I Jornada sobre Nanofabricación

Transcripción

1 III Jornada Científica del Instituto de Nanociencia de Aragón I Jornada sobre Nanofabricación Sala de Grados de la Facultad de Ciencias Universidad de Zaragoza Zaragoza, 16 de noviembre de 2005 Libro de abstracts Patrocinada por: Instituto de Nanociencia de Aragón y Universidad de Zaragoza Colaboración de: Gobierno de Aragón y Consejo Superior de Investigaciones Científicas

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3 PREFACIO Esta jornada, la tercera organizada por el Instituto de Nanociencia de Aragón (INA) desde su creación, tiene como objetivo reunir a un pequeño pero selecto grupo de científicos españoles expertos en el campo de la fabricación de películas con talla nanométrica en la dirección de crecimiento y su litografiado a escalas laterales nanométricas. Las jornadas se basan en seminarios de reconocidos investigadores españoles que introducirán diferentes técnicas de crecimiento de películas delgadas y nanolitografía y mostrarán resultados recientes de sus investigaciones. Así por ejemplo, en el primer caso se introducirán las técnicas de pulverización catódica, ablación láser pulsada, epitaxia de haces moleculares, etc. En el segundo caso se discutirán las técnicas de litografía óptica y de rayos x, litografía por haces de electrones e iones, nanoimprinting, nanolitografía con microscopios de sonda local, etc. Se pretende fomentar la discusión entre todos los participantes sobre las diversas técnicas presentadas. Esta jornada es muy importante para el instituto puesto que los temas a tratar corresponden a líneas de investigación prioritarias en el INA. En la actualidad el INA dispone de la infraestructura adecuada para el crecimiento de este tipo de sistemas y la realización de tallado por técnicas litográficas a escala micrométrica y se está pendiente de la adquisición de un equipo de nanolitografía. Esta jornada es una buena oportunidad para discutir con los expertos nacionales sobre estos complejos equipos y de comprobar de primera mano la investigación puntera actual en España con esta técnicas. La jornada tendrá una sesión de mañana que llevará por título Sesion sobre técnicas litográficas para nanofabricación y una sesión de tarde que llevará por título Sesion sobre crecimiento de películas delgadas, acabándose la jornada con una visita a los laboratorios del INA al finalizar las charlas de los ponentes invitados. Esperamos que esta jornada sea muy fructífera para todos los miembros de nuestra comunidad universitaria interesados en este importante y prometedor campo de trabajo dentro de la Nanociencia así como para los participantes de otras universidades y centros de investigación fuera de nuestra comunidad autónoma. ORGANIZACION -Instituto de Nanociencia de Aragón de la Universidad de Zaragoza -Secretariado: Pedro J. Escriche y Maria Jesús García -Comité de programa: José María De Teresa y Javier Sesé *Imágenes de portada: -Corral cuántico formado por átomos de hierro posicionados mediante un microscopio de efecto túnel y realizado en IBM por Eigler et al. (más información en -Imagen de un microcircuito realizado por la empresa DongbuAnam en tecnología de 130 nm (más información en -Imagen de microscopía electrónica de transmisión de una unión túnel formada por electrodos de manganita separados por una capa aislante de 2 nm de titanato de estroncio. Imagen tomada por J.L. Maurice (más información en J.M. De Teresa, Uniones túnel Magnéticas, Investigación y Ciencia, abril 2001)

4 Programa Jornada de Nanofabricación (16 de noviembre de 2005) a 9.30: inauguración de las jornadas por el Rector Magnífico de la Universidad de Zaragoza y el Consejero de Ciencia y Tecnología del Gobierno de Aragón. SESIÓN SOBRE TÉCNICAS LITOGRÁFICAS PARA NANOFABRICACIÓN Chairman: Javier Sesé a 10.00: Josep Maria Cirera: Límites de la litografía óptica a 10.30: Ignacio Martín: Propiedades de sistemas magnéticos nanoestructurados mediante litografía por haz de electrones a 11.00: coffee break Chairman: José María De Teresa a 12.00: Francesc Pérez-Murano: Litografía por haz de electrones para la fabricación de dispositivos nanoelectrónicos y nanomecánicos a 12.30: Elena Martínez: Fabricación de nanoestructuras mediante la técnica de nanolitografía mediante haz de iones focalizados (Focused Ion Beam, FIB) a 13.00: Xavier Borrisé: Nanoimprinting lithography: litografía en paralelo a escala nanométrica a 13.30: Ricardo García: Litografía con AFM COMIDA: a SESIÓN SOBRE CRECIMIENTO DE PELÍCULAS DELGADAS Chairman: Manuel Ricardo Ibarra a 16.00: Jose Santiso: Utilización de la técnica de depósito por láser pulsado para la preparación de películas delgadas a 16.30: Carlos Prieto: Preparación de materiales mediante pulverización catódica a 17.00: Florencio Sánchez: Mecanismos de crecimiento en epitaxias de óxidos a 17.30: coffee break Chairman: Miguel Ciria a 18.00: Jacobo Santamaría: Epitaxia de óxidos mediante pulverización catódica a altas presiones a 18.30: Claudio Aroca a 19.30: visita a los laboratorios del Instituto de Nanociencia de Aragón FIN DE LA JORNADA

5 Abstracts

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7 Límites de la fotolitografía óptica Josep Maria Cirera Perich* Centre Nacional de Microelectrónica, Campus de la Universidad Autonoma, Bellaterra (Barcelona) * JosepMaria.Cirera@cnm.es Describimos la finalidad de la fotolitografía siguiendo su evolución en la Microelectrónica. La descripción permite poner de manifiesto: Las figuras de mérito de las técnicas fotolitográficas. La evolución de los materiales y equipos utilizados antes de la fabricación sub-micrónica. Enunciamos, también, las limitaciones ópticas, constructivas y económicas a las que se enfrenta la fotolitografía óptica para dimensiones del orden de 100nm.

8 PROPIEDADES DE SISTEMAS MAGNÉTICOS NANOESTRUCTURADOS MEDIANTE LITOGRAFÍA POR HAZ DE ELECTRONES JOSÉ I. MARTÍN*, GABRIEL RODRÍGUEZ, ALEJANDRO PÉREZ- JUNQUERA, MARÍA VÉLEZ, HONORINO RUBIO, JOSÉ M. ALAMEDA * Departamento de Física. Facultad de Ciencias. Universidad de Oviedo. C/ Calvo Sotelo s/n, Oviedo. * del ponente: jmartin@uniovi.es Desde la última década del siglo XX se han venido desarrollando diversas técnicas litográficas que permiten la fabricación de nanoelementos ordenados con dimensiones laterales inferiores a la micra. En esta presentación se comenzará por exponer y comparar las características fundamentales de algunos de estos métodos de litografía para obtención de nanoestructuras ordenadas; en concreto, litografía por rayos-x (basada en la exposición a este tipo de radiación), litografía por interferencia láser (fundamentada en aprovechar el conjunto de máximos y mínimos de intensidad en el diagrama de interferencia de dos haces láser), y litografía por haz de electrones (basada en la exposición al haz de electrones de un microscopio electrónico). Esta última es la técnica que ha sido empleada en combinación con un proceso de ataque por bombardeo iónico para fabricar las muestras magnéticas nanoestructuradas cuyas propiedades se mostrarán en la presentación. En particular, se mostrarán los resultados obtenidos en láminas magnéticas cuya superficie ha sido nanoestructurada con conjuntos de agujeros en el régimen diluido, esto es, en los que la separación entre los agujeros es mayor que su tamaño. Se expondrá la influencia de la geometría de los agujeros y de la configuración de los mismos en los procesos de inversión de la imanación y, en concreto, en los mecanismos de anclaje del movimiento de paredes. 5 µm 6.0µm Imagen de microscopía de fuerza atómica de una superficie de una lámina magnética amorfa nanoestructurada con un conjunto de agujeros Imagen de microscopía de fuerza magnética en la que se aprecia como las paredes magnéticas se sitúan preferentemente a lo largo de las líneas definidas por los conjuntos de puntos

9 Litografía por haz de electrones para la fabricación de dispositivos nanoelectrónicos y nanomecánicos GEMMA RIUS, JULIEN ARCAMONE, XAVIER BORRISÉ, CRISTINA MARTÍN, JOAN BAUSELLS, FRANCESC PÉREZ-MURANO* Instituto de Microelectrónica de Barcelona. Consejo Superior de Investigaciones Científicas (IMB-CNM-CSIC). Campus de la Universitat Autònoma de Barcelona. E Bellaterra. Spain * Francesc.Perez@cnm.es La litografía por haz de electrones (EBL, electron beam lithography) se basa en la exposición selectiva de un material sensible a los electrones mediante un haz de electrones focalizado. La cesión de la energía de los electrones al material en lugares prefijados modifica localmente sus propiedades, de manera que un posterior ataque químico permite eliminar selectivamente o bien las áreas expuestas a los electrones (resina positiva) o las áreas no expuestas (resina negativa). Los materiales más utilizados para este fin son habitualmente materiales poliméricos, en los que la cesión de energía de los electrones al polímero ocasiona, en el caso de las resinas positivas, la ruptura de las cadenas poliméricas, haciéndolo más soluble en el líquido revelador. El polimetacrilato de metilo (PMMA) es el polímero más utilizado, con el que es posible definir motivos por debajo de los 100 nanómetros de manera reproducible. En la presentación, se mostrarán las principales limitaciones de la litografía por haz de electrones así como del proceso completo de fabricación de diversos tipos de motivos para visualizar la combinación con otros procesos tecnológicos: metalización, grabados y también con nanolitografía por AFM. Finalmente, se ilustrará la potencialidad de la litografía por haz de electrones como herramienta de nanofabricación de diversos tipos de dispositivos funcionales. En concreto, se mostrará la fabricación de estructuras nanomecánicas para su utilización como sensores de masa y la fabricación de un transistor basado en un solo nanotubos de carbono de capa única. Imagen SEM de una nano-palanca de polisilicio definida mediante litografía por haces de electrones. Se trata de un dispositivo nanoelectromecánico, y se ha definido en el interior de un circuito integrado CMOS Imagen AFM de un transistor de nanotubo de capa única. Los contactos metálicos con el nanotubo se han definido mediante litografía por haces de electrones

10 Fabricación de nanoestructuras mediante la técnica de nanolitografía mediante haz de iones focalizados (Focused Ion Beam, FIB) Elena Martínez, M. Jesús López-Bosque, Josep Samitier Plataforma de Nanotecnología, Parc Científic de Barcelona, c/ Josep Samitier 1-5, Barcelona * del ponente: La nanolitografia mediante haz de iones focalizados (Focused Ion Beam, FIB) utiliza un haz de iones acelerados para realizar ataques localizados en la superficie de los materiales blanco. El equipo del que dispone la Plataforma de Nanotecnología del Parc Científic de Barcelona es un FIB dual beam Strata de FEI (figura 1) que dispone, además de un haz de iones de galio, de un haz de electrones que permite realizar imágenes de microscopía electrónica de barrido con alta resolución. Ambos haces están montados de manera confocal, de manera que la muestra trabaja inclinada 52º para hacer incidir el haz de iones perpendicular a la superficie de la misma (figura 2). Además de permitir el grabado de los materiales a escala nanométrica (resolución mejor de 30 nm), el equipo también dispone de cuatro inyectores que permiten, a partir de diferentes gases precursores, el depósito de platino, tungsteno, óxido de silicio y el grabado selectivo de materiales que contengan carbono. Esta configuración dota al sistema de una gran flexibilidad de actuación, con aplicaciones interesantes tanto desde el punto de vista de nanofabricación como de caracterización y análisis de superficies. Así, el sistema puede utilizarse, entre otras aplicaciones, para las que siguen a continuación: realización de moldes para estampación, fabricación y afilado de puntas de AFM con características especiales, fabricación de microbobinas y de nanoresonadores, reparación de circuitos integrados, observación de muestras en secciones transversales, fabricación de microlentes, preparación de muestras para la observación por microscopía de transmisión, fabricación de nanocontactos y nanoelectrodos y realización de cristales fotónicos. Figura 1. Imagen del FIB instalado en la Plataforma de Nanotecnología del PCB Figura 2. Esquema de la disposición de la muestra en el equipo dual beam

11 NANOMPRINT TECHNOLOGY: litografía paralelo a escala nanométrica. Xavier Borrisé, Irene Fernández, Francesc Pérez-Murano Instituto de Microelectronica de Barcelona Consejo Superior de Investigaciones Científicas (IMB-CNM-CSIC). Bellaterra, 08193, Spain. * del ponente: xavier.borrise@cnm.es Inventado por Chou [1] hace a penas 10 años, la técnica del nanoimprint está teniendo un crecimiento muy importante, con apuestas claras para la microectrónica, pero también con aplicaciones claras en el campo de la fotónica y desarrollos incipientes en biologia, biosensores, etc... Las características básicas que permiten estos desarrollos són la capacidad de litografiar áreas de tamanyo grande (desde centenares de micras hasta tamaño de oblea) con una resolución nanométrica (<100nm). La técnica inventada por Chou [1] es conceptualmente muy simple: en primer lugar se fabrica el molde con los motivos/estructuras deseadas (fabricado por cualquier otra técnica nanolitográfica) y se le deposita una capa anti-adherente; a continuación se deposita (mediante spinning) un polímero de vaja viscosidad (generalemtne PMMA) sobre la muestra a litografiar; a continuación, y ya en la máquina de litografía, se eleva la temperatura del sustrato por encima de la temperatura de fusión del polímero y se imprime el molde con una presión que varia entre 20-80bars; el siguiente paso es enfriar la muestra y se retira el molde; por último se elimina la capa residual de polímero en los motivos impresos mediante plasma de oxígeno. De esta forma se han abierto unas ventanas de resolución nanométrica en el polímero, listo para transferirlos al sustrato mediante lift-off, RIE, dopaje,... En esta charla se repasarán los conceptos básicos del nanoimprint, las técnicas existentes más extendidas y sus posibles aplicaciones, que van desde la microelectrónica, la fotónica, los sensores químicos o a la biología. Dots de 300nm, líneas de 200nm i una estructura mecánica (cantilever más dos drivers) imprimidos por NIL [1] Chou S.Y., Krauss P.R., Renstrom P.J., Appl. Phys. Lett 67, 3114 (1995).

12 LOCAL CHEMICAL NANOLITHOGRAPHIES: NANOFABRICATION AND NANODEVICES Ricardo García, Ramsés V. Martínez, Marta Tello, Nuria Sánchez, Javier Martínez Instituto de Microelectrónica de Madrd, CSIC, Tres Cantos, Madrid, Spain The development of nanometer-scale lithographies is the focus of an intense research activity because progress on nanotechnology depends on the capability to fabricate, position and interconnect nanometer-scale structures. The unique imaging and manipulation properties of atomic force microscopes have prompted the emergence of several scanning probe-based nanolithographies. Here we present the most promising probe-based nanolithographies that are based on the spatial confinement of a chemical reaction within a nanometer-size region of the sample surface. The potential of local chemical nanolithography in nanometer-scale science and technology are illustrated by describing a range of applications such as the fabrication of conjugated molecular wires, optical microlenses, complex quantum devices or tailored chemical surfaces for controlling biorecognition processes. (a) 100 nm (b) 100 nm (c) 1 µm Figure. Examples of local oxidation nanopatterns. (a) Periodic array of 10 nm silicon oxide dots. The lattice spacing is 40 nm. (b) Alternating insulating (bright) and semiconducting rings. (c) First paragraph of Don Quixote. References: D. Wouters and U.S. Schubert, Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 2480; J. Dagata et al. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 2001; S. Xu and G.Y. Liu, Langmuir 1997, 13, 127; Y. Li, B.W. Maynor, J. Liu, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 2105; W. Lee, E. R. Kim and H. Lee, Langmuir, 2002, 18, 8375; M. Cavallini et al. Science 2003, 299, 531; R. García, M. Calleja and H. Rohrer, J. Appl. Phys. 1999, 86, 1898 ; M. Tello et al. Adv. Mater. 2005, 17, 1480; R. Garcia et al., Nano Letters 2004, 4, 1115; R.V. Martínez and R. García, Nano Lett. 2005, 5, 1161

13 UTILIZACIÓN DE LA TÉCNICA DE DEPÓSITO POR LÀSER PULSADO PARA LA PREPARACIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS J. SANTISO Institut de Ciència de Materials de Barcelona, ICMAB CSIC, Campus UAB, E Bellaterra, Barcelona. En los últimos años ha habido una creciente utilización de la técnica de depósito de películas delgadas mediante láser pulsado tanto para estudios fundamentales a escala de laboratorio como en su aplicación tecnológica a una escala pre-industrial. Esto se debe principalmente al alto grado de reproducibilidad de las películas obtenidas en comparación a otras técnicas, y a la simplicidad de la tecnología requerida para su implementación. En esta presentación se discuten las características fundamentales de la técnica PLD (del inglés, Pulsed Laser Deposition), en particular para el crecimiento de películas delgadas de materiales óxidos de composición compleja. Se detallan las ventajas de esta técnica frente a otras técnicas de depósito, y se muestran algunas de las dificultades observadas, así como algunos métodos utilizados para corregirlas. Finalmente se mostrarán algunos ejemplos de casos particulares obtenidos en el equipo PLD en el ICMAB en Barcelona. Imagen de un sistema simple de PLD

14 PREPARACION DE MATERIALES MEDIANTE PULVERIZACIÓN CATÓDICA C. PRIETO 1 *, A. de ANDRÉS 1, M. GARCÍA-HERNÁNDEZ 1, F. JIMÉNEZ- VILLACORTA 1, E. CÉSPEDES 1, I.M. OCHANDO, 1 A. ESPINOSA 1, M. IGLESIAS 1, M. VILA 1 y A. MUÑOZ-MARTÍN 2. 1 Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Cantoblanco, Madrid. 2 Centro de Microanálisis de Materiales, Universidad Autónoma de Madrid. Cantoblanco, Madrid. * cprieto@icmm.csic.es La técnica de pulverización catódica (o sputtering) es una de las más versatiles en la preparación de materiales en forma de lámina delgada. Las láminas preparadas mediante sputtering cubren un amplísimo espectro de aplicaciones tanto industriales como científicas. Entre ellas se pueden citar ejemplos en temas tan dispares como preparación de electrodos ultra-estables, recubrimientos duros, capas reflectantes o antireflectantes, memorias magnéticas basadas en multicapas con magnetorresistencia gigante, o materiales semiconductores con impurezas magnéticas para spintronica. Por otro lado, el sputtering ofrece la posibilidad de realizar el depósito bajo una gran diversidad de condiciones experimentales. Por ejemplo, con una buena elección del sustrato y operando a un ritmo de depósito muy lento, puede competir con las técnicas de epitaxia por haces moleculares para la fabricación de muestras epitaxiales; o puede conseguir materiales de composición diferente a los de partida como se hace en las técnicas de sputtering reactivo o co-sputtering. En este trabajo, se expondrán brevemente las características de diversas cámaras de preparación para aplicaciones específicas que se encuentran operativas en la actualidad en nuestro laboratorio; y por otro lado se mostrarán algunos de los aspectos interesantes dentro de los siguientes temas en los que se ha trabajado recientemente. a) Preparación de Si 3 N 4 mediante sputtering reactivo. b) Aumento de las constantes elásticas efectivas del sistema ZnO/Si 3 N 4. c) Láminas de hierro nanocristalino preparadas a bajas temperaturas. d) Epitaxias de manganita de lantano con calcio y estroncio. e) Agregados de Ni en el sistema Ni/Si 3 N 4. f) Preparación de los sistemas Co/ZnO y Mn/ZnO.

15 MECANISMOS DE CRECIMIENTO EN EPITAXIAS DE ÓXIDOS F. Sánchez Institut de Ciència de Materials de Barcelona CSIC, Campus UAB, E Bellaterra, Spain Los óxidos complejos presentan una amplia variedad de propiedades funcionales (ferromagnetismo, superconductidad, ferroelectricidad, etc) y pueden crecerse como capas finas epitaxiales. El crecimiento a partir de una fase vapor es complejo y condiciona la nanoestructura y la superficie de las capas. A pesar de su papel determinante, el conocimiento de los mecanismos de crecimiento de óxidos complejos es aún reducido y ello limita el control de las superficies. Para el desarrollo de estos materiales es crucial disponer tanto de superficies perfectamente planas como de estructuras autoorganizadas. En esta presentación discutiremos sobre los principales factores que determinan el modo de crecimiento en una epitaxia. Analizaremos el crecimiento epitaxial de tres óxidos ferromagnéticos (SrRuO 3, CoCr 2 O 4 y La 0.67 Ca 0.33 MnO 3 ) crecidos mediante sputtering y pulsed laser deposition [1-6]. Señalaremos las diferencias y similitudes con los modos de crecimiento en epitaxias de metales o semiconductores. Mostraremos las posibilidades de crecimiento estrictamente 2D y de formación de estructuras de baja dimensionalidad autoorganizadas, haciendo hincapié en la capacidad de control de la morfología mediante parámetros de crecimiento. [1] F. Sánchez, M.V. García-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela, G. Herranz, B. Martínez, J. Fontcuberta, Transition from three to two-dimensional growth in strained SrRuO 3 films on SrTiO 3 (001), Applied Physics Letters 83, (2003) [2] U. Lüders, F. Sánchez, J. Fontcuberta, Self-organized structures in CoCr 2 O 4 (001) thin films: tunable growth from pyramidal clusters to a {111} fully faceted surface, Physical Review B 70, (2004) [3] F. Sánchez, G. Herranz, I.C. Infante, J. Fontcuberta, M.V. García-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela, Critical effects of substrate terraces and steps morphology on the growth mode of epitaxial SrRuO 3 films, Applied Physics Letter 85, (2004) [4] F. Sánchez, U. Lüders, G. Herranz, I.C. Infante, J. Fontcuberta, M.V. García-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela, Self-organization in complex oxide thin films: from 2-D to 0-D nanostructures of SrRuO 3 and CoCr 2 O 4, Nanotechnology 16, S190-S196 (2005) [5] F. Sánchez, G. Herranz, J. Fontcuberta, M.V. García-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela, Self-organized giant step bunching in SrRuO 3 epitaxial films, Applied Physics Letter, enviado [6] F. Sánchez, I.C. Infante, U. Lüders, Ll. Abad, J. Fontcuberta, Surface roughening by anisotropic adatom kinetics in epitaxial growth of La 0.67 Ca 0.33 MnO 3, Physical Review B, enviado

16 Epitaxy of oxides with high pressure sputtering 1 J. SANTAMARÍA*, V.PEÑA, C. VISANI, D. ARIAS, Z. SEFRIOUI, C. LEON 1 GFMC, Departamento de Física Aplicada III, Universidad Complutense de Madrid, Madrid, Spain; * jacsan@fis.ucm.es In this presentation I will start briefly introducing the fundamentals of the sputtering technique and describe the various operating configurations. The influence of factors like atom mobility on the substrate, ion (resputtering) or electron bombardment, on the growth properties will be discussed and their control using accessible variables (gas pressure, growth temperature, deposition rate, etc.). High pressure pure oxygen sputtering at high temperatures will be presented as a low cost alternative for high quality epitaxial growth of complex oxides. Examples will be given of the growth of cuprates and manganites and on the possibility of tailoring film properties by a controlled growth mode. I will discuss the importance of epitaxial mismatch strain to produce self organized patterns of disorder, allowing for example, to control the superconducting properties of ultrathin layers of cuprates, or to modulate the nanoscale phase separation in maganites.

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19 Claudio Aroca Departamento de Física Aplicada, Universidad Politécnica de Madrid Xavier Borrisé Instituto de Microelectrónica de Barcelona. Centro Nacional de Microelectrónica (IMB-CNM-CSIC) Josep Maria Cirera Instituto de Microelectrónica de Barcelona. Centro Nacional de Microelectrónica (IMB-CNM-CSIC) Miguel Ciria Instituto de Nanociencia de Aragón (INA), Universidad de Zaragoza José María de Teresa Instituto de Ciencia de los Materiales de Aragón (ICMA-CSIC) Ricardo García Instituto de Microelectrónica de Madrid, CSIC M. Ricardo Ibarra Instituto de Nanociencia de Aragón (INA), Universidad de Zaragoza José I. Martín Departamento de Física. Facultad de Ciencias. Universidad de Oviedo Elena Martínez Plataforma de Nanotecnología, Parc Científic de Barcelona Francesc Pérez-Murano Instituto de Microelectrónica de Barcelona. Centro Nacional de Microelectrónica (IMB-CNM-CSIC) Carlos Prieto Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC) Florencio Sánchez Institut de Ciència de Materials de Barcelona, ICMAB CSIC

20 Jacobo Santamaría GFMC, Departamento de Física Aplicada III, Universidad Complutense de Madrid José Santiso Institut de Ciència de Materials de Barcelona, ICMAB CSIC Javier Sesé Instituto de Nanociencia de Aragón (INA), Universidad de Zaragoza