1 LÍNEAS DE TRANSMISIÓN Y ADAPTACIÓN

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1 ÍNDICE 1 Líneas de transmisión y adaptación... Teoría de Parámetros S Circuitos pasivos recíprocos Atenuadores y desfasadores Divisores y combinadores Acopladores Circuitos pasivos no recíprocos Circuladores Resonadores y Filtros... 6 Amplificadores... 5

2 1 LÍNEAS DE TRANSMISIÓN Y ADAPTACIÓN CUESTIÓN 1 (18/1/00): Considere el siguiente circuito. La línea de transmisión se encuentra rellena de un dieléctrico cuya permitividad relativa es igual a 4. Si la longitud de la línea es de 7,5 cm diseñe una red de adaptación en Π que permita conseguir la máxima transferencia de potencia. Se desea un ancho de banda de adaptación de 400 MHz a la frecuencia de 1 GHz. Obtenga los valores de los componentes (L y C) si el elemento más próximo a la carga tiene carácter capacitivo. Z G = 5 + j5ω 7,5 cm Z C = 50 Π Z L = 50 Ω Nota: Repase con bolígrafo o rotulador los movimientos realizados sobre la carta de Smith adjunta. EJERCICIO (10/0/00): Se dispone de un oscilador a la frecuencia de 4 GHz que entrega 1 kw de potencia a una guiaonda rectangular normalizada de dimensión más ancha igual a 6 cm. En dicha guiaonda existen dos tramos, el primero relleno de aire y el segundo de un dieléctrico de permitividad relativa ε R = 4. a.) Se desea diseñar un transformador de impedancias para conseguir la adaptación entre ambos tramos. Obtenga los valores de la longitud y de la constante dieléctrica del material con el que ha de rellenarse el trozo de guiaonda a intercalar entre los dos tramos descritos anteriormente. b.) Obtenga los valores de la longitud de onda en la guía en los tres tramos. c.) Obtenga los valores del ancho de banda del modo dominante en cada uno de los tres tramos. Comente los resultados. Dato:

3 Z TE = η kc 1 k η 0 = 10 π CUESTIÓN 1 (18/0/00): Considere la siguiente red de adaptación en L: jx jb Y L = G L + jb L a.) Determine los valores de la reactancia X y de la susceptancia B que permiten la adaptación de una carga cualquiera Y L a un generador de impedancia Z 0 real. b.) A partir de los resultados obtenidos determine la zona de adaptación prohibida de esta configuración. CUESTIÓN (18/0/00): El siguiente circuito representa un transformador λ/4. d=λ/4 Z1 EG Z1 Z Z3 Z3 Z1 ZE Z3 Conociendo que la impedancia de entrada a una línea de transmisión ideal cargada está dada por: Z E = Z Demuestre que: Z Z jz jz 3 tg tg ( βd ) ( β d )

4 Datos: Γ E = 1 4Z1Z3 sec ( Z Z ) tg (x) = sec (x) ( βd ) CUESTION 1 (/06/00): Considere el siguiente circuito: Z C1 = 75 Ω C Z C = 100 Ω Z L L 1 = 0,1 m L =,15 m Al circuito anterior se conecta un generador de impedancia de salida 50 Ω potencia disponible 10 mw y frecuencia de 3 GHz. Si el valor de la impedancia de carga es de j5 Ω y el de la capacidad de,1 pf determine la potencia entregada a la carga. Nota: Considere que el dieléctrico que rellena la línea de transmisión tiene propiedades idénticas a las del vacío y que las pérdidas en ambas líneas pueden suponerse nulas. EJERCICIO 1 (08/09/00): Una guía de onda rectangular normalizada (a= 6 cm), por la que se propaga el modo dominante TE 10, permite alimentar a una antena de bocina. En el punto de conexión se mide un coeficiente de reflexión de valor Γ = 0,3 exp(jπ/4) a la frecuencia de trabajo. Con una pequeña sonda se han medido las intensidades relativas de los campos. Conociendo que la guiaonda está rellena de aire: a.) Calcule la frecuencia de trabajo, sabiendo que la distancia entre dos mínimos consecutivos es de 48,04 mm. b.) Determine la distancia a la que ha de colocarse un iris inductivo y su susceptancia para adaptar la guiaonda a la bocina. Dato: Susceptancia del iris:

5 3ab B = 8β r 3 0 Siendo a y b las dimensiones de la guía, beta la constante de propagación y r 0 el radio del iris. EJERCICIO (08/09/00): Obtenga la potencia entregada a la carga de 40 ohm en el siguiente circuito. 50 ohm 5*lambda Lambda/ 75 ohm ohm 10 ohm P DG = 100 mw Datos: e e α1d1 α d = 0,5 = 7 9 Linea 1 Linea CUESTIÓN (08/09/00): Se desea diseñar un dispositivo de adaptación de banda ancha a la frecuencia de 1,5 GHz con un ancho de bada relativo del 40 % utilizando un transformador binómico. La impedancia de carga tiene un valor de 7 ohmios y la impedancia de salida del generador es de 50 ohmios. a.) Determine el número de secciones necesarias y las impedancias características de cada sección si se desean unas pérdidas de retorno máximas a la entrada de 30 db. b.) Calcule el valor del coeficiente de reflexión real a la entrada del transformador a la frecuencia de trabajo y a la frecuencia de 4,5 GHz.

6 EJERCICIO 1 (8/05/01): Por una guía rectangular normalizada cuya cara más ancha mide,86 cm se propaga una señal de 8,5 GHz. La guía está terminada en una carga cuyo coeficiente de reflexión medido con respecto a la impedancia de su modo dominante cuando se encuentra rellena de aire es Γ L = 0,8 e j60º. Se pide: a.) Obtenga las impedancias características de un transformador de dos secciones λ/4-λ/8 que consiguen adaptar la carga a la guía rellena de aire. b.) Obtenga el valor de la permeabilidad magnética relativa µ R del dieléctrico que ha de rellenar la guía para sintetizar las impedancias halladas en el apartado a.) c.) Obtenga las dimensiones de ambas secciones de la guía. CUESTION 1 (13/09/01): Para adaptar una carga de 33 Ω a un generador de impedancia interna 50 Ω se ha de construir un transformador de Chebychev centrado en la frecuencia de GHz y con un ancho de banda relativo del 50 %. Determine: a.) El número máximo de secciones si el coeficiente de reflexión máximo a la entrada puede ser de 0,01 b.) La impedancia característica de cada sección. Datos: T 0 = 1 ; T 1 = x ; T n = xt n-1 T n-

7 TEORÍA DE PARÁMETROS S CUESTIÓN (10/0/00): Deduzca la expresión de la tensión (V i ) y la corriente (I i ) a la entrada de una puerta de un circuito de microondas definido en términos de la matriz de parámetros de Scattering (a i, b i ) y la impedancia compleja característica del acceso. A partir de los valores obtenidos demuestre que la potencia neta a la entrada de dicha puerta puede ponerse como: P i = a i - b i CUESTIÓN (18/1/00): Demuestre que una red de tres puertas, pasiva, sin pérdidas y completamente adaptada es un circulador. EJERCICIO (05/0/01): Considere el siguiente circuito: R G R 1 A d 1 d B P DG 1 Z C1 R Z C R L P DG = 1 mw, R G = 50 Ω, Z C1 = Z C = 50 Ω, α 1 = 0, α = 0,01 Np/cm, d 1 = 5 cm, d = 50 cm R L = 30 Ω, R 1 = 100 Ω, R = 68 Ω, f = 400 MHz, ε r = 1. Obtenga razonadamente los siguientes datos: a.) Matriz de parámetros S del cuadripolo marcado como A. b.) A partir de los resultados obtenidos en el apartado anterior determine la matriz S del cuadripolo marcado como B.

8 c.) A partir de los resultados obtenidos en el apartado a.) determine la potencia disipada en el cuadripolo A, en la línea y en la carga R L. Nota: Indique todos los resultados en forma polar (ρ e jφ ) EJERCICIO (8/05/01): Se ha medido la ganancia de transferencia de un cuadripolo obteniéndose un valor de 6,81 db. La impedancia de carga es de 60 +j0 Ω y el generador presenta una impedancia interna de 75Ω. Se sabe además que cuando se conecta el cuadripolo con Z G = Z L = Z 0 la ganancia de transferencia vale 6,848 db Si se conoce que el coeficiente de reflexión a la entrada vale Γ IN = 0,5 e j144,69º, obtenga los parámetros S de dicho cuadripolo si se conoce que la red es recíproca y tiene simetría física. CUESTION 1(8/05/01): Considere el siguiente circuito: R 1 R Se pide: a.) Indique las matrices S correspondientes a cada uno de los cuadripolos. b.) Dibuje el grafo correspondiente al circuito c.) Sin emplear la regla de Mason y utilizando las reglas de simplificación de flujogramas determine el valor del coeficiente de reflexión a la entrada. CUESTION (8/05/01): Considere el circuito de la cuestión 1. Si R 1 = 30 Ω y R = 100 Ω se pide: a.) Obtenga la matriz de parámetros S referidos a 50 Ω. b.) Si se conecta a su entrada un generador de impedancia interna 75Ω y potencia disponible de 1 w a través de una línea ideal de impedancia característica 75 Ω y longitud λ/ y a su salida una carga de 7 Ω obtenga la potencia disponible en la carga.

9 EJERCICIO 3 (1/01/0): Un inversor de impedancias es una red de dos accesos recíproca y sin pérdidas en la que se cumple que S 11 = S y además reales. Su matriz responde a la siguiente forma: S j γ j 1 γ γ = 1 γ Considere el siguiente circuito formado por una susceptancia capacitiva y dos líneas ideales: Φ Φ Z 0 jb Z 0 a.) Obtenga la relación existente entre la longitud eléctrica de la línea Φ y la susceptancia B normalizada para que el circuito se comporte como un inversor K. b.) Determine la matriz de parámetros S en función de la susceptancia normalizada B. c.) Obtenga el valor de la constante de inversión en función de la susceptancia B normalizada y la impedancia de referencia Z 0 EJERCICIO 3 (17/06/0): Obtenga el valor de los coeficientes de reflexión que adaptan conjugadamente de manera simultánea la entrada y la salida del circuito de la siguiente figura: 1/R Nota: Considere que los coeficientes de reflexión han de ser reales. EJERCICIO (03/0/03): De una red de microondas pasiva, recíproca y sin pérdidas se conoce que su parámetro S 11 vale 0,85; -39,09º. Obtenga los valores del resto de los parámetros de la red.

10 3 CIRCUITOS PASIVOS RECÍPROCOS 3.1 Atenuadores y desfasadores CUESTIÓN 1 (18/1/00): Considere uno de los atenuadores resistivos en T estudiados en clase. Utilizando flujogramas obtenga la matriz de parámetros S del atenuador. Simplifique dicha matriz utilizando la condición de adaptación completa. Dato matriz de parámetros S de una impedancia serie y una admitancia paralelo normalizadas: S 11 (Z)= Z/(+Z) ; S 1 (Z)= /(+Z) S 11 (Y)= -Y/(+Y) ; S 1 (Y)= /(+Y) CUESTIÓN 1 (1/1/01): Dada la siguiente red atenuadora: R d R Z C Determine la relación que debe haber entre la impedancia Z C y la resistencia R, así como el valor mínimo de d para que dicha red se comporte como un atenuador. Dato: 0 γ γ [ S] = Atenuador 0 EJERCICIO (09/09/04): Se ha diseñado un sintetizador de impedancias siguiendo el esquema de la figura siguiente. Está formado por un atenuador y un desfasador variables y un cortocircuito fijo.

11 Datos: jφ 0,05 α 0 0,95 e S aten = α 0,05 ; Sdesf jφ 0,95 e 0 ; ROE corto= 100 Se pide: a.) Obtenga la expresión general del coeficiente de reflexión a la entrada del sintetizador en función de la atenuación y el desfase. b.) Determine los valores de cargas resistivas que es posible sintetizar mediante el montaje. EJERCICIO 1 (08/0/05): El siguiente circuito se conoce como un desfasador paso alto / paso bajo. Consta de una célula en T formada por tres elementos reactivos. Cuando ambos conmutadores se colocan en la posición inferior, el circuito presenta un desfase Φ 1. Cuando ambos conmutadores se colocan en la posición superior el circuito presenta un desfase Φ. Se pide: a.) Aplicando técnicas de análisis de circuitos simétricos determine la matriz S de una célula en T como la mostrada en el circuito anterior. Puede resolver este apartado para una red genérica con una impedancia serie Z y una admitancia paralelo Y o para cualquiera de las células anteriores.

12 b.) Determine la relación entre las reactancias serie (jx) y la susceptancia paralelo (jb) para que el circuito se encuentre completamente adaptado. Determine la variación de la fase que produce el desfasador completamente adaptado cuando se alternan las posiciones de los conmutadores. 3. Divisores y combinadores EJERCICIO 1 (18/1/00): Diseñe un divisor con líneas de transmisión adaptado en la puerta de entrada (puerta 1) a la frecuencia de 1 GHz, de manera que reparta ¾ partes de la potencia entregada en la puerta de entrada en la puerta número dos. Se conectan sendos generadores en las puertas dos y tres, el primero con impedancia de salida 50 Ω y frecuencia 1 GHz y el segundo con impedancia 100 Ω y frecuencia GHz. Si se termina la puerta 1 con su impedancia de referencia calcule la potencia que disipa dicha carga. Dato: La impedancia de referencia de todas las puertas es de 50 Ω. CUESTION (1/1/01): Aplicando únicamente las propiedades de simetría, obtenga los parámetros S, S 3, S 3 y S 33 de un divisor resistivo como el de la figura. Determine el valor de R para que la red se encuentre adaptada en sus puertas y 3. R R R

13 EJERCICIO 1 (1/01/0): Un divisor Wilkinson realizado en línea microstrip con reparto asimétrico 1/3 /3 (K = ) ideal tiene la siguiente matriz referida a 50 Ω. S W 0 j0,569 j0,804 = j0,569 0,17 0 j0, ,17 Conociendo que las ecuaciones de diseño son: Z Z R = Z = K Z K K 1+ K K = Z0 a.) Indique el esquema del divisor, expresando claramente los valores de impedancia y longitud de todos sus componentes. Ordene relativamente las anchuras de las líneas que lo componen. b.) Se pretende realizar el reparto anterior entre una carga de 100 Ω conectada en la puerta y otra de 75Ω conectada en la puerta 3. El divisor se alimenta con un generador de impedancia interna 50 Ω y potencia disponible P DG. a. Realice las modificaciones necesarias en el circuito empleando únicamente secciones de línea de transmisión de longitud λ/4. b. Si el valor de la atenuación en la línea o líneas incorporadas hace que α d = 0,5 determine la potencia disipada en el divisor. EJERCICIO 1 (03/0/03): Se desea realizar un divisor equitativo resistivo de cuatro puertas según el circuito visto en clase. Se pide: 1. Determine la condición de adaptación.. Aplicando propiedades de simetría obtenga la matriz S del circuito. 3. A partir del resultado anterior indique las pérdidas de inserción del dispositivo.

14 PROBLEMA (11/06/03): Diseñe un divisor con líneas de transmisión ideales que reparta la potencia desde una entrada hacia tres salidas de manera equitativa y tenga, al menos, adaptada la puerta de entrada. Calcule el aislamiento entre las salidas. PROBLEMA 1 (1/09/03): Para mejorar la respuesta en frecuencia de un divisor 3 db con líneas de transmisión se recurre a un diseño como el siguiente: Se pide: a.) Suponiendo que la impedancia de referencia del sistema es Z 0 = 75 Ω y la frecuencia de diseño GHz, determine los valores de las longitudes e impedancias características de las líneas de transmisión que componen el transformador binómico si se toma un orden N = y ε R = 4. b.) Si ahora se considera que las líneas de transmisión diseñadas en el apartado 1 presentan pérdidas de modo que se cumple que e -αd = 0,8, determine la potencia consumida por el transformador binómico EJERCICIO : Obtenga la potencia disipada en el divisor Wilkinson 3 db del siguiente circuito:..

15 3.3 Acopladores EJERCICIO (18/1/00): A partir de una branch line como las vistas en clase construya un circuito que posea una matriz de parámetros S igual a la del híbrido de 90º también vista en clase. Indique los valores de las longitudes y las impedancias características de todas las líneas del circuito. EJERCICIO 1 (/06/00): El siguiente circuito está formado por un híbrido de 90 grados y un desfasador ideales. Considere que a la puerta 1 se conecta un generador de impedancia de salida Z 0 = 50 y potencia disponible 1 w y que a la puerta 4 se conecta una carga dada por un coeficiente de reflexión Γ Φ Se pide: a.) Indique la matriz de parámetros S del híbrido de 90 grados y del desfasador ideales. b.) Calcule la potencia entregada a la carga colocada en la puerta cuatro del circuito anterior. Obtenga el coeficiente de reflexión a la entrada de la puerta 1 de circuito anterior. Indique los valores de Φ y Γ 4 que hacen que en la entrada 1 el circuito presente un cortocircuito.

16 EJERCICIO (13/09/01): Considere el siguiente circuito formado por un híbrido de 3 db y 180 grados y un divisor equitativo con líneas de transmisión ambos ideales: Z 0 R 1-1 R Z 0 C 1 Obtenga la potencia disipada en las resistencias R 1 y R si la potencia disponible del generador es de 1 mw. Datos: Z 0 = 50 Ω, R 1 = 100 Ω, R = 33 Ω, Z C1 = -68j Ω EJERCICIO 1 (1/1/01): Dado el circuito de la figura adjunta formado por dos híbridos y dos desfasadores no recíprocos: 1 Híbrido Desfasador Híbrido db, 180º 0/90º Desfasador 90º/0 3 db, 90º Se pide: a) Determine la matriz de parámetros [S] del conjunto. b) Determine la numeración de los cuatro accesos del circuito de la figura anterior para que se comporte como un circulador con sentido de transmisión a derechas. Datos:

17 [ S] Hibrido 90 = 0 1 j j j j 1 0 S ; [ ] Hibrido 180 = ; [ S] [ S] Desfasador1 Desfasador 0 1 = j 0 0 j = 1 0 EJERCICIO (17/06/0): El siguiente híbrido de 180º se emplea para medir el coeficiente de reflexión de una carga desconocida situada en la puerta. En la puerta 1 se sitúa un generador de impedancia interna Z 0 y en las puertas 3 y 4 sendos medidores de potencia adaptados a.) Determine el valor las pérdidas de retorno de la carga colocada en la puerta a partir de la potencia medida en las puertas 3 y 4 si el híbrido es ideal y sin pérdidas. b.) Repita el apartado a.) si el híbrido anterior se sustituye por otro de acoplamiento 0 db y directividad también de 0 db. Suponga nuevamente el híbrido sin pérdidas y completamente adaptado. Indique justificadamente una solución aproximada de la forma a+bγ. EJERCICIO 1 (19/1/03): Aplicando las técnicas de simetría determine el valor del parámetro S 1 de una Branch Line ideal Dato: Impedancia de entrada a una línea ideal cargada Z + jz tgβd Z L c in = Z c Z jz tg d c + L β

18 EJERCICIO (10/0/04): Considere el siguiente circuito formado por un híbrido de 180º, dos líneas de transmisión de longitud λ/ y un divisor Wilkinson. Se pide: a.) Indicar las matrices del acoplador híbrido y del divisor Wilkinson. b.) Determinar la matriz de parámetros S del conjunto EJERCICIO 1 (07/06/04): Se desean medir los parámetros S de un divisor de microondas equilibrado, hecho con dos líneas de transmisión iguales de longitud λ/4 y de bajas pérdidas. Para ello se emplean dos sensores de potencia idénticos que presentan una ROE=. Se dispone además de un generador de impedancia interna Z 0. El divisor se ha optimizado para que su puerta de entrada se encuentre adaptada cuando las salidas se terminan con la impedancia de referencia. La ROE a la entrada del divisor cuando éste se carga con los sensores es de 1,5. Se conoce que la potencia medida por el sensor cuando se conecta directamente al generador es de 0,8 w y cuando se conecta a través del divisor es de 0,3 w. Obtenga el valor del parámetro S 1 del divisor de potencia.

19 EJERCICIO 1 (09/09/04): Considere el siguiente circuito compuesto por un generador de impedancia interna Z 0, una T mágica y tres cargas. El fabricante proporciona las siguientes características de la T mágica: Acoplamiento y pérdidas de inserción de 3,5 db Aislamiento de 0 db Pérdidas de retorno de 6 db Los valores de los elementos del circuito son: P DG = 10 w. Z 1 = Z = Z 0 Z 3 = Z 0 /. Suponiendo que los parámetros S son imaginarios puros, obtenga la potencia disipada en la T mágica y en cada una de las tres cargas. EJERCICIO (08/09/05): Considere el montaje formado por dos híbridos de 90º ideales y un desfasador recíproco ideal tal y como muestra la siguiente figura: Se pide: a.) Indique las matrices de parámetros S correspondientes a los híbridos y al desfasador. b.) Obtenga la matriz de parámetros S del conjunto en función del desfase Φ.

20 c.) Determine los valores que debe tomar el desfase Φ a aplicar si se desea que: i. Se produzca la transmisión únicamente entre las puertas 1-3 y -4. ii. Se produzca la transmisión únicamente entre las puertas 1- y 3-4. La siguiente figura muestra gráficamente el funcionamiento del conjunto en los dos casos mencionados: iii. Indique las matrices S del conjunto en los dos casos anteriores.

21 4 CIRCUITOS PASIVOS NO RECÍPROCOS 4.1 Circuladores EJERCICIO 1 (10/0/00): Con el circulador de cuatro puertas modelo (cuyas características se anexan) se ha construido el siguiente circuito: Z = 150 P DG = 1 Z G = Z 0 L = λ/ mw 1 3 Z C = 100 Z L = Z 0 4 Z 4 = Z 0 a.) Obtenga numéricamente la matriz de parámetros S del circulador si se conoce que todos ellos son reales y positivos (Matriz 4x4). b.) Obtenga la matriz S del circulador considerando la puerta 4 terminada con la impedancia Z 0 (Matriz 3x3) c.) Obtenga la potencia neta entregada por el generador y la potencia disipada en las cargas Z L y Z 4 si se sabe que en la línea de transmisión se cumple que e -αl = 0,5. d.) El dispositivo tiene pérdidas? Justifique su respuesta.

22 5 RESONADORES Y FILTROS EJERCICIO 3 (05/0/01): Diseñe un filtro paso bajo empleando secciones de línea de transmisión de las impedancias máxima y mínima construibles (15 y 40 Ω respectivamente). Se desea una respuesta máximamente plana con pulsación de corte de 4π10 9 rd/s y rechazo mínimo de 0 db en la pulsación de 8π10 9 rd/s. Si la línea más próxima al generador ha de ser de alta impedancia se pide: a.) Dibuje el filtro prototipo paso bajo que cumple las especificaciones anteriores. b.) Obtenga las longitudes y anchuras de las líneas si se va a implementar en tecnología microstrip utilizando un sustrato de permitividad relativa igual a 4 y altura del sustrato H = 1 mm. Las impedancias de generador y carga son de 50 Ω.

23 EJERCICIO 1 (17/06/0): Un tornillo introducido en una guía de onda por la mitad de la cara más ancha de la sección transversal y de manera perpendicular a la dirección de propagación (figura 1) admite un circuito equivalente, en función de la profundidad de penetración, igual a un condensador cuya reactancia normalizada, X C se recoge en la figura. Empleando cuantos tornillos como los descritos en el párrafo anterior necesite, se desea realizar un filtro paso bajo con rizado en la banda de paso de 3 db en una guía rectangular normalizada rellena de aire cuya cara más ancha mide,86 cm. La

24 frecuencia de corte del filtro ha de ser de 9 GHz y el rechazo mínimo a 11 GHz de 10 db. Se pide: a.) Determine el número mínimo de tornillos a emplear. b.) Calcule y realice un esquema en el que claramente se indique la posición y profundidad de cada tornillo para conseguir el filtro especificado. Nota: Suponga que el elemento del filtro prototipo más próximo al generador es de carácter capacitivo. h b a Figura 1 Figura EJERCICIO 1 (08/09/05): Se ha construido un filtro de microondas de orden N=3 y respuesta tipo Butterworth mediante elementos discretos. El primero de los componentes es de tipo inductivo. Se pide: a.) Aplicando las propiedades de simetría, determine la matriz de parámetros S de dicho filtro en función de la frecuencia. (Se sugiere trabajar con las impedancias de los elementos del filtro prototipo y una vez obtenido el resultado final sustituir su valor en función de la frecuencia). b.) Verifique, aprovechando las propiedades de la matriz S, que el circuito es un dispositivo sin pérdidas. Datos: g 0 = g 4 = 1; g 1 = g 3 = 1; g =

25 6 AMPLIFICADORES EJERCICIO (18/0/00): De un transistor se ha medido su matriz de parámetros de Scattering a la frecuencia de GHz obteniéndose los siguientes resultados: Se pide: [ S] j108 j98 0,61e 0,18e = j47 j16 1,57e 0,46e a.) Determine la estabilidad del transistor. b.) Si la impedancia de ruido óptima del transistor es Z N = 0,5 +j1,0, diseñe las redes de adaptación en 'L' a la entrada y a la salida para conseguir mínima figura de ruido y óptima ganancia. c.) Calcule la ganancia obtenida con el diseño. Acote el error mediante el factor de mérito unilateral. d.) Represente gráficamente el ancho de banda del amplificador. EJERCICIO 1 (05/0/01): Se dispone de un transistor con la siguiente matriz de parámetros de Scattering: j90 0, 6e 0,1 S = j10 j140 10e 0, e a.) En cada una de las cartas de Smith anexas dibuje los círculos de estabilidad de la fuente y la carga. Indique, si la hubiera, la zona condicionalmente estable en cada carta. Indique también las posiciones de los parámetros S 11 y S. b.) Se pretende optimizar el diseño para conseguir la máxima ganancia estable. Utilizando la aproximación unilateral diseñe las redes de adaptación de entrada y salida empleando para ello redes en L. c.) Sin utilizar el factor de mérito unilateral del transistor y a partir del diseño construido con las especificaciones del apartado b, determine el error cometido en el cálculo de la ganancia en db. Datos adicionales:

26 C r L C r S L S = = = = * ( S S11) S S S S 1 1 * ( S11 S) S S 11 S S * * GS C = 1 + G S r * G 1 ( S ) C r = 1+ G S GS = 1 + G S 1 11 * = 1 G 1 ( S ) 1+ G S EJERCICIO 1 (13/09/01): Un transistor tiene la siguiente matriz de parámetros S a la frecuencia de 1 GHz y definidos respecto a la impedancia Z 0 = 50 Ω: j108º j98 0, 61e 0,18e [ S] = Z 0 j47 j16 1,57e 0, 46e El transistor se va a emplear para realizar un amplificador de pequeña señal en el que se pretende conseguir la mínima figura de ruido. Se ha medido la impedancia óptima de ruido del transistor normalizada resultando ser 0,3 j0,3 Ω. Si la impedancia interna del generador y la impedancia de carga tienen ambas un valor igual a 50 Ω. Se pide: a.) Diseñe una red de adaptación en L a la salida que permita optimizar la ganancia del amplificador respetando la imposición del diseño con mínima figura de ruido. Considere que la red de adaptación a la entrada ya se ha diseñado. b.) Con las condiciones del apartado anterior obtenga la ganancia de transferencia de potencia del amplificador. c.) Sin emplear el factor de estabilidad ni los círculos de estabilidad, justifique la estabilidad del diseño. Nota: No utilice ningún tipo de aproximación en el diseño del amplificador.

27 EJERCICIO (1/01/0): Z G Z C Red sin Red sin Z L pérdida pérdida Z 1 El transistor de la figura anterior tiene la siguiente matriz de parámetros S referidos a Z 0 = 50 Ω: S 0, 4 0, = 190 0,4 1 a.) Determine la estabilidad del transistor y su máxima ganancia (estable o disponible según corresponda) b.) De ahora en adelante suponga el transistor unilateral. Se han diseñado dos redes para adaptar el transistor a sendas impedancias Z 1 = Z L = Z 0. a. Determine los módulos de los parámetros S del circuito formado por el transistor y las dos redes de adaptación b. Si Z C = 100 Ω, α d = 0,5 y P DG = 1 w, determine la potencia disipada en la carga y la ganancia de transferencia del circuito completo. PROBLEMA (1/09/03): Se tiene el circuito de la figura formado por dos divisores/combinadores Wilkinson 3 db ideales idénticos y dos amplificadores también iguales. Los planos de acceso del divisor se han situado a la entrada y salida de los transformadores λ/4 que lo componen.

28 Obtenga la matriz de parámetros S del conjunto completo. Dato: Matriz de parámetros S del amplificador S 0, º 50 = 4,1 90 0, 660 EJERCICIO 1 (10/0/04): El transistor NE3100 presenta las siguientes propiedades a la frecuencia de 5 GHz. Parámetros S del transistor S 11 S 1 S 1 S Módulo Fase Módulo Fase Módulo Fase Módulo Fase Parámetros de ruido Γ opt F min (db) Módulo Fase R n /Z Las circunferencias de estabilidad a la entrada y la salida del transistor son las mostradas en la siguiente tabla. Circunferencia de estabilidad a la entrada CENTRO RADIO

29 Módulo Fase Circunferencia de estabilidad a la salida CENTRO RADIO Módulo Fase La siguiente tabla representa las circunferencias de figura de ruido constante de 1 db, y db: Circunferencia de figura de ruido constante F (db) CENTRO RADIO Módulo Fase La siguiente tabla representa las circunferencias de ganancia disponible constante de 8 db y 16 db. Circunferencia de ganancia disponible constante G D (db) CENTRO RADIO Módulo Fase

30 Se pide: a.) Representar sobre la carta de Smith anexa las circunferencias de estabilidad, de ganancia disponible y ruido de las tablas anteriores, indicando para cada una de ellas, según corresponda, la parte estable o inestable y el valor de ganancia o figura de ruido al que corresponden. b.) Si se fija la impedancia hacia el generador en Z G = j Ω indicar los valores de figura de ruido y ganancia disponible del diseño. c.) Para el valor de impedancia hacia el generador anterior, diseñar, sin emplear la carta de Smith, una red de adaptación a la salida mediante un tramo de línea de impedancia Z 0 y un transformador λ/4. d.) Determinar los parámetros S 11 y S del conjunto formado por el transistor más el tramo de línea y el transformador hallados en el apartado c.). EJERCICIO (07/06/04): El transistor BFR91 presenta la siguiente matriz de parámetros S a la frecuencia de 1,5 GHz y referidos a 50 Ω. S Z 0 0, 0, = 50 0,34 35 Los círculos de estabilidad a la entrada y la salida del transistor están dados por los siguientes centros y radios: CG = 3,06538,56 rg = 4, 3 CL = 14,37 150,3 r = 15,50 L Los coeficientes que adaptan conjugadamente la entrada y la salida son: Γ MG = 0, ,44 Γ = 0,590 Se pide: ML 9,77 a.) Determinar las regiones estables e inestables de los círculos de entrada y salida (interior o exterior) b.) Diseñe una red de adaptación mediante transformadores λ/4 y λ/8 a la entrada que permita conseguir la máxima ganancia disponible. c.) Determine el valor de la máxima ganancia disponible de un amplificador construido a partir del transistor anterior. Cuál es la ganancia lograda al adaptar las puertas de entrada y se salida?

31 EJERCICIO (08/0/05): Un transistor de microondas presenta la siguiente matriz de parámetros S: S Z 0 0, º = 6,1 67º 0,443 7º La impedancia óptima de ruido normalizada del transistor es z N = 0, + j 0,4. Si se pretende realizar un diseño para máxima ganancia se pide: a.) Diseñe las redes de adaptación de adaptación de entrada y salida mediante sendos montajes consistentes en un tramo de línea en serie con un transformador λ/4. b.) Determine la ganancia del amplificador que ha realizado. Si las líneas que ha empleado para realizar la adaptación presentan una atenuación α = 0,1/λ Np/m determine la potencia que disipa una carga de impedancia Z 0 cuando al amplificador diseñado se conecta un generador de impedancia interna Z 0 y potencia disponible 1 w.