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1 'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2NKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN (/(&75Ï1,&$%È6,&$ 241$.'/#5 FGVTCPUKUVTGUDKRNCTGU c Transistores Bipolares d Polarización y Estabilización

2 ','4%+%+15FGVTCPUKUVTGUDKRNCTGU (/(&75Ï1,&$%È6,&$ Determinar la región de funcionamiento y los valores de I B, I C y V CE en el circuito de la figura, siendo R B igual a: D 300k: E 150k: El transistor empleado tiene E F =100 y una V CEsat. Prescindir de las corrientes de saturación inversas. = 10V R B = 2k: 6ROXFLy D$FWLYR'LUHFWR,% P$,& P$\9&( 9 E 6DWXUDFLy,% P$,& P$ D Determinar los valores de I C yv CE en el circuito de la figura. El transistor tiene E F =100. E Cuál es el mínimo valor de para que el transistor esté justamente saturado? = 1k: R B = 270k: = 1k: V EE = -10V 6ROXFLy D,& P$\9&( 9E 5&.:

3 Determinar los valores de I C y V CE en el circuito de la figura. El transistor tiene E F =125 y E R =2. = 10k: R B = 20k: = 5k: V EE = 5V 6ROXFLy,& P$\9&( 9 El transistor empleado en el circuito representado tiene E F =150 y una corriente inversa de saturación despreciable. D Determinar los valores de I C yv EC. E Repetir D con E F =50. V O = 1k: R B = 400k: = 2k: V EE = 10V 6ROXFLy D,& P$\9(& 9E,& P$\9(& 9 En el circuito representado se emplea un transistor con E F =99 y corriente inversa de saturación despreciable. Los valores son =10V, =2.7k: y R F =180k:, estando R B en circuito abierto. D Hallar los valores de I C yv CE. E Repetir D con E F =199.

4 R F R B 6ROXFLy D,& P$\9&( 9E,& P$\9&( 9 El circuito representado emplea un transistor con E F =100 y los parámetros =15V, V EE =-15V, V BB =0V, =0.5k:, =1k:, y R B =44k:. D Determinar V O1 yv O2. E ué nuevo valor de hace que V O1 =0? F ué nuevo valor de hace que V O2 =0? R B V O1 V BB V O2 V EE 6ROXFLy D E5&.: F5(.: Determinar el valor de V BB en el circuito de la figura anterior con el que justamente se satura el transistor. 6ROXFLy 9%% 9

5 1 R 5 Determinar el punto de trabajo de los transistores 1 y 2 en el circuito de la figura, con los valores =10V, = =22k:, R 3 =R 4 =R 5 =1.2k:, E 1 =E 2 =100 y V BE =0.6V R 3 2 R 4 6ROXFLy,% P$,& P$9&( 9,% P$,& P$9&( 9 En el circuito con transistor de la figura, con los valores =10V, R B =680k:, =1.8k:, E F =200 y V BE =0.65V determinar: D El punto de trabajo del transistor. E Representar el punto de trabajo sobre las curvas características de salida I C =f(v CE, I B ). R B 6ROXFLy D,% P$,& P$9&( 9

6 En el circuito de la figura, con los valores =-10V, =1.8k: y V BE =-0.65V, hallar el valor necesario de R B para que el transistor esté situado en zona activa directa con I C t 2mA para 50 d E F d 100. R B 6ROXFLy.: d 5% d.: En el circuito que se muestra en la figura, con los valores =12V, E F =62 y V BE =0.7V, determinar: D Valor de R B y para que el transistor esté situado en el punto de trabajo V CE =6V, I C =2.2mA. E Representar el punto de trabajo a partir de las curvas características y de la recta de carga estática. R B 6ROXFLy D 5%.:5&.:

7 Determinar los valores de, y para que el transistor de la figura con los valores =12V, =3.3k:, E F =62, V BE =0.6V e I CB0 =1PA, esté situado en el punto de trabajo V CE =5V, I C =1.6mA. El factor de estabilidad frente a variaciones de I CB0 es S ICB0 =10. 6ROXFLy D 5.:5.:5(.: Determinar el valor de las resistencias, y R 3 en el circuito de la figura, con los valores =20V, I R1 =13.75mA, V Z =12V, R Z =22:, V EC =4V, I E =2,5mA, E F =99, V EB =0.7V y V CEsat =0V. ué sucede si se aumenta el valor óhmico de R 3? R 3 6ROXFLy D 5 :5.:5.:

8 En el circuito que se muestra en la figura, con los valores =12V, V CE =5V, I C =2mA, =820:, R T = // =5.33k:, E F =290 y V BE =0.6V, determinar: D Valor de, y si I CB0 =0. E Representar el punto de trabajo a partir de las curvas características y de la recta de carga estática. 6ROXFLy D 5.:5.:5&.: El transistor tipo 2N335, empleado en el circuito de la figura, puede tener cualquier valor de E comprendido entre 36 y 90 a la temperatura de 25ºC, y la corriente inversa de saturación I CB0 tiene efectos despreciables sobre el valor de I C a temperatura ambiente. Si =20V y =4k:, determinar el valor de las resistencias, y para que el transistor esté situado en el punto de trabajo V CE =10V, I C =2mA, con V BE =0.65V, y el valor de la corriente I C esté comprendido entre 1.75mA y 2,25mA cuando E varíe desde 36 a 90. 6ROXFLy 5 N:5.:5(.:

9 En el circuito autopolarizado de la figura, =4.7k:, R T = // =7.75k:. La tensión de alimentación del colector y se ajustan para establecer una corriente de colector de 1.5mA a 25ºC. D Determinar las variaciones de I C en el margen de temperaturas de 65ºC a +175ºC cuando se emplea el transistor de silicio de la Tabla 1. E Repetir D para el margen de temperaturas de 65ºC a +75ºC cuando se emplea el transistor de germanio correspondiente a la Tabla 2. 7$%/$ 3DUiPHWURV7UDVLVWRUGH6LOLFLR 7$%/$ 3DUiPHWURV7UDVLVWRUGH*HUPDLR 7 ž& 7 ž&,&% $ [,&% P$ [ E E 9%( 9 9%( 9 6ROXFLy D 'I& P$'I& E'I& P$'I&

10 En el circuito de la figura ambos transistores son iguales y de características siguientes: ßF entre 100 y 450; V BE =0.7V y V CEsat =0.2V. Se pide polarizar adecuadamente los transistores para que la I C de ambos sea de 1mA y la V CE = / & 5 5 5( Del siguiente circuito se sabe que los dos transistores son iguales y con ßF=250 y V BE =0.6V. Se pide calcular R1 y R2 para que V CE1 =7.5V y V O =0V Datos: =V EE =15V; I 1 =0.5mA, I 2 =4mA 9 && ,, 9 ((

11 Calcular las resistencias de polarización del circuito siguiente para que: I C1 =I C2 =0.5mA; V CE1 =12V y V CE2 =9V. Siendo los dos transistores exactamente iguales y con ßF=250 y V BE =0.6V R R 5 R 4

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