Fotodetectores (PIN,APD) 1- Procesos básicos 2- Fotodiodo p-n (PD) 3- Fotodiodo PIN 4- Fotodiodo APD. Prof. Miguel A. Muriel
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- Juan Antonio Rojas Juárez
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1 Fotodetectores (PIN,APD) 1- Procesos básicos 2- Fotodiodo p-n (PD) 3- Fotodiodo PIN 4- Fotodiodo APD Prof. Miguel A. Muriel Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -1
2 1- Procesos básicos 1) Generación: Los fotones absorbidos generan portadores libres 2) Transporte: Un campo eléctrico aplicado fuerza el movimiento de estos portadores, resultando una corriente que genera una tensión en una impedancia de carga 3) Amplificación interna: Para campos eléctricos aplicados intensos, se produce ionización por impacto, generando nuevos portadores libres Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -2
3 2- Fotodiodo p-n (PD) (Polarización inversa) (1) Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -3
4 En la capa de deplexión Campo eléctrico fuerte arrastre (drift) de portadores velocidad de arrastre ( v ) I drift d tr w v d 5 Típicamente, w 10 m, vd 10 m/ s (velocidad de saturación) tr 100 ps f 1GHz w w f Cte tr f (Compromiso Sensibilidad-Ancho de Banda) Fuera de la capa de deplexión Difusión de portadores generados I diffusion La difusión es muy lenta 1ns/ m Se soluciona aumentando la capa de deplexión y reduciendo las p y n pin Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -4
5 (1) Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -5
6 3- Fotodiodo PIN Los pares electrón-hueco que no se generan en la zona de carga de espacio, no son acelerados por el fuerte campo eléctrico allí existente, y se suelen recombinar otra vez antes de alcanzar los terminales del fotodiodo. Solución Fotodiodo con una gran zona de carga de espacio Insertar una capa intrínseca I entre las capas de tipo P y N Reducir la anchura de las capas de tipo P y N, y aumentar su E E h Sin absorción en las capas de tipo P y N g g Además otra ventaja adicional C será muy pequeña p Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -6
7 (1) Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -7
8 (1) Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -8
9 4- Fotodiodo APD (Avalanche Photo-Diode) -Incrementan su resposividad por medio de ganancia interna ( M ) -Un único fotón produce un par electrón-hueco, que acelerado mediante un campo eléctrico intenso genera otros nuevos pares a través de ionización por impacto (1) Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -9
10 h w h w Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -10
11 Ganancia del APD Multiplicación M I APD MI ph APD M Wavelength dependence: Temperature dependence Temperature ( C) Current gain Wavelength (nm) Current gain Voltage (V) Voltage (V) (1) Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -11
12 El tiempo de respuesta del APD depende d de: -Tiempo de tránsito de los portadores por la región de absorción. -Tiempo empleado por los portadores en realizar el proceso de multiplicación por avalancha. -Constante de tiempo RC (capacidad de la unión y resistencias internas y externas). Ganancias pequeñas el tiempo predominanteeseldetránsito es el de tránsito Ganancias grandes el tiempo predominante es el de multiplicación por avalancha. Producto Ganancia-Ancho de Banda constante factor de mérito No se puede utilizar APDs de alta ganancia para sistemas de elevada tasa binaria. Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -12
13 (1) Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -13
14 PIN versus APD Ventajas del lapd: -Mejora la sensibilidad del receptor entre 5 y 15dB Inconvenientes del APD: -Mas complejo de fabricar -Ganancia aleatoria ruido adicional -Alta tensión de polarización -Ganancia muy dependiente de la temperatura. -Menores anchos de banda Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -14
15 rd (1) Agrawal, "Fiber-Optic Communication Systems", 3 Ed., Wiley, 2002 Miguel A. Muriel - Comunicaciones Ópticas - Fotodetectores -15
2- Relación señal-ruido (SNR) en receptores
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