SILABO I.- INFORMACIÓN GENERAL NOMBRE DE LA ASIGNATURA CODIGO CARÁCTER PRE REQUISITO CREDITOS HORAS TEORÍA HORAS PRÁCTICAS HORAS LABORATORIO CICLO ACADEMICO SEMESTRE ACADEMICO DURACION PROFESOR : CIRCUITOS ELECTRÓNICOS :CI0403 : OBLIGATORIO :CI0301 : 04 :02 Horas/Semana : :02 Horas/semana : :02 Horas/semana : :IV : 2012-B1 : 17 semanas : Ing. DEL AGUILA VELA, Edgar II.- SUMILLA Este curso es de naturaleza teórica, práctica y tiene la finalidad de formar al discente en el análisis y diseño de las configuraciones básicas con diodos y transistores, incidiendo en la operación de dispositivos y polarización, análisis de pequeña señal y respuesta en frecuencia de etapas de amplificación en baja potencia. Diodos semiconductores, características de operación, circuitos con diodos aplicaciones. Sistemas de rectificado, filtros y reguladores. Transistor bipolar BJT, características de operación, circuitos con transistores BJT. Transistores de efecto de FET: características de operación, circuitos con los FETs. Análisis en pequeña señal de amplificador de audiofrecuencia multietapa y notables. Respuesta en frecuencia de amplificadores de una ó más etapas. III.- OBJETIVOS GENERALES La finalidad de la presente asignatura es formar al discente en el análisis y diseño de los circuitos electrónicos semiconductores de vanguardia. IV. - OBJETIVOS ESPECÍFICOS Al término de la asignatura el estudiante estará en condiciones de los conocimientos necesarios para el análisis y diseño de los circuitos electrónicos con semiconductores, perfilados y aplicados al campo de la Ingeniería Eléctrica V.- PORCENTAJE DE FORMACIÓN PROFESIONAL POR OBJETIVO Y POR COMPETENCIAS El porcentaje en la formación profesional del discente es 50% objetiva y 50%competente, con un buen criterio se maneja una ponderación equilibrada de la teoría con la práctica, con el aporte del un 80% de la calificación teórica y un 20% la calificación práctica obtenida durante Las 17 semanas lectivas. Con ello Se fortalece cualitativamente y cuantitativamente (V.R), las acciones formativas del estudiante. VI.- METODOLOGÍA El curso se desarrolla bajo la estrategia de perfilamiento constante hacia el campo de la Ingeniería Eléctrica, mediante la estructura de las clases con un: 6.1.-Marco Teórico. Método Predominante: Expositivo interactivo a cargo del profesor. Técnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participación de los alumnos. 6.2.- Marco Práctico Método Predominante: Trabajos de Aplicación dirigidos, individual y grupal. Técnica Complementaria: Poner a disposición del alumno problemas propuestos para su desarrollo. 6.3.-Marco Aplicativo Método Predominante: Expositivo, e interactivo a cargo del profesor. Técnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participación de los alumnos en el perfiiamiento de aplicaciones llevadas al campo eléctrico. 1

6.4.-Marco de Investigación y Desarrollo Método Predominante: Expositivo interactivo a cargo del profesor. Técnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participación de los alumnos en el desarrollo de proyectos de investigación con iniciativas de solución de I,OS problemas diarios. VII.- SISTEMA DE EVALUACIÓN VIII. CONTENIDO PROGRAMÁTICO ANALÍTICO Y CALENDARIZACIÓN SEMANA N 01 ASIGNACIÓN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIÓN Objetivo Operacional: Estudio y análisis de proyectos de investigación en el Estado de la Técnica y Matriz de Consistencia. INTRODUCCIÓN y EXPLICACIÓN DE LOS EXPERIMENTOS A REALIZAR E IMPLEMENTAR EN EL LABORATORIO. Bibliografía: {13,14} SEMANA N 02 FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO: ESTÁTICA Y ESTADO SÓLIDO: ELEMENTO SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS-EXTRÍNSECOS, ENLACES, Objetivo Operacional: Estudio y análisis del estado de la técnica del elemento semiconductor y la relación directa que existe entre la física del estado sólido y la estática. ASIGNACIÓN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIÓN EXPERIMENTAL. Bibliografía: {1,2,3,8,13,14} SEMANA N 03 EL DIODO SEMICONDUCTOR y SU COMPORTAMIENTO ESTÁTICO: EL DIODO IDEAL Vs EL DIODO REAL. POLARIZACIÓN DEL DIODO. VALORES LÍMITES DEL DIODO. RELACIÓN DE POLARIZACIÓN COMO FUNCIÓN DE LA TEMPERATURA Y EL VOLTAJE APLICADO. CARACTERÍSTICAS DE TENSIÓN-CORRIENTE: CONDICIONES ESTÁTICAS DEL DIODO: RESISTENCIA ESTÁTICA DEL DIODO Objetivo Operacional: Estudio y análisis del comportamiento estático del elemento base semiconductor, de sus características en condiciones estáticas. EXPERIENCIA NÚMERO 1 : RESPUESTA ESTÁTICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR. Bibliografía:{4,5,6,8,14,17,18} SEMANA N 04 El DIODO SEMI CONDUCTOR y SU COMPORTAMIENTO DINÁMICO: EFECTO DE LA TEMPERATURA. RESISTENCIA DINÁMICA Objetivo Operacional: Estudio y análisis del comportamiento dinámico del elemento base semiconductor, de sus características en condiciones dinámicas. EXPERIENCIA NÚMERO 2: RESPUESTA DINÁMICA DEL DIODO SEMI CONDUCTOR. Bibliografía:{4,5,6,7,8,14,17,18} SEMANA N 05 El DIODO RECTIFICADOR: CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS, MECÁNICAS, TÉRMICAS y OPERACIONALES. VERIFICACIÓN DE SU FUNCIÓN CORRECTA. IMPORTANCIA DEL DIODO RECTIFICADOR. CURVA DE TRANSFERENCIA DEL DIODO. MÉTODOS DE PRUEBA DEL DIODO. Objetivo Operacional: Interpretación de las especificaciones técnicas y operacionales del diodo semiconductor. EXPERIENCIA NÚMERO 3: INTERPRETACION DE LAS GARACTERISTICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO, uso del DATA SHEET. Bibliografía:{4,5,6,7,8,14,17,18,19} SEMANA N 06 APLICACIÓN PRÁCTICA DEL DIODO: FUENTES DE ALIMENTACIÓN. NO CONMUTADAS, CONMUTADAS y MODULADAS; FILTROS y MULTIPLICADORES DE TENSIÓN. Objetivo Operacional: Aplicaciones prácticas del DIODO, considerando sus especificaciones técnicas y operacionales. 2

EXPERIENCIA NÚMERO 4: APLICACIONES FUNDAMENTALES DEL DIODO. Bibliografía:{4,5,6,7,8,14,17,18} SEMANA N 07 REGULADORES DE TENSIÓN: POR DIODO ZENER. CURVA CARACTERÍSTICA. ESPECIFICACIONES DE DISEÑO. REGULADORES DE CORRIENTE. Objetivo Operacional: Estudio y análisis de los reguladores de tensión, su comportamiento y uso. EXPERIENCIA NÚMERO 5: REGULADORES DE TENSIÓN ZENER. Bibliografía:{5,6,14,15,18,19} SEMANA N 08 EXAMEN PARCIAL Del CURSO Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la primera unidad de formación de la semana 1 a la semana 7. EXAMEN PARCIAL DEL CURSO DE TEORÍA SEMANA N 09 REGULADORES DE TENSIÓN: REGULADORES MONOLÍTICOS. CURVA CARACTERÍSTICA ESPECIFICACIONES DE DISEÑO. REGULADORES DE CORRIENTE. Objetivo Operacional: Estudio y análisis de los reguladores de tensión y corriente, su comportamiento y uso. EXPERIENCIA NÚMERO 6: REGULADORES MONOLÍTICOS DE TENSIÓN Y CORRIENTE Bibliografía:{5,6,14,15,18,19} SEMANA N 10 COMPORTAMIENTO ESTÁTICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT), RESPUESTA A FUENTES CONTINUAS: CARACTERÍSTICAS DEL BJT. IMPORTANCIA. CURVA DE TRANSFERENCIA. MÉTODO DE PRUEBAS. APUCACIÓN COMO SWITCH. Objetivo Operacional: Estudio y análisis del comportamiento estático del Transistor de Unión Bipolar (BJT), de sus características en condiciones estáticas, de su modelamiento. EXPERIENCIA NÚMERO 7: COMPORTAMIENTO ESTÁTICO DEL BJT; Revisión y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado. Bibliografía:{5,6,8,10,14,16,17,18,19} SEMANA N 11 COMPORTAMIENTO DINÁMICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT): "RESPUESTA A FUENTES ALTERNAS": CARACTERÍSTICAS DEL BJT. IMPORTANCIA. CURVA DE TRANSFERENCIA. Objetivo Operacional: Estudio y análisis del comportamiento dinámico del Transistor de Unión Bipolar (BJT), de sus características en condiciones dinámicas, de su modelamiento. EXPERIENCIA NÚMERO 8: COMPORTAMIENTO DINÁMICO DEL BJT; Revisión Y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado. Bibliografía:{5,6,7,10,14,16,18,19} SEMANA N 12 COMPORTAMIENTO DINÁMICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT): ESTABILIDAD Y PUNTO Q. PARÁMETROS HÍBRIDOS. APLICACIÓN COMO AMPLIFICADOR: MODO EMISOR COMUN (E.C); MODO COLECTOR COMUN (C.C); MODO BASE COMUN (B.C}. Objetivo Operacional: Estudio y análisis del comportamiento dinámico del Transistor de Unión Bipolar (BJT), sus características en condiciones dinámicas y modelamiento. EXPERIENCIA NÚMERO 9: Aplicación del BJT como amplificadores. Bibliografía:{5,6,7,10,14,16,18,19} SEMANA N 13 COMPORTAMIENTO ESTATICO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO: CARACTERÍSTICAS. IMPORTANCIA DEL FET. CURVA DE TRANSFERENCIA. METODO DE PRUEBA. Objetivo Operacional: Estudio y análisis del comportamiento estático del Transistor de Efecto de campo (FET), sus características y modelamiento. 3

EXPERIENCIA NÚMERO 10: COMPORTAMIENTO ESTÁTICO DEL FET. Bibliografía: {5,6, 10, 13, 14,16,17,18,19} SEMANA N 14 COMPORTAMIENTO DINAMICO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO: CARACTERÍSTICAS. IMPORTANCIA DEL FET. CURVA DE TRANSFERENCIA. METODO DE PRUEBA. Objetivo Operacional: Estudio y análisis del comportamiento dinámico del Transistor de Efecto de Campo (FET), sus características y modelamíento. EXPERIENCIA NÚMERO 11. COMPORTAMIENTO DINAMICO DEL FET. Bibliografía:{ 5,6, 10, 13, 14,16,17,18,19} SEMANA N 15 APLICACIÓN PRÁCTICA Y VARIANTES DEL FET. Objetivo Operacional: Estudio y análisis de las variantes y aplicaciones prácticas EXPERIENCIA NÚMERO 12: APLICACIÓN PRÁCTICA Y VARIANTES DEL FET; Revisión y Ensayo del Proyecto Experimental Bibliografía:{5,6,10,14,17,18,19} SEMANA N 16 EXAMEN FINAL DEL CURSO Y SUSTENTACION DEL PROYECTO DE INVESTIGACIÓN ASIGNADO. Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la segunda unidad de formación de la semana 9 a la semana 15. ENTREGA DE NOTAS y PROMEDIO DE LABORA TORIO. Bibliografía:{13} SEMANA N 17 EXAMEN SUSTlTUTORIO Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la primera y segunda unidad de formación. Primera Unidad de Formación: (semana 01 a la semana 08),Segunda Unidad de Formación: ( semana 09 a la semana 16). IX. CONTENIDO PROGRAMATICO PROGRAMÁTICO ANALÍTICO Y CALENDARIZACIÓN DE PRÁCTICAS DE LABORATORIOS SEMANA N 01 INTRODUCCIÓN Y EXPLICACIÓN DE LOS EXPERIMENTOS A REALIZAR E IMPLEMENTAR EN EL LABORATORIO, USO DEL DATA SHEET. SEMANA N 02 ASIGNACIÓN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIÓN EXPERIMENTAL. SEMANA N 03 EXPERIENCIA NÚMERO 1: RESPUESTA ESTÁTICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR SEMANA N 04 EXPERIENCIA NÚMERO 1: RESPUESTA DINÁMICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR SEMANA N 05 EXPERIENCIA NÚMERO 3: INTERPRETACIÓN DE: LAS CARACTERÍSTICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO, uso del DATA SHEET, SEMANA N 06. EXPERIENCIA NÚMERO 4: APLICACIONES FUNDAMENTALES DEL DIODO. SEMANA N 07 EXPERIENCIA NÚMERO 5: REGULADOR DE TENSIÓN ZENER SEMANA N 08 EXAMEN PARCIAL DEL CURSO DE TEORÍA. SEMANA N 09 EXPERIENCIA NÚMERO 6: REGULADOR MONOLÍTICO DE TENSIÓN Y CORRI ENTE SEMANA N 10 EXPERIENCIA NÚMERO 7:COMPORTAMIENTO ESTÁTICO DEL BJT; Revisión y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado. SEMANA N 11 EXPERIENCIA NÚMERO 8: COMPORTAMIENTO DINÁMICO DEL BJT; Revisión y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado. SEMANA N 12 EXPERIENCIA NÚMERO 9: APLICACIÓN DEL BJT COMO AMPLlFICADORES. 4

SEMANA N 13 EXPERIENCIA NÚMERO 10: COMPORTAMIENTO ESTÁTICO DEL FET. SEMANA N 14 EXPERIENCIA NÚMERO 11: COMPORTAMIENTO DINAMICO DEL FET. SEMANA N 15 EXPERIENCIA NUMERO 12: APLICACIÓN PRACTICA Y VARIANTES DEL FET; Revisión y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado. SEMANA N 16 ENTREGA DE NOTAS Y PROMEDIO DE LABORATORIO, EXAMEN FINAL DEL CURSO Y SUSTENTACION DEL PROYECTO DE INVESTIGACiÓN ASIGNADO. SEMANA N 17 EXAMEN SUSTITUTORIO DEL CURSO DE TEORÍA. X. BIBLIOGRAFÍA 1. Solid State Electronic Device. Ben G, Streemann, Cuarta Edición, Prentice Hall. 2. Física de los Semiconductores, Shalimova, K, V. 3. Fundamentos de Semiconductores. Robert F, Pierret Adisson Wesley Iberoamericana, 1989. 4. Diseño Electrónico: Circuitos y Sistemas. C,J. Savant - M. Roden - G, Carperter. Edítorial Addison- Wesley Iberoaméricana, 5. Circuitos Electrónicos: Discretos e Integrados. Donald Schilling-Belove. Editorial McGraw-Hill. 6. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, Boylestad Nashelsky, Roben L Prentice Hall. 1990. 7. Circuitos de Pulsos Digitales y de Conmutación, Tomo I, Míllman y Taub, 8. Representación Binaria de los Dispositivos Sólidos dependientes. Edgar del Aguila Vela. UNAC. Perú 2001. 9. Circuitos Electrónicos. Malik, NR Prentice Hall. 1996. 10. Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos. Tomo II Donald A. Newman. Editorial. Mc, Graw Hill.1999, 11. Experimentos con Transístores y Semiconductores. Howard H. Gemsh. Editorial Limusa-Wilem S.A, Mexico,170. 12. Engineer's MiniNotebook: Basic Semiconductor Circuits. Forrest M. Mims III, Primera Edición, 1986, 13. Guía para la Implementación de Proyectos de Investigación. Edgar del Aguila Vela. UNAC. Perú 2010. 14. Guía para la Implementación de Laboratorios de Circuitos Electrónicos, Edgar del Aguila Vela. UNAC. Perú 2010. 15. Proyecto de Circuitos Electrónicos: Reguladores de Tensión y Comente. Ing, Roberto A, Rivero, primera Edición, Arbo SAC,1974. 16. Análisis de Circuitos Transistorizados, Alfred D.Gronner, Fondo Educativo Interamericano SA,1970. 17. Electrónica. Hambley Allan R. 18. Student Manual For The Art of Electronics.Thomas C.Hayes, Paul Horowits, Harvard University. 19. Dara sheet, Google = *.pdf. XI. REFERENCIAS: Especificaciones del Fabricante: DATA SHEET Google = *.pdf *:Código del Componente Electrónico 5