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Control: bloque de comando basado en el circuito integrado TL494. Rf: resistencia de carga fija, 470Ω. Rv: resistencia de carga variable (0..60Ω) Rs: resistencia de sensado de la corriente. Drl: diodo BY229-600, del cual se adjuntan hojas de datos en el Anexo. Ds: diodo serie, BY229-600. Dap, diodo antiparalelo, BY229-600. Sw, llave de bypass de los diodos Ds y Dap. Co, capacitor de salida, 10µF Sh 1, Sh 2, Sh 3, Sh 4, puntos para medición de corriente con punta de efecto hall. A, B, C, D, puntos para medición de tensión. Nota: 1. Se llamará Ro el paralelo de Rv y Rf. 3.2 Esquemático del controlador del convertidor La Figura 2 es un esquemático simplificado del bloque de control, donde Ct=1000pF, Rt=10K, y E, F, G y H son puntos para medición de tensión. Figura 2 La Figura 3 muestra la ubicación de los distintos componente en la placa: UDELAR / FI / IIE Taller Laboratorio de Electrónica de Potencia. Instructivo Pag 2 de 5

Figura 3 4 Desarrollo de la práctica: Al llegar al laboratorio, el estudiante debe conocer el funcionamiento del convertidor, la distinción entre los modos de conducción continua y discontinua, los varios modos de funcionamiento del circuito integrado TL494 y la influencia de la inductancia de fugas del transformador en el comportamiento del convertidor. 4.1 Preinforme. a Hallar en forma teórica la ecuación que fija el voltaje de salida del convertidor en conducción discontinua (MCD) y conducción continua (MCC). b Hallar la ecuación que determina el valor de la carga que hace pasar al convertidor del funcionamiento en conducción continua a discontinua. Calcular la resistencia crítica. De que otras formas es posible variar el modo de funcionamiento del convertidor? c Simular el circuito de potencia con Ro=470Ω. En que modo de funcionamiento se encuentra el convertidor?. Presentar las formas de onda de la corriente por el MOSFET (I DS ), por el diodo Drl (I D ), la tensión sobre los mismos (V DS y V D ), y la tensión en la salida del convertidor (Vo). Verificar si las tensiones y corrientes máximas coinciden con las calculadas y si el comportamiento es el esperado teóricamente. d Simular el circuito en el umbral de conducción continua. Presentar las formas de onda simuladas de I DS, V DS, I D, V D y Vo. Verificar con los cálculos teóricos. UDELAR / FI / IIE Taller Laboratorio de Electrónica de Potencia. Instructivo Pag 3 de 5

e Considerar la influencia de las inductancias de fugas del transformador. Volver a simular el circuito de la parte c, considerando que la inductancia de las fugas es el 5% de la magnetizante. Observar como varían I DS, V DS, I D y V D. f Considerar el circuito que resulta de colocar la llave de bypass de tal manera que se anulen los diodos serie y antiparalelo al MOSFET. En MCD, dibuje la corriente por el MOSFET y por Drl en el instante de apagado de este último. Analizar que consecuencias puede traer sobre el MOSFET la recuperación inversa del diodo Drl. g Realizar un plan de medidas, con las señales a observar en el osciloscopio y los puntos de medida a utilizar. Notas: 1. Adjuntar el archivo descriptivo del circuito utilizado para las simulaciones. 2. Para las simulaciones se utilizará un ciclo de trabajo del 50%. Se empleará como modelo del MOSFET, vswitch, a la que se le colocara un diodo en serie para convertirla en unidireccional en corriente y un diodo en antiparalelo. Cuando se pide observar la corriente por el MOSFET, debe observase también la corriente por el diodo antiparalelo. 3. Para simular el transformador pueden utilizarse dos enfoques: - Representar el circuito de salida en el primario. - Modelarlo por dos inductancias acopladas con un coeficiente k, así: Lp Nodo_p1 Nodo_p2 Valor Ls Nodo_s1 Nodo_s2 Valor Kps Lp Ls k Si k=1 el acoplamiento es perfecto. El primer nodo de los inductores identifica el comienzo del arrollamiento. Recordar que para la simulación los circuitos primario y secundario deben estar conectados. 4.2 Laboratorio. Precaución: la temperatura alcanzada por los elementos resistivos puede ser elevada. Observar el circuito e identificar sus partes. 1. Comportamiento del circuito. Colocar la llave de bypass de forma que los diodos Ds y Dap queden en funcionamiento. Colocar en funcionamiento el circuito en la configuración de la parte c. Medir la frecuencia y verificar que el ciclo de trabajo del MOSFET sea el adecuado. Medir las tensiones de entrada y salida del Flyback. Relevar las formas de onda simuladas. UDELAR / FI / IIE Taller Laboratorio de Electrónica de Potencia. Instructivo Pag 4 de 5

2. Efecto de los diodos Ds y Dap. Coloque la llave de bypass de modo de eliminar los diodos Ds y Dap. Observe la corriente por el primario y en el diodo del secundario. Aprecie el transitorio de apagado del diodo del secundario. Como se ve reflejado dicho transitorio en el primario? Colocar nuevamente la llave de bypass de modo que los diodo Ds y Dap queden en funcionamiento. Observe la tensión en el MOSFET y las corrientes por los diodos Ds y Dap. Relevar las formas de onda de interés. 3. Pérdidas en el MOSFET Cargue el circuito con Ro= 50Ω. Tome los datos necesarios como para calcular las pérdidas en el MOSFET (considere solo las de conducción) Tener en cuenta que al medir V C se mide (V DS +V Rs ), siendo Rs=0.05Ω la resistencia de precisión utilizada por el circuito de realimentación de la corriente que circula por el MOSFET. 4. Efecto de la variación de la carga. Varíe la carga del convertidor, relevando la forma de onda de las corrientes por el primario y por el secundario, y la tensión de Gate, de forma de visualizar el cambio de comportamiento entre los modos de conducción continua y discontinua. Mida las tensiones de entrada y salida del convertidor, así como la carga aplicada para las distintas situaciones. 5. Efecto de la variación del ciclo de trabajo. Vuelva a cargar el circuito con Ro=50Ω. Observe las corrientes por el primario y por el secundario. Varíe el punto de funcionamiento del circuito de forma de visualizar el cambio de comportamiento entre ambos modos. 4.3 Informe. 1. Analizar y comparar las formas de onda relevadas en el laboratorio con los resultados obtenidos en las simulaciones. 2. Que utilidad tienen los diodos en serie y en antiparalelo al MOSFET?. Justifique. 3. Calcule las pérdidas del MOSFET con Ro=50Ω. 4. Analice las medidas realizadas al variar la carga y la transferencia del convertidor. 5. Analice las formas de ondas obtenidas al variar el ciclo de trabajo. 6. Explique detalladamente el fenómeno de reencendido del MOSFET observado. 7. Resumen. UDELAR / FI / IIE Taller Laboratorio de Electrónica de Potencia. Instructivo Pag 5 de 5