Dispositivos Electrónicos

Transcripción

1 ispositivos Electrónicos ÑO: 010 TEM 6: EL TRNITOR MOTFET Rafael de Jesús Navas onzález Fernando idal erdú

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3 1/9 TEM 6: EL TRNITOR MOFET 6.1. Estructura física Estructura Metal Oxido emiconductor (MO) 6.1. El transistor MOFET de enriquecimiento: de canal N y canal P El transistor MOFET de empobrecimiento: de canal N y canal P. 6.. Regiones de operación de un transistor MOFET Región de corte. 6.. Región lineal u óhmica Región saturación El transistor MOFET como elemento de circuito: ariables de circuito y configuraciones básicas: drenador común, fuente común puerta común Curvas características y modelos básicos Circuitos con transistores: Cálculo del punto de trabajo Comportamiento dinámico: Transistor MOFET en conmutación Familias lógicas MO Familias NMO: Puértas Lógicas y Funciones ooleanas 6.4. Familia CMO: Puértas Lógicas y Funciones ooleanas Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

4 /9 TEM 6: EL TRNITOR MOFET OJETIO l estudiar este tema el alumno debe ser capaz de: Explicar de forma cualitativa como se crea un región de inversión en una extructura Metal Oxido emiconductor. Explicar de forma cualitativa las características de la estructura física de los transistores MOFET, tanto los de canal N como los de canal P; y tanto los de enriquecimiento como lo de empobrecimiento. Explicar de forma cualitativa las condiciones y mecanismo de funcionamiento de los transistores MOFET en las diferentes regiones de operación: Region de corte, región óhmica y región de saturación. Identificar el transistor MOFET como elemento de circuito y las variables usadas para su caracterización. Conocer el modelo básico de transistor MOFET (canal N y canal P, de enriquecimiento y de empobrecimiento) en su configuración fuente común en cada una de las regiones de funcionamiento y su relación con sus curvas características. nalizar circuitos básicos con un transistor MO. nalisis C. nalizar e identificar puertas lógicas basicas de las familias NMO y CMO. Conocer forma cualitativa el funcionamiento estatico y dinámico del transistor bipolar en conmutación. Identificar diferentes funciones booleanas de las familias NMO y CMO. Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

5 3/9 LECTUR COMPLEMENTRI Navas onzález R. y idal erdú F. "Curso de ispositivos Electrónicos en Informática y Problemas de Examen Resueltos" Universidad de Málaga/ Manual 70, 006. Tema 6: pag Fernández Ramos, J. y otros, "ispositivos Electrónicos para Estudiantes de Informática" Universidad de Málaga / Manuales 00. Tema 6: pag Pollán antamaría, Tomás, "Electrónica igital I. istemas Combinacionales", Prensas Universitarias de Zaragoza 003. péndice : pag. 7478, TEM7: pag , TEM 8: pag , TEM9: pag Malik, N.R.,"Circuitos Electrónicos. nálisis, imulación y iseño", Editorial PrenticeHall Tema: 5: pag , 3173, y Tema 13: aza. y arcía J. "Ejercicios de ispositivos Electrónicos" Universidad de Málaga/Manuales 003. Tema 4: pag cmosdemo.html Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

6 4/9 Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike ETRUCTUR METLÓXIOEMICONUCTOR METL ÓXIO emiconductor (l) (io ) E E E E Canal N Canal P ILNTE Región de eplexión Región de eplexión

7 EL TRNITOR MO E ENRIQUECIMIENTO 5/9 TRNITOR MO de canal n: NMO substrato drenador puerta fuente I = 0 Región de eplexión p n n p aislante ímbolos del elemento de circuito Región de eplexión TRNITOR MO de canal p: PMO substrato drenador puerta fuente n p n p p ímbolos del elemento de circuito aislante Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

8 EL TRNITOR MO E EMPORECIMIENTO 6/9 TRNITOR MO de canal n: NMO puerta substrato drenador fuente Región de eplexión p n n p canal n ímbolos del elemento de circuito TRNITOR MO de canal p: PMO puerta substrato drenador fuente Región de eplexión n p n p p canal p ímbolos del elemento de circuito Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

9 EL TRNITOR MO E ENRIQUECIMIENTO: REIONE E OPERCIÓN 7/9 ZON E CORTE Para que el transistor conduzca hacemos T I = 0 p n n E Tensión Umbral parece un canal rico en electrones (tipo n) I i > 0 aparece I > 0 n n n p Pero si T no hay canal. I = 0, y estamos en CORTE I n n p Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

10 EL TRNITOR MO E ENRIQUECIMIENTO: REIONE E OPERCIÓN ZON LINEL U ÓHMIC 8/9 El transistor conduce T POITI Y PEQUEÑ = PEQUEÑ CMPO ELÉCTRICO UNIFORME parece un canal n uniforme p T I = 0 n n E I I T n n n p La anchura del canal depende de I n n n 1/R n n n n n n R Corriente de arrastre a través de un conductor cuya sección y conductividad (resistencia) se controla con Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

11 EL TRNITOR MO E ENRIQUECIMIENTO: REIONE E OPERCIÓN 9/9 ZON E TURCIÓN El transistor conduce T POITI Y RNE = CMPO ELÉCTRICO NO UNIFORME RNE < e tiene un canal n no uniforme I p n n E n n n p I FIJ n n n n n n n n n el canal desaparece en el extremo de drenador = T = = T Corriente de difusión que no depende de Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

12 EL TRNITOR MO: CPCIE PRÁIT 10/9 substrato drenador puerta fuente p n n p W (ancho) L (largo) C C p n n C C p C C corresponde a la capacidad de deplexión en la unión substratodrenador C corresponde a la capacidad de deplexión en la unión substratofuente C corresponde a la capacidad parásita entre la puerta y el substrato, con la capa de óxido como dieléctrico C corresponde a la capacidad parásita entre la puerta y el drenador, con la capa de óxido como dieléctrico. C corresponde a la capacidad parásita entre la puerta y la fuente, con la capa de óxido como dieléctrico. C, C y C dependen principalmente de las dimensiones del transistor: W ancho y L Largo, del solapamiento de las regiones pueta fuente y puerta drenador, y del grosor de la capa de óxido, e todas ellas depende fundamentalmente el comportamiento dinámico del transistor MO Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

13 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO 11/9 TRNITOR NMO TRNITOR PMO I I I I v I I Elemento de tres terminales: seis variables de circuito I, I, I,, o bien,, (NMO),, (PMO) sólo cuatro variables independientes: LKI: I I I = 0 LK: = 0 LK: = 0 (NMO) I = 0 I I = 0 LK: = 0 (PMO) Tres configuraciones: FUENTE COMÚN PUERT COMÚN RENOR COMÚN I I I =0 I I I =0 Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

14 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO MOELO ETÁTICO Y CONICIONE 1/9 CORTE I ÓHMIC Ó TURCIÓN CORTE T T TURCIÓN ÓHMIC I TURCIÓN I = β ( T ) FIJ si y T T ÓHMIC = T I = β ( T ) si y T T «T I I β( T ) = R R = ( β( T )) 1 Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

15 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO TL REUMEN E MOELO Y CONICIONE T > 0 β I = ( T ) si T I = β ( T ) si T si y y T REIÓN E TURCIÓN T T T < 0 T > 0 REIÓN E CORTE REIÓN ÓMIC β I = ( T ) si T I = β ( T ) si T si y y T T < 0 T T 13/9 I TRNITOR E EMPORECIMIENTO T < 0 n n campo eléctrico con < 0 T (0,0) PMO n n no hay canal para TRNITOR E CNL P cambia la polaridad de los portadores = T < 0 Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

16 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO 14/9 Ejemplo 1: eterminar el valor de las variables de fuente común que determinan el punto de trabajo del transistor. R N R M = 10 volt. = 5 volt. R = KΩ R = 100KΩ T = 3 volt. β Ν = 0, m/ N I =0 I M R CORTE ÓMIC TURCIÓN si T I = β ( T ) si T y T β I = ( T ) si T y T Ejemplo : En el circuito se sabe que I = 0,5 m. Cálcular el valor de β P de M R N R I R R M = 10 volt. R = 1KΩ R = 9KΩ T = volt. Es claro que M conduce (I >0) Y es necesario determinar si lo hace en óhmica o saturación R I M1: = M: = R I R I M1: = R I = 45, 0 M: = ( R R ) I = 5 0 R/ I = 0 M1 N I I = I R M R > T = 5, M El transistor está en saturación β P I = ( T ) β P = 016m, Ej. 1 ol. I = 0,38m = 5 volt. =1,58volt. Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

17 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO 15/9 Un algoritmo de nálisis Circuito Q 1 Q N Ejemplo: N=1 1. e consideran todas las situaciones posibles, que son M = 3 N, es decir si N = 1, M = 3, en concreto: i=1: M1 CORTE i=: M1 OHMIC i=3: M1 TURCIÓN inicializo la variable i =0. Tomo el caso i = i1 y sustituyo los transistores por los modelos (transparencia anterior) 3. Para todos los transistores compruebo las condiciones bajo las cuales los modelos valen (transparencia anterior) NO e cumplen las condiciones? FIN: CLCULO LO QUE QUIERO EL CIRCUITO I Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

18 16/9 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO Ej 3: En este circuito, determinar el valor de O y el consumo para i =0 y i =. = 5 volt. M1 i TM = 1 volt. O β Μ1 = 0 μ/ i =0) MO M: M TM1 = 1 volt. β Μ = 75 μ/ NMO de empobrecimiento i I = 0 =0 I O I 1 M M1 1 = O Como = 0 > TM M siempre conduce Conducirá en su zona ómica o en saturación dependiendo de si se verifica que TM o bien TM Como = O M conducirá en su zona óhmica siempre que O TM M conducirá en su zona de saturación simpre que O TM MO M1: Como TM < 0 NMO de enriquecimiento TM1 > 0 1 M1 está en corte 1 = i = 0 1 < TM1 I 1 = 0 Para el nudo O se tiene I = I 1 I I 1 = 0 y dado que I = 0 I = I 1 = 0 La situación es tal que M1 está en corte y M conduce pero con corriente nula. Esto solo es posible si M conduce en óhmica! β M M no puede estar en saturación porque en ese caso I = ( TM ) β M I = ( TM ) > 0 por lo que no puede ser I = 0 Con M en zona óhmica I = β M ( TM ) = 0 ( ( TM )( O ) O ) = 0 TM O = En óhmica O TM O ( TM ) O ( TM ) = 0 OLUCIÓN O = P = 0 Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

19 17/9 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO Ej 3: En este circuito, determinar el valor de O y el consumo para i =0 y i =. (Cont.) = 5 volt. M1 i TM = 1 volt. O β Μ1 = 0 μ/ i = ) MO M: MO M1: Como M TM1 = 1 volt. β Μ = 75 μ/ NMO de empobrecimiento TM < 0 Como = 0 > TM M siempre conduce i I = 0 =0 I O I 1 M conducirá en su zona óhmica siempre que O TM M conducirá en su zona de saturación simpre que NMO de enriquecimiento TM1 > 0 1 = i = 1 > TM1 La situación es tal que tanto M1 como M conducen, M1 conduce I = I 1 I I 1 = 0 1 M M1 1 = O Conducirá en su zona ómica o en saturación dependiendo de si se verifica que TM1 o bien TM1 Como 1 = O M1 conducirá en su zona óhmica siempre que O TM1 M1 conducirá en su zona de saturación simpre que O TM1 pero hay que determinar en qué zona lo hace cada uno de ellos e tienen cuatro posibilidades: a) M1 óhmica M óhmica b) M1 óhmica M saturación c) M1 saturación M óhmica d) M1 saturación M saturación En cualquier caso para el nudo O se tiene O TM1 O TM O TM1 O TM O TM1 O TM1 O TM O TM O TM y dado que I = 0 I = I 1 Por lo tanto hay que estudiar esta igualdad en cada uno de los cuatro casos y ver cuál de ellos se verifica Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

20 18/9 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO Ej 3: En este circuito, determinar el valor de O y el consumo para i =0 y i =. (Cont.) = 5 volt. TM1 = 1 volt. TM = 1 volt. I β Μ1 = 0 μ/ β Μ = 75 μ/ i I = 0 =0 I 1 = 0 O I 1 1 M i = ) (Continuación) b) M1 óhmica M saturación M1 1 = O O TM1 O TM nalizamos β M1 ( 1 TM1 ) 1 1 I 1( ohm) = I ( sat) = O 4 β M ( TM ) β M1 ( TM1 ) O O = β M ( TM ) β M1 [ ( TM1 ) O O ] = β M ( TM ) O β M ( TM1 ) O β TM = 0 M1 ustituyendo valores numéricos 7, 5 O 8 O 3, 75 = 0 O = 0, 5 ado que se ha de cumplir O 4 la solución válida es O = 0, 5 Para el cálculo de la potencia se tiene P = I ( sat) β M I ( sat) = ( TM ) = 37, 5μ P = 0, 1775mW Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

21 19/9 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO Ej 4: En este circuito, determinar el valor de O y el consumo para i =0 y i =. = 5 volt. M1 TM = 1 volt. i O β M1 = 0 μ/ i =0) MO M: M TM1 = 1 volt. β M = 75 μ/ PMO de enriquecimiento i I = 0 I O I 1 M M1 1 = O Como = i = > TM M conduce Conducirá en su zona ómica o en saturación dependiendo de cual sea la relación TM o bien TM Como = O M conducirá en su zona óhmica siempre que O TM MO M1: Como TM > 0 M conducirá en su zona de saturación simpre que O TM NMO de enriquecimiento TM1 > 0 I 1 = 0 1 M1 está en corte 1 = i = 0 1 < TM1 I 1 = 0 I Para el nudo O se tiene I = I 1 y dado que I 1 = 0 I = 0 La situación es tal que M1 está en corte y M conduce pero con corriente nula. Esto solo es posible si M conduce en óhmica! β M M no puede estar en saturación por que en ese caso I = ( TM ) β M I = ( TM ) > 0 por lo que no puede ser I = 0 Con M en zona óhmica I = β M ( TM ) = 0 ( TM )( O ) ( O ) = 0 ( TM ) O = En óhmica O TM ( O ) (( TM ) O ) = 0 OLUCIÓN O = P = 0 Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

22 0/9 TRNITOR MO COMO ELEMENTO E CIRCUITO Ej 4: En este circuito, determinar el valor de O y el consumo para i =0 y i =. (Cont.) = 5 volt. M1 TM = 1 volt. i O β M1 = 0 μ/ i = ) MO M: M TM1 = 1 volt. β M = 75 μ/ PMO de enriquecimiento TM > 0 I = 0 I O I 1 Como = i = 0 < TM M está en corte i I 1 = 0 1 M M1 I 1 = O I = 0 MO M1: Como NMO de enriquecimiento TM1 > 0 1 = i = 1 > TM1 M1 conduce Conducirá en su zona ómica o en saturación dependiendo de cual sea la relación 1 TM1 o bien 1 Como 1 = O M1 conducirá en su zona óhmica siempre que O M1 conducirá en su zona de saturación simpre que O Para el nudo O se tiene I = I 1 y dado que I = 0 I 1 = 0 TM1 La situación es tal que M está en corte y M1 conduce pero con corriente nula. Esto solo es posible si M1 conduce en óhmica! β M1 M1 no puede estar en saturación por que en ese caso I 1 = ( 1 TM1 ) β M1 I 1 = ( TM1 ) > 0 por lo que no puede ser I 1 = 0 Con M1 en zona óhmica I 1 = β M1 ( 1 TM1 ) 1 1 = 0 ( TM ) O O = 0 ( TM1 ) O = 0 TM1 TM1 En óhmica O TM1 O ( ( TM1 ) O ) = 0 OLUCIÓN O = 0 P = 0 Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

23 COMPORTMIENTO INÁMICO EL TRNITOR MOFET: NMO EN CONMUTCIÓN Respuesta a un pulso I 1/9 I C I R Característica de Transferencia Corte v O aturación Óhmica v in C1 modela las capacidades parásitas del transistor NMO vistas desde el terminal de drenador Transición corte óhmica Tiempo de propagación de alto a bajo: C1, que está cargado inicialmente, se descarga a través una fuente de corriente: El transistor NMO, inicialmente en aturación y finalmente en Óhmica (resistencia pequeña) Transición óhmica corte Tiempo de propagación de bajo a alto: C1, que está descargado inicialmente, se carga a traves de la resistencia de drenador R (resistencia más elevada) Hay consumo de potencia estático y dinámico Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

24 COMPORTMIENTO INÁMICO EL TRNITOR MOFET: NMO EN CONMUTCIÓN Respuesta a un pulso I /9 I C M I M1 1 Característica de Transferencia Corte v O aturación Óhmica v in C modela las capacidades parásitas de ambos TNMO vistas desde el terminal de salida Transición corte óhmica Tiempo de propagación de alto a bajo: C, que está cargado inicialmente, se descarga a través una fuente de corriente: El transistor M, inicialmente en aturación y finalmente en Óhmica (resistencia pequeña) Transición óhmica corte Tiempo de propagación de bajo a alto: C, que está descargado inicialmente, se carga a traves de luna fuente de corriente: El transistor M1, que trabaja siempre en aturación. Hay consumo de potencia estático y dinámico Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

25 COMPORTMIENTO INÁMICO EL TRNITOR MOFET: CMO EN CONMUTCIÓN Respuesta a un pulso I Mn 3/9 Mp I C3 Mn I Mp Característica de Transferencia v O Corte P Óhm P at N at v in N Óhm C3 modela las capacidades parásitas de ambos TMO vistas desde el terminal de salida Transición corte óhmica Tiempo de propagación de alto a bajo: C3, que está cargado inicialmente, se descarga a través una fuente de corriente: El transistor Mn, inicialmente en aturación y finalmente en Óhmica (resistencia pequeña) Transición óhmica corte Tiempo de propagación de bajo a alto: C3, que está descargado inicialmente, se carga a traves de luna fuente de corriente: El transistor Mp, inicialmente en aturación, y finalmente en Óhmica. ólo hay consumo de potencia en las transiciones: consumo dinámico Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

26 FMILI LÓIC CON TRNITORE MO 4/9 Familia lógica NMO v IN v O (a) (b) (c) (d) O O M t M t o o M M M t puede ser de enriquecimiento M t o Calidad: Fanout: cuantas más puertas, más retraso Margen de ruido: 1.3 Retraso: 10ns Consumo: 0.31mW (crece con la frecuencia) e utiliza para hacer circuitos grandes en un chip Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

27 FMILI LÓIC CON TRNITORE MO Familia lógica CMO 5/9 v IN v O (a) (b) (c) (d) (e) O O M P M P M P M P o M o N M N M N M N Calidad: Fanout: cuantas más puertas, más retraso Margen de ruido:.5 Retraso: 8ns Comparación TTL/MO en cuanto a consumo: cc=5, C L =50pF 100kHz 5 MHz 100MHz Consumo 74L00 (TTL) 3 mw 3.5 mw 5 mw Consumo 74HC00 (CMO) 0.50 mw 3.5 mw 150 mw Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

28 FUNCIONE OOLEN CON TRNITORE MO Funciones ooleanas NMO O C C M t o O M t o 6/9 M M M M C M C C M C Estructura básica NMO C f(,,c,) O f N (,,C,)=f(,,C,) C RE N f N (,,C,) Ejemplos de funciones NMO fc (,,, ) = ( )C f(,, C, ) = ( C) M t o M t M t o o C M C M M C M C M M M M f N (,, C, ) = ( )C f N (,, C, ) = ( C) Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

29 FUNCIONE OOLEN CON TRNITORE MO Funciones ooleanas CMO 7/9 C O C M P M P M P M P M NC M PC o M PC o C M NC M N C M N M N M N Estructura básica CMO C f(,,c,) O C RE P f P (,,C,) O f P (,,C,)=f(,,C,) C RE N f N (,,C,) f N (,,C,)=f(,,C,) Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

30 FUNCIONE OOLEN CON TRNITORE MO C Funciones ooleanas CMO f(,,c,) O C C RE P f P (,,C,) RE N f N (,,C,) O 8/9 fc (,,, ) = ( )C Ejemplos de funciones CMO fc (,,, ) = ( C) f p (,, C, ) = ( )C = = ( C) f p (,, C, ) = ( C) = = ( )C M P M PC M P M P M PC M P M P o M P o C M NC C M N M N M NC M N M N M N M N f N (,, C, ) = ( )C f N (,, C, ) = ( C) Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike

31 FUNCIONE OOLEN CON TRNITORE MO Comparación entre implementaciones Ejemplo: Función fc (,,, ) = ( C) 9/9 Función ooleana NMO (5 transistores) Función ooleana CMO (8 transistores) M t o M PC M M P C M C M P M M M P o C M N Circuito lógico con puertas lógicas diversas: NMO CMO (13 transistores) (16 transistores) fc (,,, ) = ( C) M NC M N M N C Circuito lógico con puertas lógicas NN: NMO CMO (1 transistores) (16 transistores) fc (,,, ) = ( C) C f f Navas onzález, R.; idal erdú, F. (010). ispositivos Electrónicos. Tema 6. ajo licencia Creative Commons ttributionnoncomercialharelike