FET TRANSISTOR CONTROLADO POR VOLTAJE. Por: Ronald Bailey Diplomado en matematica

Tamaño: px
Comenzar la demostración a partir de la página:

Download "FET TRANSISTOR CONTROLADO POR VOLTAJE. Por: Ronald Bailey Diplomado en matematica"

Transcripción

1 FET TRANSISTOR CONTROLADO POR VOLTAJE Por: Ronald Bailey Diplomado en matematica

2 Tipos

3 JFET Canal abierto Vp es un dato obtenido del fabricante (datasheet). Canal cerrado Vp es el voltaje de ahorcamiento, este hace que el canal se cierre por completo y por lo tanto no exista flujo de corriente. Abriendo el canal al alejarse positivamente de Vp, es posible dejar pasar una corriente constante e independiente de la variación de VDS. Si VGS > Vp si existe flujo de corriente.

4 Vt es un dato obtenido del fabricante (datasheet). MOSFET tipo enriquecimiento Canal cerrado Canal abierto Vt es el voltaje de umbral, este hace que el canal se abra para que exista flujo de corriente constante. Abriendo el canal al aumentar positivamente Vt, es posible dejar pasar una corriente constante e independiente de la variación de VDS. Si VGS > Vt si existe flujo de corriente.

5 Modos Modo de agotamiento de portadores. Cuando el canal ya esta construido, por lo tanto el efecto del campo eléctrico consiste en reducirlo o aumentarlo en función de la dirección de aplicación. Modo de enriquecimiento de portadores. Cuando el canal no esta construido y se construye por medio del efecto del campo eléctrico. Se puede usar la grafica ID vs VGS para saber que tipo de transistor se esta trabajando

6 Ecuacion características para la polarización del los transistores FET. Al encontrarse con esta ecuación en los libros se observara el factor K m el cual es utilizado por puros fines didácticos y es un factor que depende de las dimensiones de construcción del transisto 1 VGS VT ID = KmVT 2 1 VGS Aplicando factor común a VT se puede observar esta ecuación en donde K m VT 2 es un factor llamado IDSS en las datasheets. ID = K m (VT VGS) 2 VT 2 Sustituyéndolo en la ecuación se puede observar la ecuación general que rige el funcionamiento de los fet, la cual relaciona la corriente de drenaje con el VGS directamente. ID = ID SS 1 VGS VT 2

7 Valores necesarios para la polarización de FET. ID SS Es un valor que se obtiene en la hoja de datos de transistor. Imagen obtenida de la hoja de datos del transistor JFET K161. VT También es un valor obtenido de la hoja de datos, el cual suele tener un rango. /K161/1

8 Grafica de la ecuación obtenida de la hoja de datos en comparación con una obtenida teóricamente. ID = ID SS Practica: tomada desde la hoja de datos 1 VGS VT 2 Teórica: Generada con wólfram mathematica 11 Esta grafica esta en amperios. Las partes que crecen a la izquierda se ignoran ya que no es posible que el transistor deje pasar corriente de esa forma. Grafica de hoja de datos deljfet K161

9 Ecuaciones de wólfram mathematica. Para definir la función: ID[IDSS_, VGS_, VP_ ሿ: = IDSS 1 VGS VP 2 Plot[ Para graficar la función: ID[0.01, VGS, 1.8 ሿ, ID[0.008, VGS, 1.4 ሿ, ID[0.006, VGS, 1.2 ሿ, ID[0.004, VGS, 1 ሿ, ID[0.002, VGS, 0.8 ሿ, ID[0.001, VGS, 0.4 ሿ, VGS, 2,0 ሿ

10 Polarización de transistor. V TH threshold-voltage 2N3370 V GS(off) = V T = V TH = V P En algunas hojas de datos puede encontrarse con cualquiera de estos nombres. V GS(off) = -3.2V 0.1 ma Id SS 0.6 ma Tabla tomada de la hoja de datos del transistor ts-1/solitron_devices/2n3370.pdf

11 Ecuación: ID[IDSS_, VGS_, VP_ ሿ: = IDSS 1 VGS VP 2 Utilizando los valores máximos para obtener la grafica mas extensa. ID[0.6mA, VGS_, 3.2Vሿ VGS Plot[ VGS 2, VGS, 3.2,0 ሿ Grafica teórica ID vs VGS creada con Wolfram mathematica 11.

12 Extendiendo la grafica para observar el comportamiento de la corriente ID. Grafica teórica ID vs VGS extendida para observar la corriente a 5V creada con Wolfram mathematica 11.

13 Como los transistores fet son tan versátiles y sus valores dependen mucho del fabricante por lo cual seria necesario hacer los siguientes experimentos para determinar sus graficas de transferencia.

14 Encontrar la grafica ID vs VGS Para generar la curva ID vs vgs. 1- Colocar la fuente B1 constante. 2- Variar la fuente B2 e ir midiendo la corriente ID. La fuente B2 tiene que variar V < B2 > V En donde V es un voltaje que no supere el máximo sugerido por La hoja de datos.

15 Encontrar la grafica ID vs VDS Para generar la curva ID vs VDS. 1- Colocar la fuente B2 constante. 2- Variar la fuente B1 mientras se va midiendo la corriente ID. La fuente B1 tiene que variar V < B2 > V En donde V es un voltaje que no supere el máximo sugerido por La hoja de datos.

16

IG = 0 A ID = IS. ID = k (VGS - VT) 2

IG = 0 A ID = IS. ID = k (VGS - VT) 2 INTRODUCCION El transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. El FET tiene más similitudes con un transistor bipolar que diferencias. Debido a esto casi todos los tipos de

Más detalles

Práctica 11. El JFET y la distorsión alineal

Práctica 11. El JFET y la distorsión alineal 2011 MI. Mario Alfredo Ibarra Carrillo 2011 26/02/2011 Práctica 11. El JFET y la distorsión alineal MI. Mario Alfredo Ibarra Carrillo 26/02/2011 2 3 Objetivos: 1. Obtener experimentalmente la curva corriente

Más detalles

EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO

EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO Se define Para la región triodo (zona ohmica) VGS

Más detalles

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Tema 7 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 1.- Introducción. 2.- Transistores de unión de efecto de campo (JFET). 2.1.- Estructura Básica. 2.2.- Símbolos. 2.3.- Principio de funcionamiento. 2.3.1.- Influencia

Más detalles

A.3. El transistor unipolar

A.3. El transistor unipolar A.3. El transistor unipolar A.3.1. ntroducción transistor de efecto de campo o FET dos tipos básicos: -JFET => controlado por tensión - MOSFET A.3.2. Caracterización de los transistores unipolares A.3.2.1.

Más detalles

CONSULTA PREVIA La información necesaria para el desarrollo de la práctica, se encuentra disponible al menos en las siguientes referencias.

CONSULTA PREVIA La información necesaria para el desarrollo de la práctica, se encuentra disponible al menos en las siguientes referencias. OBJETIVOS 1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores JFET. 2. Familiarizar al estudiante con el uso de los manuales de los fabricantes de transistores FET para entender y manejar

Más detalles

Fundamentos del transitor MOSFET

Fundamentos del transitor MOSFET Fundamentos del transitor MOSFET Lección 04.1 Ing. Jorge Castro-Godínez EL2207 Elementos Activos Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica I Semestre 2014 Jorge Castro-Godínez

Más detalles

EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO

EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO De la ecuación que define el umbral VDS = VGS -Vth

Más detalles

CARACTERISTICAS DEL JFET.

CARACTERISTICAS DEL JFET. Electrónica I. Guía 4 1 / 1 CARACTERISTICAS DEL JFET. Facultad: Ingeniería. Escuela: Electrónica. Asignatura: Electrónica I. Lugar de ejecución: Fundamentos Generales (Edificio 3, 2da planta, Aula 3.21).

Más detalles

VGD = 0 < Vt = 2 Están en saturación Ecuaciones en el circuito MOSFET de la izquierda Iref = ID:

VGD = 0 < Vt = 2 Están en saturación Ecuaciones en el circuito MOSFET de la izquierda Iref = ID: ESPEJO DE CORRIENTE CON MOSFET Hallar los valores de los voltajes y corrientes en el circuito. VGD = 0 < Vt = 2 Están en saturación Ecuaciones en el circuito MOSFET de la izquierda Iref = ID: Ecuación

Más detalles

Polarización del FET

Polarización del FET Polarización del FET J.I, Huircán Universidad de La Frontera December 9, 0 Abstract Se muestran las redes de polarización ja y autopolarización para el JFET. En ambas se plantean la malla de entrada y

Más detalles

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. Dispositivos unipolares

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. Dispositivos unipolares Diapositiva 1 Concepto Su funcionamiento se basa en el control de la corriente mediante un campo eléctrico. Dispositivos unipolares La corriente depende únicamente del flujo de portadores mayoritarios

Más detalles

EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO MOSFET El MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), tiene tres terminales fuente, puerta y drenador. Sin embargo, a diferencia del JFET, la puerta está aislada eléctricamente del canal. Por esta causa, la

Más detalles

MOSFET Conceptos Básicos

MOSFET Conceptos Básicos MOSFET Conceptos Básicos Profesor: Ing. Johan Carvajal Godínez Introducción FET = Field Effect Transistor Unipolar = solo un tipo de portador de carga Controlado por voltaje ID=F (VGS) D Zonas de agotamiento

Más detalles

2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET de Empobrecimiento

2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET de Empobrecimiento TRANSISTORES FET e IGBT 1 1. Transistores de Efecto de Campo de Unión (FET). Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada.1. MOSFET de Enriquecimiento.. MOSFET de Empobrecimiento 3. Transistor Bipolar

Más detalles

EL TRANSISTOR MOSFET. * Las siglas MOSFET corresponden a la descripción de su estructura:

EL TRANSISTOR MOSFET. * Las siglas MOSFET corresponden a la descripción de su estructura: EL TRANSISTOR MOSFET * Las siglas MOSFET corresponden a la descripción de su estructura: METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR. * En

Más detalles

EL42A - Circuitos Electrónicos

EL42A - Circuitos Electrónicos EL42A - Circuitos Electrónicos Clase No. 12: Transistores de Efecto de Campo (3) Patricio Parada pparada@ing.uchile.cl Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de Chile 10 de Septiembre de 2009

Más detalles

BIBLIOGRAFÍA 2.1 INTRODUCCIÓN 2.1 INTRODUCCIÓN (2) Tema 3: EL TRANSISTOR FET

BIBLIOGRAFÍA 2.1 INTRODUCCIÓN 2.1 INTRODUCCIÓN (2) Tema 3: EL TRANSISTOR FET BIBLIOGRAFÍA Tema 3: EL TRANSISTOR FET.1 Introducción. El Mosfet de acumulación Funcionamiento y curvas características Polarización.3 El Mosfet de deplexión Funcionamiento y curvas características.4 El

Más detalles

Polarización de transistores y estabilidad

Polarización de transistores y estabilidad Polarización de transistores y estabilidad. Carrillo, J.I. Huircan Abstract Se tienen tres formas básicas para la polarización de un BJT y un FET: polarización ja, autopolarización y polarizacion universal.

Más detalles

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉICO FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN LICENCIATURA: INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES, SISTEMAS Y ELECTRÓNICA DENOMINACIÓN DE LA ASIGNATURA: Dispositivos y Circuitos

Más detalles

TEMA 17: Polarización de FETs 17.1

TEMA 17: Polarización de FETs 17.1 Índice TEMA 17: Polarización de FETs 17.1 18.1. INTRODUCCIÓN 17.1 18.2. CIRCUITO DE AUTOPOLARIZACIÓN DE FUENTE 17.3 18.3. CIRCUITO PARA UN FET DE ACUMULACIÓN 17.4 18.4. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN CON CUATRO

Más detalles

FUNDAMENTOS DE CLASE 4: TRANSISTOR BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

FUNDAMENTOS DE CLASE 4: TRANSISTOR BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA CLASE 4: TRANSISTOR BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR TRANSISTOR Es un tipo de semiconductor compuesto de tres regiones dopadas. Las uniones Base-Emisor y base colector se comportan

Más detalles

MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET

MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET MODULO Nº12 TRANSISTORES MOSFET UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC TEMAS: Transistores MOSFET. Parámetros del Transistor MOSFET. Conmutación de Transistores MOSFET. OBJETIVOS: Comprender el funcionamiento del

Más detalles

Práctica 2 Transistores, Curvas BJT y FET

Práctica 2 Transistores, Curvas BJT y FET Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Vacaciones Junio 2014 Auxiliar: Edvin Baeza Práctica 2 Transistores,

Más detalles

Fuentes de corriente

Fuentes de corriente Fuentes de corriente 1) Introducción En Electrotecnia se estudian en forma teórica las fuentes de corriente, sus características y el comportamiento en los circuitos. Desde el punto de vista electrónico,

Más detalles

La información necesaria para el desarrollo de la práctica, se encuentra disponible al menos en las siguientes referencias.

La información necesaria para el desarrollo de la práctica, se encuentra disponible al menos en las siguientes referencias. Electromecánica Laboratorio de Electrónica I. Segundo Semestre 215 OBJETIVOS 1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores BJT. 2. Obtener la ganancia del circuito a partir del

Más detalles

INFORME DE. puntos de medición

INFORME DE. puntos de medición UNIVERSIDADD SIMON BOLIVAR Departamento de Electrónica y Circuitos EC 1113 Circuitos Electrónicos (Laboratorio) INFORME DE PRACTICAA Nº2 Verificar Conceptos Teóricos Relacionados con: Características Corriente-Voltaje

Más detalles

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Compilación y armado: Sergio Pellizza Dto. Apoyatura Académica I.S.E.S. En el capítulo anterior hemos visto que en los transistores bipolares una pequeña corriente de

Más detalles

PRÁCTICA PF2 MODOS DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

PRÁCTICA PF2 MODOS DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO elab, Laboratorio Remoto de Electrónica TESM, epto. de ngeniería Eléctrica PRÁCTCA PF2 MOOS E OPERACÓN EL TRANSSTOR E EFECTO E CAMPO OBJETOS Conocer los diferentes modos de operación del transistor de

Más detalles

Pr.A Boletín de problemas de la Unidad Temática A.I: Características principales y utilización

Pr.A Boletín de problemas de la Unidad Temática A.I: Características principales y utilización Pr.A Boletín de problemas de la Unidad Temática A.I: Características principales y utilización Pr.A.1. El diodo 1. Obtener de forma gráfica la corriente que circula por el diodo del siguiente circuito

Más detalles

INDICE. Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos

INDICE. Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos Prologo I: Prologo a la electrónica Avance Breve historia Dispositivos pasivos y activos Circuitos electrónicos INDICE Circuitos discretos e integrados Señales analógicas y digitales Notación 3 Resumen

Más detalles

17. CURVA CARACTERÍSTICA DE UNA LÁMPARA

17. CURVA CARACTERÍSTICA DE UNA LÁMPARA 17. CURVA CARACTERÍSTICA DE UNA LÁMPARA OBJETIVO Medir las resistencias de los filamentos metálicos y de carbón de dos tipos de lámpara al variar la intensidad de corriente que pasa por los mismos. Representar

Más detalles

17. CURVA CARACTERÍSTICA DE UNA LÁMPARA

17. CURVA CARACTERÍSTICA DE UNA LÁMPARA 17. CURVA CARACTERÍSTICA DE UNA LÁMPARA OBJETIVO Medir las resistencias de los filamentos metálicos y de carbón de dos tipos de lámpara al variar la intensidad de corriente que pasa por los mismos. Representar

Más detalles

Carrera: ELC Participantes Representante de las academias de la carrera de Ingeniería Eléctrica de los Institutos Tecnológicos.

Carrera: ELC Participantes Representante de las academias de la carrera de Ingeniería Eléctrica de los Institutos Tecnológicos. .- DATOS DE LA ASIGNATURA Nombre de la asignatura: Carrera: Clave de la asignatura: Horas teoría-horas práctica-créditos Electrónica Analógica Ingeniería Eléctrica ELC-055 --0.- HISTORIA DEL PROGRAMA Lugar

Más detalles

CARACTERISTICAS DEL JFET.

CARACTERISTICAS DEL JFET. Electrónica I. Guía 10 1 / 10 CARACTERISTICAS DEL JFET. Facultad: Ingeniería. Escuela: Electrónica. Asignatura: Electrónica I. Lugar de ejecución: Fundamentos Generales (Edificio 3, 2da planta, Aula 3.21).

Más detalles

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA PRÁCTICA N 5

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA PRÁCTICA N 5 ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Campus Politécnico "J. Rubén Orellana R." FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Carrera de Ingeniería Electrónica y Control Carrera de Ingeniería Eléctrica LABORATORIO

Más detalles

TEMA 6 ESTABILIDAD EN EL PUNTO DE TRABAJO

TEMA 6 ESTABILIDAD EN EL PUNTO DE TRABAJO TEMA 6 ESTABILIDAD EN EL PUNTO DE TRABAJO (Guía de lases) Asignatura: Dispositivos Electrónicos I Dpto. Tecnología Electrónica ONTENIDO Introducción Estabilidad en el punto de trabajo Punto de trabajo

Más detalles

PRÁCTICA 1. AMPLIFICADORES MONOETAPA CON BJT

PRÁCTICA 1. AMPLIFICADORES MONOETAPA CON BJT PRÁCTICA 1. AMPLIFICADORES MONOETAPA CON BJT 1. Objetivo El objetivo de la práctica es comprobar experimentalmente la amplificación de dos monoetapas con un transistor BJT (emisor común y colector común)

Más detalles

CAPÍTULO 3 CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

CAPÍTULO 3 CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CAPÍTULO 3 CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO En este trabajo, uno de los objetivos es la fabricación de transistores de efecto de campo y la caracterización de los mismos, por lo tanto,

Más detalles

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA PRÁCTICA N 5

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA PRÁCTICA N 5 ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Campus Politécnico "J. Rubén Orellana R." FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Carrera de Ingeniería Electrónica y Control Carrera de Ingeniería Eléctrica LABORATORIO

Más detalles

DATOS DE IDENTIFICACIÓN DEL CURSO

DATOS DE IDENTIFICACIÓN DEL CURSO DATOS DE IDENTIFICACIÓN DEL CURSO DEPARTAMENTO: ELECTRÓNICA ACADEMIA A LA QUE Electrónica Analógica Básica PERTENECE: NOMBRE DE LA MATERIA: Laboratorio de Electrónica 1 CLAVE DE LA MATERIA: ET 204 CARÁCTER

Más detalles

J-FET de canal n J-FET (Transistor de efecto campo de unión) J-FET de canal p FET

J-FET de canal n J-FET (Transistor de efecto campo de unión) J-FET de canal p FET I. FET vs BJT Su nombre se debe a que el mecanismo de control de corriente está basado en un campo eléctrico establecido por el voltaje aplicado al terminal de control, es decir, a diferencia del BJT,

Más detalles

'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN 241$.'/#5 FGVTCPUKUVQTGU/15('6

'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN 241$.'/#5 FGVTCPUKUVQTGU/15('6 'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN (/(&75Ï1,&$%È6,&$ 241$'/#5 FGVTCPUKUVQTGU/15('6 ','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU/15('6 (/(&75Ï1,&$%È6,&$ D Un determinado transistor MOSFET de enriquecimiento

Más detalles

Función de Transferencia en dispositivos eléctricos. Taller de Construcción de Efectos, U2 Sesión 1

Función de Transferencia en dispositivos eléctricos. Taller de Construcción de Efectos, U2 Sesión 1 Función de Transferencia en dispositivos eléctricos Taller de Construcción de Efectos, U2 Sesión 1 Definición La Función de Transferencia de un sistema es una expresión matemática que relaciona la salida

Más detalles

Práctica 3. Diseño de un Transistor BJT en el Punto de Operación

Práctica 3. Diseño de un Transistor BJT en el Punto de Operación Práctica 3. Diseño de un Transistor BJT en el Punto de Operación Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Electrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Primer

Más detalles

Práctica 3. Diseño de un Transistor BJT en el Punto de Operación

Práctica 3. Diseño de un Transistor BJT en el Punto de Operación Práctica 3. Diseño de un Transistor BJT en el Punto de Operación Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Electrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 1 Auxiliar:

Más detalles

TRANSISTOR FET. TRANSISTOR FET (Introducción).

TRANSISTOR FET. TRANSISTOR FET (Introducción). TRANSISTOR FET TRANSISTOR FET (Introducción). Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores

Más detalles

PRÁCTICA PD4 REGULACIÓN DE VOLTAJE CON DIODOS ZENER

PRÁCTICA PD4 REGULACIÓN DE VOLTAJE CON DIODOS ZENER elab, Laboratorio Remoto de Electrónica ITEM, Depto. de Ingeniería Eléctrica PRÁCTICA PD4 REGULACIÓN DE OLTAJE CON DIODO ENER OBJETIO Analizar teóricamente y de forma experimental la aplicación de diodos

Más detalles

Tema 3: COMPONENTES NO LINEALES: DIODOS

Tema 3: COMPONENTES NO LINEALES: DIODOS Tema 3: COMPOETES O LIEALES: DIODOS Mª del Carmen Coya Párraga Fundamentos de Electrónica 1 Índice: 3.1) Introducción a los elementos de circuitos no lineales: Propiedades básicas. Análisis gráfico con

Más detalles

El Diodo. Lección Ing. Jorge Castro-Godínez. II Semestre Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica

El Diodo. Lección Ing. Jorge Castro-Godínez. II Semestre Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica El Diodo Lección 03.1 Ing. Jorge Castro-Godínez Escuela de Ingeniería Electrónica Instituto Tecnológico de Costa Rica II Semestre 2013 Jorge Castro-Godínez El Diodo 1 / 29 Contenido 1 Modelo del Diodo

Más detalles

Transistor MOSFET ELEMENTOS ACTIVOS EL-2207 I SEMESTRE 2011

Transistor MOSFET ELEMENTOS ACTIVOS EL-2207 I SEMESTRE 2011 Transistor MOSFET ELEMENTOS ACTIVOS EL-2207 I SEMESTRE 2011 ITCR - Elementos Activos I 2011 Objetivos El transistor de efecto de campo MOSFET y la tecnología CMOS (6 semanas) Construcción, símbolo, clasificación.

Más detalles

SECUENCIA DIDÁCTICA. Módulo IV Competencia de Módulo:

SECUENCIA DIDÁCTICA. Módulo IV Competencia de Módulo: SECUENCIA DIDÁCTICA Nombre de curso: Electrónica Analógica Antecedente: NINGUNO Clave de curso: MII3604C11 Clave de antecedente: NINGUNA Módulo IV Competencia de Módulo: Aplicar las ciencias básicas para

Más detalles

UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA

UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA UNIDAD2: SEMICONDUCTORES ING. JUAN M. IBUJÉS VILLACÍS, MBA Qué es un semiconductor? Es un material con una resistividad menor que un aislante y mayor que un conductor.

Más detalles

PRÁCTICA 10. EMISOR COMÚN Y COLECTOR COMÚN

PRÁCTICA 10. EMISOR COMÚN Y COLECTOR COMÚN PRÁCTICA 10. EMISOR COMÚN Y COLECTOR COMÚN 1. Objetivo El objetivo de la práctica es comprobar experimentalmente la amplificación de dos monoetapas con un transistor BJT (emisor común y colector común)

Más detalles

MEDICIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL TIRISTOR

MEDICIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL TIRISTOR Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 4 Segundo Semestre 2013 Auxiliar: Mario Castro Practica #2 MEDICIÓN DE

Más detalles

1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IB VC VB IE

1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IB VC VB IE Ejercicios relativos al transistor bipolar Problemas de transistores BJT en estática 1.- Estudiar los diferentes modos de operaci on del BJT de la figura en función de v I (V BE ~ 0.7 V). IC IB VC VB

Más detalles

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO Field Effect Transistor (FET)

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO Field Effect Transistor (FET) EL TRANITOR E EFECTO E CAMPO Field Effect Transistor (FET) 1 INTROUCCIÓN Hasta ahora hemos estudiado el transistor bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor). Pero, si bien es el fundamento del desarrollo

Más detalles

CAPÍTULO 5 ARREGLO EXPERIMENTAL 5.1 INTRODUCCIÓN 5.2 GENERACIÓN DE MICROONDAS

CAPÍTULO 5 ARREGLO EXPERIMENTAL 5.1 INTRODUCCIÓN 5.2 GENERACIÓN DE MICROONDAS CAPÍTULO 5 ARREGLO EXPERIMENTAL 5.1 INTRODUCCIÓN En este capítulo se presenta una técnica fotónica que permite medir la potencia de reflexión en una antena microstrip, como resultado de las señales de

Más detalles

REVISTA COLOMBIANA DE FISICA, VOL. 33, No

REVISTA COLOMBIANA DE FISICA, VOL. 33, No CÁLCULO DE LA CONSTANTE DE BOLTZMAN A PARTIR DE MEDIDAS DE LA CARACTERÍSTICA IV DE UNA CELDA SOLAR. M. Grizález*, C. Quiñones y G. Gordillo Departamento de Física, Universidad Nacional de Colombia, Bogotá,

Más detalles

Transistor de Juntura de Efecto de Campo Es unipolar con canal tipo n o tipo p Dopado Gate > dopado canal

Transistor de Juntura de Efecto de Campo Es unipolar con canal tipo n o tipo p Dopado Gate > dopado canal TRANSISTOR J-FET Transistor de Juntura de Efecto de Campo Es unipolar con canal tipo n o tipo p Dopado Gate > dopado canal Símbolos: Canal n y p Funcionamiento Con V G = 0 y V D = 0 habrá una pequeña zona

Más detalles

INTRODUCCIÓN: OBJETIVOS:

INTRODUCCIÓN: OBJETIVOS: INTRODUCCIÓN: En el desarrollo de esta práctica se observará experimentalmente el comportamiento del transistor bipolar BJT como amplificador, mediante el diseño, desarrollo e implementación de dos amplificadores

Más detalles

Control de Lazo Cerrado

Control de Lazo Cerrado Control de Lazo Cerrado N de práctica: 3 Tema Correspondiente: Análisis del Lazo Cerrado Nombre completo del alumno Firma N de brigada: Fecha de elaboración: Grupo: Elaborado por: Revisado por: Autorizado

Más detalles

UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA SÍLABO ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA SÍLABO ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SÍLABO ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS CÓDIGO: IEE303 1. DATOS GENERALES 1.1. DEPARTAMENTO ACADÉMICO : Ing. Electrónica e Informática 1.2. ESCUELA PROFESIONAL : Ingeniería Electrónica 1.3. CICLO

Más detalles

UNIDAD II FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN. ACT 10 TRABAJO COLABORATIVO No. 2

UNIDAD II FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN. ACT 10 TRABAJO COLABORATIVO No. 2 UNIDAD II FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN ACT 10 TRABAJO COLABORATIVO No. 2 Nombre de curso: Electrónica Básica - 201419 Temáticas revisadas: El FET, polarizaciones del FET y otros dispositivos PNPN Aspectos

Más detalles

PR-5. PRÁCTICA REMOTA Respuesta de motores de corriente continua. Equipo modular Feedback MS-150

PR-5. PRÁCTICA REMOTA Respuesta de motores de corriente continua. Equipo modular Feedback MS-150 PR-5. PRÁCTICA REMOTA Respuesta de motores de corriente continua. Equipo modular Feedback MS-150 Realizado: Laboratorio Remoto de Automática (LRA-ULE) Versión: Páginas: Grupo SUPPRESS (Supervisión, Control

Más detalles

TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA ESCUELA UNIVERSITARIA POLITECNICA Segundo Curso INGENIERÍA TÉCNICA INDUSTRIAL Especialidad ELECTRICIDAD. Sección ELECTRÓNICA REGULACIÓN Y AUTOMATISMOS Prog. de la asignatura TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA CURSO

Más detalles

1] Analizar los símbolos utilizados para BJT y FET. Qué indica cada elemento de los mismos?

1] Analizar los símbolos utilizados para BJT y FET. Qué indica cada elemento de los mismos? CONTENIDOS Tipos de transistores: BJT y FET; p-n-p y n-p-n; JFET y MOSFET. Propiedades. Regiones de trabajo. Configuraciones de uso. Su utilización en circuitos digitales. Resolución: 1] Analizar los símbolos

Más detalles

ELECTRÓNICA TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO:

ELECTRÓNICA TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO: TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO: Introducción Construcción y características de los JFET Transistores de efecto de campo de compuerta aislada (MOS o MOSFET) El transistor IGBT 4 B 2010 W illiam Bradford

Más detalles

PARAMETRIZACIÓN DE LA CURVA DE MAGNETIZACIÓN DE UN TRANSFORMADOR

PARAMETRIZACIÓN DE LA CURVA DE MAGNETIZACIÓN DE UN TRANSFORMADOR PARAMETRIZACIÓN DE LA CURVA DE MAGNETIZACIÓN DE UN TRANSFORMADOR Autores: Alejandro Gudiño (1), Juan Francisco Russo (2) Universidad Tecnológica Nacional, Facultad Regional San Francisco, Grupo GISENER.

Más detalles

Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE

Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3 EL PROBLEMA DE LA POLARIZACIÓN. FUENTES Y ESPEJOS DE CORRIENTE Tema 3: Condiciones generales Todo amplificador consta de un núcleo en el que hay un transistor (Dos, si es diferencial) Se tratará

Más detalles

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO Indice Pag. 6.1 Introducción al transistor de efecto de campo...2 6.2 Construcción y características de los JFET...3 6.3 Características de transferencia...10 7.1 Configuración

Más detalles

POLARIZACION DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION J-FET (JUNTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)

POLARIZACION DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION J-FET (JUNTION FIELD EFFECT TRANSISTOR) POLAZACON DEL TANTO DE EFECTO DE CAMPO DE UNON J-FET (JUNTON FELD EFFECT TANTO) TEOA PEA El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas con respecto del transistor

Más detalles

MOSFET de Potencia. 1. Introducción. 2. Estructura. 3. Física de la operación del dispositivo y características estáticas de funcionamiento.

MOSFET de Potencia. 1. Introducción. 2. Estructura. 3. Física de la operación del dispositivo y características estáticas de funcionamiento. de Potencia 1. Introducción. 2. Estructura. 3. Física de la operación del dispositivo y características estáticas de funcionamiento. 4. Modelo. 5. Hoja de datos y Simulación. 6. Proceso de Hard-Switching.

Más detalles

TRABAJO PRÁCTICO Nº 4 EL DIODO ZENER

TRABAJO PRÁCTICO Nº 4 EL DIODO ZENER E.T. Nº 17 - D.E. X eg. PÁCTCAS UNFCADAS TABAJO PÁCTCO Nº 4 EL DODO ENE 1) ntroducción Teórica El ener es un diodo semiconductor que presenta en polarización directa, una característica exactamente idéntica

Más detalles

Fuentes Reguladas Lineales

Fuentes Reguladas Lineales Fuentes Reguladas ineales 1 Fuentes Reguladas Clasificaciones. Fuentes reguladas Discretas Fuentes reguladas ntegradas Reguladores Series Reguladores en paralelo 2 1 Fuentes Reguladas Diagrama en bloque

Más detalles

Ecuaciones de Maxwell

Ecuaciones de Maxwell Ecuaciones de Maxwell Jana Rodriguez Hertz Cálculo 3 IMERL 2 de junio de 2011 introducción ecuaciones de Maxwell ecuaciones de Maxwell conjunto de ecuaciones en derivadas parciales que describen los fenómenos

Más detalles

PRÁCTICA 2: MODULACIONES ANGULARES. Modulación FM

PRÁCTICA 2: MODULACIONES ANGULARES. Modulación FM PRÁCTICA 2: MODULACIONES ANGULARES Modulación FM Práctica 2: Modulaciones Angulares - Modulación FM Pag 2 1.- OBJETIVOS: Modulación de Frecuencia: FM Modulación de Frecuencia Comprobar el funcionamiento

Más detalles

PRACTICA Nº 7 CARACTERISTICAS DEL BJT, AMPLIFICADOR EMISOR COMUN

PRACTICA Nº 7 CARACTERISTICAS DEL BJT, AMPLIFICADOR EMISOR COMUN UNIVERSIDAD SIMON BOLIVAR DPTO. ELECTRONICA Y CIRCUITOS LAB. CIRCUITOS ELECTRONICOS EC3192 PRACTICA Nº 7 CARACTERISTICAS DEL BJT, AMPLIFICADOR EMISOR COMUN OBJETIVO * Familiarizar al estudiante con el

Más detalles

CONTROL A LAZO ABIERTO PARA UN MOTOR DC SIMPLE RESUMEN

CONTROL A LAZO ABIERTO PARA UN MOTOR DC SIMPLE RESUMEN CONTROL A LAZO ABIERTO PARA UN MOTOR DC SIMPLE Pablo A. Velásquez G. Departamento de Ingeniería Eléctrica y Computación, The Ohio State University Email: velasquezgarrido.1@osu.edu RESUMEN Este artículo

Más detalles

Resolución de circuitos RLC mediante la aplicación de Transformadas de Laplace

Resolución de circuitos RLC mediante la aplicación de Transformadas de Laplace Resolución de circuitos RLC mediante la aplicación de Transformadas de Laplace Cristian Iván Eterovich Estudiante de Ingeniería Electricista/Electrónica/en Sistemas de Computación Universidad Nacional

Más detalles

Capítulo 1. Historia y fundamentos físicos de un transistor.

Capítulo 1. Historia y fundamentos físicos de un transistor. Capítulo 1. Historia y fundamentos físicos de un transistor. 1.1 Fundamentos del transistor TBJ 1.1.1 Corrientes en un transistor de unión o TBJ El transistor bipolar de juntura, o TBJ, es un dispositivo

Más detalles

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA FACULTAD DE TECNOLOGÍAS ESCUELA DE TECNOLOGÍA MECÁNICA

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA FACULTAD DE TECNOLOGÍAS ESCUELA DE TECNOLOGÍA MECÁNICA PRÁCTICA 3. ESTABLECER LAS CURVAS DE CARGAS Y DESCARGA DE UN CAPACITOR ELECTROLÍTICO EN C.C OBJETIVOS Realizar el cálculo teórico del tiempo de carga de un capacitor electrolítico. Conocer y manejar la

Más detalles

Marzo CORRIENTE GISPUD. c) Potencia consumida por el condensador a través del tiempo;.

Marzo CORRIENTE GISPUD. c) Potencia consumida por el condensador a través del tiempo;. Marzo 2012 http:///wpmu/gispud/ Ejercicio 2. Corriente Eléctrica. 1.2 CORRIENTE A partir de la gráfica de carga en un condensador determine gráfica y analíticamente: a) Corriente del condensador a través

Más detalles

EL3004-Circutios Electrónicos Analógicos

EL3004-Circutios Electrónicos Analógicos EL3004-Circutios Electrónicos Analógicos Clase No. 5: Transistores BJT Marcos Diaz Departamento de Ingeniería Eléctrica (DIE) Universidad de Chile Septiembre, 2011 Marcos Diaz (DIE, U. Chile) EL3004-Circuitos

Más detalles

EL MOSFET DE POTENCIA

EL MOSFET DE POTENCIA Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de MetalÓxido Semiconductor El nombre hace mención a la estructura interna: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) Es un dispositivo

Más detalles

RESISTENCIAS NO LINEALES INTRODUCCIÓN

RESISTENCIAS NO LINEALES INTRODUCCIÓN RESISTENCIAS NO LINEALES INTRODUCCIÓN Existen resistencias cuyo valor óhmico no es constante, sino que dependen de una magnitud no mecánica externa a ellas, como la temperatura, la tensión o la intensidad

Más detalles

Características del transistor bipolar y FET: Polarización

Características del transistor bipolar y FET: Polarización Características del transistor bipolar y FET: Polarización 1.- Introducción El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se introducen las principales

Más detalles

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas

TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas Tema 5 TEMA 5 Fuentes de corriente y cargas activas 5.1.- Introducción Las fuentes de corriente son ampliamente utilizadas en circuitos electrónicos integrados como elementos de polarización y como cargas

Más detalles

PRÁCTICA Nº1. DIODOS. 1.- Toma un diodo rectificador 1N4007 y realiza el montaje de la figura 1 utilizando una fuente de continua.

PRÁCTICA Nº1. DIODOS. 1.- Toma un diodo rectificador 1N4007 y realiza el montaje de la figura 1 utilizando una fuente de continua. PRÁCTICA Nº1. DIODOS CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO. 1.- Toma un diodo rectificador 1N4007 y realiza el montaje de la figura 1 utilizando una fuente de continua. Figura 1. Montaje eléctrico para polarizar

Más detalles

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES EL TRANSISTOR BIPOLAR Dr. Ing.Eduardo A. Romero Los transitores bipolares se construyen con una fina capa de material semiconductor de tipo P entre dos capas de material

Más detalles

DOCUMENTO DE APOYO PARA PROYECTOS

DOCUMENTO DE APOYO PARA PROYECTOS DOCUMENTO DE APOYO PARA PROYECTOS Los ejemplos que a continuación se encuentran en este documento de apoyo al estudiante, tiene como objetivo dar una serie de ejemplos mínimos de algunas partes de los

Más detalles

PRÁCTICA PD2 CIRCUITOS RECORTADORES

PRÁCTICA PD2 CIRCUITOS RECORTADORES elab, Laboratorio Remoto de Electrónica ITESM, Depto. de Ingeniería Eléctrica PRÁCTICA PD2 CIRCUITOS RECORTADORES OBJETIVOS Utilizar la característica no lineal de los diodos rectificadores en un circuito

Más detalles

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TEMA 5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO TTEEMAA 55: :: TTrraanss issttoorreess i dee eeffeeccttoo dee ccaamppoo 11 1) Cuál de los siguientes dispositivos no es un transistor de efecto de campo? a) MOSFET

Más detalles

Asignatura: Horas: Total (horas): Obligatoria X Teóricas 3.0 Semana 5.0 Optativa Prácticas Semanas 80.0

Asignatura: Horas: Total (horas): Obligatoria X Teóricas 3.0 Semana 5.0 Optativa Prácticas Semanas 80.0 UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO FACULTAD DE INGENIERÍA PROGRAMA DE ESTUDIO Aprobado por el Consejo Técnico de la Facultad de Ingeniería en su sesión ordinaria del 15 de octubre de 2008 DISPOSITIVOS

Más detalles

Contenido. Capítulo 2 Semiconductores 26

Contenido. Capítulo 2 Semiconductores 26 ROMANOS_MALVINO.qxd 20/12/2006 14:40 PÆgina vi Prefacio xi Capítulo 1 Introducción 2 1.1 Las tres clases de fórmulas 1.5 Teorema de Thevenin 1.2 Aproximaciones 1.6 Teorema de Norton 1.3 Fuentes de tensión

Más detalles

Practica 1 BJT y FET Amplificador de 2 Etapas: Respuesta en Baja y Alta Frecuencia

Practica 1 BJT y FET Amplificador de 2 Etapas: Respuesta en Baja y Alta Frecuencia Universidad de San Carlos de Guatemala Facultad de Ingeniería Escuela de Mecánica Eléctrica Laboratorio de Electrónica Electrónica 2 Primer Semestre 2015 Auxiliar: Edvin Baeza Practica 1 BJT y FET Amplificador

Más detalles

Dispositivos Semiconductores Última actualización: 2 do Cuatrimestre de TP N o 3

Dispositivos Semiconductores  Última actualización: 2 do Cuatrimestre de TP N o 3 TP N o 3 Curvas características del transistor TBJ BC337 Condiciones de entrega Fecha de entrega: Viernes 21 de octubre. La entrega debe ser en formato papel en el horario de clase y en formato digital

Más detalles

EXAMEN DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA.- CONVOCATORIA º CURSO DE INGENIERÍA TÉCNICA EN ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

EXAMEN DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA.- CONVOCATORIA º CURSO DE INGENIERÍA TÉCNICA EN ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 1 a PARTE DEL EXAMEN: PREGUNTAS DE TEORÍA: 1.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES. Efectos de 2º orden 1.1) Respuesta frecuencial del amplificador operacional en lazo abierto, considerándolo como un sistema

Más detalles

Resonancia en Circuito RLC en Serie AC

Resonancia en Circuito RLC en Serie AC Laboratorio 5 Resonancia en Circuito RLC en Serie AC 5.1 Objetivos 1. Determinar las caracteristicas de un circuito resonante RLC en serie. 2. Construir las curvas de corriente, voltaje capacitivo e inductivo

Más detalles