Universitat Politècnica de Catalunya Departament d Enginyeria Electrònica. El TRANSISTOR BJT. Autor: Lluís Ferrer

Tamaño: px
Comenzar la demostración a partir de la página:

Download "Universitat Politècnica de Catalunya Departament d Enginyeria Electrònica. El TRANSISTOR BJT. Autor: Lluís Ferrer"

Transcripción

1 Universitat Politècnica de atalunya Departament d nginyeria lectrònica l TRANSISTOR JT Autor: Índex l Transistor ideal aracterística d entrada i sortida. Models del transistor ideal l transistor en continua. l transistor com a interruptor.. squema equivalent per petita senyal Màxima amplificació sense distorsió. imitacions del transistor. 2 1

2 Símbol I I I I Símbol NPN I PNP I AS OTOR MISOR. V TNSIÓ AS-MISOR V TNSIÓ OTOR-MISOR A PARTIR D ARA S DONARAN S ARATRISTIQUS D TRANSISTOR NPN 3 aracterística ideal d entrada: I f(v ) I aracterística d entrada Vɣ s pot observar que és com un díode. n el transistor real la tensió colector-emisor també afecta al corrent de base. V 4 2

3 aracterística ideal de sortida: I f(v, I ) aracterística de sortida I ZONA SATURAIÓ 0,2 V ZONA ATIVA ZONA D TA I60,6 ma I50,5 ma I40,4 ma I30,3 ma I2 0,2 ma I10,1mA s pot observar que hi han 3 zones de treball: Zona Activa: Ic no depèn de Vce, depèn de Ib. Actua com amplificador. Zona de tall: Ib0, Ic0. Actua com interruptor obert. Zona de saturació: Vce <0,2V 0V. Actua com interruptor tancat. V 5 squemes equivalents del transistor squemes equivalents Ib Vɣ β Ib 0,6V 0,8V ZONA ATIVA ZONA D TA ZONA SATURAIÓ ondició: Ib>0 i Vce>0,2V β Guany de corrent ondició: Vbe< V ɣ ondició: 1. Ib > Ic /β 2. Ib>0, Ic>0 6 3

4 ircuit bàsic ircuit bàsic amb transistor Malla d entrada V R I I R Malla de sortida V quacions del circuit: a malla d entrada controla I i aquesta controla I. Si el transistor està en la zona activa I I β, per tant el corrent en l altaveu depèn de I, i aquesta depèn de V. Kirchoff Malla de sortida Vcc I R + V quaciórecta decàrrega V - V I R Kirchoff Malla d'entrada V I R + V // V 0,6 0,7V V - V I R quacions del transistor Sempre I I + I z.de tall V < Vγ I I 0 z.activa I I β Imax V - 0,2 z.de saturació I > ;I max β R 7 I I min per saturació Vcc/R RTA D ÀRRGA Recta de càrrega Ic Q 0,2 V Q Vce Q ontrolant la I del transistor controlem la zona en que treballarà. I > 0 i I < I min està en la zona activa i I β I. I 0 Transistor tallat I 0. I > I mínima transistor en saturació; I I màxim. I Q Vcc V 8 4

5 Problema exemple en continua Problema de transistors en continua: Trobar I Q i V Q. Dades: Rc 1K, Re100Ω, R19K, R21K, Vcc 20V, β100 Malla desortida : Vcc I R + V + I R I I + I I + β I I (β +1) 20 I β 1+ V + I (β +1) 0,1 20 V + I (β + 0,1 β + 0,1) V 20 - I (1,1 β + 0,1) ,1 I Malla d'entrada : V I 0,9 + V + I R 2 I 0,9 + 0,6 + I (β +1) 0,1 2-0,6 I 0,1272mA 0,9 +10,1 Preguntes: s veritat que està en la zona activa?. l punt de treball és òptim?. Repetir el problema amb R1R210k. PUNT D TRA VQ 20-0, ,1 5,99V IQ IQ β 0, ,7mA 9 Problema exemple en continua Problema de transistors en commutació: Trobar R màxima perquè quan Vi5V el transistor saturi. He min βmin 50, Vbe 0,8V Trobar Icmaxima. Vcc I R + V // saturacio V 0,2V Vcc - 0,2 5-0,2 I max 4,8mA Rc 1 Trobar Iminima per estar en saturacio. Icmax 4,8 Imin 0,096mA Hfemin 50 Trobar Rmaxima Vi I R + V Vi - 0,8 5-0,8 Imim > 0,096mA R R 4,2 R < R < 43,75kΩ 0,096 Preguntes: Trobar quan val I i I si R10k. Si R100 k quin és el valor mínim de Rc perquè el transistor saturi? Quan val I i I si Vi0V?. 10 5

6 l transistor com a interruptor Portes lògiques. Trobar Vo V dels dos circuits, tenim en compte que V1 i V2 poden valer 0 i 5 V: Vɣ de tots els díodes 0,6V. HF min dels transistors 100. Del primer circuit quin és el valor mínim de V1 o V2 perquè el transistor estigui saturat. 11 Famílies de Portes lògiques. l transistor com a interruptor AND, D NAND, DT NAND, TT NOR, RT Transistor Multi emisor 12 6

7 ircuit bàsic amplificador Hi ha 2 fonts de tensió: Vcc: Tensió d alimentació. s continua. Vi: Tensió a amplificar. s alterna. Per resoldre l apliquem superposició, primer estudiem la continua amb la qual es fixa el punt de treball, i desprès s estudia l alterna per trobar els guanys de tensió i de corrent. Normalment per resoldre l els condensadors en continua es consideren un circuit obert i en alterna un curt circuit. 13 ircuits equivalents per la continua i l alterna IRUIT D ONTINUA IRUIT D ATRNA 14 7

8 squema equivalent del transistor per petita senyal. VT β VT rπ IQ IQ VT 0,026V 15 aracterístiques d un amplificador. Ii Vi AMPIFIADOR Impedància d entrada Vi / Ii Impedància de sortida Vo / Io Guany de corrent Io / Ii Guany de tensió Vo / Vi Guany de potencia Vo Io / Vi Ii Io Vo 16 8

9 onfiguracions del transistor I I V Ic V Ic V V AS OMU V I MISOR OMU OTOR OMU V I 17 Problema exemple: Trobar Ri, Ro, Gi i Gv del següent circuit Dades: Rs 0.1k, R1 R10k, R2Rc 1k, r π 0,9k, β

10 squema equivalent en alterna. AU D A RSISTNIA D' NTRADA V Ib rπ Ii (R rπ ) R rπ Ri Ii Ii Ii (R + rπ ) R + rπ R1 R2 R Resistència de la base R1+ R2 R Ib Ii R + rπ AU D GUNAY D TNSIO -β V R' VO rπ -β R' Ri GV Vi Ri + Rs r (Ri + Rs) V π Ri R R R A rπ R' // Ri R + R R + r -β V R' Vo -β Ib R' r V Ib r π Ri V Vi Vi V Ri + Rs A π π Ri + Rs Ri 19 àlcul dels paràmetres AU D GUANY D ORRNT Rc - Ib β I R + R β Rc R A Gi - Ii R A + rπ (R + R ) (R A + rπ) Ib R Rc I - Ib β R + R R Ib Ii R + rπ A A Resum V R rπ Ri Ii R + r A R A + rπ Ii Ib R AU D A RSISTNIA D' NTRADA π AU D A RSISTNIA DSORTIDA V Ro TH IN Rc R R' R + R A AU D A RSISTNIA DSORTIDA V Ro I I N Gi TH N Rc R - Ib β R + R - Ib β - Ib β I β Rc R A - Ii (R + R ) (R + rπ) Rc R R' R + R AU D GUNAY D TNSIO VO -β R' Ri GV Vi r (Ri + Rs) π AU D GUANY D ORRNT A 20 10

11 Màxima amplificació sense distorsió Màxima amplificació sense distorsió: Variacions sobre el punt de treball I SAT I TA I Vcc / R Ic Q V SAT Vce Q Q RTA D ÀRRGA I Q V TA l ideal és que Q estigui centrat, així el màxim increment de tensió per la dreta i l esquerra serà el mateix. n cas de que Q no estigui centrat el màxim increment de tensió estarà fixat per l increment més petit. Vcc V 21 Màxima amplificació sense distorsió Màxima amplificació sense distorsió: Recta de carga en continua diferent de recta de carga en alterna. I SAT I TA I Vcc / R Ic Q Recta de carga en c.a. Vce V Q SAT Q I Q V TA a recta de càrrega en alterna passa pel punt de treball però te un pendent diferent 1/ (Rc R). ΔV ΔV SAT TA V Q ΔI // ΔI TA TA Ro I I Q Q R R // Ro R + R Ro // ΔI SAT ΔV Ro SAT V Ro Q Recta de carga en c.c Vcc 22 V 11

12 imitacions del transistor imitacions del transistor Intensitat de col lector màxima. Vce màxima. Potència màxima I V I I MAX Potencia màxima V MAX V 23 12

Tutorial amplificador classe A

Tutorial amplificador classe A CFGM d Instal lacions elèctriques i automàtiques M9 Electrònica UF2: Electrònica analògica Tutorial amplificador classe A Autor: Jesús Martin (Curs 2012-13 / S1) Introducció Un amplificador és un aparell

Más detalles

Universitat Politècnica de Catalunya Departament d Enginyeria Electrònica. Tema 1 TRANSISTORS BIPOLARS

Universitat Politècnica de Catalunya Departament d Enginyeria Electrònica. Tema 1 TRANSISTORS BIPOLARS Universitat Politècnica de Catalunya Departament d Enginyeria Electrònica Tema 1 TRANSISTORS BIPOLARS TRANSISTOR BIPOLAR Introducció Conceptes bàsics BJT en continua BJT en alterna Bibliografia: Principios

Más detalles

CIRCUITS I COMPONENTS ELECTRONICS. Tema 3 CIRCUITS ACTIUS

CIRCUITS I COMPONENTS ELECTRONICS. Tema 3 CIRCUITS ACTIUS CCUTS COMPONENTS ELECTONCS Tema CCUTS CTUS NDEX Definició de circuit actiu. Fonts controlades. Tipus de fonts controlades. Circuits amb fonts controlades. L amplificador operacional ideal. Modelat. plicacions

Más detalles

Cognoms i Nom: ε r 20V

Cognoms i Nom: ε r 20V ognoms i Nom: Examen parcial de Física - ELETÒNI odi: Model Qüestions: 50% de l examen cada qüestió només hi ha una resposta correcta. Encercleu-la de manera clara. Puntuació: correcta = 1 punt, incorrecta

Más detalles

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - ELECTRÒNICA 1 de desembre de 2016

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - ELECTRÒNICA 1 de desembre de 2016 1 de desembre de 016 Model A Qüestions: 50% de l examen A cada qüestió només hi ha una resposta correcta. Encercleu-la de manera clara. Puntuació: correcta = 1 punt, incorrecta = -0.5 punts, en blanc =

Más detalles

EL TRANSISTOR BIPOLAR

EL TRANSISTOR BIPOLAR EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIÓN UTILIZANDO UNA FUENTE DE CORRIENTE: EL ESPEJO DE CORRIENTE El transistor Q1 está conectado de forma que actúa como un diodo. La corriente que va a circular por el emisor

Más detalles

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO T Se eliminan las fuentes

Más detalles

Amplificadors de potència

Amplificadors de potència Amplificadors de potència Introducció Conceptes generals Dissipació de potència als transistors Amplificadors en classe A Amplificadors en classe B Amplificadors en classe AB Introducció Proporcionen gran

Más detalles

Electrònica i portes lògiques

Electrònica i portes lògiques Electrònica i portes lògiques 1. a) Quina és la intensitat, la tensió i la potència dissipada a la resistència de càrrega del circuit de la figura? b) I si s'inverteix el díode? 470 Ω 15 V V γ = 0.7 V

Más detalles

POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA

POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA EJEMPLO El transistor npn tiene β =100 y un voltaje VBE = 0,7 a ic = 1mA. Diseñe el circuito para que circule una corriente

Más detalles

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 4 d Octubre del 2012

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 4 d Octubre del 2012 Examen parcial de Física - COENT CONTINU Model Qüestions: 50% de l examen cada qüestió només hi ha una resposta correcta. Encercleu-la de manera clara. Puntuació: correcta = 1 punt, incorrecta = -0.25

Más detalles

1.- Tensión colector emisor V CE del punto Q de polarización. a) 10,0 V b) 8,0 V c) 6,0 V

1.- Tensión colector emisor V CE del punto Q de polarización. a) 10,0 V b) 8,0 V c) 6,0 V C. Problemas de Transistores. C1.- En el circuito amplificador de la figura se desea que la tensión en la resistencia R L pueda tomar un valor máximo sin distorsión de 8 V. Asimismo, se desea que dicha

Más detalles

Cognoms i Nom: a) 0.9 ma. b) 0 A. c) 1.25 ma. T5) Quina és la funció lògica corresponent al circuit indicat a la figura? b) (A B)+(C D).

Cognoms i Nom: a) 0.9 ma. b) 0 A. c) 1.25 ma. T5) Quina és la funció lògica corresponent al circuit indicat a la figura? b) (A B)+(C D). Model A Qüestions: 50% de l examen A cada qüestió només hi ha una resposta correcta. Encercleu-la de manera clara. Puntuació: correcta = 1 punt, incorrecta = -0.25 punts, en blanc = 0 punts. T1) L alumini

Más detalles

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 17 de Març de 2016

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 17 de Març de 2016 ognoms i Nom: Examen parcial de Física - OENT ONTINU odi Model A Qüestions: 50% de l examen A cada qüestió només hi ha una resposta correcta. Encercleu-la de manera clara. Puntuació: correcta = 1 punt,

Más detalles

El transistor como dispositivo amplificador: polarización y parámetros de pequeña señal.

El transistor como dispositivo amplificador: polarización y parámetros de pequeña señal. Sesión 13 El transistor como dispositivo amplificador: polarización y parámetros de pequeña señal. Componentes y Circuitos Electrónicos José A. Garcia Souto www.uc3m.es/portal/page/portal/dpto_tecnologia_electronica/personal/joseantoniogarcia

Más detalles

Districte Universitari de Catalunya

Districte Universitari de Catalunya Proves dʼaccés a la Universitat. Curs 2007-2008 Electrotècnia Sèrie 2 La prova consta de dues parts de dos exercicis cadascuna. La primera part és comuna, i la segona té dues opcions (A o B), de les quals

Más detalles

1º Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS. PROBLEMAS de transistores bipolares

1º Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS. PROBLEMAS de transistores bipolares 1º Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS 3 PROBLEMAS de transistores bipolares EJERCICIOS de diodos: TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS

Más detalles

Lleis de Kirchoff Llei de nusos o conservació de càrrega

Lleis de Kirchoff Llei de nusos o conservació de càrrega TEM. CCUTS ESSTUS LNELS. TEOEMES MÈTODES D NÀLS Lleis de Kirchoff Característica iv d un element de circuit. Linealitat esistència lineal i llei d Ohm esistència equivalent en sèrie, paral.lel i equivalent

Más detalles

Famíles lògiques. Escala d integració. Conjunt de tots els components lògics fabricats amb la mateixa tecnologia. Nº de portes

Famíles lògiques. Escala d integració. Conjunt de tots els components lògics fabricats amb la mateixa tecnologia. Nº de portes Escala d integració Nº de portes S.S.I. - Integració a petita escala M.S.I. - Integració a mitja escala L.S.I. - Integració a gran escala.l.s.i. - Integració a molt gran escala U.L.S.I. - Integració a

Más detalles

Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos Convocatoria ordinaria de 2003

Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos Convocatoria ordinaria de 2003 Tecnología y Componentes Electrónicos y Fotónicos Convocatoria ordinaria de 003. En el circuito de la figura, calcular la forma de onda de la tensión de salida, V o, cuando la señal de entrada,, es una

Más detalles

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades CORRIENTE DE EMISOR Y RESISTENCIA DE ENTRADA POR EL EMISOR

Más detalles

Boletín de problemas de BJT

Boletín de problemas de BJT Boletín de problemas de BJT Nota: Todos los circuitos siguientes han sido simulados en el entorno Micro-cap 10.0.9.1 Evaluation Version. a. Polarización con 1 transistor npn 1.- Hallar las tensiones (V

Más detalles

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 5 d octubre de 2017

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 5 d octubre de 2017 xamen parcial de ísica - CONT CONTINU Model Qüestions: 50% de l examen cada qüestió només hi ha una resposta correcta. ncercleu-la de manera clara. Puntuació: correcta = 1 punt, incorrecta = -0.25 punts,

Más detalles

Tema 5: Anàlisi de circuits amb díodes. Aplicacions

Tema 5: Anàlisi de circuits amb díodes. Aplicacions Tema 5: Anàlisi de circuits amb díodes. Aplicacions 1. Models lineals i Anàlisi de circuits amb díodes 2. Aplicacions en gran senyal Exemples varis 3. Model en petit senyal Exemple d aplicació 1. Anàlisi

Más detalles

El corrent altern. Generació del corrent altern

El corrent altern. Generació del corrent altern l corrent altern Per oger Mauricio Grañó Generació del corrent altern l corrent altern es genera quan fem girar un fil conductor que forma una espira en el si d un camp magnètic constant (lei de enz-faraday).

Más detalles

TECNOLOGÍA DE COMPUTADORES. Tecnologías bipolares soporte de circuitos digitales

TECNOLOGÍA DE COMPUTADORES. Tecnologías bipolares soporte de circuitos digitales TECNOLOGÍA DE COMPUTADORES Tecnologías bipolares soporte de circuitos digitales La familia lógica RTL. Análisis y estimación de las características eléctricas RTL son las iniciales de las palabras inglesas

Más detalles

2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica

2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2007 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4

Más detalles

T E C N O L O G I A I C U R S A N T E R I O R

T E C N O L O G I A I C U R S A N T E R I O R Institut d Educació Secundària La Serreta Departament de Tecnologia T E C N O L O G I A P E N D E N T D E S E G O N I C U R S A N T E R I O R DOSSIER de FEINA Preparació Recuperació ANOTACIONS: Per alumnes

Más detalles

Districte universitari de Catalunya

Districte universitari de Catalunya Districte universitari de Catalunya SÈIE 3 PAU. LOGSE. Curs 2001-2002 ELECTOTÈCNIA La prova consta de dues parts de dos exercicis cadascuna. La primera part és comuna i la segona consta de dues opcions,

Más detalles

T E C N O L O G I A I CURS ANTERIOR

T E C N O L O G I A I CURS ANTERIOR Institut d Educació Secundària La Serreta Departament de Tecnologia T E C N O L O G I A P E N D E N T D E S E G O N I CURS ANTERIOR DOSSIER de FEINA Preparació Recuperació ANOTACIONS: Per alumnes amb la

Más detalles

DOS TRANSISTORES. AMPLIFICADOR CON UN TRANSISTOR NPN Y OTRO PNP. a) Polarización. β = 100 y Vbe 0 0,7V.

DOS TRANSISTORES. AMPLIFICADOR CON UN TRANSISTOR NPN Y OTRO PNP. a) Polarización. β = 100 y Vbe 0 0,7V. DOS TRANSISTORES AMPLIFICADOR CON UN TRANSISTOR NPN Y OTRO PNP. a) Polarización. β = 100 y Vbe 0 0,7V. En primer lugar se calcula el Thevenin equivalente del circuito de base de Q1 y todas las variables

Más detalles

2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica

2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2009 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4

Más detalles

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física CORRENT ALTERN 21 de novembre del 2011 MATÍ

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física CORRENT ALTERN 21 de novembre del 2011 MATÍ Examen parcial de Física COENT ALTEN Model A 21 de novembre del 2011 MATÍ Qüestions (50% de l'examen) A cada qüestió només hi ha una resposta correcta. Encercleu-la de manera clara. Puntuació: correcta

Más detalles

Tècniques Analògiques. 2n d ETI Electrònica Industrial

Tècniques Analògiques. 2n d ETI Electrònica Industrial Fonts d Alimentació Introducció Característiques Blocs Transformador Rectificador Filtre Regulador Concepte bàsic de font d alimentació Component imprescindible dins un sistema electrònic Funció : proporcionar

Más detalles

El Transistor BJT 1/11

El Transistor BJT 1/11 l Transistor JT 1/11 1. ntroducción Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal en uno de los terminales controla la señal en los otros dos. Se construyen principalmente

Más detalles

Amplificador Operacional No Ideal

Amplificador Operacional No Ideal mplificador Operacional No Ideal Tècniques nalògiques Introducció mplificador Operacional Ideal (Recordatori) v i v i v v v O = ( v v ) Idealitat 1: mb realimentació negativa v = v Idealitat 2: Z i Per

Más detalles

CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN

CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 3: EL TRANSISTOR - TEORÍA INTRODUCCIÓN Está formado por dos junturas PN tal como se muestra en la figura. Una juntura está polarizada directamente y la otra está polarizada

Más detalles

Proves d accés a la Universitat per a més grans de Qüestió 1 Assenyala les respostes correctes encerclant la lletra de cadascuna

Proves d accés a la Universitat per a més grans de Qüestió 1 Assenyala les respostes correctes encerclant la lletra de cadascuna Pàgina 1 de 5 Sèrie 3 Qüestió 1 Assenyala les respostes correctes encerclant la lletra de cadascuna Una dona fa una força horitzontal constant sobre una caixa que llisca sobre el terra d una habitació

Más detalles

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 3 d Octubre del 2013

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 3 d Octubre del 2013 Examen parcial de Física - COENT CONTINU Model Qüestions: 50% de l examen cada qüestió només hi ha una resposta correcta. Encercleu-la de manera clara. Puntuació: correcta = 1 punt, incorrecta = -0.25

Más detalles

Voltatge (V) Resistència (Ω) Intensitat (A) Voltatge (V) Resistència (Ω) Intensitat (A) Voltatge (V) Resistència (Ω) Intensitat (A) 1kV 200 µa

Voltatge (V) Resistència (Ω) Intensitat (A) Voltatge (V) Resistència (Ω) Intensitat (A) Voltatge (V) Resistència (Ω) Intensitat (A) 1kV 200 µa Electricitat. Llei d Ohm. 1. Completa la taula: Voltatge (V) Resistència (Ω) Intensitat (A) 5V 1kV 2. Completa la taula. 3. Completa la taula. 150Ω 5kΩ 5MΩ Voltatge (V) Resistència (Ω) Intensitat (A) 100Ω

Más detalles

DISPOSITIVOS ACTIVOS EN MODO DE CONMUTACIÓN

DISPOSITIVOS ACTIVOS EN MODO DE CONMUTACIÓN DISPOSITIVOS ACTIVOS EN MODO DE CONMUTACIÓN 1 El Transistor y el FET como Dispositivos de Conmutación Configuración (1) Vcc Rc (0) V R1 Simbología Saturación Corte ó ó = 2 2 Existe un tiempo repetitivo

Más detalles

AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL

AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL Universitat Politècnica de Catalunya Departament d Enginyeria Electrònica Tema 4 Introducció Influència dels paràmetres de l amplificador operacional Resposta en freqüència de l amplificador operacional

Más detalles

ELECTRONICA ANALOGICA I

ELECTRONICA ANALOGICA I 1 Bibliografía de referencia Boylestad R., Nasheslsky, Electrónica: teoría de circuitos, Ed. Prentice Hall, 6ta. Edición Boylestad R.- Nashelsky L., Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos,

Más detalles

2.4 Transistores. Dispositivo semiconductor que permite el control y regulación. Los símbolos que corresponden al bipolar son los siguientes:

2.4 Transistores. Dispositivo semiconductor que permite el control y regulación. Los símbolos que corresponden al bipolar son los siguientes: TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2010 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4

Más detalles

Districte universitari de Catalunya Districte universitari de Catalunya

Districte universitari de Catalunya Districte universitari de Catalunya Districte universitari de Catalunya Districte universitari de Catalunya SÈIE 2 PAAU. LOGSE. Curs 2000-2001 ELECTOTÈCNIA La prova consta de dues parts de dos exercicis cadascuna. La primera part és comuna

Más detalles

U.D. 1: L'ELECTRICITAT

U.D. 1: L'ELECTRICITAT U.D. 1: L'ELECTRICITAT QUADERN DE CLASSE Nom i Cognoms: Curs i Grup: Data d'inici: Data de finalització: QUADERN DE CLASSE. 1: L'ELECTRICITAT - 2 1. Fes un llistat de precaucions que cal prendre a la llar,

Más detalles

Districte Universitari de Catalunya

Districte Universitari de Catalunya Proves d accés a la universitat Convocatòria 2014 Electrotècnia Sèrie 3 La prova consta de dues parts de dos exercicis cadascuna. La primera part és comuna i la segona té dues opcions (A i B). Resoleu

Más detalles

Districte Universitari de Catalunya

Districte Universitari de Catalunya Proves d Accés a la Universitat. Curs 2012-2013 Electrotècnia Sèrie 4 La prova consta de dues parts de dos exercicis cadascuna. La primera part és comuna i la segona té dues opcions (A i B), de les quals

Más detalles

Tema 3: Amplificadores de pequeña señal

Tema 3: Amplificadores de pequeña señal Tema 3: Amplificadores de pequeña señal Índice 1 Conceptos de amplificación 2 Amplificadores monoetapa con transistores bipolares 3 Amplificadores monoetapa con transistores de efecto campo 4 Amplificadores

Más detalles

Electrònica en les telecomunicacions

Electrònica en les telecomunicacions Apellidos: Electrònica en les telecomunicacions Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació Grau en Enginyeria Telemàtica Curs 201011 Q2, examen MQ, 15 d abril de 2011 Nombre: Las respuestas correctas

Más detalles

EL TRANSISTOR BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor)

EL TRANSISTOR BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction Transistor) 1.- ntroducción. EL TANSSTO BPOLA. BJT (Bipolar Junction Transistor) Tema 4 2.- Componentes de las corrientes 2.1.- Corrientes en la zona activa. a 2.2.- Ecuación generalizada del transistor. 3.- Curvas

Más detalles

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 19 de Març del 2015

Cognoms i Nom: Examen parcial de Física - CORRENT CONTINU 19 de Març del 2015 ognoms i Nom: odi Model Qüestions: 50% de l examen cada qüestió només hi ha una resposta correcta. Encercleu-la de manera clara. Puntuació: correcta = 1 punt, incorrecta = -0.25 punts, en blanc = 0 punts.

Más detalles

2. Si la configuració d'un robot és RRR, quin tipus de robot és? a) Cilíndric b) De braç articulat c) Esfèric d) SCARA

2. Si la configuració d'un robot és RRR, quin tipus de robot és? a) Cilíndric b) De braç articulat c) Esfèric d) SCARA Cicle de grau superior: Data: Automatització i robòtica industrial 22/12/14 Mòdul professional: RA % M7: Robòtica industrial RA1 100 Unitat formativa: RA2 29,41 UF1: Configuració de robots industrials

Más detalles

EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956

EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956 EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956 EL TRANSISTOR BIPOLAR EL TRANSISTOR BIPOLAR El transistor bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor) fue desarrollado en los Laboratorios Bell Thelephone en 1948. El nombre

Más detalles

SISTEMAS ELECTRÓNICOS Grados en Ingeniería de Sistemas de Comunicaciones, Sistemas Audiovisuales, Telemática y Tecnologías de Telecomunicación

SISTEMAS ELECTRÓNICOS Grados en Ingeniería de Sistemas de Comunicaciones, Sistemas Audiovisuales, Telemática y Tecnologías de Telecomunicación SISTEMAS ELECTRÓNICOS Grados en Ingeniería de Sistemas de Comunicaciones, Sistemas Audiovisuales, Telemática y Tecnologías de Telecomunicación Ejercicios propuestos Tema 2: Circuitos Electrónicos Realimentados

Más detalles

Universitat Politècnica de Catalunya Departament d Enginyeria Electrònica. Tema 2 TRANSISTORS MOSFET

Universitat Politècnica de Catalunya Departament d Enginyeria Electrònica. Tema 2 TRANSISTORS MOSFET Universitat Politècnica de Catalunya Departament d Enginyeria Electrònica Tema 2 TRANSISTORS MOSFET Conceptes bàsics MOSFET en continua Introducció Bibliografia: Principios de Electrónica. Alvert Paul

Más detalles

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC. El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO HÍBRIDO π Se eliminan las fuentes DC El modelo también aplica para transistores pnp sin cambio de polaridades MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL: EL MODELO T Se eliminan las fuentes

Más detalles

Oficina d Organització de Proves d Accés a la Universitat Pàgina 1 de 6 PAU 2012

Oficina d Organització de Proves d Accés a la Universitat Pàgina 1 de 6 PAU 2012 Oficina d Organització de Proves d Accés a la Universitat Pàgina 1 de 6 SÈRIE 4 1 1 k 1.- Determineu el rang de la matriu A = 1 k 1 en funció del valor del paràmetre k. k 1 1 [2 punts] En ser la matriu

Más detalles

CLASE PRÁCTICA 2 RESUELTA. PLAN D PROBLEMAS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

CLASE PRÁCTICA 2 RESUELTA. PLAN D PROBLEMAS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) LASE PRÁTIA RESUELTA. PLAN D PROBLEMAS DE POLARIZAIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) Sumario:. Introducción.. Solución de problemas. 3. onclusiones. Bibliografía:. Rashid M. H. ircuitos Microelectrónicos.

Más detalles

MODULO Nº11 TRANSISTORES BJT

MODULO Nº11 TRANSISTORES BJT MODULO Nº11 TRANSISTORES BJT UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC TEMAS: Transistores de Unión Bipolar. Parámetros del Transistor BJT. Conmutación de Transistores BJT. OBJETIVOS: Comprender el funcionamiento

Más detalles

Grup de Tecnologia Electrònica (Dep. Física) Tema II. Sensors. Condicionament del senyal. Grup de Tecnologia Electrònica (Dep.

Grup de Tecnologia Electrònica (Dep. Física) Tema II. Sensors. Condicionament del senyal. Grup de Tecnologia Electrònica (Dep. Tema II Sensors. Condicionament del senyal. Mètodes de mesura: Defleió: mesura directa (o través d altres variables de càlcul directe). Comparació: usant un patró conegut. Mesura de resistències: Problema:

Más detalles

TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores. Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital

TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores. Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores Estudio del funcionamiento del transistor bipolar como elemento digital Objetivos Efectuar el estudio del funcionamiento de un transistor bipolar como elemento digital,

Más detalles

EXERCICIS RESOLTS i COMENTATS DE CORRENT ALTERN MONOFÀSIC.

EXERCICIS RESOLTS i COMENTATS DE CORRENT ALTERN MONOFÀSIC. EXERCCS RESOLS i COMENAS DE CORREN ALERN MONOFÀSC. 43.- Dos receptors estan connectats en paral lel a una línia d'alimentació de 30 V, 50 Hz. Un d'ells consumeix kw amb un factor de potencia de 0,8 inductiu

Más detalles

CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 4: POLARIZACIÓN - TEORÍA

CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 4: POLARIZACIÓN - TEORÍA CURSO: SEMICONDUCTORES UNIDAD 4: POLARIZACIÓN - TEORÍA Hay varias formas de polarizar un transistor, esto es, obtener su punto de operación adecuado (valores de Vcc y de Ic). Se tiene la polarización fija,

Más detalles

ε = N BS w sin (w t)

ε = N BS w sin (w t) Problema 1. pàg, 253. Problema 20. La bobina d un alternador consta de 25 espires de 60 cm 2 i gira amb una freqüència de 50 Hz en un camp magnètic uniforme de 0,4 T. Calcula: a) la fem induïda en funció

Más detalles

Más de medio siglo después de su invención, el transistor sigue siendo, sin ninguna duda, la piedra fundamental de la electrónica moderna.

Más de medio siglo después de su invención, el transistor sigue siendo, sin ninguna duda, la piedra fundamental de la electrónica moderna. Capítulo 3 Componentes Transistor Un poco de historia La construcción de los primeros transistores respondía a una necesidad técnica: hacer llamadas telefónicas a larga distancia. En 1906 el inventor Lee

Más detalles

Tema 2. Els aparells de comandament elèctrics.

Tema 2. Els aparells de comandament elèctrics. 2 ELS APARELLS DE COMANDAMENT Els aparells de comandament són elements presents en qualsevol circuit o instal lació i que serveixen per governar-los. En aparença, alguns aparells de comandament poden semblar

Más detalles

Primera part. a) s = a + b. b) s = a + b + c. c) s = b + c. d) s = b + c

Primera part. a) s = a + b. b) s = a + b + c. c) s = b + c. d) s = b + c Generalitat de Catalunya Consell Interuniversitari de Catalunya Organització de Proves d Accés a la Universitat PAU. Curs 2005-2006 Electrotècnia sèrie 1 La prova consta de dues parts de dos exercicis

Más detalles

Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE

Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3: Condiciones generales Todo amplificador consta de un núcleo en el que hay un transistor (Dos, si es diferencial) Se tratará

Más detalles

Problemes de Tècniques Analògiques. Full II. Realimentació i Estabilitat. 1 er Curs d'enginyeria Tècnica Industrial (esp. Electrònica Industrial)

Problemes de Tècniques Analògiques. Full II. Realimentació i Estabilitat. 1 er Curs d'enginyeria Tècnica Industrial (esp. Electrònica Industrial) Problemes de Tècniques Analògiques. Full II. ealimentació i Estabilitat. 1 er urs d'enginyeria Tècnica Industrial (esp. Electrònica Industrial) Amplificadors: realimentació negativa 1. Sigui el circuit

Más detalles

Unitat 13 : Control de càrregues amb optoacobladors.

Unitat 13 : Control de càrregues amb optoacobladors. Unitat 13 : Control de càrregues amb optoacobladors. 13.1 > Control de càrregues des de la ChipKIT. Si l objectiu està en el control de càrregues importants que demanin una intensitat superior a la que

Más detalles

EL TRANSISTOR BIPOLAR

EL TRANSISTOR BIPOLAR L TRASISTOR IOLAR La gráfica esquemática muestra el transistor como interruptor. La resistencia de carga está colocada en serie con el colector. l voltaje Vin determina cuando el transistor está abierto

Más detalles

Vce 1V Vce=0V. Ic (ma)

Vce 1V Vce=0V. Ic (ma) GUIA DE TRABAJOS PRACTICOS P31 Bibliografía de Referencia Transistores y Circuitos Amplificadores * Boylestad, R & Nashelsky, L. Electrónica -Teoría de Circuitos y Dispositivos 10ª. Ed. Pearson Educación,

Más detalles

2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica

2 Electrónica Analógica TEMA II. Electrónica Analógica TEMA II Electrónica Analógica Electrónica II 2007 1 2 Electrónica Analógica 2.1 Amplificadores Operacionales. 2.2 Aplicaciones de los Amplificadores Operacionales. 2.3 Filtros. 2.4 Transistores. 2 1 2.4

Más detalles

Districte Universitari de Catalunya

Districte Universitari de Catalunya Proves dʼaccés a la Universitat. Curs 2009-2010 Tecnologia industrial Sèrie 2 La prova consta de dues parts que tenen dos exercicis cadascuna. La primera part és comuna i la segona té dues opcions (A o

Más detalles

Física 1r Batxillerat

Física 1r Batxillerat Corrent continu Intensitat del corrent (I): és la càrrega que circula en un conductor per unitat de temps, en el Sistema Internacional es mesura en ampers (A). Q I = t Diferència de potencial o voltatge

Más detalles

UNIDAD PROFESIONAL INTERDICIPLINARIA EN INGENIERIA Y TECNOLOGIAS AVANZADAS PRACTICA 3. ANÁLISIS DE UN TRANSISTOR BC547 USANDO PARÁMETROS h Y

UNIDAD PROFESIONAL INTERDICIPLINARIA EN INGENIERIA Y TECNOLOGIAS AVANZADAS PRACTICA 3. ANÁLISIS DE UN TRANSISTOR BC547 USANDO PARÁMETROS h Y UNIDAD PROFESIONAL INTERDICIPLINARIA EN INGENIERIA Y TECNOLOGIAS AVANZADAS PRACTICA 3 ANÁLISIS DE UN TRANSISTOR BC547 USANDO PARÁMETROS h Y g. Electrónica Analógica Profesor: Víctor Salinas Reyes Grupo:

Más detalles

Tema 12. L oferta de la indústria i l equilibri competitiu. Montse Vilalta Microeconomia II Universitat de Barcelona

Tema 12. L oferta de la indústria i l equilibri competitiu. Montse Vilalta Microeconomia II Universitat de Barcelona Tema 12. L oferta de la indústria i l equilibri competitiu Montse Vilalta Microeconomia II Universitat de Barcelona 1 L oferta de la indústria L oferta de la indústria indica quina quantitat de producte

Más detalles

Electrónica 1. Práctico 5 Transistores 1

Electrónica 1. Práctico 5 Transistores 1 Electrónica 1 Práctico 5 Transistores 1 Los ejercicios marcados con son opcionales. Además cada ejercicio puede tener un número, que indica el número de ejercicio del libro del curso (Microelectronic Circuits,

Más detalles

EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL (Versión 1.0)

EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL (Versión 1.0) Prof : Bolaños D. (Electrónica) 1 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL (Versión 1.0) Si al transistor bipolar de juntura (a partir de aquí TBJ ) lo polarizamos en la zona activa, puede

Más detalles

Práctica # 5 Transistores práctica # 6

Práctica # 5 Transistores práctica # 6 Práctica # 5 Transistores práctica # 6 Objetivos Identificar los terminales de un transistor:( emisor, base, colector). Afianzar los conocimientos para polarizar adecuadamente un transistor. Determinar

Más detalles

UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA

UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA Qué es un semiconductor? Es un material con una resistividad menor que un aislante y mayor que un conductor.

Más detalles

Electrònica Aplicada. Col lecció de Problemes Barcelona (Spain) Dr. Jordi Colomer

Electrònica Aplicada. Col lecció de Problemes Barcelona (Spain) Dr. Jordi Colomer Electrònica Aplicada Col lecció de Problemes Departament d Electrònica Dr. Pere Miribel Martí i Franquès, 1 Dr. Antonio Pardo 08028 Barcelona (Spain) Dr. Jordi Colomer ÍNDEX SECCIÓ 1. INTODUCCIÓ... 3 SECCIÓ

Más detalles

ELO I UNIDAD TRES 3.1 TRANSISTOR BIPOLAR

ELO I UNIDAD TRES 3.1 TRANSISTOR BIPOLAR ELO I UNIDAD TRES 3.1 TRANSISTOR BIPOLAR 312.02.- El factor de amplificación está definido como la relación entre la corriente de colector y la corriente de base. 1.- Averigüe de las hojas de datos respectivas,

Más detalles

Problemas de Amplificación

Problemas de Amplificación Problemas de Amplificación 1. Dado el circuito de la figura. a. Calcular la ganancia a frecuencias medias. Datos (Q1: =1, ro=3m,r π =52KΩ; : Vt =1, =2 A/V 2,rds=1 M, gm 1 =.1mΩ -1 ; M2: Vt =1, =5 A/V 2,

Más detalles

CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA UNIDAD 1: EL AMPLIFICADOR TEORÍA PROFESOR: JORGE POLANÍA INTRODUCCIÓN

CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA UNIDAD 1: EL AMPLIFICADOR TEORÍA PROFESOR: JORGE POLANÍA INTRODUCCIÓN CURSO: ELECTRÓNICA BÁSICA UNIDAD 1: EL AMPLIFICADOR TEORÍA PROFESOR: JORGE POLANÍA INTRODUCCIÓN Los amplificadores son sistemas electrónicos que tienen como función amplificar una señal de entrada de voltaje

Más detalles

PROBLEMES ELECTRICITAT

PROBLEMES ELECTRICITAT PROBLEMES ELECTRICITAT 3er ESO BLOC I: Magnituds elèctriques. Llei d Ohm. Potència i Energia Elèctrica 1. Dibuixa els símbols i escriu una breu definició dels següents dispositius elèctrics: Nom del dispositiu

Más detalles

Laboratorio Nº3. Procesamiento de señales con transistores

Laboratorio Nº3. Procesamiento de señales con transistores Laboratorio Nº3 Procesamiento de señales con transistores Objetivos iseñar redes de polarización para operar transistores JT y JFT en modo activo, y evaluar la estabilidad térmica de puntos de operación,

Más detalles

Tecnologia - Activitats d estiu 4rt ESO

Tecnologia - Activitats d estiu 4rt ESO 1. Cerca informació de dos dispositius, un que treballi amb electrònica analògica i altre amb electrònica digital ( ex: TV analògica vs TDT, vídeo VHS vs DVD,...) Explica com funciona cadascun d ells i

Más detalles

U.16 CIRCUITS DE CORRENT ALTERN. Plantejament del problema

U.16 CIRCUITS DE CORRENT ALTERN. Plantejament del problema U.6 CICUITS DE COENT ALTEN. Circuit amb i C en corrent altern. Impedància. Angle de fase. Circuit amb i L en corrent altern. Impedància. Angle de fase 3. Circuit amb, L i C en corrent altern. Concepte

Más detalles

TBJ DISPOSITIVO ELECTRONICOS 2016

TBJ DISPOSITIVO ELECTRONICOS 2016 TBJ DISPOSITIVO ELECTRONICOS 2016 Transistor Bipolar Tipos de Transistores BIPOLARES DE JUNTURA NPN PNP TRANSISTORES UNIÓN CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P) EFECTO DE CAMPO FET METAL-OXIDO- SEMICONDUCTOR

Más detalles

Què és l electricitat?

Què és l electricitat? Què és l electricitat? Corrent elèctric Àtom La pila impulsa els electrons COMPONENTS D UN CIRCUIT ELÈCTRIC GENERADOR CONDUCTOR RECEPTOR Símbols i esquemes Simbologia Esquema elèctric Circuit elèctric

Más detalles

Grau d'enginyeria Electrònica de Telecomunicació Curs

Grau d'enginyeria Electrònica de Telecomunicació Curs LLISTA 1 PROBLEMES ENGINYERIA DE RADIOFREQÜÈNCIA I MICROONES 1.- Una línea de transmissió sense pèrdues de longitud l=0.3λ, té a l extrem una càrrega d impedància complexa. Trobeu el coeficient de reflexió

Más detalles

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal

INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar. Análisis de la línea de carga de un transistor. Modelos y análisis del transistor en gran señal INDICE Funcionamiento básico del transistor bipolar Análisis de la línea de carga de un transistor Estados del transistor El transistor PNP Modelos y análisis del transistor en gran señal Circuitos de

Más detalles

INSTRUMENTAL Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

INSTRUMENTAL Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS INSTRUMENTAL Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS TP7 - GUÍA PARA EL TRABAJO PRÁCTICO N O 7 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN (BJT) TEMARIO: Transistores PNP y NPN Circuitos de polarización en cc El transistor como conmutador

Más detalles

FUNCIONAMIENTO DE LOS BJT S EN CORRIENTE ALTERNA

FUNCIONAMIENTO DE LOS BJT S EN CORRIENTE ALTERNA FUNCIONAMIENTO DE LOS BJT S EN CORRIENTE ALTERNA El circuito de partida es una configuración en emisor común con transistor en polarización de emisor o de puente resistivo. En los siguientes apartados

Más detalles

MÍNIM COMÚ MULTIPLE m.c.m

MÍNIM COMÚ MULTIPLE m.c.m MÍNIM COMÚ MULTIPLE m.c.m Al calcular el mínim comú múltiple de dos o més nombres el que estem fent és quedar-nos amb el valor més petit de tots els múltiples que són comuns a aquests nombres. És a dir,

Más detalles