EXAMEN INDIVIDUAL NIVEL 2

Documentos relacionados
Parcial_1_Curso.2012_2013. Nota:

Electrónica II TRABAJO PRÁCTICO N 3. Configuraciones Amplificadoras del Transistor BJT CUESTIONARIO

INDICE. Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos

BJT como amplificador en configuración de emisor común con resistencia de emisor

Parcial_2_Curso.2012_2013

Pr.A Boletín de problemas de la Unidad Temática A.I: Características principales y utilización

FUNDAMENTOS DE CLASE 4: TRANSISTOR BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IB VC VB IE

Electrónica 2. Práctico 7 Estructura de los Amplificadores Operacionales

Diapositiva 1. El transistor como resistencia controlada por tensión. llave de control. transistor bipolar NPN colector. base de salida.

VGD = 0 < Vt = 2 Están en saturación Ecuaciones en el circuito MOSFET de la izquierda Iref = ID:

Figura 1 Figura 2. b) Obtener, ahora, un valor más preciso de V D para la temperatura T a. V AA

EL TRANSISTOR BIPOLAR

INTRODUCCIÓN: OBJETIVOS:

Electrónica 2. Práctico 3 Alta Frecuencia

UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA

TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA (Examen de Febrero )

CONTENIDO PRESENTACIÓN. Capítulo 1 COMPONENTES SEMICONDUCTORES: EL DIODO... 1

1.- Tensión colector emisor V CE del punto Q de polarización. a) 10,0 V b) 8,0 V c) 6,0 V

Problemas Tema 6. Figura 6.3

Amplificadores de RF

Transistor BJT: Fundamentos

PRÁCTICA 3. Simulación de amplificadores con transistores

Tema 2 El Amplificador Operacional

El BJT en la zona activa

Capítulo 1. Historia y fundamentos físicos de un transistor.

PRÁCTICA 13. CIRCUITO AMPLIFICADOR MONOETAPA CON BJT

Test de Fundamentos de Electrónica Industrial (4 puntos). 3º GITI. TIEMPO: 40 minutos May 2013

PROBLEMAS SOBRE FUENTES REGULADAS

Base común: Ganancia de corriente

APLICACIONES NO LINEALES TEMA 3 COMPARADOR

INDICE. XV I. Dispositivos de efecto de campo Capitulo 1. Transistores de unión de efecto de campo

Transistor BJT. William Shockley, John Bardeen y Walter H. Brattain Nobel de Física en 1956

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(c), base(b) y emisor(e).

INSTRUMENTAL Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO

i = Is e v nv T ANÁLISIS MATEMÁTICO UTILIZANDO LA CARACTERÍSTICA REAL DEL DIODO (APROXIMACIONES SUCESIVAS)

Electrónica Analógica 1

Contenido. Capítulo 2 Semiconductores 26

Electrónica 1. Práctico 2 Amplificadores operacionales 2

Determinar cuál es la potencia disipada por el transistor, y su temperatura de juntura.

SIFeIS. CONCAyNT PLANTA EXTERIOR E IPR. CONCAyNT ELECTRÓNICA

El transistor como dispositivo amplificador: polarización y parámetros de pequeña señal.

PRÁCTICA 6 AMPLIFICADOR MULTIETAPA CONFIGURACION EMISOR COMUN CON AUTOPOLARIZACION.

ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL PROGRAMA DE ESTUDIOS 2. OBJETIVOS

EL42A - Circuitos Electrónicos

INDICE. 1. Introducción a los Sistemas de Comunicaciones y sus

Electrónica 2. Práctico 4 Amplificadores de Potencia

Transistor BJT como Amplificador

MÓDULO Nº9 AMPLIFICADORES OPERACIONALES. Explicar que es un amplificador operacional. Entender el funcionamiento de los circuitos básicos con OP AMP.

5.- Si la temperatura ambiente aumenta, la especificación de potencia máxima del transistor a) disminuye b) no cambia c) aumenta

EXP204 REGULADOR DE VOLTAJE SERIE

Índice analítico Capítulo 1 Conceptos y análisis de circuitos básicos en corriente alterna Resistencia puramente óhmica

El transistor es un dispositivo no lineal que puede ser modelado utilizando

Vce 1V Vce=0V. Ic (ma)

η = V / Hz b) Calcular la T eq de ruido del cuadripolo Datos: ancho de banda =100 khz, temperatura de trabajo = 300 ºK, k = 1.

DIODOS Y TRANSISTORES.

Determinar la relación entre ganancias expresada en db (100 ptos).

PROBLEMAS DE MICROONDAS: PARÁMETROS S Y ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE MICROONDAS

TECNOLOGÍA 4º ESO IES PANDO

El transistor sin polarizar

EL42A - Circuitos Electrónicos Clase No. 5: Circuitos Limitadores y Otras Aplicaciones

1] Analizar los símbolos utilizados para BJT y FET. Qué indica cada elemento de los mismos?

Seminario de Electrónica II PLANIFICACIONES Actualización: 2ºC/2016. Planificaciones Seminario de Electrónica II

Electrónica 2. Práctico 4 Amplificadores de Potencia

BJT 1. V γ V BE +V CC =12V. R C =0,6kΩ I C. R B =43kΩ V I I B I E. Figura 1 Figura 2

EVALUACIÓN DE ELECTRÓNICA BÁSICA, 50 PREGUNTAS, TIEMPO = 1 HORA

E.E.T Nº 460 GUILLERMO LEHMANN Departamento de Electrónica. Sistemas electrónicos analógicos y digitales TRABAJO PRÁCTICO

AMPLIFICADORES CON BJT

TEMA 6: Amplificadores con Transistores

PROBLEMAS DE OSCILADORES DE MICROONDAS

DIE UPM. Se dispone de una etapa amplificadora conectada a una resistencia de carga R L de valor 1KΩ en paralelo con un condensador C L.

CLASE PRÁCTICA 2 RESUELTA. PLAN D PROBLEMAS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

TEMA 2 : DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS

β = 2.4 Para el primer nilo de la portadora, por lo tanto J ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES Competencia Individual Nivel 2 Segunda Ronda

EL42A - Circuitos Electrónicos

Laboratorio Nº3. Procesamiento de señales con transistores

EXP203 ARREGLO DARLINGTON

A.- Electrones fluyendo por un buen conductor eléctrico, que ofrece baja resistencia.

(600 Ω) (100 v i ) T eq = 1117 o K

INDICE Capítulo 1. Principios del Modelado y Procesamiento de Señal Capítulo 2. Amplificadores Operacionales

CAPITULO XIII RECTIFICADORES CON FILTROS

El Diodo. Lección Ing. Jorge Castro-Godínez. II Semestre Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica

DEPARTAMENTO: Electrónica ASIGNATURA: CÓDIGO: PAG.: 1 Electrónica I REQUISITOS: Redes Eléctricas I. (2107)

Equipos de medida. - Multímetro Digital (DMM) - Medidor vectorial de impedancias

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas. Capítulo VII: Amplificadores de RF de potencia

(Ejercicios resueltos)

PRÁCTICA Nº 1 RESISTENCIAS. LEY DE OHMS. Medida con el polímetro.

RADIOCOMUNICACIÓN. PROBLEMAS TEMA 2 Ruido e interferencias en los sistemas radioeléctricos

CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 4: POLARIZACIÓN - TEORÍA

Electrónica I. Carrera EMM a) Relación con otras asignaturas del plan de estudios.

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA PRÁCTICA N 4

Universidad Nacional de Rosario Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniería y Agrimensura Escuela de Ingeniería Electrónica Departamento de Electrónica

Práctica 2.- Medida de la resistencia dinámica del diodo de unión. Cálculo del punto Q. El diodo de unión como rectificador.

EL3004-Circutios Electrónicos Analógicos

Transcripción:

EXAMEN INDIVIDUAL NIVEL 2

OLIMPIADAS ONIET-2016- SEGUNDO NIVEL 1ª RONDA (Puntaje Total 200 Pts.) 1. Determine el rango de valores de Vi que mantendrá la corriente del diodo zener entre Izmáx igual a 60 ma y Izmin igual a 0 ma. ( Vz = 20 V) - (10 pts) R1 220 1 + Izm = 60 ma D1 20 V RL 1.2k VL - 2 a) Vi min = 36.86 V Vimax= 39.98 V b) Vi min = 36.86 V Vimax= 42.86 V c) Vi min = 23.66 V Vimax= 36.86 V d) Vi min = 20.22 V Vimax= 39.98 V 2. Para la red de la figura, se precisan los niveles de VDQ y IDQ. Determine los valores requeridos para RS y RD. (20 pts) a) RD = 6,8 k Rs = 4,25 k b) RD = 3,2 k Rs = 0,425 k c) RD = 2,0 k Rs = 1,425 k d) RD = 3,2 k Rs = 4,8 k

3. Si Rf es igual a 1 M, calcule el voltaje de salida de un amplificador sumador para los siguientes datos: (15 pts) V1= 1 V R1= 500 K V2= 2 V R1= 1 M V3= 3 V R1= 1 M a) Vo = - 7 V b) Vo = 7 V c) Vo = - 6 V d) Vo = 6 V 4. Qué porcentaje de la Potencia de Portadora con modulación del 100 %, corresponde a la potencia total de las bandas laterales. (10 pts) a) 25 % b) 50 % c) 90 % d) 40 % 5. La información en una señal AM se encuentra en : (5 pts) a) La Portadora b) En las Bandas laterales c) En la portadora y en las banda laterales d) Ninguna de las anteriores. 6. En un transmisor AM la P T = 600 W ( Potencia total emitida) y la P P = 400 W ( Potencia de Portadora) se pide encontrar, la Potencia de Modulación P M y el índice de modulación porcentual m (15 Pts) a. P M = 100W ; m = 50% b. P M = 100W ; m = 70,7% c. P M = 200W ; m = 100% d. P M = 200W ; m = 81,7%

7. Los datos en una memoria de acceso aleatorio ( RAM) se almacenan durante : (5 Pts) a) la operación de lectura b) la operación de habilitación c) la operación de escritura d) la operación de direccionamiento. 8. Una memoria con 256 direcciones tiene (5 Pts) a) 256 líneas de dirección b) 6 líneas de dirección c) 1 línea de dirección d) 8 líneas de direcciones. 9. Una memoria ROM es: (5 Pts) a) Una memoria no volátil b) Una memoria volátil c) Una memoria de lectura escritura d) Una memoria organizada en bytes 10. Calcular la potencia de la señal en dbm que existe en un circuito en donde se tiene una tensión de 8,67 mv sobre una impedancia de 75 ohms. (Adoptar el valor más aproximado) (10Pts) a) -30 dbm b) -39 dbm c) -48 dbm d) -10 dbm 11. Una memoria EEPROM es: (5 Pts) a) Es una memoria que no permite alteración de la información b) El borrado se realiza empleando procedimientos eléctricos c) El borrado se realiza sometiéndola a una exposición de rayos ultravioleta eléctricos d) Ninguna de las anteriores es correcta. 12. Calcular la potencia de la señal en dbm que existe en un circuito en donde se tiene una tensión de 10 mv sobre una impedancia de 300 ohms. (Adoptar la impedancia normalizada de 600 ohms) (15 Pts) a) - 34,77 dbm b) - 39,98 dbm c) 33,54 dbm d) 0 dbm

13. Cuál de las siguientes afirmaciones es Incorrecta? (5 Pts) a. El funcionamiento de un fotodiodo se basa en que la luz produce una separación de lagunas y electrones en el interior del semiconductor b. El tiristor es un componente que realiza una rectificación controlada y su funcionamiento puede analizarse como la interconexión adecuada de dos transistores PNP o dos transistores NPN c. El empleo de un Microprocesador involucra dos formas de trabajo separadas: el hardware y el software d. Un LED emite radiación electromagnética que puede ser visible, debido al fenómeno de recombinación entre portadores de carga positivos y negativos 14. Un amplificador con una salida nominal de 40 W se conecta con una bocina de 10 Ω. Calcule la potencia de entrada requerida para lograr la potencia de salida total si la ganancia de potencia es de 25 db. (10 Pts) a. 34,58 mw b. 126,50 mw c. 27,87 mw d. Ninguna de las anteriores 15. Del problema anterior calcule el voltaje de entrada para la salida especificada si la ganancia de voltaje del amplificador es de 40 db (15 Pts) a. 50 mv b. 100 mv c. 200 mv d. Ninguna de las PREGUNTAS ADICIONALES PARA EL DESEMPATE 16. En el circuito de la figura si α = 0.98 y VBE = 0.7 Voltios, calcular el valor de la resistencia R1, para una corriente de emisor 2 ma (20 Pts) a) 22,10 K b) 81,10 K c) 12,10 K d) 31,10 K

17. Los diodos LED operan correctamente con : (5 Pts) a) Polarización directa b) Polarización inversa c) Ninguna de las anteriores d) Con polarización directa o Polarización inversa. 18. Una vez medido el periodo de un tren de pulsos, la frecuencia se calcula: (5 Pts) a) Utilizando otro ajuste b) Midiendo el ciclo de trabajo c) Como el reciproco del periodo d) Usando otro tipo de instrumento 19. El número binario 10001101010001101111 se puede escribir en hexadecimal como: (5 Pts) a) AD46716 b) 8C46F16 c) 8D46F16 d) AE46F16 20. Si un transmisor de BLU produce un voltaje de 200 V pico a pico en una carga de antena de 150 Cuál es la potencia pico de la envolvente PPE? (15 Pts) a) 24,99 W b) 62.23 W c) 33,32 W d) ninguna de las anteriores

OLIMPIADAS ONIET-2016- SEGUNDO NIVEL 2ª RONDA DESEMPATE (Puntaje Total 100 Pts.) 1) El cuadripolo de la figura es un atenuador o amplificador? (10 pts) 2 V 300 ohms? db 4 V 2400 ohms a) Atenuador de -6 db b) Amplificador de 6 db c) Atenuador de -3 db d) Amplificador de 3 db 2) Un decodificador BCD a 7 segmentos tiene 0100 en sus entradas. Las salidas activas son (5 Pts) a) a, c, f, g b) b, c, f, g c) b, c, e, f d) d, d, e, g 3) Se tiene un transmisor de AM modulado al 100 % emitiendo una potencia de 27 w con un ancho de banda de 4khz. La tensión de ruido Vr es igual a 2,45 V. Suponiendo una impedancia de carga Z igual a la unidad, estime la relación S/R en AM ( adoptar el valor más aproximado de las respuestas) (15 Pts) a) 2,20 db b) 4,76 db c) 8,22 db d) 10,11 db 4) Determine ID; VD2 y Vo para el circuito de la figura considerar diodos ideales. (5 Pts) + 12V Si + Vd2 - Si Vo Id 5,6 KΩ a) ID = 2.14 A VD2 = 11.3 V Vo = 11.3 V b) ID = 2.01 A VD2 = 12,2 V Vo = 12,0 V c) ID = 0 A VD2 = 12. V Vo = 0 V d) ID = 2.14 A VD2 = 1,4 V Vo = 1,4 V

5) En el siguiente circuito, obtenga la variación de la tensión V CE si la tensión V BB varía de 1v a 1, 5v. (20 Pts) Datos: β = 100 V BE = 0,7v a) 0,5 v b) 1,0 v c) 1,5 v d) 2,6 v 6) Encuentre el valor de R2 siendo R1 = 150Ω para que Vo sea el doble que Vi. (10 Pts) a) 200Ω b) 300Ω c) 150Ω d) 50Ω 7) Determinar la amplificación o atenuación que realiza el bloque 1 en el circuito para obtener los parámetros medidos. ( 15 Pts) ZoA = ZinB = 600 Ω Vi= 1 V Zin=600 Ω Vo= 2 V Zo= 1200 Ω GA=? GB= 3 db a. 6 db b. 3 db c. -6 db d. -3 db

8) Si en la combinación de dos transistores bipolares denominada Par Darlington, la ganancia de los transistores es β 1 = 10 ; β 2 = 20, la ganancia total de esta configuración será. (5 Pts) a. 200 b. 210 c. 230 d. 220 T1 T2 9) Indique cuál de las siguientes afirmaciones es falsa sobre los transistores unipolares de efecto de campo. (5 Pts) a. Generan un nivel de ruido menor que los BJT. b. Son dispositivos controlados por la tensión de entrada con una muy baja impedancia de entrada. c. Presentan una pobre respuesta en frecuencia debido a la alta capacidad de entrada. d. Son más estables que los BJT con la temperatura. e. Ninguna de todas las anteriores. 10) Simplifique la siguiente función f(a, B, C, D) = [AB ( C + BD) + A B )] C (10 Pts) a. A C b. B C c. DC d. A C e. AC