATA. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria de programa... Noviembre, / 79

17 Memoria de programa FLASH Ejemplo de lectura de memoria de programa FLASH BSF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 2 MOVLW EE_ADDR_H ; Valor alto de la dirección a leer, EE_ADDR_H. MOVWF EEADRH ; Configura dirección de memoria parte alta. MOVLW EE_ADDR_L ; Valor bajo de la dirección a leer, EE_ADDR_L. MOVWF EEADR ; Configura dirección de memoria parte baja. BSF STATUS, RP1 BSF STATUS, RP0 ; Banco 3 BSF EECON1, EEPGD ; Apunta a la memoria de programa, FLASH. BSF EECON1, RD ; Inicia operación de lectura. ; NOP NOP ; Cualquier instrucción será ignorada aquí, ya ; que la memoria de programa es leída en el ; segundo ciclo después BSF EECON1, RD. ; BCF STATUS, RP0 ; Banco 2 MOVF EEDATA, W ; Resguarda el byte leído bajo. MOVWF DATAL ; DATAL <--- EEDATA. MOVF EEDATH, W ; Resguarda el byte leído alto. MOVWF DATAH ; DATAH <--- EEDATH. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria de programa... Noviembre, / 79

18 Memoria de programa FLASH Pasos para la escritura de la memoria de programa FLASH 1. Escribir la dirección en EEADRH:EEADR. Asegurarse de que no sea mayor que el tamaño de la memoria de programa del dispositivo. 2. Escribir el dato de 14 bits que debe ser grabado en los registros EEDATH:EEDATA. 3. Poner el bit EEPGD en uno para apuntar a la memoria de programa FLASH. 4. Poner el bit WREN en uno para habilitar la operación de escritura. 5. Deshabilitar las interrupciones (si han sido habilitadas). 6. Ejecutar la siguiente secuencia para iniciar la escritura de cada byte. - Escribir 55h en EECON2. - Escribir AAh en EECON2. - Poner el bit WR en uno. 7. Ejecutar dos instrucciones NOP, para permitir que el microcontrolador se configure para la operación de escritura. 8. Habilitar las interrupciones si se están empleando. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria de programa... Noviembre, / 79

19 Memoria de programa FLASH Notas para la escritura de memoria de programa FLASH Durante la escritura de la memoria FLASH, el microcontrolador no ejecuta instrucción. El oscilador y todos los periféricos continúan funcionando. Cuando la operación de escritura finaliza, el microcontrolador continúa ejecutando el código en el que se quedó. Si el bit WRT de la palabra de configuración está a 0 impide cualquier escritura de la memoria FLASH. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria de programa... Noviembre, / 79

20 Memoria de programa FLASH Ejemplo de escritura de memoria de programa FLASH BSF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 2 ; Escribe dirección a leer en EEADRH:EEADR. MOVF ADDRH, W ; Dato alto de la dirección a escribir, ADDRH. MOVWF EEADRH ; Establece dirección de memoria parte alta. MOVF ADDRL, W ; Dato bajo de la dirección a escribir, ADDRL. MOVWF EEADR ; Establece dirección de memoria parte baja. ; Escribe valor del dato a leer en EEDATH:EEDATA. MOVF DatoH, W ; Dato alto del valor a escribir, ADDRH. MOVWF EEDATH ; Configura palabra parte alta. MOVF DatoL, W ; Dato bajo del valor a escribir, ADDRL. MOVWF EEDATA ; Configura palabra parte baja, los 6 MSB. BSF STATUS, RP1 BSF STATUS, RP0 ; Banco 3 BSF EECON1, EEPGD ; Apunta a la memoria de programa, FLASH. BSF EECON1, WREN ; Habilita permiso para escritura. BCF INTCON, GIE ; Deshabilita interrupciones. MOVLW 55h ; Debe mandarse el valor 55h a EECON2 MOVWF EECON2 ; para iniciar la secuencia de escritura. MOVLW AAh MOVWF EECON2 ; Escribe AAh. BSF EECON1, WR ; WR <-- 1. Comienza la escritura. NOP ; Cualquier instrucción será ignorada aquí, ya ; que el procesador se detiene para iniciar la NOP ; secuencia de escritura, manteniéndose en ; este estado hasta completar la escritura, al ; finalizar continua con la 3ra instrucción. BTFSC EECON1, WR ; Espera a que el proceso de GOTO $-1 ; escrituras se complete. BSF INTCON,GIE ; Habilita interrupciones. BCF EECON1, WREN ; Deshabilita escritura. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria de programa... Noviembre, / 79

21 Memoria de programa FLASH Ejemplo de escritura de 4 datos en memoria de programa FLASH ; Esta rutina asume que: ; 1. Una dirección válida de inicio (los bits menos significativos = $'00'$) se carga en los ; registros ADDRH:ADDRL. ; 2. La dirección donde inicia la ubicación de los 8 bytes de datos (4 datos de 16 bits) que ; serán cargados en memoria esta establecida por DATADDR. ; 3. Los registros de usuario ADDRH, ADDRL y DATADDR se encuentran ubicados ; dentro del área 0x70-0x7f de la memoria de datos. ; BSF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 2. ; Escribe dirección a leer en EEADRH:EEADR. MOVF ADDRH, W ; Dato alto de la dirección a escribir, ADDRH. MOVWF EEADRH ; Establece dirección de memoria parte alta. MOVF ADDRL, W ; Dato bajo de la dirección a escribir, ADDRL. MOVWF EEADR ; Establece dirección de memoria parte baja. MOVF DATAADDR, W ; Se carga la dirección inicial de la ubicación ; de los datos, para ser accedidos de manera ; indirecta.. MOVWF FSR ; FSR <-- DATAADDR. LOOP MOVF INDF, W ; Carga el primer dato en la parte baja del par MOVWF EEDATA ; de registros EEDATH: EEDATA. INCF FSR, F ; Incrementa FSR para acceder al siguiente ; byte. MOVF INDF, W ; Carga el segundo dato en la parte alta del MOVWF EEDATH ; par de registros EEDATH: EEDATA. INCF FSR, F ; Incrementa FSR para acceder al siguiente ; byte. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria de programa... Noviembre, / 79

22 Memoria de programa FLASH Ejemplo de escritura de 4 datos en memoria de programa FLASH BSF STATUS, RP1 BSF STATUS, RP0 ; Banco 3. BSF EECON1, EEPGD ; Apunta a la memoria de programa, FLASH. BSF EECON1, WREN ; Habilita permiso para escritura. BCF INTCON, GIE ; Deshabilita interrupciones. MOVLW 55h ; Debe mandarse el valor 55h a EECON2 MOVWF EECON2 ; para iniciar la secuencia de escritura. MOVLW AAh MOVWF EECON2 ; Escribe AAh. BSF EECON1, WR ; WR <-- 1. Comienza la escritura. NOP ; Cualquier instrucción será ignorada aquí, ya ; que el procesador se detiene para iniciar la NOP ; secuencia de escritura, manteniéndose en ; este estado hasta completar la escritura, al ; finalizar continua con la 3ra instrucción. BCF EECON1, WREN ; Deshabilita escritura. BSF INTCON, GIE ; Habilita interrupciones. BSF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 2. INCF EEADR, F ; Incrementa apuntado de dirección de ; memoria de programa. MOVF EEADR, W ; Verifica si los dos bits menos significativos ; son '00'. ANDLW 0x03 ; Indica cuando las cuatro palabras han sido XORLW 0x03 ; programadas. BTFSC STATUS, Z ; Termina para más de cuatro palabras. GOTO LOOP ; Continúa si es menos de cuatro palabras. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria de programa... Noviembre, / 79

23 Rebotes en los pulsadores Rebotes en los pulsadores El comportamiento de los microcontroladores dependen a menudo de la actuación de sus entradas. Entre los dispositivo más usuales que generan una entrada binaria se encuentran los interruptores (switches), pulsadores (push-buttons) y los teclados matriciales de tecla. Los pulsadores se pueden encuadrar en dos grupos - Los normalmente abiertos (NA), que producen el cierre de los contactos cuando se presionan, y - Los normalmente cerrado (NC), que abren los contactos al presionarse. Mauricio López V. (Ingeniería) Pulsadores... Noviembre, / 79

24 Rebotes en los pulsadores Rebotes en los pulsadores Señal producida por el pulsador: Cuando no se actúa sobre le pulsador la tensión en el punto de salida es + 5V. Cuando el pulsador es presionado los contactos se cierran y la tensión en el punto de salida es 0V. Ejemplo de pulsador normalmente abierto Mauricio López V. (Ingeniería) Pulsadores... Noviembre, / 79

25 Rebotes en los pulsadores Rebotes en los pulsadores Un problema común con interruptores mecánicos es que la forma de onda de la señal de salida aparece con una serie de rebotes (unos cuantos micro o milisegundos). De manera que cuando el pulsador se presiona, el circuito responderá como si fuesen aplicadas señales múltiples. Estos rebotes se pueden eliminar utilizando circuitos o añadiendo un pequeño retardo en el programa cada vez que se detecta un cambio de posición en el pulsador. Mauricio López V. (Ingeniería) Pulsadores... Noviembre, / 79

26 Rebotes en los pulsadores Rebotes en los pulsadores El problema de rebotes se puede solucionar fácilmente conectando un circuito RC para suprimir los cambios rápidos de voltaje. Ya que el intervalo de los rebotes no está definido, los valores de las componentes no se pueden determinar con precisión. En la mayoría de los casos se recomienda usar los valores mostrados Mauricio López V. (Ingeniería) Pulsadores... Noviembre, / 79

27 Rebotes en los pulsadores Rebotes en los pulsadores Si se desea una completa estabilidad se puede incluir un circuito flip-flop RS, éste cambiara su estado lógico solo después de detectar al primer pulso. Esta solución es más cara, pero el problema es definitivamente solucionado. Mauricio López V. (Ingeniería) Pulsadores... Noviembre, / 79

28 Rebotes en los pulsadores Rebotes en los pulsadores Además de estas soluciones de hardware, hay también una solución de software. Cuando un programa encuesta el estado de algún pin de entrada y detecta algún cambio, la verificación se debería llevar a cabo después de un cierto tiempo. Si el programa confirma el cambio, esto significa que un switch/push-button ha cambiado su posición. Las ventajas de este tipo de solución es que no hay que invertir en hardware. Ejemplo: #DEFINE pulsador PORTA, 4 espera BTFSC GOTO CALL BTFSC GOTO pulsador espera ret_20ms pulsador espera Mauricio López V. (Ingeniería) Pulsadores... Noviembre, / 79

29 Teclado matricial Teclado matricial Los teclados matriciales son muy utilizados con los microcontroladores ya que permite desarrollar aplicaciones interesentes F E D A 0 B C A B C * 0 # D Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

30 Teclado matricial Teclado matricial Este tipo de teclados están configurados como una matriz filas-columnas con la intención de reducir el número de líneas de entrada salida para conectar con el microcontrolador F Teclado Hexadecimal E D A 0 B C Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

31 Teclado matricial Teclado matricial En un teclado no matricial cada tecla necesita una línea de entrada. El teclado matricial está organizado de tal forma que cada tecla se conecta a una fila y una columna. El número de líneas necesarias conectadas al microcontrolador para la matriza del teclado es igual a la suma de columnas y filas. El número de teclas que puede conectarse a la matriz es el producto de las filas por las columnas. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

32 Teclado matricial Teclado matricial La técnica de programación usada para gobernar una matriz de teclas necesita tanto entradas como salidas. Las filas están conectadas a los pin de salida y las columnas a las de entrada. Orden de las teclas Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

33 Teclado matricial Teclado matricial Se comienza colocando a 0 la primera fila y las restantes a 1. Si una tecla es pulsada en la columna 0, el 0 lógico aparece en la intersección fila columna. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

34 Teclado matricial Teclado matricial Las columnas son exploradas de forma secuencial comprobando si hay un 0. Si no se encuentra un 0, se pone a 0 la fila siguiente y la anterior a 1, pasando a comprobar nuevamente las columnas. Conexión del teclado matricial al puerto A, con su disposición interna en filas y columnas. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

35 Teclado matricial Criterios para decodificar una tecla Asignación de códigos a las terminales (filas y columnas). Ejemplo: La tecla con el número 9 es el resultado de la suma del código asignado a la tercera fila (8) más el código asignado a la segunda columna (1). Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

36 Teclado matricial Asignación de códigos a las columnas Observaciones: Si el valor de la entrada (nibble alto del puerto B) 1110 (detección de un 0 en la primera columna) se complementa se obtiene 0001 (01h). Si el valor de la entrada 1101 (detección de un 0 en la segunda columna) se complementa se obtiene 0010 (02h). Si el valor de la entrada 1011 (detección de un 0 en la tercera columna) se complementa se obtiene 0100 (04h). Si el valor de la entrada 0111 (detección de un 0 en la cuarta columna) se complementa se obtiene 1000 (08h). Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

37 Teclado matricial Asignación de códigos a las columnas ; ; Subrutina para identificar la tecla presionada ; Subrutina: tbcolum ; tbcolum ADDWF PCL, 1 ; PCL <-- w + PCL NOP RETLW H'00' ; Primera columna, viene como un uno, se le asigna 00. RETLW H'01' ; Segunda columna, viene como un dos, se le asigna 01. NOP RETLW H'02' ; Tercera columna, viene como un cuatro, se le asigna 02. NOP NOP NOP RETLW H'03' ; Cuarta columna, viene como un ocho, se le asigna 03. NOP NOP NOP NOP NOP NOP NOP RETLW H'00' ; De proteccion. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

38 Teclado matricial Asignación de códigos a las filas Observaciones: Si el valor de la salida (nibble bajo del puerto B) 1110 (selección de la primera fila al colocar un 0 ) se complementa se obtiene 0001 (01h). Si el valor de la salida 1101 (selección de la segunda fila al colocar un 0 ) se complementa se obtiene 0010 (02h). Si el valor de la salida 1011 (selección de la tercera fila al colocar un 0 ) se complementa se obtiene 0100 (04h). Si el valor de la salida 0111 (selección de la cuarta fila al colocar un 0 ) se complementa se obtiene 1000 (08h). Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

39 Teclado matricial Asignación de códigos a las filas ; ; Subrutina para identificar la tecla presionada ; Subrutina: tbfila ; tbfila ADDWF PCL, 1 ; PCL <-- w + PCL NOP RETLW H'00' ; Primera columna, viene como un uno, se le asigna 00. RETLW H'04' ; Segunda columna, viene como un dos, se le asigna 04. NOP RETLW H'08' ; Tercera columna, viene como un cuatro, se le asigna 08. NOP NOP NOP RETLW H'0C' ; Cuarta columna, viene como un ocho, se le asigna 0C. NOP NOP NOP NOP NOP NOP NOP RETLW H'00' ; De proteccion. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

40 Teclado matricial Diagrama de conexión Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

41 Display de 7 segmentos Diagrama del display de 7 segmentos XDUG14A4-A a Dig1 Dig2 Dig3 a f b a a f g e b c f g e b c f g e b c f g e b c d p d p d p d p Dig1 Dig2 Dig3 Dig4 Display XDUG14A4-A e d p c g a Dig4 Transistor BC557 transistor BC557 (pnp) Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

42 Display de 7 segmentos Diagrama de conexión con el display de 7 segmentos Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

43 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Teclado Matricial con display de 7 segmentos Problema: Se desea desarrollar un programa que capture datos de un teclado matricial, los almacena en la memoria de datos EEPROM interna del PIC y los despliegue en cuatro display de 7 segmentos. Criterios de diseño: Cada entrada de teclado representa un número. Este número se almacena en la localidad menos significativa de la memoria de datos de la EEPROM. A su vez el número se despliega en los display. Además, se lleva a cabo un corrimiento de los datos en la memoria de EEPROM hacia los más significativos y también en los display. El despliegue se realiza como si se estuviera desplazando hacia la izquierda. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

44 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Criterios particulares de diseño Refrescar cada 4 milisegundos a uno de los display de 7 segmentos. Para llevar el conteo utilice interrupciones, de manera que la interrupción sea generada por el tiempo requerido para refrescar un display de 7 segmentos. Cada vez que se refrescan los display de 7 segmentos, actualizar el valor de la fila seleccionada (0, 4, 8 y C). Usar una bandera para identificar tecla presionada. Usar la EEPROM para almacenar la tecla presionadan actual y las tres anteriores. Recorrer los datos a la izquierda en la memoria EEPROM cuando se tiene una nueva tecla presionada. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

45 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Criterios particulares de diseño Recuperar los datos de la EEPROM en 4 registros de propósito general. Utilizar el contenido de los 4 registros de propósito general para refrescar cada display de 7 segmentos. Usar el mismo nibble en la selección de las filas para el teclado y la habilitación de los display de 7 segmentos. La lectura de la tecla presionada se debe llevar a cabo dentro de la rutina de interrupción e inmediatamente después de refrescar a uno de los display de 7 segmentos. Cada que termina de lee una tecla esperar 200milisegundos antes de recibir otra teca. No recibir nueva tecla hasta atender la actual tecla. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

46 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Criterios de diseño El valor de la tecla presionada se muestra en el primer display de 7 segmentos y el contenido de éste debe desplazar a la izquierda, igual que los valores de las teclas anteriores (desplazar contenido de las memorias de datos EEPROM). Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

47 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de conexión Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

48 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo INICIO Inicialización Configuración del PIC (puertos) refini #include #include <P16f877a.inc>; Definicion de los registros ; SFR y sus bits. <macros.asm> ; Declaracion de macros. banco1 ; Pasa al banco 1. CLRF TRISX ; Puerto X. banco0 ; Pasa al banco 0. Inicia apuntador de direccionamiento indirecto de los registros de la RAM. Inicializa registro de barrido: rgbarr. apaga Apaga todos los segmentos de los LED. TEKLA <-- FFh Inicializa registros donde se almacena la tecla presionada. regx <-- 0 Limpia bandera indicadora que no hay tecla presionada. INTCON <-- A0h Configuración del INTCON: Interrupciones. TMR0 <-- 06h 4 mseg. refresco a los display de 7 segmentos (1:16 prescaler). 4000/16 = 250 ; = 06. T0IF <-- 0 Limpia bandera de sobreflujo del TMR0. 1 Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

49 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo 1 NO regx = 1? SI W <-- 02h Hay tecla presionada? Para seleccionar la localidad de memoria '2'. eep_lec Lee memoria EEPROM. W <-- EEDATA. WTEMP <-- W Almacena temporalmente el dato leído. W <-- 03h Para seleccionar la localidad de memoria '3'. eep_esc Escribe en la memoria EEPROM. EEDATA <-- WTEMP. W <-- 01h Para seleccionar la localidad de memoria '1'. eep_lec Lee memoria EEPROM. W <-- EEDATA. 2 Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

50 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo 2 WTEMP <-- W Almacena temporalmente el dato leído. W <-- 02h Para seleccionar la localidad de memoria '2'. eep_esc Escribe en la memoria EEPROM. EEDATA <-- WTEMP. W <-- 00h Para seleccionar la localidad de memoria '0'. eep_lec Lee memoria EEPROM. W <-- EEDATA. WTEMP <-- W Almacena temporalmente el dato leído. W <-- 01h Para seleccionar la localidad de memoria '1'. eep_esc Escribe en la memoria EEPROM. EEDATA <-- WTEMP. 3 Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

51 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo 3 W <-- TEKLA tabla Para determinar el valor que se desplegara en el display de 7 segmentos. Tabla que establece el valor a desplegar en el display de 7 segmentos. WTEMP <-- W Almacena temporalmente el dato leído. W <-- 00h Para seleccionar la localidad de memoria '0'. eep_esc Escribe en la memoria EEPROM. EEDATA <-- WTEMP. W <-- 00h Para seleccionar la localidad de memoria '0'. eep_lec disly0 <-- W Lee memoria EEPROM. W <-- EEDATA. Almacena dato leído en memoria RAM. disly0 <-- W. W <-- 01h Para seleccionar la localidad de memoria '1'. 4 Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

52 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo 4 eep_lec disly1 <-- W Lee memoria EEPROM. W <-- EEDATA. Almacena dato leído en memoria RAM. disly1 <-- W. W <-- 02h Para seleccionar la localidad de memoria '2'. eep_lec disly2 <-- W Lee memoria EEPROM. W <-- EEDATA. Almacena dato leído en memoria RAM. disly2 <-- W. W <-- 03h Para seleccionar la localidad de memoria '3'. eep_lec disly3 <-- W Lee memoria EEPROM. W <-- EEDATA. Almacena dato leído en memoria RAM. disly3 <-- W. 5 Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

53 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo 5 rt200m Retardo de 200 milisegundos. regx <-- 0 Limpia bandera indicadora que no hay tecla presionada. 1 Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

54 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo ISR Rutina de interrupción. STORW <-- W STRST <-- STATUS Resguarda registro de trabajo, W. Resguarda registro de Estados, STATUS. T0IF <-- 0 Limpia bandera del TMR0. TMR0 <-- 06h Inicializa TMR0. refrec Rutina que refresca un display. SI regx = 1? NO lec_tec Hay tecla presionada? Lectura de la tecla (teclado matricial). W <-- STORW STATUS <-- STRST Restablece registro de trabajo, W. Restablece registro de Estados, STATUS. Sale Termina rutina de interrupción. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

55 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo refrec Subrutina de refresco de un display de 7 segmentos. W <-- rgbarr W <-- W.OR. F0h Identifica la fila del teclado accionada y obtiene el código real asignado a esa fila. Pasa por la mascara y el complemento. W <-- W.XOR. FFh tbfila Obtiene el código real asignado a la fila del teclado. FILA <-- W Resguarda el valor leído en la variable FILA. W <-- rgbarr Establece el valor que selecciona la fila del teclado. W <-- W.OR. F0h TRISA <-- W PORTA <-- 0 Selecciona la fila del teclado. Usa la combinación del TRIS y del PORT. 6 Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

56 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo 6 PORTC <-- 00h Apaga los segmentos del display correspondientes. PORTC <-- (FSR) Manda el dato a desplegar al display correspondiente. FSR <-- FSR + 1 Incrementa FSR para el direccionamiento indirecto. C <-- 1 rgbarr <-- RotIzq(rgbarr) Establece el Carry del STATUS como alimentador de registro. Rotación, para seleccionar la siguiente posición de la fila en la próxima iteración. Sale NO regbarr<4> = 0? Ya recorrió todos los display que se deben prender? SI refini Inicializa apuntadores de direccionamiento y el registro de barrido: rgbarr. Sale Termina rutina de refresco de un display de 7 segmentos. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

57 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo refini Rutina que inicia apuntador de direccionamiento indirecto de los registros de la RAM. Inicializa registro de barrido: rgbarr. FSR <-- (disly0) Actualiza el apuntador con la dirección disly0. rgbarr <-- FEh Inicializa a la primera posición de la fila del teclado y del display de 7 segmentos. Sale Termina rutina de inicialización de apuntador y registro. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

58 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo apaga Inicializa los registros que refrescan los display de 7 segmentos. disly0 <-- FFh disly1 <-- FFh disly2 <-- FFh disly3 <-- FFh Inicializa cada registro: disly0, disly1, disly2 y disly3. refrec Rutina que refresca un display. Sale Termina rutina de registros que refrescan los display. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

59 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo lee_tec Rutina encargada de leer la tecla presionada. reta250 Espera 250 microsegundos. W <-- SWAP(PORTB) Los 4 bits de las columnas (teclado matricial) se pasan al nibble bajo. W <-- W.OR. F0h Para verificar si hay una tecla presionada. W <-- W.XOR. FFh 7 SI Z = 1 Sin tecla presionada? NO ret2mg Espera 2 milisegundos. W <-- SWAP(PORTB) Los 4 bits de las columnas (teclado matricial) se pasan al nibble bajo. 8 Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

60 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo 8 W <-- W.OR. F0h Para verificar si hay una tecla presionada. W <-- W.XOR. FFh 7 SI Z = 1 Sin tecla presionada? NO tbcolm Obtiene el código real asignado a la columna del teclado. W <-- W + FILA Suma el valor del código de la columna con el de la fila. TEKAL <-- W Almacena en número de la tecla presionada. regx <-- 1 Prende bandera indicadora que hay tecla presionada. Sale Termina rutina de lectura de la tecla. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

61 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo 7 regx <-- 0 Limpia bandera indicando que no hay tecla presionada. TEKLA <-- FFh Inicializa registro donde se almacena la tecla presionada. Sale Termina rutina de lectura de la tecla. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

62 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo eep_lec Rutina que leer una localidad de memoria EEPROM. Entrada: dirección de la memoria en W, y salida de dato en W. EEADR <-- W Selecciona la localidad de memoria establecida por W. EECON1 <-- 01h EEPGD <-- 0. Apunta a la memoria EEPROM de datos. RD <-- 1. Lectura del dato en EEPROM. 3 NOPs Espera 3 NOP. W <-- EEDATA Resguarda dato leído de memoria. Sale Termina rutina que leer una localidad de memoria EEPROM. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

63 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo eep_esc Rutina que escribe a una localidad de memoria EEPROM. Entrada: dirección de la memoria en W. EEADR <-- W Selecciona la localidad de memoria, establecida por W. EEDATA <-- WTEMP Establece el dato a escribir en memoria. EECON1<EEPGD> <-- 0 Apunta a la memoria EEPROM de datos. EECON1<WREN> <-- 1 Habilita permiso para escritura. INTCON1<GIE> <-- 0 Deshabilita interrupciones. EECON2 <-- 55h EECON2 <-- AAh Secuencia para iniciar la escritura. EECON1<WR> <-- 1 WR <-- 1. Comienza la escritura. INTCON1<GIE> <-- 1 Habilita interrupciones. 9 Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

64 Teclado Matricial con display de 7 segmentos Diagrama de flujo 9 etqepw NO PIR1<EEIF> = 1? SI Ya termino el proceso de escritura a la EEPROM? EECON1 <-- 00h Termina escritura y limpia todos los registros de EECON1. Sale Termina rutina que escribe una localidad de memoria EEPROM. Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

65 Laminillas complementarias Laminillas complementarias Laminillas complementarias Mauricio López V. (Ingeniería) Teclado matricial... Noviembre, / 79

66 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM PIC16F877: Memoria de 256 bytes (256 x 8). PIC16F84: Memoria de 64 bytes (64 x 8). return Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

67 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM (PIC16F877) bit 7 EEPGD: (Program/Data EEPROM Select bit). Bit de acceso a la memoria de programa (FLASH) o a la EEPROM de datos. EEPGD = 1. Acceso a la memoria de programa (FLASH). EEPGD = 0. Acceso a la memoria de datos (EEPROM). bit6:4 Sin implementar: Leído como un 0. bit 3 WRERR: (EEPROM Error Flag bit). Bit señalizador de error de escritura. WRERR = 1. Una operación de escritura se ha terminado prematuramente. WRERR = 0. La operación de escritura se ha completado correctamente. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

68 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM (PIC16F877) bit 2 WREN: (EEPROM Write Enable bit). Bit de permiso de escritura. WREN = 1. Permite la escritura de la EEPROM. WREN = 0. Deshabilita la escritura a la EEPROM. bit 1 WR: (Write Control bit). Bit de control para inicio de escritura. WR = 1. Iniciar un ciclo de escritura de la EEPROM. Cuando se completa el ciclo pasa a 0 automáticamente. WR = 0. Un ciclo de escritura de la EEPROM se ha completado. bit 0 RD: (Read Control bit). Bit de control para inicio de lectura. RD = 1. Iniciar una lectura de la EEPROM. Cuando se completa el ciclo pasa a 0 automáticamente. RD = 0. No iniciar una lectura de la EEPROM. return Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

69 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM (PIC16F84) bit7:5 Sin implementar: Leído como un 0. bit 4 EEIF: (EEPROM Write Operation Interrupt Flag bit). Bandera de operación interrupción de escritura en la EEPROM. EEIF = 1. La operación de escritura ha terminado (debe ser limpiado por software). EEIF = 0. La operación de escritura no se ha terminado o no se ha iniciado. bit 3 WRERR: (EEPROM Error Flag bit). Bit señalizador de error de escritura. WRERR = 1. Una operación de escritura se ha terminado prematuramente. WRERR = 0. La operación de escritura se ha completado correctamente. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

70 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Memoria de datos EEPROM (PIC16F84) bit 2 WREN: (EEPROM Write Enable bit). Bit de permiso de escritura. WREN = 1. Permite la escritura de la EEPROM. WREN = 0. Deshabilita la escritura a la EEPROM. bit 1 WR: (Write Control bit). Bit de control para inicio de escritura. WR = 1. Iniciar un ciclo de escritura de la EEPROM. Cuando se completa el ciclo pasa a 0 automáticamente. WR = 0. Un ciclo de escritura de la EEPROM se ha completado. bit 0 RD: (Read Control bit). Bit de control para inicio de lectura. RD = 1. Iniciar una lectura de la EEPROM. Cuando se completa el ciclo pasa a 0 automáticamente. RD = 0. No iniciar una lectura de la EEPROM. return Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

71 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Pasos lectura de la memoria EEPROM (PIC16F877) 1. Escribir la dirección a acceder en el registro EEADR. 2. Limpiar el bit EEPGD para apuntar a la memoria de datos EEPROM. 3. Poner el bit RD (EECON1<RD>) en uno para comenzar la operación de lectura. 4. En el siguiente ciclo el dato leído de la EEPROM estará disponible en el registro EEDATA. Leer el dato del registro EEDATA (el dato permanecerá en él hasta que se realice una nueva lectura o escritura en la EEPROM). Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

72 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Ejemplo de lectura de memoria de datos EEPROM (PIC16F877) BCF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 0. MOVF DATA_EE_ADDR, W ; DATA_EE_ADDR contiene ; la dirección a acceder. BSF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 2. MOVWF EEADR ; Establece la dirección a leer. BSF STATUS, RP1 BSF STATUS, RP0 ; Banco 3. BCF EECON1, EEPGD ; Apunta a la memoria EEPROM ; de datos. BSF EECON1, RD ; Lectura del dato en EEPROM. BSF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 2. MOVF EEDATA, W ; W <-- EEDATA. BCF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 0. return Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

73 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Pasos para la lectura de la memoria de datos EEPROM (PIC16F84) 1. Escribir la dirección a acceder en el registro EEADR. 2. Poner el bit RD (EECON1<RD>) en uno para comenzar la operación de lectura. 3. En el siguiente ciclo el dato leído de la EEPROM estará disponible en el registro EEDATA. Leer el dato del registro EEDATA (el dato permanecerá en él hasta que se realice una nueva lectura o escritura en la EEPROM). Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

74 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Ejemplo de lectura de memoria de datos EEPROM (PIC16F84) BCF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 0. MOVF DATA_EE_ADDR, W ; DATA_EE_ADDR contiene ; la dirección a acceder. MOVWF EEADR ; Establece la dirección a leer. BSF STATUS, RP0 ; Banco 1. BSF EECON1, RD ; Lectura del dato en EEPROM. BCF STATUS, RP0 ; Banco 0. MOVF EEDATA, W ; W <-- EEDATA. return Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

75 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Pasos para la escritura de la memoria de datos EEPROM (PIC16F877) 1. Si no se implementa el paso 10, debe verificar el bit WR para comprobar si está en proceso una escritura. 2. Escribir la dirección a acceder en el registro EEADR. 3. Escribir el dato de 8 bits en el registro EEDATA. 4. Limpiar el bit EEPGD para apuntar a la memoria de datos EEPROM. 5. Poner el bit WREN en uno para habilitar la operación de escritura. 6. Deshabilitar las interrupciones (si han sido habilitadas). Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

76 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Pasos para la escritura de la memoria de datos EEPROM (PIC16F877) 7. Ejecutar la siguiente secuencia para iniciar la escritura de cada byte. - Escribir 55h en EECON2. - Escribir AAh en EECON2. - Poner el bit WR en uno. 8. Habilitar las interrupciones si se están empleando. 9. Limpiar el bit WREN para deshabilitar las operaciones de escritura. 10. Cuando se contempla el ciclo de escritura, el bit WR se pone a 0 y la bandera de interrupción EEIF se pone a 1 (EEIF debe borrarse por programa). Si no se ha implementado el paso 1, el programa debe verificar si el bit EEIF está a 1 o si el bit WR está a 0, lo que indica el fin del proceso de escritura. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

77 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Ejemplo de escritura de memoria de datos EEPROM (PIC16F877) Secuencia Requerida BSF STATUS, RP1 BSF STATUS, RP0 ; Banco 3. BTFSC EECON1, WR ; Espera a que el proceso de GOTO $-1 ; escrituras se complete. BCF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 0. MOVF DATA_EE_ADDR, W ; DATA_EE_ADDR contiene ; la dirección a acceder. BSF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 2. MOVWF EEADR ; Establece la dirección a escribir. BCF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 0. MOVF DATA_EE_DATA, W ; DATA_EE_DATA contiene ; el dato a escribir en memoria. BSF STATUS, RP1 BCF STATUS, RP0 ; Banco 2. MOVWF EEDATA ; Establece el dato a escribir. BSF STATUS, RP1 BSF STATUS, RP0 ; Banco 3. BCF EECON1, EEPGD ; Apunta a la memoria EEPROM ; de datos. BSF EECON1, WREN ; Habilita permiso para escritura. BCF INTCON, GIE ; De habilita interrupciones. MOVLW 55h ; Debe mandarse el valor 55h a MOVWF EECON2 ; EECON2 para iniciar la ; secuencia de escritura. MOVLW AAh MOVWF EECON2 ; Escribe AAh. BSF EECON1, WR ; WR <-- 1. Comienza la escritura. BSF INTCON, GIE ; Habilita interrupciones. BCF EECON1, WREN ; Deshabilita escritura. return Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

78 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Pasos para la escritura de la memoria de datos EEPROM (PIC16F84) Escritura de la memoria de datos EEPROM: 1. Si no se implementa el paso 10, debe verificar el bit WR para comprobar si está en proceso una escritura. 2. Escribir la dirección a acceder en el registro EEADR. 3. Escribir el dato de 8 bits en el registro EEDATA. 4. Poner el bit WREN en uno para habilitar la operación de escritura. 5. Deshabilitar las interrupciones (si han sido habilitadas). Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

79 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Pasos para la escritura de la memoria de datos EEPROM (PIC16F84) 6. Ejecutar la siguiente secuencia para iniciar la escritura de cada byte. - Escribir 55h en EECON2. - Escribir AAh en EECON2. - Poner el bit WR en uno. 7. Habilitar las interrupciones si se están empleando. 8. Limpiar el bit WREN para deshabilitar las operaciones de escritura. 9. Cuando se contempla el ciclo de escritura, el bit WR se pone a 0 y la bandera de interrupción EEIF se pone a 1 (EEIF debe borrarse por programa). Si no se ha implementado el paso 1, el programa debe verificar si el bit EEIF está a 1 o si el bit WR está a 0, lo que indica el fin del proceso de escritura. Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79

80 Laminillas complementarias Memoria de datos EEPROM Ejemplo de escritura de memoria de datos EEPROM (PIC16F84) Secuencia Requerida BCF STATUS, RP1 BSF STATUS, RP0 ; Banco 1. BTFSC EECON1, WR ; Espera a que el proceso de GOTO $-1 ; escrituras se complete. BCF STATUS, RP0 ; Banco 0. MOVF DATA_EE_ADDR, W ; DATA_EE_ADDR contiene ; la dirección a acceder. MOVWF EEADR ; Establece la dirección a escribir. BSF STATUS, RP0 ; Banco 1. BSF EECON1, WREN ; Habilita permiso para escritura. BCF INTCON,GIE ; De habilita interrupciones. MOVLW 55h ; Debe mandarse el valor 55h a MOVWF EECON2 ; EECON2 para iniciar la ; secuencia de escritura. MOVLW AAh MOVWF EECON2 ; Escribe AAh. BSF EECON1, WR ; WR <-- 1. Comienza la escritura. BSF INTCON, GIE ; Habilita interrupciones. BCF EECON1, WREN ; Deshabilita escritura. return Mauricio López V. (Ingeniería) Memoria EEPROM... Noviembre, / 79