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Introducción: tipos de transistores BIPOLARES NPN PNP TRANSISTORES UNIÓN CANAL N (JFETN) CANAL P (JFETP) EFECTO DE CAMPO METALOXIDO SEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFETN) CANAL P (MOSFETP) * FET : Field Effect Transistor Principio de funcionamiento del transistor bipolar P N N P Concentración de huecos 2

Principio de funcionamiento del transistor bipolar P Conducción N Bloqueo P Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unión no afecta al de la segunda Principio de funcionamiento del transistor bipolar P N P El terminal central (base) maneja una fracción de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR 3

Principio de funcionamiento del transistor bipolar Base Emisor Colector Transistor PNP El terminal de base actúa como terminal de control manejando una fracción de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentración de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN N P N Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones. En un transistor NPN en conducción, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP. 4

Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN Base Emisor Colector Transistor NPN La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las características del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamaño equivalente. Los NPN se emplean en mayor número de aplicaciones. Principio de funcionamiento del transistor bipolar Conclusiones: Un transistor bipolar está formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1) La zona de Base debe ser muy estrecha. 2) El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector está muy poco dopado y es mucho mayor. C P B N N E Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell) 5

Transistor NPN = f(, ) Característica de entrada V CB En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:,, I E,, V CB En la práctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 tensiones. I E Normalmente se trabaja con,, y. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fácilmente: = f(, ) Característica de salida I E = V CB = Transistor NPN = f(, ) Característica de entrada Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La característica de este diodo depende de pero la variación es pequeña. 6

Transistor NPN = f(, ) Característica de salida La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base. Equivalente hidráulico del transistor h 2 Caudal Apertura compuerta h 1 h 2 h 1 7

: linealización Transistor NPN: linealización de la característica de salida Zona activa: =β (ma) 40 (µa) 400 Zona de saturación 30 20 10 300 200 100 0 1 2 (V) Zona de corte El parámetro fundamental que describe la característica de salida del transistor es la ganancia de corriente β. Transistor NPN: linealización de la característica de entrada La característica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior. 8

Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal Zona activa β Zona de saturación <β =0 Zona de corte =0 Funcionamiento en conmutación de un transistor NPN I 3 A 36 W I 40 ma 3 A β = 100 36 W Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturación. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lógico. Electrónica de Potencia y Electrónica digital 4 A PF (ON) 3 A OFF ON PF (OFF) = 40 ma 9

Transistor PNP = f(, V EC ) Característica de entrada V EC V EC V EB V EB Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente. Transistor PNP = f(, ) Característica de salida V EC V EB V EC La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base. 10

Funcionamiento en conmutación de un transistor PNP I 3 A 36 W 40 ma I β = 100 3 A 36 W Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturación. 4 A PF (ON) 3 A OFF ON = 40 ma PF (OFF) V EC Características reales (NPN) = 0 1 2 Característica de Entrada Característica de Salida 11

Características reales: datos proporcionados por los fabricantes C MAX Corriente máxima de colector MAX B MAX Tensión máxima CE E P MAX Potencia máxima P MAX SAT Tensión C.E. de saturación SOAR H FE β Ganancia MAX Área de operación segura (Safety Operation Area) = 1500 = 8 H FE = 20 TOSHIBA 12

El fototransistor La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempeñan el papel de corriente de base C E El terminal de Base, puede estar presente o no. No confundir con un fotodiodo. El fototransistor 13

El fototransistor DISTINTOS ENCAPSULADOS El fototransistor OPTOACOPLADOR Conjunto fotodiodo fototransistor OBJETIVO: Proporcionar aislamiento galvánico y protección eléctrica. Detección de obstáculos. 14

Conclusiones Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrónica de Potencia y en Electrónica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrónica Analógica. Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares. Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona básicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacuérdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rápido que le PNP en igualdad de condiciones. 15