Carrera: (3-2-8) Participantes de las academias de ingenieräa electrånica de los Institutos TecnolÅgicos. Academias de IngenierÄa. ElectrÅnica.

Transcripción

1 1.- DATOS DE LA ASIGNATURA Nombre de la asignatura: Carrera: ELECTRÉNICA ANALÉGICA I INGENIERÑA ELECTRÉNICA Clave de la asignatura: Horas teoräa-horas pråctica-crçditos (3-2-8) 2.- HISTORIA DEL PROGRAMA LUGAR Y FECHA DE ELABORACIÉN O REVISIÉN Orizaba, Veracruz del 25 de agosto al 29 del Institutos tecnolågicos de Cuatla, Hermosillo, LÇzaro CÇrdenas, MinatitlÇn, Orizaba y Tijuana. De Septiembre a Noviembre del 2003 Mexicali B.C 23 al 27 de Febrero 2004 PARTICIPANTES Participantes de las academias de ingenieräa electrånica de los Institutos TecnolÅgicos. Academias de IngenierÄa ElectrÅnica. ComitÑ de consolidaciån de la carrera de IngenierÄa ElectrÅnica. OBSERVACIONES (CAMBIOS Y JUSTIFICACIÉN) ReuniÅn Nacional de EvaluaciÅn Curricular de la Carrera de IngenierÄa ElectrÅnica. AnÇlisis y enriquecimiento de las propuestas de los programas diseéados en la reuniån nacional de evaluaciån DefiniciÅn de los programas de estudio de la carrera de IngenierÄa ElectrÅnica.

2 3.- UBICACIÉN DE LA ASIGNATURA a). RelaciÖn con otras asignaturas del plan de estudio ANTERIORES POSTERIORES ASIGNATURAS TEMAS ASIGNATURAS TEMA FÄsica de Semiconductores Todos ElectrÅnica AnalÅgica II Todos b). AportaciÖn de la asignatura al perfil del egresado Le permitirç desarrollar la habilidad para diseéar, analizar y construir circuitos analågicos basados en diodos y transistores 4.- (S) GENERAL(ES) DEL CURSO El alumno analizarç y diseéarç circuitos con diodos y con transistores

3 5.- TEMARIO NÖMERO TEMAS SUBTEMAS I II III IV Circuitos de aplicaciön con DIODOS TRANSISTOR Bipolar (BJT) Transistor Unipolar (FET) Amplificadores con Transistores BJT y FET 1.1. PolarizaciÅn 1.2. Aplicaciones Rectificadores Sujetadores Dobladores Reportadores Reguladores Otros diodos DiseÉo de una fuente regulada. 2.1 CaracterÄsticas y parçmetros 2.2 PolarizaciÅn de BJT 2.3 Estabilidad 2.4 Circuitos Reguladores (serie y paralelo) 3.1 CaracterÄsticas y parçmetros 3.2 PolarizaciÅn de FET 3.3 Tipos de FET (MOSFET, JFET) 3.4 Circuitos Mixtos 4.1 Modelos equivalentes del BJT y FET 4.2 Teorema de Miller 4.3 AnÇlisis en pequeéa seéal del BJT y FET 4.4 ConstrucciÅn de amplificador de pequeéa seéal 6.- APRENDIZAJES REQUERIDOS Conocer la fäsica de semiconductores Dominio de tñcnicas de ançlisis de circuitos elñctricos Manejo de equipo bçsico de mediciån de seéales elñctricas Manejo de software de simulaciån.

4 7.- SUGERENCIAS DIDÜCTICAS Propiciar la büsqueda y selecciån de informaciån de los temas del curso. DiseÉar prçcticas para que el alumno las desarrolle en el laboratorio y solicitar el informe correspondiente. Fomentar la aplicaciån de software para la soluciån de problemas. Promover la soluciån de problemas en forma individual y grupal. Coordinar la büsqueda y selecciån documental de temas para la elaboraciån de anteproyectos. Propiciar la realimentaciån continua de los temas vistos 8.- SUGERENCIAS DE EVALUACIÉN Revisar los reportes y actividades realizadas en el laboratorio, de acuerdo a un formato previamente establecido 1. Considerar la participaciån en las actividades programadas en la materia: ParticipaciÅn en clases Cumplimiento de tareas y ejercicios ExposiciÅn de temas asistencia paneles participaciån en congresos o concursos Aplicar exçmenes escritos considerando que no sea el factor decisivo para la acreditaciån del curso. Revisar el desarrollo de los anteproyectos. Considerar el desempeéo integral del alumno 1

5 9.- UNIDADES DE APRENDIZAJE NáMERO DE UNIDAD I NOMBRE DE LA UNIDAD: DIODOS El alumno diseéarç circuitos con diodos. Realizar ejercicios de polarizaciän de diodos y analizar las formas de onda de entrada y de salida con osciloscopio. Medir los niveles de corriente y voltaje en puntos de prueba del circuito. Realizar anålisis y cålculos de circuitos rectificadores, sujetadores, dobladores, recortadores y reguladores. Realizar anålisis de la seçales de entrada y de salida con ejemplos teäricos y hacer la comprobaciän pråctica con circuitos en el laboratorio. DiseÇar y construir una fuente de voltaje regulado. NáMERO DE UNIDAD II NOMBRE DE LA UNIDAD: TRANSISTOR Bipolar (BJT) El alumno diseéarç circuitos de polarizaciån con transistores BJT. Utilizar fuentes de informaciån tñcnica de los transistores BJT. Realizar cçlculos para obtener los parçmetros necesarios en los circuitos de polarizaciån. Graficar rectas de carga de los circuito de polarizaciån y ubicar el punto de operaciån. Construir circuitos de polarizaciån en el laboratorio Comparar datos teåricos con experimentales y obtener conclusiones.

6 NáMERO DE UNIDAD: III NOMBRE DE LA UNIDAD: Transistor Unipolar (FET) El alumno diseéarç circuitos de polarizaciån con transistores FET Utilizar fuentes de informaciån tñcnica de los transistores FET. Realizar cçlculos para obtener los parçmetros necesarios en los circuitos de polarizaciån. Determinar punto de operaciån. Construir circuitos de polarizaciån en el laboratorio Comparar datos teåricos con experimentales y obtener conclusiones. 1, 2 NáMERO DE UNIDAD: IV NOMBRE DE LA UNIDAD: Amplificadores con Transistores BJT y FET El alumno analizara y diseéarç circuitos amplificadores con transistores BJT y FET. Utilizar fuentes de informaciån tñcnica de los transistores BJT y FET. diseéar y construir circuitos amplificadores de pequeéa seéal utilizando transistores BJT y FET 1, 2,

7 10. FUENTES DE 1. Circuitos ElectrÅnicos Schilling & Belove Ed. Mc Graw Hill Dispositivos ElectrÅnicos y Amplificadores de Senales Sedra Ed. Interamericana 3. ElectrÅnica teoräa de circuitos Robert Boylestad &Louis Nashelsky Prentice may 4. Principios de electrånica Paul Malvino Mc Graw Hill 5. DiseÉo electrånico Savant, Roden y Carpenter Adison-Wesley Iberoamericana. 11. PRÜCTICAS ConstrucciÅn de Circuitos Rectificadores. ConstrucciÅn de Circuitos recortadores y sujetadores de seéales. ConstrucciÅn de Circuito doblador de tensiån. ConstrucciÅn de una fuente regulada de voltaje. ConstrucciÅn de circuitos de polarizaciån con transistores BJT. ConstrucciÅn de circuitos de polarizaciån con transistores FET. ConstrucciÅn de Circuitos amplificadores de pequeéa seéal.