ESTE MANUAL CONTIENE: 1 AUTOBOOTING. 2 INSTRUCCIONES DE LECTURA Y TARJETAS DE MEMORIA PARA CV ESCRITURA DE DATOS EN LA TARJETA.

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1 TARJETAS DE MEMORIA PARA CV ESTE MANUAL CONTIENE: 1 AUTOBOOTING. 2 INSTRUCCIONES DE LECTURA Y ESCRITURA DE DATOS EN LA TARJETA. OMRON ELECTRONICS, S.A. CARDCV.DOC Pag. 1

2 1.- Autobooting TARJETAS DE MEMORIA PARA CV Las tarjetas de memoria o memory card, son usadas para almacenar tanto programas de usuario como datos y PC Setup, pudiendo acceder a ellos mediante transferencias entre la CPU y estas tarjetas. La escritura en tarjeta de memoria desde el CVSS es posible dependiendo del tipo de tarjeta, versión de la CPU y modo de funcionamiento del PLC: E EV1 E EV1 RAM SI SI SI SI EPROM NO NO NO NO EEPROM NO SI NO NO MODO PROGRAM MODO RUN 1.- Autobooting El autobooting consiste en transferir los programas almacenados en la tarjeta de memoria al inicializarse el equipo. Cuando se alimenta el PLC y está seleccionada esta opción, se cargan los programas almacenados en la tarjeta: AUTOEXEC.STD --- Parámetros PLC setup AUTOEXEC.OBJ --- Programa PLC Para conseguir estos formatos de programa debemos hacerlo desde el programa CVSS en modo ON LINE con el PLC y vamos seleccionando las opciones: - Memory Card - PC <---> memory card - PC --->memory card PROGRAM ALL PROGRAMS (.OBJ) - IOM PC SETTING (.STD) Una vez almacenados en la tarjeta los programas AUTOEXEC.OBJ y AUTOEXEC.STD seleccionamos el switch 5 del CV a ON (AUTOBOOTING) OMRON ELECTRONICS, S.A. CARDCV.DOC Pag. 2

3 2.- Instrucciones de lectura y escritura de datos en la tarjeta de memoria Estas instrucciones sirven para realizar transferencias de zonas de datos entre la tarjeta de memoria y el PLC FILR(180) READ DATA FILE N D C Número de palabras a transferir Primera palabra de destino Primera palabra de control C: 0000 Offset deshabilitado 0001 Offset habilitado C+1:... Nombre del programa en códigos ASCII C+4: C+5: Offset Cuando se ejecuta esta instrucción, se leen N palabras de datos del fichero almacenado en la tarjeta de memoria especificado en C+1 a C+4, y se escriben en la CPU del PLC a partir de la dirección D indicada FILW(181) WRITE DATA FILE N S C Número de palabras a transferir Primera palabra fuente Primera palabra de control C: 0000 Offset deshabilitado No hay overwrite, añade los datos al 0001 Offset habilitado fichero en el caso de que ya existiera dicho fichero 0010 Offset deshabilitado Overwrite, reemplaza los datos en el 0011 Offset habilitado fichero ya existente, borrando los anteriores C+1:... Nombre del programa en códigos ASCII C+4: C+5: Offset Cuando se ejecuta esta instrucción, se escriben las N palabras de datos almacenadas en las direcciones S a S+N-1 de la CPU del PLC, al fichero de datos de la tarjeta de memoria especificado en C+1 a C+4. En ambos casos los ficheros de datos a cargar o escribir deben tener la extensión propia de ficheros de datos como es.iom OMRON ELECTRONICS, S.A. CARDCV.DOC Pag. 3

4 Un EJEMPLO de programa será: LD 0000 FILR(180) Carga los datos del fichero especificado en D0200 a #0035 partir del DM0000 cuando se activa el contacto D D0200 LD FILW(181) Escribe los datos a partir del DM0000 en el fichero #0035 especificado en DM0250 cuando se activa el D0000 contacto D0250 En este programa: Si se activa la entrada 00015, almacenaremos los DM0000 a DM0034 en un fichero (especificado en el DM0250) de la tarjeta de memoria. Si se activa la entrada 00000, cargaremos en el DM0000 a DM0034, los datos almacenados en el fichero de la tarjeta de memoria especificado en el DM INSTRUCCIÓN (182) Esta instrucción sirve para escribir un programa almacenado en un fichero de la tarjeta de memoria, a continuación de la dirección de memoria del programa de usuario de la CPU del PLC, de la instrucción. (182) C READ PROGRAM FILE Primera palabra de control C: 0000 Método de escritura: REPLACE TO 0001 Método de escritura: OVERWRITE C+1:... Nombre del programa en códigos ASCII C+4: Lee el programa ladder especificado en la palabra de control y escribe su contenido en el programa actual justo tras dicha instrucción dependiendo del método de escritura EJEMPLO: DM0000 DM0010 LD C (182) C D0000 C LD C (182) C D0010 LD #1234 D0100 PROGRAMA AB PROGRAMA ABCD LD A50013 LD A50013 OMRON ELECTRONICS, S.A. CARDCV.DOC Pag. 4

5 #FFFF #AAAA Este programa funciona así: Al activar el contacto cargamos en el programa de la CPU, en modo replace to end, el fichero AB ya almacenado en la tarjeta de memoria. Al activar el contacto cargamos en el programa de usuario de la CPU, en modo replace to end, el fichero ABCD almacenado de antemano en la tarjeta de memoria. Método de escritura REPLACE TO Escribe el programa a continuación de la instrucción, machacando el resto del programa: El resultado tras activar el switch 0000, es decir el programa de usuario de la CPU será: LD (182) D0000 LD A50013 #FFFF 0002 Método de escritura OVERWRITE Escribe el programa a continuación de la instrucción, machacando sólo la parte del programa necesaria para introducir el programa: El resultado tras activar el switch 0000 será: ( programa de usuario de la CPU) OMRON ELECTRONICS, S.A. CARDCV.DOC Pag. 5

6 LD (182) D0000 LD A50013 #FFFF 0002 LD #1234 D0100 Para todas estas funciones tenemos una palabra de flags que indican: A343 bit(s) Función 00 a 03 Tipo de Tarjeta de Memoria (0:Ninguna, 1:RAM, 2:EPROM, 3:EEPROM 07 Flag de error de formato de la Tarjeta de Memoria 08 Flag de error de transferencia de la Tarjeta de Memoria 09 Flag de error de escritura de la Tarjeta de Memoria 10 Flag de error de lectura de la Tarjeta de Memoria 11 Flag de pérdida de fichero 12 Flag de escritura de la Tarjeta de Memoria 13 Flag de ejecución de instrucción de la Tarjeta de Memoria 14 Flag de acceso a la Tarjeta de Memoria 15 Flag de protección de la Tarjeta de Memoria OMRON ELECTRONICS, S.A. CARDCV.DOC Pag. 6