'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC 6ÃEPKEC+PFWUVTKCN 241$.'/#5. de Respuesta en Frecuencia. Estudio de la Respuesta en Frecuencia

Transcripción

1 'UEWGC7PKXGTUKCTKC2QKÃEPKECFGPIGPKGTÈC 6ÃEPKECPFWUTKC (/(&75Ï1,&$%È6,&$ 241$'/#5 de Respuesta en Frecuencia Estudio de la Respuesta en Frecuencia

2 ','4%%15FG4GURWGUCGP (TGEWGPEKC (/(&75Ï1,&$%È6,&$ características: E=120, c bc =12pF, c be =40pF D Calcular el punto de polarización del transistor E Calcular la función de transferencia, A PF : 047PF 20PF 6ROXFLyQD,&4 P$&(4# E $ IFL#]IF#] * características: E=110, c bc =6pF, c be =20pF D Calcular el punto de polarización del transistor E Calcular la función de transferencia, A 1PF : 1PF 68PF 6ROXFLyQD,&4 P$&(4# E $ IFL#]IF#]

3 'GETÎPKEC$ UKEC 2TQDGOCUFG4GURWGUCGP(TGEWGPEKC características: E=100, c bc =20pF, c be =30pF D Calcular el punto de polarización del transistor E Calcular la función de transferencia, A 01PF 01PF 6ROXFLyQD,&4 P$&(4# E $ IFL#]IF#0] características: E=80, c bc =18pF, c be =24pF D Calcular el punto de polarización del transistor E Calcular la función de transferencia, A 10PF 10PF 6ROXFLyQD,&4 P$&(4# E $ IFL#]IF#*] *

4 'GETÎPKEC$ UKEC 2TQDGOCUFG4GURWGUCGP(TGEWGPEKC características: I DSS =6mA, P =6, r ds =f, c gs =6pF, c gd =4pF D Calcular el punto de polarización del transistor E Calcular la función de transferencia, A F Demostrar que para un valor de r ds =100k la función de transferencia no varía de forma significativa 01PF 47PF 0 10PF 6ROXFLyQD,'4 P$*64# E $ IFL#]IF#0] características: I DSS =10mA, P =6, r ds =f, c gs =12pF, c gd =8pF D Calcular el punto de polarización del transistor E Calcular la función de transferencia, A 1PF 68PF 10PF 6ROXFLyQD,'4 P$*64# E $ IFL#]IF#0]

5 'GETÎPKEC$ UKEC 2TQDGOCUFG4GURWGUCGP(TGEWGPEKC En el circuito amplificador presentado en la figura, R S =100:, R B1 =115k:, R B2 =27k:, R C =18k:, R E1 =22:, R E2 =470:, R L =1k:, C 1 =22PF, C 2 =47PF y C E =100PF, siendo las características del transistor bipolar utilizado: E=330, c bc =5pF, c be =35pF D Calcular el punto de polarización del transistor E Calcular la función de transferencia, A frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs CC = 12 R B1 R C C 2 i o R S C 1 R L i i R E1 R B2 R E2 C E 6ROXFLyQD,&4 P$&(4# E $ IFL#]IF#0] En el circuito amplificador presentado en la figura, CC =20, R S =50k:, R B1 =11k:, R B2 =11k:, R C =2k:, R E =500: y R L =2k:, siendo la E del transistor bipolar utilizado y su BE =06 CC R C R B1 C 2 C 1 i L R L i S R S R B2 R E C E Determinar, en la banda de bajas frecuencias D El valor del condensador C E para que fije la frecuencia de corte inferior a f L =20Hz E Los valores mínimos de los condensadores C 1 y C 2 para que la frecuencia de corte inferior f L siga siendo la fijada por el condensador C E F Representar el módulo de la ganancia de corriente del amplificador A I (s)=i L (s)/i S (s) 6ROXFLyQD&( P)E& t P)& t P)

6 'GETÎPKEC$ UKEC 2TQDGOCUFG4GURWGUCGP(TGEWGPEKC características: E=100, c bc =5pF, c be =40pF D Calcular el punto de polarización del transistor E Calcular la función de transferencia, A CC = Z I C 1 = 100PF R B2 = 10k: R B3 = 10k: R C = 1K: C 3 = 25PF R L = 2k: R S = 1k: R B1 = 100k: C 2 = 1PF 6ROXFLyQD,&4 P$&(4# E $ IFL#]IF#] En el circuito amplificador presentado en la figura, los parámetros característicos del transistor JFET utilizado son g m = A/ y r ds =f DD 5 D = 2k: C 1 = 10nF R SG = 2k: C 2 R L = 2k: R G = 1M: R S = 200: Determinar: D El valor del condensador C 2 para que la frecuencia de corte a la que da origen coincida con la introducida por el condensador C 1 E El valor de la ganancia de tensión a frecuencias medias F Calcular los valores de la, y frecuencia de corte superior, f cs 6ROXFLyQD& P)E$ G%FIFL#]IF#0]

7 'GETÎPKEC$ UKEC 2TQDGOCUFG4GURWGUCGP(TGEWGPEKC En el circuito amplificador multietapa presentado en la figura, los parámetros característicos del transistor bipolar utilizado son E=100, y be =07, mientras que los parámetros característicos del transistor JFET son g m =2mA/ y r ds =f Suponer que DD =10 y DSQ =62 DD R G = 1M: R C = 2k: Q 1 Q 2 R L = 1k: R G = 1M: R S = 2k: R E = 500: C E = 40PF Determinar: D La ganancia de tensión del amplificador A m = O / S en la banda de frecuencias medias E El valor de la frecuencia de corte inferior del circuito f L F Representar el diagrama de Bode de la ganancia de tensión del amplificador A (s)= O (s)/ S (s) en la banda de bajas frecuencias 6ROXFLyQD$ G%E&( IFHUR ]ISROR ]I/ ] En el circuito amplificador multietapa presentado en la figura, los parámetros característicos del transistor bipolar utilizado son E=100, y be =065, mientras que los parámetros característicos del transistor JFET son g m =10mA/ y r ds =20k: El valor de CC es 13 CC R B1 = 15k: R C = 26k: R G1 = 3k: R D = 270: v s C 1 = 5PF Q 1 C 2 = 5PF R G3 = 100k: Q 2 R B2 = 26k: R E = 500: C E = 100PF R G2 = 1k: R S = 1k: Determinar: D La ganancia del amplificador A m = O / S en la banda de frecuencias medias E La impedancia de entrada Z I en la banda de frecuencias medias F La ganancia del amplificador A (s)= O (s)/ S (s) en la banda de bajas frecuencias

8 'GETÎPKEC$ UKEC 2TQDGOCUFG4GURWGUCGP(TGEWGPEKC 6ROXFLyQ D $ G% E =,1 : F & IFHUR ] ISROR ] &( IFHUR ] ISROR ] & IFHUR ] ISROR ] En el circuito amplificador multietapa presentado en la figura, los parámetros característicos del transistor bipolar utilizado son E=100, y be =065, mientras que los parámetros característicos del transistor JFET son g m =1mA/ y r ds =f El valor de CC es 14 Calcular el valor del condensador C, asumiendo que el resto de los condensadores son muy grandes, para que la frecuencia de corte inferior del circuito sea f L =5Hz CC R B1 = 27k: R C = 3k: Q 1 C Q 2 R= 200k: R G = 10M: R S = 1k: R B2 = 3k: R E = 300: 6ROXFLyQ& P) En el circuito amplificador multietapa presentado en la figura, los parámetros característicos de los transistores JFET utilizados son g m =10mA/ y r ds =f DD = 35 Z I R 1 = 60k: R 3 = 4k: R 6 = 35k: Z OUT C 1 = 10nF R 3 = 2M: C 2 = 10nF Q 2 C 3 = 2PF R 2 = 10k: Q 1 R 4 = 2k: R 5 = 2M: R 7 = 05k: R L = 05k: Determinar: D El punto de trabajo de ambos transistores, sabiendo que GS1 = GS2 =1 E El margen dinámico en la resistencia de carga R L F La impedancia de entrada Z I, la impedancia de salida Z OUT y la ganancia de tensión A = O / S en la banda de frecuencias medias G La frecuencia de corte a que da lugar cada uno de los condensadores C 1, C 2 y C 3 independientemente, así como la frecuencia de corte global

9 'GETÎPKEC$ UKEC 2TQDGOCUFG4GURWGUCGP(TGEWGPEKC H Representar el diagrama de Bode de la ganancia de tensión del amplificador A (s)= O (s)/ S (s) en la banda de bajas frecuencias 6ROXFLyQ D,'4 P$ '64,'4 P$ '64 E 0' r F =,1 0: =287 : G & ISROR ]& IFHUR ]ISROR ]& IFHUR ]ISROR ]I/ ] IFHUR ] En el circuito amplificador presentado en la figura, los transistores tienen las siguientes características: I DSS =10mA, P =4, r ds =f, c gs =5pF, c gd =5pF D Calcular el punto de polarización de ambos transistores E Calcular la función de transferencia, A 005PF 005PF 005PF 0 100PF 0 100PF 0 6ROXFLyQD,'4 P$*64# E $ IFL#]IF#0] En el circuito amplificador presentado en la figura, los transistores tienen las siguientes características: E=200, c bc =12pF, c be =40pF D Calcular el punto de polarización de ambos transistores E Calcular la función de transferencia, A 10PF 10PF 10PF 20PF 20PF 6ROXFLyQD,&4 P$&(4#

10 'GETÎPKEC$ UKEC 2TQDGOCUFG4GURWGUCGP(TGEWGPEKC E IFL#]IF#] $ En el circuito amplificador CASCODO presentado en la figura, los transistores tienen las siguientes características: E=200, c bc =4pF, c be =36pF D Calcular el punto de polarización de ambos transistores E Calcular la función de transferencia, A P P R 4 L P 4 P 6ROXFLyQD,&4,&4 P$&(4#&(4# E $ IFL#]IF#0] *