EL3004-Circutios Electrónicos Analógicos
|
|
|
- Emilia Araya Martínez
- hace 8 años
- Vistas:
Transcripción
1 EL3004-Circutios Electrónicos Analógicos Clase No. 5: Transistores BJT Marcos Diaz Departamento de Ingeniería Eléctrica (DIE) Universidad de Chile Septiembre, 2011 Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
2 1 Repaso Clase #4 2 BJT: Estructura y operación básica Características de colector del BJT NPN Flujos de Huecos y Electrones en la región activa Corriente de colector Corriente de base Corriente de emisor Ganancia de Corriente en la región activa 3 Resumen Clase #5 Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
3 Repaso Clase #4 Repaso Clase #4 Junturas np sin polarización Junturas np con polarización en directa Junturas np con polarización en reversa Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
4 Junturas pn Corriente por la juntura Repaso Clase #4 Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
5 Estructura BJTs El BJT es excelente en aplicaciones de comunicación analógica, figuras 2 y 3 muestran su composición y estructura. Figura: Vista lateral del Layout de un BJT Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
6 Estructura BJTs Figura: Vista superior del Layout de un BJT Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
7 Características de colector del BJT Características de colector del BJT NPN Para obtener las curvas características del colector se utiliza un circuito donde I B es una variable controlada, la cual esta relacionada con el voltaje V BE. En la figura 4 se muestra el circuito de prueba y en la figura 5 las curvas características I C V CE. Figura: Circuito de prueba para obtener características del colector. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
8 Características de colector del BJT Características de colector del BJT NPN Figura: Curvas características I C V CE. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
9 La figura 6 muestra un modelo simplificado de una dimensión del dispositivo intrínsecamente. En donde se puede ver que el BJT tiene dos junturas pn siendo la base común y la que está relacionada con los portadores tipo p. En la figura 7 se muestran las regiones de operación para un BJT de base común. Suficientemente cercanas las junturas para la interacción de los portadores minoritarios tipo p se difunden rápidamente a través de la base. Suficientemente apartada para no interactuar con las zonas de depleción previene el traslape. Figura: Interacción de los portadores minoritarios y mayoritarios. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
10 Figura: Regiones de operación para un BJT de base común. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
11 En la figura 8 se muestra el modo de operar del BJT ante la acción de polarización de sus terminales, en donde se aprecia que: V BE > 0 inyección de electrones desde el Emisor a la Base. Inyección de huecos desde la Base al Emisor. V BC < 0 extracción de electrones desde la Base al Colector. Extracción de huecos desde el Colector a la Base. Figura: Operación del BJT ante polarización de sus terminales. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
12 En la figura 9 se muestra el comportamiento de los portadores en equilibrio termal. Figura: Comportamiento de los portadores en equilibrio termal. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
13 En la figura 10 se muestra el comportamiento de los portadores en la región activa. Figura: Comportamiento de los portadores en la región activa. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
14 En la figura 11 se muestran las corrientes dominantes que se producen en el BJT ante la acción de la polarización y posterior movimiento de los portadores. Las corrientes se producen de las siguientes maneras: I C : inyección de electrones desde el Emisor a la Base y acumulación por el Colector. I B : inyección de huecos desde la Base al Emisor. I E : I E = (I C + I B ). Figura: Producción de las corrientes dominantes en el BJT. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
15 Flujos de Huecos y Electrones en la región activa Flujos de Huecos y Electrones en la región activa A continuación se da una lista de los fenómenos que ocurren en el proceso de difusión al interior de un BJT: El tamaño del torrente de flujo de electrones es mayor que el flujo de los huecos. Los electrones son suministrados por el contacto del emisor, inyectando a través de la juntura base-emisor y difundiendo por la base. Campo Eléctrico en la juntura base-colector extrae electrones hacia el interior del colector. Huecos son suministrados por el contacto de la base y difundidos a través del emisor. Los huecos se recombinan en el contacto óhmico del emisor. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
16 Corriente de colector Enfoque en la corriente de colector (figura 12 ). Figura: Corriente de colector, enfocado a la difusión de electrones en la base. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
17 Corriente de colector Condiciones de borde, ecuación 107: V BE V n pb (0) = n pb0 e th, n pb (W B ) = 0 (107) Comportamiento Electrón, ecuación 108: n pb (x) = n pb (0) 1 Densidad de corriente de electrones, ecuación 109: x W (108) B dn pb J nb = qd n dx = n pb (0) qdn (109) W B La corriente de colector es proporcional al área de la juntura base-emisor A E, como lo muestra la figura 13: Figura: Juntura base-emisor proporcional a la corriente de colector. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
18 Corriente de colector Finalmente la corriente por el colector queda como la ecuación 110 o simplificadamente como la ecuación 111. I C = I S e VBE V th I C = J nb A E = qa E D n W B n pb0 e VBE V th (110) Donde I S = corriente de saturación del transistor (111) Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
19 Corriente de base Enfoque en la inyección de huecos y recombinación en el contacto del emisor (figura 14). Figura: Corriente de base, enfocada en la inyección de huecos. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
20 Corriente de base Condiciones de borde, ecuación 112. p ne ( x BE ) = p ne0 e VBE V th Comportamiento huecos, ecuación 113., p ne ( W E x BE ) = p ne0 (112) p ne (x) = [p ne ( x BE ) p ne0 ] 1 + x + x BE + p ne0 (113) W E Densidad de corriente de huecos, ecuación 114: J pe = qd p dp ne dx = qdp p ne ( x BE ) p ne0 W E (114) Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
21 Corriente de base La corriente de base es proporcional al área de la juntura base-emisor A E, como lo muestra la figura 15: Figura: Corriente de base es proporcional al área de la juntura base-emisor. Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
22 Corriente de base Así la corriente total de base se muestra en la ecuación 115 y una aproximación se puede ver en la ecuación 116. I B = J pe A E = qa E D p W E p ne0 I B qa E D p W E p ne0 e e VBE V th VBE V th 1! (115) (116) Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
23 Corriente de emisor La corriente de emisor se obtiene de la relación (I B + I C ) y se puede ver el resultado en la ecuación 117: VBE D p D n V I E = qa E p ne0 + qa E n pb0 e th W E W B (117) Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
24 Ganancia de Corriente en la región activa Ganancia de Corriente en la región activa α F = I C I E = N ab DpW B N de D nw E (118) Queremos que α F sea cercano a la unidad tipicamente α F = 0,99 I B = I E I C = I C 1 αf I C = I C α F α F β F = I C αf = I B 1 + α F (119) (120) Para maximizar β F : β F = I C = n pb 0 I B D n W B D p p ne0 W E = N ded nw E N ab D pw B (121) N de >> N ab W E >> W B queremos npn, por sobre pnp porque D n >> D p Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
25 Resumen Clase #5 Resumen Clase #5 Estructura y operación del transistor BJT Características Físicas Región activa Flujos de huecos y electrones Características I-V Ganancia de corriente Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos Electrónicos Analógicos Septiembre, / 135
EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956
EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956 EL TRANSISTOR BIPOLAR EL TRANSISTOR BIPOLAR El transistor bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor) fue desarrollado en los Laboratorios Bell Thelephone en 1948. El nombre
Transistor BJT: Fundamentos
Transistor BJT: Fundamentos Lección 05.1 Ing. Jorge Castro-Godínez Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica II Semestre 2013 Jorge Castro-Godínez Transistor BJT 1 / 48 Contenido
Transistor BJT. William Shockley, John Bardeen y Walter H. Brattain Nobel de Física en 1956
Transistor BJT William Shockley, John Bardeen y Walter H. Brattain 1947-48 Nobel de Física en 1956 Transistor BJT Tres terminales: Colector Base Emisor BJT: Bipolar Junction Transistor Se suelen usar más
EL TRANSISTOR BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor)
1.- ntroducción. EL TANSSTO BPOLA. BJT (Bipolar Junction Transistor) Tema 4 2.- Componentes de las corrientes 2.1.- Corrientes en la zona activa. a 2.2.- Ecuación generalizada del transistor. 3.- Curvas
COMENTARIOS SOBRE LA PRÁCTICA Nº 2 CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS RECTIFICADORES CIRCUITOS RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA
COMENTARIOS SOBRE LA PRÁCTICA Nº 2 CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS RECTIFICADORES CIRCUITOS RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA * Familiarizar al estudiante con el uso de los manuales de los fabricantes de diodos
EL42A - Circuitos Electrónicos
EL42A - Circuitos Electrónicos Clase No. 7: Transistores Bipolares Patricio Parada [email protected] Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de Chile 25 de Agosto de 2009 1 / Contenidos Transistores
TRANSISTOR BIPOLAR: TEMA 2.1
TRANSISTOR BIPOLAR: TEMA 2.1 Zaragoza, 12 de noviembre de 2013 ÍNDICE TRANSISTOR BIPOLAR Tema 2.1 Introducción Las corrientes en el BJT Ecuaciones de Ebers Moll TRANSISTOR BIPOLAR Tema 2.1 Introducción
POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA
POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES: ACTIVO V BE 0,7V β 100 Suponemos que está en la región activa V BE V B V E 0,7V V E 4V
POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA
POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA EJEMPLO El transistor npn tiene β =100 y un voltaje VBE = 0,7 a ic = 1mA. Diseñe el circuito para que circule una corriente
Capítulo 1. Historia y fundamentos físicos de un transistor.
Capítulo 1. Historia y fundamentos físicos de un transistor. 1.1 Fundamentos del transistor TBJ 1.1.1 Corrientes en un transistor de unión o TBJ El transistor bipolar de juntura, o TBJ, es un dispositivo
UNIDAD TEMÁTICA NO 4. TRANSISTORES BIPOLARES BJT
UNIDAD TEMÁTICA NO 4. TRANSISTORES BIPOLARES BJT 4.1 CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LOS TRANSISTORES BJT Un transistor BJT es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS
APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS GRUPO 3 Rubén n Gutiérrez González María a Urdiales García María a Vizuete Medrano Índice Introducción Tipos de dispositivos Unión n tipo
El transistor sin polarizar
EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT El transistor sin polarizar El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura: La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base"
PARTE III: LOS TRANSISTORES BIPOLARES
PARTE III: LOS TRANSISTORES BIPOLARES Galería de algunos pioneros! 2 http://railroad.net/articles/railfanning/westside/me dia/jwsi6a.jpg Laboratorios Bell Todoaconteció aquí! en los añosde la 2da Guerra
Electrónica Analógica. Conferencia #4 Funcionamiento y características del transistor bipolar.
Electrónica Analógica Conferencia #4 Funcionamiento y características del transistor bipolar. Transistor bipolar. Principio de funcionamiento. Modelos y representación del BJT. Modos de operación. Bibliografía:
EL TRANSISTOR BIPOLAR
EL TRANSISTOR BIPOLAR 1 INTRODUCCION La Figura 1 muestra el símbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor), con la nomenclatura habitual de sus terminales. Figura 1: Símbolo y tipos
Seminario de Electrónica II PLANIFICACIONES Actualización: 2ºC/2016. Planificaciones Seminario de Electrónica II
Planificaciones 6666 - Seminario de Electrónica II Docente responsable: VENTURINO GABRIEL FRANCISCO CARLOS 1 de 6 OBJETIVOS Estudiar la física de los semiconductores a partir de un enfoque electrostático.
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN
L TRANSSTOR POLAR D UNÓN 1. ntroducción V V P N P V N P N V V V = 0 V = V V V V Región activa Región de saturación Región activa inversa Región de corte V V Región de corte Región activa inversa Transistor
TEMA 4 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN
TEMA 4 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN TTEEMAA 44: :: EEll ttrraanssi issttoorr bbi ippoollaarr dee uunióón 11 1) En un transistor bipolar de unión la zona de semiconductor menos dopada corresponde a, a)
EL42A - Circuitos Electrónicos
EL42A - Circuitos Electrónicos Clase No. 9: Transistores Bipolares (3) Patricio Parada [email protected] Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de Chile 1o. de Septiembre de 2009 1 / Contenidos
EL TRANSISTOR BIPOLAR
EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIÓN UTILIZANDO UNA FUENTE DE CORRIENTE: EL ESPEJO DE CORRIENTE El transistor Q1 está conectado de forma que actúa como un diodo. La corriente que va a circular por el emisor
El transistor es un dispositivo no lineal que puede ser modelado utilizando
Modelo de Ebers-Moll para transistores de unión bipolar El transistor es un dispositivo no lineal que puede ser modelado utilizando las características no lineales de los diodos. El modelo de Ebers-Moll
Sesión 7 Fundamentos de dispositivos semiconductores
Sesión 7 Fundamentos de dispositivos semiconductores Componentes y Circuitos Electrónicos Isabel Pérez / José A García Souto www.uc3m.es/portal/page/portal/dpto_tecnologia_electronica/personal/isabelperez
UNIDAD TEMATICA 3: TRANSITORES DE UNION BIPOLAR (BJT S)
UNIDAD TEMATICA 3: TRANSITORES DE UNION BIPOLAR (BJT S) 1.-Operación del transistor bipolar El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico
ESTRUCTURA DEL ÁTOMO
ESTRUCTURA DEL ÁTOMO BANDAS DE VALENCIA Y DE CONDUCCIÓN MECANISMOS DE CONDUCCIÓN EN UN SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTORES *Semiconductor *Cristal de silicio *Enlaces covalentes. Banda de valencia *Semiconductor
MODULO Nº11 TRANSISTORES BJT
MODULO Nº11 TRANSISTORES BJT UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC TEMAS: Transistores de Unión Bipolar. Parámetros del Transistor BJT. Conmutación de Transistores BJT. OBJETIVOS: Comprender el funcionamiento
Electrónica Industrial
Sistemas mecánico ACTUADORES Solenoides, relés, piezoeléctricos Motores de coninua Motores paso a paso Servomotores DisposiIvos hidráulicos y neumáicos. Interruptores Pulsadores Potenciómetros LDRs Fotocélulas
5. Transistor de Unión Bipolar BJT. Electrónica Analógica
5. Transistor de Unión Bipolar BJT Electrónica Analógica Temas: Estructura de un BJT Operación básica de un BJT Características y parámetros de un BJT El BJT como amplificador El BJT como interruptor Transistor
Polarización Análisis de circuitos Aplicaciones. Introducción a la Electrónica
TRANSISTOR BIPOLAR Funcionamiento general Estructura, dopados, bandas de energía y potenciales Curvas, parámetros relevantes Niveles de concentración de portadores Ecuaciones de DC Modelo de Ebers-Moll
MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades
MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO T Se eliminan las fuentes
CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN
CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN Está formado por dos junturas PN tal como se muestra en la figura. Una juntura está polarizada directamente y la otra está polarizada
Movilidad en semiconductores extrínsecos
Movilidad en semiconductores etrínsecos µ (Movilidad) f(concentracion de Impurezas) f(tipo de Impurezas) μ = μ min + μ MAX μ min 1 + N N r α 1 µ (Movilidad) Dispersión de los portadores en la red Xtalina
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Máster en Mecatrónica EU4M Master in Mechatronic and MicroMechatronic ystems TRANITORE E EFECTO E CAMPO Fundamentos de Ingeniería Eléctrica Contenidos Funcionamiento Tipos de transistores FET Curvas características
Electrónica. Transistores de efecto de campo. Introducción a la Electrónica
Introducción a la Electrónica Transistores de efecto de campo Introducción a la Electrónica Características La corriente es controlada a travez de un campo eléctrico establecido por el voltaje aplicado
Operación y Modelado del Transistor MOS para el Diseño Analógico
Operación y Modelado del Transistor MOS para el Diseño Analógico Rev. 1.2 Curso CMOS AD. Fernando Silveira Instituto de Ingeniería Eléctrica F. Silveira Univ. de la República, Montevideo, Uruguay Curso
UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA
UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA Qué es un semiconductor? Es un material con una resistividad menor que un aislante y mayor que un conductor.
Figura Nº 3.1(a) Fabricación de un TR npn: Crecimiento Epitaxial tipo n y Oxidación
1 3- FABRICACION DE TRANSISTORES BIPOLARES Describiremos la fabricación del BJT planar para circuitos monolíticos mediante los procesos tratados. Para seguir la secuencia de fabricación nos concentraremos
OPCIÓN: SISTEMAS ASIGNATURA: ESCUELA SUPERIOR DE CÓMPUTO SUBDIRECCIÓN ACADEMICA ELECTRÓNICA ANALÓGICA
ESCUELA SUPERIOR DE CÓMPUTO SUBDIRECCIÓN ACADEMICA INGENIERÍA EN SISTEMAS COMPUTACIONALES ACADEMIA DE SISTEMAS DINÁMICOS NOMBRE: OPCIÓN: SISTEMAS ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA GRUPO: BOLETA: CALIFICACIÓN:
Contactos semiconductor - semiconductor
Contactos semiconductor semiconductor Lección 02.2 Ing. Jorge CastroGodínez EL2207 Elementos Activos Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica I Semestre 2014 Jorge CastroGodínez
1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IB VC VB IE
Ejercicios relativos al transistor bipolar Problemas de transistores BJT en estática 1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IC IB VC VB
El Transistor BJT 1/11
l Transistor JT 1/11 1. ntroducción Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal en uno de los terminales controla la señal en los otros dos. Se construyen principalmente
ELECTRONICA GENERAL. Tema 2. Teoría del Diodo.
Tema 2. Teoría del Diodo. 1.- En un diodo polarizado, casi toda la tensión externa aplicada aparece en a) únicamente en los contactos metálicos b) en los contactos metálicos y en las zonas p y n c) la
Transistor BJT como Amplificador
Transistor BJT como Amplificador Lección 05.2 Ing. Jorge Castro-Godínez Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica II Semestre 2013 Jorge Castro-Godínez Transistor BJT como Amplificador
AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL
AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL Fuentes y Amplificadores 710199M Ing. Jorge Antonio Tenorio Melo 1 INTRODUCCION El amplificador es uno de los bloques funcionales más importantes de los sistemas electrónicos.
APUNTE: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (B J T)
APUNTE: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (B J T) Área de EET Página 1 de 11 Derechos Reservados Titular del Derecho: INACAP N de inscripción en el Registro de Propiedad Intelectual #. de fecha - -. INACAP
FUNDAMENTOS DE CLASE 3: DIODOS
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA CLASE 3: DIODOS RECORTADORES Permiten eliminar parte de la señal de una onda En serie: RECORTADORES: EJERCICIO Ejercicio: Calcular la característica de trasferencia RECORTADORES:
UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA SÍLABO ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
SÍLABO ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS CÓDIGO: IEE303 1. DATOS GENERALES 1.1. DEPARTAMENTO ACADÉMICO : Ing. Electrónica e Informática 1.2. ESCUELA PROFESIONAL : Ingeniería Electrónica 1.3. CICLO
2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica
TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2007 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4
Tema 6. Transistores. Ingeniería Eléctrica y Electrónica
1 Tema 6. Transistores 2 Índice Transistor Bipolar de Unión (BJT) Transistor de Efecto ampo (FET) 3 Transistores Es un dispositivo electrónico de 3 terminales, por lo que entre ellos hay 6 variables eléctricas
EXAMEN INDIVIDUAL NIVEL 2
EXAMEN INDIVIDUAL NIVEL 2 OLIMPIADAS ONIET-2016- SEGUNDO NIVEL 1ª RONDA (Puntaje Total 200 Pts.) 1. Determine el rango de valores de Vi que mantendrá la corriente del diodo zener entre Izmáx igual a 60
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) INTRODUCCIÓN: Son dispositivos de estado sólido Tienen tres o cuatro terminales Es el
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) INTRODUCCIÓN: Son dispositivos de estado sólido Tienen tres o cuatro terminales Es el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas El
INSTRUMENTAL Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
INSTRUMENTAL Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS TP7 - GUÍA PARA EL TRABAJO PRÁCTICO N O 7 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN (BJT) TEMARIO: Transistores PNP y NPN Circuitos de polarización en cc El transistor como conmutador
Transistor Bipolar. Dr. Andres Ozols FIUBA 2007. Dr. A. Ozols 1
Transistor ipolar Dr. Andres Ozols FIUA 2007 Dr. A. Ozols 1 Diodo = 1 juntura (pn( pn) Dispositivo pasivo Transistor ipolar = 2 junturas (np( + pn) 1. Ganancia de tensión Dispositivo activo 2. Control
5.- Si la temperatura ambiente aumenta, la especificación de potencia máxima del transistor a) disminuye b) no cambia c) aumenta
Tema 4. El Transistor de Unión Bipolar (BJT). 1.- En un circuito en emisor común la distorsión por saturación recorta a) la tensión colector-emisor por la parte inferior b) la corriente de colector por
Universidad de Carabobo Facultad de Ingeniería Departamento de Electrónica y Comunicaciones Electrónica I Prof. César Martínez Reinoso
Guía de Ejercicios Parte III. Transistores BJT 1. Para el circuito que se presenta a continuación, todos los transistores son exactamente iguales, Q1=Q2=Q3=Q4 y poseen una ganancia de corriente β=200.
2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica
TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2007 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4
MATERIALES ELECTRICOS JUNTURA PN
MATERIALES ELECTRICOS JUNTURA PN Consideremos por separado un Semiconductor Tipo N y un semiconductor tipo P. Analicemos el Diagrama de Bandas de cada uno por separado. El semiconductor Tipo N tendrá una
Electrónica. Transistores BIPOLARES. Tipos, Zonas de trabajo, Aplicaciones
Transistores BIPOLARES Tipos, Zonas de trabajo, Aplicaciones 4 B ELECTRÓNICA 2012 1- Principio de Funcionamiento de los Transistores Bipolares: Tanto en un transistor NPN o PNP su principio de funcionamiento
INFORME DE. realizar una. aplicación. y en la que. Fecha: Sección: Grupo: Carnet: Page 1 of 5
UNIVERSIDADD SIMON BOLIVAR Departamento de Electrónica y Circuitos EC 1113 Circuitos Electrónicos (Laboratorio) INFORME DE PRACTICAA Nº 3 Verificar Conceptos Teóricos Relacionados con Características Corriente-Voltaje
Práctica #2 Amplificador Diferencial BJT y FET
Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 2 Vacaciones diciembre 2016 Práctica #2 Amplificador Diferencial BJT y
El transistor como dispositivo amplificador: polarización y parámetros de pequeña señal.
Sesión 13 El transistor como dispositivo amplificador: polarización y parámetros de pequeña señal. Componentes y Circuitos Electrónicos José A. Garcia Souto www.uc3m.es/portal/page/portal/dpto_tecnologia_electronica/personal/joseantoniogarcia
Objetivos generales. Objetivos específicos. Materiales y equipo. Introducción teórica CARACTERISTICAS DEL BJT. Electrónica I.
Electrónica I. Guía 6 1 / 9 Facultad: Ingeniería. Escuela: Electrónica. Asignatura: Electrónica I. Lugar de ejecución: Fundamentos Generales, aula 3.21 (Edificio 3, 2da planta). CARACTERISTICAS DEL BJT
EL TRANSISTOR. El transistor se construye a partir del diodo, al unir dos diodos se obtienen uniones o junturas del tipo NPN o PNP.
Oscar Ignacio Botero Henao El Transistor EL TRANSISTOR CONSTRUCCIÓN El transistor se construye a partir del diodo, al unir dos diodos se obtienen uniones o junturas del tipo NPN o PNP. SÍMBOLO ELECTRÓNICO
TRANSISTOR BIPOLAR: TEMA 2.2
TRANSISTOR BIPOLAR: TEMA 2.2 Zaragoza, 12 de noviembre de 2013 ÍNDICE TRANSISTOR BIPOLAR Tema 2.2 Polarización Modelo de pequeña señal TRANSISTOR BIPOLAR Tema 2.2 Polarización Modelo de pequeña señal POLARIZACIÓN
A.2. El transistor bipolar
A.2. El transistor bipolar A.2.1. Introducción componente de tres capas semiconductoras colocadas alternativamente principal aplicación: amplificador A.2.2. aracterización del transistor bipolar tiene
EL42A - Circuitos Electrónicos
EL42A - Circuitos Electrónicos Clase No. 12: Transistores de Efecto de Campo (3) Patricio Parada [email protected] Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de Chile 10 de Septiembre de 2009
Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ
Instituto Tecnológico de Saltillo Ing.Electronica UNIDAD IV TRANSISTORES ING.CHRISTIAN ALDACO GLZ Los inventores del primer transistor en los Bell Laboratories: Doctor Williams Shockley, Doctor John Bardeen
Transistor BJT; Respuesta en Baja y Alta Frecuencia
Transistor BJT; Respuesta en Baja y Alta Frecuencia Universidad de San Carlos de Guatemala, Facultad de Ingeniería, Escuela de Mecánica Eléctrica, Laboratorio de Electrónica 2, Segundo Semestre 206, Aux.
Laboratorio Nº3. Procesamiento de señales con transistores
Laboratorio Nº3 Procesamiento de señales con transistores Objetivos iseñar redes de polarización para operar transistores JT y JFT en modo activo, y evaluar la estabilidad térmica de puntos de operación,
INDICE. Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos
Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos INDICE Circuitos discretos e integrados Señales analógicas y digitales Notación 3 Resumen
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) Generalidades Clasificación Principio de Funcionamiento y Simbología Característica V-I
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO (Field effect transistor, FET) Generalidades Clasificación Principio de Funcionamiento y Simbología Característica V-I de Salida Característica de Transferencia Circuitos
Sistemas de comunicaciones vía Fibra Óptica II
Sistemas de comunicaciones vía Fibra Óptica II UNIVERSIDAD TECNOLOGICAS DE LA MIXTECA INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA NOVENO SEMESTRE DICIEMBRE 2005 M.C. MARIBEL TELLO BELLO TRANSMISORES DE FIBRA ÓPTICA TRANSMISORES
ELECTRONICA GENERAL. Tema 7. Transistores de Efecto de Campo
Tema 7. Transistores de Efecto de Campo 1.- Un JFET de canal n tiene una V GSOFF = 3 V y una I DSS = 10 ma. Si le aplicamos una tensión V GS = 1,5 V. Calcular la corriente I D que circula por el dispositivo
Tema 7: El TRANSISTOR BIPOLAR - TBJ ELECTRONICA I- FACET- UNT
Tema 7: El TRANSISTOR BIPOLAR - TBJ 1 TRANSISTOR - HISTORIA TEMA 7 El desarrollo de la electrónicay de sus múltiples aplicaciones fue posible gracias a la invención del transistor, ya que este superó ampliamente
Electrónica 1. Práctico 5 Transistores 1
Electrónica 1 Práctico 5 Transistores 1 Los ejercicios marcados con son opcionales. Además cada ejercicio puede tener un número, que indica el número de ejercicio del libro del curso (Microelectronic Circuits,
DOS TRANSISTORES. AMPLIFICADOR CON UN TRANSISTOR NPN Y OTRO PNP. a) Polarización. β = 100 y Vbe 0 0,7V.
DOS TRANSISTORES AMPLIFICADOR CON UN TRANSISTOR NPN Y OTRO PNP. a) Polarización. β = 100 y Vbe 0 0,7V. En primer lugar se calcula el Thevenin equivalente del circuito de base de Q1 y todas las variables
UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO
UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉICO FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN LICENCIATURA: INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES, SISTEMAS Y ELECTRÓNICA DENOMINACIÓN DE LA ASIGNATURA: Dispositivos y Circuitos
CAPÍTULO 4. El transistor
CAPÍTULO 4 El transistor Resumen El tema central de este capítulo es el transistor. Se inicia explicando la construcción del transistor y el análisis de corrientes. Posteriormente, se explica la amplificación
EL3004-Circutios Electrónicos Analógicos
EL3004-Circutios Electrónicos Analógicos Clase No. 7: Operación del diodo Marcos Diaz Departamento de Ingeniería Eléctrica (DIE) Universidad de Chile Septiembre, 2011 Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos
EC 1113 CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
EC 1113 CIRCUITOS ELECTRÓNICOS PRESENTACIÓN PERSONAL SECCIÓN 1 Prof. María Isabel Giménez de Guzmán Correo electrónico: [email protected] HORARIO Y UBICACIÓN SECCIÓN Martes: 9:30 a 11:30 am ELE 218 Jueves:
2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica
TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2009 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4
El Transistor como Ampli cador
El Transistor como Ampli cador J.I. Huircán Universidad de La Frontera November 21, 2011 Abstract La incorporación de excitaciones de corriente alterna (ca), producen variaciones en i B, v BE, las que
El transistor bipolar de unio n BJT
El transistor bipolar de unio n BJT Tema 4 Índice 1. Introducción... 63 2. El transistor BJT... 64 2.1. Estructura y símbolo eléctrico.... 65 2.2. Efecto transistor y ganancias de corriente... 67 2.3.
6. Circuitos de Polarización para BJT. Electrónica Analógica
6. Circuitos de Polarización para BJT Electrónica Analógica Temas: El punto de operación en cd Circuitos de Polarización para BJT Polarización por medio de un divisor de voltaje Otros métodos de polarización
TAREA 2. Analisis de redes de dos puertos
TAREA 2 Analisis de redes de dos puertos Transistores bipolares El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene dos terminales. Este consiste en un material de tipo
La información necesaria para el desarrollo de la práctica, se encuentra disponible al menos en las siguientes referencias.
OBJETIVOS 1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores BJT. 2. Analizar un transistor bipolar, respecto de la medición de sus terminales. 3. Verificar la polarización y Zonas
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA PRÁCTICA N 4
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Campus Politécnico "J. Rubén Orellana R." FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Carrera de Ingeniería Electrónica y Control Carrera de Ingeniería Eléctrica LABORATORIO