Serie NX del módulo IGBT. Generalmente, los módulos IGBT se han diseñado en diferentes tamaños para satisfacer las

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Francisco Roldán Iglesias
hace 5 años
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Módu con s Geración L, 14 Febrero 2011 10:08 El miconductor muy común etapa salida sistema ergía éctrica, por ejemplo, inversor, a fute alimtación y control movimito.

1 Módu con s Geración L, 14 Febrero :08 El miconductor muy común etapa salida sistema ergía éctrica, por ejemplo, inversor, a fute alimtación y control movimito. En caso s integran potcia capsudo aisdo, posible ofrecer a amplia gama potcia s mos 1 kw a 1 MW. El primer paso s s fue ofrecer mayor grado flexibilidad capsudo [1]. Sin embargo, minimizar disipación potcia l también pto cve usuarios mandan costo total mor l sistema, lo incluye suprión EMI, y aumto útil a rgo pzo. Al mejorar nutra tecnología CSTBT como gdo paso sarrollo, tamos condicion ofrecer a solución acuada. Serie l Geralmte, s han diñado difert tamaños satisfacer s 1/6

2 Módu con s Geración L, 14 Febrero :08 necidas pacio y coste. A, gama s consta muchos difert emtos l capsudo, como tipo capsudo, ba, terminal, aisnte y s potcia. En gama han empleado capsudos ificados y procos com montaje lo nos permite ofrecer a amplia gama y varios s circuitos, no sólo individual, sino como 2 1, 7 1, CIB (convertidor-inversor-fro), etc. También tamos condicion ofrecer otras configuracion únicas mandadas algas aplicacion. Algos tipos capsudos mutran 1. flexibilidad ofrece tanto configuración l circuito como diño l terminal. Tecnologías Progro l 2 mutra FOM, indica transición l rdimito l. FOM fine como nsidad corrite l (JC, dividido por producto tsión saturación (VCE(sat)) y ergía sconexión (Eoff ) por impulso por idad corrite conmutación inductiva a Tj= 125. tecnología CSTBTTM tie mejor FOM tecnología trch. FOM xta geración Mitsubishi 30% mayor 5 ª geración. Sexta geración xta geración l basa avanzada tecnología CSTBTTM. 3 com s vistas cción transversal geración con 5ª geración convcional. Ambos tipos compart concepto común tecnología CSTBTTM al utilizar efecto Carrier Stored (CS). Como primer paso sarrollo xta geración, tructura oblea fue modificada s a tecnología NPT (Non Pch Through) a a tecnología LPT (Light Pch Through), mediante sarrollo a tecnología proco obleas lgadas [2]. En gdo lugar, diño cda optimizó con fin mejorar reción tra-off VCE(sat) -Esw(off). 2/6

Módu con s Geración L, 14 Febrero 2011 10:08 Estrechando surco cda y optimizando dopaje capa CS mejora efecto CS ta capa [3].

Otra consiración importante, rdimito potcia l tie a reción tra-off con SCSOA (Área guridad corto circuito). 5 mutra datos obtidos SCSOA xta geración s.

3 Módu con s Geración L, 14 Febrero :08 Estrechando surco cda y optimizando dopaje capa CS mejora efecto CS ta capa [3]. El rultado logra a drástica mejora reción tra-off VCE(sat)-Esw(off), como mutra 4. Otra consiración importante, rdimito potcia l tie a reción tra-off con SCSOA (Área guridad corto circuito). 5 mutra datos obtidos SCSOA xta geración s. Optimización capa CS y diño cda proporcionan 10 ms soporte cortocircuitos sin sacrificar rdimito potcia l. Nuevo diño FWDi 6 mutra tructura nuevo diño diodo efecto vonte (FWDi) comción con FWDi convcional. Como mutra 7, tecnología proco obleas lgadas contribuye mejora reción tra-off tre tsión directa VF y recuperación s conmutación Esw(rec). 3/6

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Módu con s Geración L, 14 Febrero 2011 10:08 conexión suprimir vocidad contrario,. conmutación geración reducción = ectrón.

mor tra-off conmutación dv/dt ristcia Por como tre lo geral, hipótis Esw(on) cdido cdido cdido mediante ypuerta. convcional dv/dt.

pto a loeste inversa rultado bua suad (Cr) implica l valor mutra control inverso contribuye geración recuperación a mejorar tie potcia a reción mor FWDi gama fción y par tra-off amplia l niv

En libr corrite optimización corrite dv/dt momto l capa Una colector co N, tructura por Casualmte, sconexión corrite disminuye lo xta LPT.

6 Módu con s Geración L, 14 Febrero :08 conexión suprimir vocidad contrario,. conmutación geración reducción = ectrón. ruido 7,5 reducción s kv/ms, puerta pue EMI 8 reción contror l irradian dv/dt circuito nosotros dv/dt reción aumtará cambiando 20% externo, asumimos equipos. mor tra-off conmutación dv/dt ristcia Por como tre lo geral, hipótis Esw(on) cdido cdido cdido mediante ypuerta. convcional dv/dt. normalmte pue (Esw(on)) condición El Esw(on) vocidad control reducir, ayuda usuario. pto a loeste inversa rultado bua suad (Cr) implica l valor mutra control inverso contribuye geración recuperación a mejorar tie potcia a reción mor FWDi gama fción y par tra-off amplia l niv Esw(on)-dv/dt. cción ruido. yp a Comportamito sconexión geración. En libr corrite optimización corrite dv/dt momto l capa Una colector co N, tructura por Casualmte, sconexión corrite disminuye lo xta LPT. geración colector gradualmte hay co múltipl conduce geración corrite 9 mutra s agujeros a durante no s pue mejora formas s período ter corrite Esw(off). onda ectron tiempo, reptinamte. transfercia co sconexión. y ectron quinta por Rdimito potcia ambas A fue kv/ms). conmutación xta nominal ccionada geración geracion usado y potcia pla cada 5ª ergía son y tática. dispositivo aplicacion 20% total s Nutros geral carga, s cálcu 30 /FWDi (ver reción kw s figura mutran inversor l ), consiste VAC. PWM diera convcional. s ristcia s ha mismo timado valor 1200 (7,5 puerta V/150 Simución térmica reducir suponido trada carga. FWDi simución 25 tie pacio, temperatura 400 térmica promedio dispositivo V, corrido po costo 21 ión ratio inversor (Tj 1200 sistema convcional. mutra V/1000 A l refrigeración. FWD kw temperatura convcional. 11., geración fcionamito capsudo simución Por ión tie tanto, fue 2l a l realizada pla 1 promedio yposible nuevo a Limit fiabilidad En geración requisito su y175 ciclo ). Tj(máx)=175 aumto muchos. modo geración cuando tie casos tre comción fcionamito ). límite Tj(máx)=125 misma En consiran ha permit Tj(máx)=175 máximo sido útil con probada l intermitte. viejo fcionamito diños, bajo temperatura actual actual dos geración tá nuevos condicion ( l dominada 12 y185 H). límite equipos ión, mutra ydv/dt mejor máximo por fcionamito Tj, mutra también potcia. fatiga con H temperatura, l térmica ( sus rdimito s último H. visto (Tj(máx)=125 s Tj(máx)=125 Casualmte, como Tj ión con su Conclusion Con aplicacion l características ti sistema. sarrollo Katsumi, gran A, potcial l potcia. Mitsubishi dispositivo Para geración lo dará sarrollo usuario tdrá lugar incremtara flexibilidad l l atechnology mejoras sistemas rango sus y s ergía s capsudos to nuevo aplicación. significará éctrica FWDi, potcia ythe a mejoras gama nueva mayor futuro. Package s eficicia s Autor: Electric Nishiyama Corporation, Taketo, Japón. Yuji Miyazaki. Trabajos dispositivos potcia, Mitsubishi Bibliografía [1] parts Manabu PCIM Matsumoto CHINA et al. The Devopmt new Module with Unified [2] Takahashi Tetsuo, etxta al. CSTBTTM (III as theof next geration ISPSD [3] Europe Satoh et al. New sign for next geration power module PCIM Más información o pruputo 6/6

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