Semiconductores de potencia

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1 Lo más brillate de la eergía Semicoductores de otecia Primera arte: Bases y alicacioes Stefa Lider Durate los últimos 10 a 15 años, y a raíz del ráido rogreso alcazado e la tecología de semicoductores, los iterrutores de otecia de silicio se ha covertido e disositivos muy eficietes, fiables y de cómoda alicació. Estos disositivos ha arraigado firmemete e alicacioes de alta tesió y alta itesidad ara cotrolar otecias de salida de etre u megavatio y varios gigavatios. Los disositivos semicoductores de otecia ha uesto e marcha ua revolució traquila, e el curso de la cual se está erfeccioado solucioes electromecáicas mediate la adició de electróica de otecia, o icluso so sustituidas or comleto or sistemas electróicos de otecia. Este artículo, dirigido a lectores co ciertos coocimietos de este tema, es la rimera de dos artes que Revista ABB dedicará a los semicoductores de alta otecia. E esta arte resetamos diferetes clases de disositivos, esecialmete el IBT e ICT. Comaramos sus vetajas y desvetajas esecíficas, así como alguos asectos imortates relativos a su alicació. E la seguda arte aalizaremos asectos térmicos y cuestioes relativas al diseño del ecasulado. Además, itetamos hacer u roóstico sobre los desarrollos futuros y sobre la imortacia que tedrá e este camo de la alta otecia materiales de amlio salto de bada como el SiC (carburo de silicio), el an (itruro de galio) y el diamate. 34 Revista ABB 4/2006

2 Semicoductores de otecia Lo más brillate de la eergía La itroducció de la tecología de trasmutació de eutroes e los años seteta del asado siglo hizo osible la fabricació de disositivos semicoductores de otecia co tesioes de bloqueo de más de V. Sólo esta técica ermite roducir silicio co la homogeeidad de doado requerida. Por aquel etoces, e esta categoría de tesioes el tiristor era el úico disositivo cuya tecología se domiaba correctamete. Si embargo, el úmero de alicacioes era muy limitado, ya que este disositivo o ermitía el corte de corriete e u istate cualquiera. E los años ocheta y oveta se uiero al tiristor varios disositivos co caacidad de corte: el tiristor de corte de uerta o TO (ate Tur-Off Thyristor) y, osteriormete, el trasistor biolar co uerta aislada o IBT (Isulated ate Biolar Trasistor) y el tiristor comutado co uerta itegrada o ICT (Itegrated ate Commutated Thyristor). Estos disositivos icremetaro otablemete el esectro de defiicioes de tareas exlotables eficietemete. racias a estos disositivos, los accioamietos eléctricos de velocidad variable e el rago de megavatios rereseta hoy día la más avazada tecología y sería imosible imagiar la trasmisió de eergía eléctrica y los sectores de estabilizació de redes, dode las alicacioes alcaza sobradamete el rago de los gigavatios, si la existecia de solucioes basadas e comoetes semicoductores de otecia. Durate los diez últimos años, el IBT y el ICT (que sustituyero al TO) ha sido erfeccioados e cuato a érdidas, resistecia a la tesió, caacidad de trasorte de corriete (SOA = Safe Oeratig Area, área de fucioamieto seguro) y facilidad de uso. E cosecuecia ha erdido vigecia el viejo aradigma, admitido todavía a fiales de los oveta, segú el cual los IBT so adecuados ara salidas de equeña otecia y los ICT ara otecias mayores. Los IBT se usa ahora co exceletes resultados e alicacioes co salida suerior a 300 MW [1]. Si embargo, de esto o se uede cocluir que el ICT erderá su razó de ser como resultado del avace del IBT, como lo demuestra el fuerte crecimieto de alicacioes de éste, sobre todo e el rago de tesioes medias. La decisió acerca de cuál es el comoete más adecuado ara ua alicació deseada deede de diversos factores técicos, que se aclarará e cierta medida e este artículo. No obstate, e este cotexto o debe subestimarse el kow-how y la exeriecia del usuario al hacer la selecció correcta. Dado que la eficiecia y fiabilidad de los disositivos semicoductores deede estrechamete de las codicioes de servicio y del diseño físico del sistema (eléctrico, térmico, mecáico), los usuarios, siemre que sea osible, utilizará lataformas co las que tiee abudate exeriecia. Ha erdido vigecia el viejo aradigma segú el cual los IBT so adecuados ara salidas de equeña otecia y los ICT ara otecias mayores. Objetivos del diseño del IBT y del ICT Itroducció El doado del cuero de silicio de los semicoductores de otecia, es decir, la coductividad del sustrato, ha de reducirse cotiuamete coforme aumeta la tesió de rutura buscada. E cosecuecia, comoetes que e estado activo uede cofiar e la coductividad de su substrato (los comoetes uiolares o de ortadores mayoritarios, como el MOSFET de otecia y el diodo Schottky), reseta caacidades de bloqueo sueriores a V e estado de coducció, demasiado altas ara fucioar ecoómicamete (el límite deede del tio de comoete y de la alicació). Cosecuetemete, los semicoductores de otecia de silicio de más de 600 V se suele diseñar como disositivos modulados or coductividad (lasma). El iterior de u disositivo de este tio está saturado co u gra úmero de ortadores de cargas ositivas y egativas 1 Estructuras de comoetes y zoas de doado del ICT y del IBT a y comaració cualitativa de las distribucioes de lasma e estado de coducció b a b K E Cocetració Cátodo ICT (estructura de tiristor) - IBT - lasma del ICT lasma del IBT - Doado Áodo A C Los semicoductores se ha hecho omiresetes e ua amlia gama de alicacioes, etre ellas la trasmisió de eergía a las alicacioes de tracció b b y los accioamietos idustriales c a b c Revista ABB 4/

3 Semicoductores de otecia Lo más brillate de la eergía 2 Iterior de u IBT/ICT durate el corte Cátodo Cocetració camo eléctrico t t+δt - t lasma t+δt Áodo Se crea u camo eléctrico e la uió e el lado del cátodo y se exulsa el lasma. Cuato más cerca está del cátodo los ortadores de carga, meor es la tesió co la que se elimia. 3 Deedecia geométrica de la coductividad del lasma y érdidas de corte detro del IBT Cocetració Cátodo Plasma Pérdidas de corte de cada ortador de carga Resistecia esecífica del lasma Áodo E comaració co 1, es evidete que el ICT tiee ua mejor distribució del lasma. - (huecos y electroes) durate la fase coductora, siedo la coductividad del semicoductor mucho mayor que la del sustrato. Tales comoetes se deomia frecuetemete comoetes biolares e la idustria de semicoductores de otecia, auque el uso de esta exresió o es estrictamete correcto desde el uto de vista técico (esto se discutirá más adelate, e la seguda arte de este artículo, que se ublicará e el róximo úmero de Revista ABB). El lasma ha de ser extraído del disositivo durate el corte ara recuerar la caacidad de bloqueo. Esto se lleva a cabo mediate la tesió de recueració, or medio de la cual se crea u camo eléctrico que coduce los electroes, cargados egativamete al áodo y los huecos, cargados ositivamete, al cátodo. E cosecuecia, sigue circulado corriete mietras aumeta la tesió; durate el corte las érdidas se disia e forma de calor. Otimizació de las érdidas de otecia e coducció y e corte or ajuste de la distribució del lasma El objetivo comú del diseño de iterrutores ara semicoductores de otecia de alta tesió (cuyos tios más coocidos so el IBT y el ICT) es otimizar la combiació de la otecia e estado de coducció y las érdidas e corte. E térmios rácticos, esto sigifica que el semicoductor debe teer la míima caída de tesió osible e la fase de coducció (es decir, debe crearse u lasma deso) si que se origie érdidas excesivamete altas e corte cuado se surime el exceso de carga. El grosor míimo de u semicoductor de otecia está redetermiado or la caacidad deseada de bloqueo y or la itesidad del camo de rutura del silicio. La figura 1 muestra la distribució tíica del lasma de los comoetes IBT e ICT. La ricial diferecia etre ellos es que el ICT crea u lasma deso cerca del cátodo, mietras que el exceso de desidad de carga e el IBT cae de forma relativamete brusca del áodo al cátodo. Más adelate, e esta misma secció, exlicamos la causa de este feómeo. La imortacia de esta distribució de ortadores de carga se ilustra cosiderado el roceso de corte: durate el corte, el comoete recuera su caacidad de bloqueo creado u camo eléctrico desde la uió e el lado del cátodo hasta la zoa - 2. La tesió de recueració cubre el lasma desde el cátodo hasta el áodo. Los ortadores de carga cerca del cátodo so surimidos a ua baja tesió y, or tato, geera bajas érdidas e corte, mietras que los ortadores róximos al áodo fluye fuera del disositivo a ua tesió alta, origiado altas érdidas. Esta cosideració aclara or qué la distribució del lasma del tiristor suele cosiderarse u ideal, tambié deseable ara el IBT: la caída de tesió e el modo de coducció está determiada fudametalmete or la regió de desidad míima de lasma, lo que exlica or qué u IBT tiee érdidas de coducció mayores que u tiristor comarable. Así ues, si se uede aumetar satisfactoriamete el lasma del IBT e el cátodo, las érdidas de estado activo se reduce si que se origie érdidas e corte cosiderablemete mayores 3. La causa ricial de la baja desidad del lasma e el cátodo del IBT es u débil efecto de almaceamieto de ortadores : los huecos iyectados origialmete or el áodo uede etrar co relativa facilidad e la zoa e el lado del cátodo y desde ahí abadoar si obstáculos el comoete a través del cotacto (requerido) del emisor co la zoa (véase 1 ). E cotraste, debido a la falta de cotacto co la zoa, el tiristor o tiee u efecto imortate de almaceamieto de ortadores. La barrera de otecial de la uió e el cotacto del cátodo imide la etrada de huecos e la zoa. Dos cocetos diferetes se ha rouesto e geeral ara mejorar la distribució del lasma e el IBT: ua oció muy eficaz cosiste e alicar el riciio trichera [2], e el que se imide que los huecos ecuetre la zoa mediate u igeioso diseño geométrico de la estructura del cátodo. Alterativamete se uede geerar ua débil barrera de otecial or medio de ua caa de doado e frete de la zoa ara mateer los huecos alejados de la misma [3]. Ua exlicació detallada de estos métodos uede ecotrarse e la literatura, or ejemlo e [4]. Los IBT moderos, diseñados segú alguo de estos lateamietos básicos, reseta correlacioes etre las érdidas e coducció y las érdidas e corte, que se aroxima mucho a las de los ICT. Auque e el futuro será osibles alguas mejoras, los últimos diseños (or ejemlo, el SPT + de ABB [8]) ha sido otimizados e tal medida que ya o se esera grades asos adelate. Reducció de érdidas mediate la reducció del grosor La reducció del grosor de los comoetes es el arámetro más eficaz ara 36 Revista ABB 4/2006

4 Semicoductores de otecia Lo más brillate de la eergía reducir las érdidas totales. Las razoes so secillas: la resistecia del disositivo e estado de coducció decrece como cosecuecia del meor grosor y, al mismo tiemo, hay meos lasma global e el disositivo durate la fase coductora, razó or la que se roduce meos érdidas durate el corte. El grosor míimo de u semicoductor de otecia está redetermiado or la caacidad deseada de bloqueo y or la itesidad del camo de rutura del silicio. E 4 se muestra dos disositivos diferetes diseñados agresivamete co la misma caacidad de bloqueo: Es evidete que la máxima caacidad de bloqueo ara u elemeto de grosor dado se obtiee co ua distribució de itesidad de camo lo más róxima osible al límite de rutura e todo el grosor. El gradiete de la itesidad de camo de/dx 1 se uede ajustar or medio de la cocetració de doado e el silicio. E la ráctica existe límites ara el diseño agresivo de la distribució de la itesidad de camo y, or cosiguiete, ara el grosor míimo de los disositivos: 1. Si la cocetració de doado del semicoductor es muy baja, el camo eléctrico se extiede sobre todo el grosor del comoete, icluso a baja tesió. Por tato, todo el lasma uede ser elimiado a ua tesió más baja durate el corte. Auque teóricamete esto es deseable (uesto que las érdidas de corte dismiuye), tambié hace que la corriete se iterruma bruscamete al alcazar ua cierta tesió (el uto e el que se elimia el lasma del disositivo). Este efecto se cooce como rutura brusca (sa-off). La alta variació di/dt geera sobretesioes e iductacias arásitas y uede iiciar oscilacioes o deseadas e combiació co las caacitacias. La figura 5 muestra ejemlos de u corte de alimetació deseable ( suave ) y ua forma de oda desfavorable ( dura ). La iductacia arásita difiere mucho más e semicoductores de otecia ara altas itesidades que e equeños comoetes discretos. E rimer lugar, la iductacia de fuga es mayor debido a los cojutos, físicamete mayores y, e segudo térmio, el semicoductor exerimeta ua solicitació mucho mayor a través de ua iductacia arásita dada. Para ilustrar esto se comara u hiotético chi IBT discreto de 50 A co u módulo de A esamblado co 20 chis discretos de 50 A. Se suoe que la iductacia arásita e el circuito co el chi discreto es de 20 H, y la del módulo 100 H. El cálculo de la eergía iductiva almaceada (E id = LI 2 /2) muestra que, co la itesidad omial, cada chi del módulo exerimeta ua carga iductiva 100 veces mayor que la del chi discreto (2,5 mj frete a 25 µj). Esto idica que los comoetes utilizados ara altas salidas de otecia se ha de dimesioar ara u comortamieto de comutació mucho más suave que los chis emleados ara equeños motaje de circuitos imresos. E térmios rácticos, los igeieros ha de hacer los comoetes más gruesos de lo que teóricamete sería ecesario. Esto imlica aturalmete érdidas adicioales, segú se muestra e el ejemlo de 5. El semicoductor debe teer la míima caída de tesió osible e la fase de coducció si que se origie érdidas excesivamete altas e corte cuado se surime el exceso de carga. Además de la coceció co u cierto grosor adicioal, la rutura brusca se uede reducir mediate ua hábil distribució de doados e el lado del áodo del comoete. Los fabricates emlea diferetes ombres ara cocetos que so similares (al meos e su acció), or ejemlo, SPT (Soft Puch Through, Suave Perforació) [5] o FS (Field Sto, Parada de Camo) [6]. Debe señalarse tambié que ara los usuarios es más imortate que uca limitar e lo osible las iductacias arásitas e sus sistemas, debido al diseño más agresivo de los comoetes moderos. 2. La seguda limitació es atribuible a la radiació cósmica. Si ua artícula uclear del esacio co alta eergía, or ejemlo, u rotó, choca cotra u úcleo de silicio, la eergía liberada geera ua altísima catidad de electroes y huecos. Si el disositivo está e modo de bloqueo a alta tesió, estos ortadores se multilica a modo de avalacha debido a la alta itesidad de camo e el comoete. Esto causa ua rutura muy localizada del comoete, que uede dañar el disositivo de forma irrearable. Por cosiguiete, los fabricates ha desarrollado ormas ara el dimesioado, segú las cuales los comoetes se ha de diseñar co resecto al grosor y la distribució de la itesidad de camo, ara que la roba- 4 Diferetes diseños verticales de u semicoductor de otecia e el ejemlo de estructura de tiristor K Tio A A K - Tio B Camo eléctrico (E) Tio A - Límite de fallo - Tio B La tesió a través del disositivo es roorcioal al área situada bajo el camo eléctrico. La secció cetral ( - ) se suele deomiar zoa de deriva e comoetes uiolares y base - e comoetes biolares. 5 Efecto de la rutura brusca durate el corte de u gra módulo IBT de 3,3 kv/1.500 A bajo la ifluecia de ua alta iductacia arásita Tesió [kv], Itesidad [ka] Tio 1 (delgado) Tiemo [μs] L σ = 300 H Tio 2 (grueso) El Tio 1 de IBT es cosiderablemete meos grueso que el Tio 2 (340 µm frete a 380 µm, véase tambié 6 ). A Revista ABB 4/

5 Semicoductores de otecia Lo más brillate de la eergía 6 Comaració de grosores teóricos míimos calculados ara el comoete Esesor del elemeto [μm] Límite teórico Límite técico Comoetes avazados 1200 V 1700 V 2500 V 3300 V 4500 V 6500 V Tesió de rutura esecificada [kv] Suoiedo que o existe u grosor adicioal y que la rutura se roduce a temeratura ambiete, los grosores técicos míimos aroximados (valores factibles rácticamete, si cosiderar el comortamieto eléctrico) y los grosores de comoetes avazados (las áreas rojas rereseta los diferetes valores de varios fabricates). 7 Descoexió de u ICT co u área activa de 40 cm 2 bajo codicioes SOA, si circuito de rotecció Tesió [kv], Itesidad [ka] 6 Autofijació Rutura or avalacha diámica Tiemo [μs] La desidad de otecia de comutació es suerior a 500 kw/cm 2. La rutura or avalacha reduce e rimer lugar la ediete de la rama de tesió y a cotiuació limita automáticamete la sobretesió. bilidad de destrucció or radiació cósmica se limite a u grado acetable. Esta orma esecifica aroximadamete 1-3 FIT (fallos or uidad de tiemo) or cm 2 de área suerficial de comoete, que corresode a etre 1 y 3 fallos or cada mil milloes de horas de oeració y cm 2. La rueba de la tasa de fallos de uevos comoetes se suele obteer hoy día mediate bombardeo de rotoes o eutroes e aceleradores, que simula co suficiete exactitud el efecto de la radiació cósmica atural. Los comoetes de alta tesió de última geeració está ya cerca de los límites rácticos e cuato a grosor. E 6 se ilustra la osició de los últimos comoetes e relació co los límites teóricos calculados. Auque teóricamete sería osible ua ueva reducció del grosor or debajo del ivel actual, sería a exesas de ua rutura brusca más severa o de érdidas e corte cosiderablemete sueriores. Actualmete, arece dudoso que los usuarios llegue a acetar tales disositivos. Aumeto de la caacidad de corte (Safe Oeratig Area, SOA) La itesidad de salida útil de u semicoductor de otecia está limitada or la caacidad de la tecología de ecasulado ara disiar érdidas de otecia y or la máxima itesidad que uede cotrolarse co seguridad durate el corte. La seguda arte de este artículo tratará co detalle la tecología de ecasulado, mietras que aquí se tratará los asectos SOA. Durate los años 90 se daba or setado que u eveto de rutura or avalacha diámica reresetaba ua codició de fucioamieto oco seguro. Tal rutura se roduce si la desidad de otecia (calculada como la itesidad a descoectar multilicada or la tesió del elace de CC) alcaza aroximadamete 150 kw/cm 2. A artir de cosideracioes teóricas o es osible mateer la coclusió de que la rutura or avalacha diámica es isegura. Por el cotrario, el efecto es autolimitate [4] y, or tato, uede cosiderarse iofesivo. E cosecuecia, ara los fabricates tiee setido elevar el límite de destrucció de los comoetes al máximo ivel osible. Ya se ha demostrado co éxito desidades de otecia de más de 1 mw/cm 2 e todos los comoetes moderos (ICT, IBT y diodos). U ejemlo, que demuestra que grades comoetes uede cotrolar co seguridad otecias muy altas de salida, se muestra e 7. Debido a las limitacioes térmicas, hoy e día aeas es osible oerar co comoetes a ua otecia eficaz de más de uos 100 kw/cm 2. Si embargo, está justificada la cuestió de si u marge SOA suerior a este límite tiee imortacia ráctica. La resuesta es afirmativa or las razoes siguietes: E disositivos semicoductores de otecia de gra suerficie o se uede asumir que la corriete fluye uiformemete or el semicoductor. Irregularidades e la refrigeració, diferetes iductacias de acolamieto y roiedades ligeramete distitas de los semicoductores uede origiar diferecias imortates de temeratura y cargas eléctricas o homogéeas, estas últimas esecialmete durate la coexió y descoexió [7]. Los márgees grades de otecia uede evitar el fallo de los comoetes e tales codicioes. Varios grades fabricates de equios udiero robar ua relació causal etre los márgees de otecia y la fiabilidad del camo, icluso co los comoetes oerado e codicioes omiales, detro de los límites de las esecificacioes. Ua gra toleracia ara la rutura or avalacha diámica evita que surja sobretesioes más allá de las tesioes omiales esecificadas (véase 7 ). U marge grade de otecia SOA uede servir ara afrotar codicioes de sobrecarga muy oco frecuetes (or ejemlo, codicioes de averías). eeralmete, las grades cargas disiadas durate tales sucesos uede tolerarse, ya que el corte sólo suele ocurrir ua vez. Aumeto de la máxima temeratura de la uió La amliació de los límites de temeratura está estrechamete relacioada co las roiedades de la tecología de ecasulado, que se discute co más detalle e la seguda arte de este artículo. Comarativa ICT e IBT La meor otecia de coducció del IBT se suele citar como ua vetaja esecial de este disositivo e comaració co el ICT. La diferecia e otecia de coducció es atribuible al hecho de que el IBT está cotrolado or ua etrada MOS, mietras que el ICT es u disositivo cotrolado or la itesidad. E la ráctica, si embargo, la ecesidad de diferete otecia sólo es crucial e u equeño úmero de alicacioes, dado que la otecia de coducció es lo bastate baja como ara 38 Revista ABB 4/2006

6 Semicoductores de otecia Lo más brillate de la eergía obteerla co u esfuerzo acetable. Por otro lado, la diferecia más imortate etre u ICT y u IBT desde el uto de vista de la alicació está e el hecho de que el IBT uede ser cotrolado or la tesió de uerta durate la coexió/descoexió, mietras que los trasitorios de comutació e el ICT está goberados úicamete or la diámica itera del comoete. Esta diferecia, que uede arecer oco imortate a rimera vista, tiee cosecuecias trascedetales ara la toología del circuito y ara alicacioes que exige la coexió e aralelo y/o e serie. Diferecias e toología de circuitos Debido a la estructura itera del tiristor ICT, el disositivo geera corriete muy ráidamete durate el ecedido, es decir roduce ua acusada variació di/dt que geera ua solicitació iacetable e los diodos auxiliares. Debido a ello, es reciso restrigir siemre la variació di/dt e circuitos ICT or medio de u circuito limitador. E iversores de fuete de tesió, esta solució suele cosistir e ua equeña iductacia e serie co el iterrutor 8. Auque ello aumeta la comlejidad del circuito, tiee varias vetajas: 8 Circuito de rueba de fase de u ICT + - di/dt circuito limitate L i V DC R i D i D circ. libre ICT L carga El gradiete de itesidad máximo ermitido or el iductor L i durate la activació es di/dt max = UDC/L i. Los elemetos D i y R i forma u circuito de circulació libre ara L i y limita la sobretesió durate el corte del ICT. 1. E iversores de fuete de tesió si limitació di/dt extera (como los circuitos tíicos IBT), dicha limitació ha de teer lugar mediate cotrol del roio disositivo de comutació, lo que causa érdidas sustaciales de coexió. E iversores co altas tesioes, la combiació de las érdidas de coexió del iterrutor y las érdidas de recueració del diodo costituye etre el 40 y 60 or cieto de las érdidas totales del iversor, deediedo de la frecuecia de comutació. Pérdidas de coexió otablemete meores tiee lugar e u iterrutor de silicio utilizado co u limitador di/dt asivo, liberado al disositivo de carga térmica y, e cosecuecia, ermitiedo e riciio ua mayor otecia de salida ara el iversor. Si embargo, debe señalarse que a esar de todo se roduce érdidas, dado que se trasfiere al circuito de circulació libre del limitador de di/dt (ocurre e la resistecia R i y e el diodo D i de 8 ). La iterretació de que u iversor co u circuito limitador di/dt geera siemre meos érdidas totales que u iversor IBT covecioal es, or tato, icorrecta. E disositivos semicoductores de otecia de gra suerficie o se uede asumir que la corriete fluye uiformemete or el semicoductor. 2. La seguda vetaja es que, como resultado de la limitació di/dt asiva, la itesidad sólo uede aumetar co relativa letitud cuado se roduce ua avería (or ejemlo, u cortocircuito e el uete iversor o e la carga). Por cosiguiete, existe dos estrategias efectivas ara afrotar tales sucesos: (a) Si la avería se detecta a tiemo, es osible hacer ua descoexió ormal; (b) La eergía almaceada e el elace de CC se uede descargar activado todos los iterrutores y disersarla e todos los semicoductores (se uede dimesioar la iductacia L i ara mateer la itesidad de cortocircuito detro de límites seguros). Coexió e aralelo y e serie Dado que o se uede ifluir exteramete e los trasitorios de comutació de u ICT, el circuito de cotrol de uerta ha de accioar el cojuto del disositivo de forma simultáea ara garatizar u roceso de descoexió homogéeo y, or tato, seguro. La diferecia de tiemo tolerable es iferior a 100 s, lo que sigifica que los ICT sólo se uede oerar e aralelo o e serie co u esfuerzo relativamete grade. E ambos casos, los circuitos amortiguadores, activos o asivos, ha de comesar icluso las diferecias más equeñas de tiemos de comutació etre los ICT (causadas or los errores de tiemo de cotrol y or codicioes locales como la temeratura). Si o se cosigue esto, se uede sobrecargar los disositivos ICT idividuales. El coste y la comlejidad de estos circuitos amortiguadores so, geeralmete, demasiado altos e comaració co los de la alterativa IBT. Para fializar, los ICT fucioa mejor e alicacioes e las que cada fució de comutació es realizada or u solo disositivo. E la seguda arte de este artículo sobre semicoductores de alta otecia, que se ublicará e Revista ABB 1/2007, trataremos diversos asectos del diseño de ecasulados. Además estudiaremos el otecial de los materiales de amlio salto de bada. Stefa Lider ABB Switzerlad Ltd, Semicoductors Lezburg, Suiza stefa.lider@ch.abb.com Bibliografía [1] K. Eriksso: HVDC Light TM ad Develomet of Voltage Source Coverters. Proc. 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